Instituto de Educación Superior 

"Pedro P. Díaz"
Transistor IGBT
Grupo 3:
Integrantes:
1. Fernández Lastarria Valerio
2. Yaro Salas Paul Antonio
3. Huairoccacya Companoca
Ronal
4. Cotohuanca Puma Juan
 INTRODUCCIÓN:
• Se llama así por su abreviatura en ingles:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR.
TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA.
• Es un transistor de potencia y de conmutación con diversas
aplicaciones sobre todo en el campo industrial.
• El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia híbrido que
combina los atributos del BJT y del MOSFET.
 DEFINICIÓN:
• Es un transistor que se compone y aprovecha las características de un
MOSFET Y BJT
• La característica del BJT nos permite la conmutación a baja tensión y
capacidad de pasar mucha corriente, pero con las bondades que nos da la
compuerta aislada de un MOSFET
• Al igual que los MOSFET la corriente
que va a circular de colector a emisor
la vamos a controlar mediante una
tensión entre puerta y emisor
 IMPORTANCIA Y USOS:
• Fue creado con el objetivo de conseguir un dispositivo de gran velocidad de
conmutación, mínimo consumo de corriente de control y gran capacidad de
soporte a voltajes y corrientes elevados.
• Se utilizan mucho en la parte de electrónica de potencia, dispositivos de control.
• Control de motores, sistema de alimentación ininterrumpida, iluminación de baja
y alta frecuencia.
• Esta integrado y es sumamente importante en:

o Variadores de frecuencia
o Activaciones de Bobinas
o Sistemas de Alimentación
Ininterrumpida
o Iluminación de baja frecuencia y alta
frecuencia.
 FUNCIONAMIENTO
Su control es igual que él del MOSFET, es decir por tensión. Aplicando una
tensión entre el GATE y el EMISOR
Podemos apreciar su circuito equivalente:
Este dejara pasar corriente entre Colector y Emisor solo si se alimenta con una
tensión VGS al Gate.
Una vez energizado el transistor IGBT puede quedar energizado en Transistor
BJT PNP integrado
CURVA CARACTERÍSTICA
Transistor irgp50b60pd1
A mayor tensión Puerta- Emisor
mayor corriente podrá dejar
pasar entre el Colector -Emisor
 CURVA
CARACTERÍSTICA
Transistor irgp50b60pd1
Habrá una menor disipación de
Potencia IGBT cuando mayor sea la
tensión Puerta-Emisor sin exceder el
valor máximo.
VENTAJAS Y DESVENTAJAS

• Entrada como MOSFET y salida

como BJT