Electrónica Analógica y

Digital
Transistor de efecto de campo (FET)
JFET
MOSFET
Temario:

▪ Introducción a la actividad.
▪ Recordatorio de las temáticas estudiadas.
▪ Estudio del transistor FET.
▪ Características.
▪ Funcionamiento.
▪ Cierre.
Logro de aprendizaje:

Al finalizar la sesión, el estudiante conoce el

funcionamiento del transistor FET, resaltando sus
aplicaciones.
Utilidad

Transistor FET

Datos/Observaciones
El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, en tanto que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje.
Transistor de efecto de campo de unión (JFET)
IDSS es la corriente de drenaje máxima para un JFET y está definida por la condición
VGS =0 V y VDS > |Vp|.
El nivel de VGS que produce ID =0 mA está definido por VGS =Vp, con Vp convirtiéndose en
un voltaje negativo para dispositivos de canal n y en voltaje positivo para JFET de canal p.
 Resistor controlado por voltaje
La ecuación es una buena primera aproximación al nivel de resistencia en función del voltaje
aplicado VGS:
donde ro es la resistencia con VGS =0 V y rd es la resistencia a un nivel particular de VGS.

Ejercicio
Para un JFET de canal n con ro =10 k (VGS =0 V, Vp = - 6 V). Cuál sería el valor de la resistencia para VGS = -3V.
Símbolos
 CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA

Para el transistor BJT la corriente de salida IC y la corriente de control de entrada IB están relacionadas por beta, la cual se
considera constante para el análisis que se va a realizar. En forma de ecuación,

Desafortunadamente, esta relación lineal no existe entre las cantidades de salida y entrada de un JFET. La ecuación de Shockley
define la relación entre ID y VGS
Aplicación de la ecuación de Shockley
 Ejercicio
Para las características de drenaje de la figura, determine ID para VGS = -1 V
Solución
RELACIONES IMPORTANTES
 MOSFET TIPO EMPOBRECIMIENTO
Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico

No hay una conexión eléctrica entre la terminal de compuerta y el canal de un MOSFET.

La capa aislante de SiO2 en la construcción de un MOSFET es la responsable de la muy

deseable alta impedancia de entrada del dispositivo.
 Ejercicio

Calcule, para un MOSFET tipo empobrecimiento de canal n con IDSS =10 mA y Vp = - 4 V, el

valor de ID si VGS= 1V.
Solución
Símbolos
 MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO

La construcción de un MOSFET tipo enriquecimiento es muy parecida a la del MOSFET tipo empobrecimiento
excepto porque no hay un canal entre el drenaje y la fuente.
Si VGS se ajusta a 0 V y se aplica un voltaje entre el drenaje y la fuente del dispositivo de la figura anterior, la ausencia
de un canal n (con su generoso número de portadores libres) producirá una corriente de efectivamente 0 A; muy
diferente del MOSFET tipo empobrecimiento y el JFET, donde ID =IDSS.

Tanto VDS como VGS se ajustaron a un determinado

voltaje positivo de más de 0 V, para establecer el drenaje
y la compuerta a un potencial positivo con respecto a la
fuente.
Para valores de VGS menores que el nivel de umbral, la corriente de drenaje de un MOSFET
tipo enriquecimiento es de 0 mA.
Para niveles de VGS >VT, la corriente de drenaje está relacionada con el voltaje de la compuerta
a la fuente aplicado por la siguiente relación no lineal:

El término k es una constante que es una función de la construcción del dispositivo. El valor de k se determina a partir
de la siguiente ecuación, donde ID(encenido) y VGS(encendido) son los valores de cada uno en un punto particular de
las características del dispositivo.
Símbolos
Polarización en los FET
Solución
CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN
POLARIZACIÓN POR MEDIO DEL DIVISOR DE VOLTAJE
Canvas
(Práctica)

▪ Foro
▪ Ejercicios
Cierre

▪ Características de los transistores FET.

▪ Regiones de operación.
▪ Polarización (análisis ante CD).
▪ Ejemplos y ejercicios.
La corriente máxima para cualquier JFET se designa _____ y ocurre cuando VGS es ______.
La corriente mínima para un JFET ocurre en el momento en que se da el estrangulamiento definido por
VGS=____.