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PRACTICA No 6 EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

OBJETIVO GENERAL
Determinar el funcionamiento de un transistor de efecto de campo

OBJETIVOS PARTICULARES
Determinar la dependencia exponencial dada por la ley de SHOCKLEY entre la
corriente I0 y el voltaje VGS.

Determinar la curva de transferencia del transistor FET.

Comprobar el efecto de amplificacin

INTRODUCCIN:

Los transistores ms conocidos son los llamados bipolar (NPN y PNP), llamados as
porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra
su impedancia de entrada bastante baja.

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que


pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de
cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. Un transistor
de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material P N, llamada
canal, que rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que
forma con el canal una unin P-N.

En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente
sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el
collar figura 1.

Figura 1. Estructura del transistor FET


Figura 2. Disposicin de las polarizaciones para un FET de canal N.

La figura 2, se muestra un esquema que ayudar a comprender el funcionamiento de


un FET. En este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N.

La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unin P-N
entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta.

Si el material de la puerta est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa
estar formada por el canal. Si al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas
desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unin.

Si Vds se hace positiva (Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre
sumidero y fuente, que har que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en
toda su longitud y, en consecuencia, en la parte ms prxima al sumidero, que es la
ms polarizada, la capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal.

Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la
tensin, ya que la penetracin de la capa desierta hacia el interior del canal no vara
substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que aumenta la tensin
aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la
conductancia de ste disminuye.

El ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y llega un


momento en que el canal se ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero
que un incremento de Vds apenas tiene efecto sobre la corriente de sumidero. Entonces
se dice que el transistor est trabajando en la zona de estriccin (pinch-off),
llamndose tensin de estriccin Vp a la del punto de transicin entre el
comportamiento casi lineal y el casi saturado.
Figura 3. Zonas de funcionamiento del JFET

Si a la puerta se le aplica una polarizacin negativa estacionaria, la capa desierta


penetra ms en el interior que con la polarizacin nula; por tanto, para pasar a la zona
de estriccin se necesita menos tensin de sumidero. El aumentar la polarizacin
negativa permite tener la transicin a la zona de estriccin a corrientes de sumidero
an inferiores figura 3.

El funcionamiento del FET se basa en la capacidad de control de la conductancia del


canal por parte de la tensin de puerta y, como la unin puerta-canal se encuentra
siempre polarizada inversamente, el FET es por esencia un elemento de alta
impedancia de entrada.

MATERIAL Y EQUIPOS EMPLEADOS

1 Generador de funciones
1 Osciloscopio.
1 Fuente de voltaje variable.
Transistores. 2N3819
Resistencias.
Multimetro Digital.

DESARROLLO EXPERIMENTAL

EXPERIMENTO 1 POLARIZACIN DEL TRANSISTOR I.

a) Construya el circuito que se muestra en la figura 4.


XMM1
R1 V1
1k 12V

Q1
2N3821

R2
1k

Figura. 4

b) Conecte la terminal G a tierra.

c) Ajuste la fuente de alimentacin a su valor mnimo, incremente el voltaje de


entrada en intervalos de 0.5 Volts, hasta alcanzar 5 Volts, posteriormente, vari
el incremento a intervalos de 2 Volts hasta alcanzar 15 Volts.

Volts Var I mA Volts Var I mA


0.5 0.2 2 0.88
1 0.33 4 1.65
1.5 0.65 6 2.04
2 0.88 8 2.13
2.5 1.08 10 2.17
3 1.27 12 2.20
3.5 1.47 14 2.22
4 1.65 16 2.23
4.5 1.81
5 1.91

d) Con el Multmetro mida el valor de lDSS, para cada uno de los incrementos.

e) Trazar la curva experimental de transferencia del FET con estos valores.


Curva de tranferencia
350

300

250

200
IDSS

150

100

50

0
0 1 2 3 4 5 6
VDS

curva de transferencia
325.5
325
324.5
324
IDSS

323.5
323
322.5
322
321.5
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
VDS

f) Determine el voltaje de estrechamiento VP utilizando la curva de transferencia


del FET.

Vp=3.2 ; y Vp=5.8 V segn los valores calculados anteriormente


EXPERIMENTO 2. POLARIZACIN DEL TRANSISTOR II.

a) Construya el circuito que se muestra en la figura 5.

XMM1
R1 V1
10k 15V

Q1 XMM2
2N3821
R3
1M

R2
V2 32k
16V

=A b) Ajuste las fuentes VDD y VGG a 0 volts.

c) Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VGG hasta obtener un valor de - 0.25
volts en las terminales G y S (VGS = -- 0.25 volts).

el Vp=9.6 V R2=32k

d) Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VDD hasta obtener valores de VDS de 0 a
15 Volts en intervalos de tres volts cada uno.
TENSION VDS Volts ID (A)
3 0.6 0.06
6 0.59 0.13
9 0.59 0.20
12 0.58 0.28
15 0.56 0.35

e) Medir la corriente lD para cada incremento de VDS.


f) Calcular tericamente la corriente ID y el voltaje VDS.

g) Obtener el porcentaje de error.

Figura 5.

h) Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VGG hasta obtener un valor de - 0.5
volts en las terminales G y S (VGS = -- 0.5 volts).

i) Repita los incisos anteriores hasta obtener el porcentaje de error.

v
j) e) Localizar el punto Q de trabajo en la grafica de transferencia.

EXPERIMENTO 3 AMPLIFICADOR DE JFET

a) Construya el circuito que se muestran en la figura 6.

XSC1
V5
Ext Trig
+
_
R6 B
16V A

10k + _ + _

C2

1F
C1 Q3
2N3821

1F
V6 R8
10Vpk 1M R7
60Hz 33k
0
V3
15V

Figura.6

b) Con el osciloscopio observe la forma de onda y mida el voltaje de salida V0 (t).


b) Calcular el valor terico de V0 (t) utilizando el equivalente del FET.

Vo=1.436 v Vpp=2.16 V Vp=1.80

d) Compare la seal de salida en las terminales A y B, con respecto a la seal de


entrada de la fuente, anote los cambios observados en fase y amplitud.

e) Grafique la seal de salida con respecto a la seal de entrada.


f) Obtenga el porcentaje de error.

E%=(1.80-1.436)/1.80=20.22%

ANLISIS DEL EXPERIMENTO


Anexar el anlisis terico del experimento, indique bajo que ecuaciones se relaciona el
resultado experimental.

CUESTIONARIO

7. Explique la diferencia entre un transistor BJT y un transistor FET.

BJT
Controlado por corriente de base.
Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones.
IC es una funcin de IB.
(beta factor de amplificacin)
Altas ganancias de corriente y voltaje.
Relacin lineal entre Ib e Ic.
JFET
Controlado por tensin entre puerta y fuente.
Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p)
electrones (canal n).
ID es una funcin de Vgs.
gm (factor de transconductancia).
Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los BJT.
Relacin cuadrtica entre Vgs e Id.
Ventajas del FET con respecto al BJT
Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012)M.
Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Son ms estables con la temperatura que los BJT.
Son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten
integrar ms dispositivos en un CI.
Se comportan como resistencias controladas por tensin para valores pequeos
de tensin drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.
Desventajas de los FET
Los FETs presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad
de entrada.
Los FETs presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales
que los BJT.
Los FETs se pueden daar debido a la electricidad esttica.

8. Indique los elementos que determinan el punto de trabajo en un transistor FET.

En esencia, el punto de trabajo de un transistor en un circuito variar cuando cambie


alguno de los elementos de los que depende. Estos elementos pueden ser bien internos
al propio dispositivo (Tensiones o corrientes, caractersticas), bien externos, como
por ejemplo variaciones en las resistencias, alimentaciones, ... En la figura podemos
ver el efecto de la variacin de la resistencia de colector sobre el punto de
funcionamiento del transistor. Es evidente que si dicha resistencia disminuye,
tendremos un incremento en la corriente de colector (IC) para la misma tensin
colector-emisor (VCE), luego se ve claramente que la variacin de un componente
afecta directamente a la posicin del punto de trabajo, el cual con una resistencia RC1
se encuentra en Q1 y con otra resistencia menor (RC2) pasa a ser Q2.
Los componentes, y las caractersticas del transistor, pueden variar por numerosos
motivos, entre los cuales los ms importantes son:
-Debido a cambios de temperatura
-Debido a cambio del componente en s por otro igual o diferente

9. Enuncie tres ejemplos de aplicacin para transistores FET.


10. Explique la operacin del FET en las zonas de corte y saturacin en las curvas
de caractersticas.

JFET en regin de corte


En esta regin la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este caso,
la tensinentre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de
inversin bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y
fuente. En las hojas tcnicas se denomina a esta tensin como de estrangulamiento o
pinch-off y se representa por VGS (off) o Vp. Por ejemplo, el BF245A tiene una VGS
(off) = -2V.

JFET en regin de saturacin

En esta regin, de similares caractersticas que un BJT enla regin lineal,


el JFET tiene unas caractersticas lineales que son utilizadas en amplificacin. Se
comporta como una fuente de intensidad controlado por la tensin VGS cuya
ID es prcticamente independiente de la tensin VDS. La ecuacin que relaciona la
ID con la VGS se conoce como ecuacin cuadrtica o ecuacin de Schockley que
viene dada por

donde Vp es la tensin de estrangulamiento y la IDSS es la corriente de saturacin.


Esta corriente se define como el el valor de ID cuando VGS=0, y esta caracterstica es
utilizada con frecuencia para obtener una fuente de corriente de valor constante
(IDSS). La ecuacin 1.22 en el plano ID y VGS representa una parbola desplazada
en Vp.

Esta relacin junto a las caractersticas del JFET de la figura 1.11 permiten obtener
grficamente el punto de trabajo Q del transistor en la regin de saturacin. La
figura 1.13 muestra la representacin grfica de este punto Q y la relacin existente
en ambas curvas las cuales permiten determinar el punto de polarizacin de
un transistor utilizando mtodos grficos.

11. Explique porqu un FET tiene alta impedancia de entrada.

Dado que la unin puerta est polarizada inversamente y puesto que no hay una
contribucin de portadores minoritarios al flujo a travs del dispositivo, la impedancia
de entrada es extremadamente alta. El elemento de control del JFET proviene del canal
n, por el drenaje de los portadores de carga.

12. Enuncie los tipos de FET que conoce.

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (JFET)

TRANSISTOR MOSFET

13. Describa la ecuacin de SHOCKLEY.

Ecuacin de Shockley:

ID=IDSS(1-VGS/Vp)2
Donde:

Vp es la tensin de puerta que produce el corte en el transistor FET.


IDSS es la corriente mxima de drenador que circula por el transistor, al aumentar
VDS, cuando la polarizacin de la puerta es VSG= 0 vo

14. Cuales son las ventajas que presenta el FET con respecto a un BJT.

Ventajas del FET con respecto al BJT


Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012)M.
Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Son ms estables con la temperatura que los BJT.
Son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten
integrar ms dispositivos en un CI.
Se comportan como resistencias controladas por tensin para valores pequeos de
tensin drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.

15. Explique cual es el efecto que tiene la carga esttica en el FET.


Estos FETs pueden ser daados por electricidad estatica

La electricidad esttica o corriente esttica o simplemente esttica, como su nombre lo


indica, es esttica (no se mueve), pues a diferencia de la corriente que todos conocen es
una corriente que no va a ninguna parte. Tanto la corriente continua como la corriente
alterna fluyen en algn sentido, la corriente esttica no.
Este fenmeno aparece principalmente por el efecto de la friccin entre dos cuerpos.
Este efecto se da, por ejemplo, cuando se camina sobre una alfombra, cuando una
persona se peina, con el roce entre el peine y el cabello y causan que un cuerpo pierda
y el otro gane electrones.

Cuando hay contacto entre dos cuerpos hay electrones de un cuerpo que pasan al otro,
de manera que un cuerpo queda con ms electrones y en consecuencia ms negativo y
otro con menos electrones (los electrones que acaba de perder) y en consecuencia ms
positivo.

Como no existe un camino para que los electrones regresen al cuerpo original, este
desbalance se mantiene. En caso de que el rozamiento no se mantuviera, la electricidad
esttica desaparecera poco a poco. Si este proceso (de carga elctrica), de que un
cuerpo pierda electrones para que otro lo gane, contina el desbalance se hace mayor y
mayor hasta que llegar un momento en que la descarga se produce y estos electrones
buscan el camino de regreso a su estado anterior.
Un caso por todos conocido son los rayos que saltan de una nube a otra o que saltan a
la tierra. Esta diferencia de voltaje (diferencia de potencial) creada por el roce entre
nubes se hace muy grande al punto que se crea un arco de corriente que todos llamamos
rayo.

Todos los modernos componentes microelectrnicos son propensos al dao producido


por cargas elctricas dispersas pero algunos lo son ms que otros. Los dispositivos que
son ms propensos al dao suelen ser aquellos que estn ms basados en la tecnologa
del efecto de campo que en la tecnologa de la unin bipolar. Incluyen los dispositivos
lgicos CMOS (tales como las puestas lgicas y la lgica MSI (mdium scale
integration), dispositivos MOSFET (como los transistores), circuitos VLSI NMOS y
PMOS (utilizados en los dispositivos de memoria dinmica, microprocesadores, etc.).
Los transistores de microondas y los diodos (debido a sus pequeos tamaos y pequeas
zonas de unin) son tambin particularmente sensibles a la esttica as como lo son
algunos dispositivos optoelectrnicos y pantallas. En caso de duda, el principio bsico
es tratar cualquier dispositivo semiconductor con mucho cuidado y siempre evitar
situaciones en las que las cargas estticas puedan entrar en contacto con el dispositivo

16. Explique como opera el FET en la regin de agotamiento

Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo, la regin de agotamiento se


extender completamente a travs del canal, con lo que la resistencia del mismo se
har infinita y se impedir el paso de ID (Figura 3). El potencial al que sucede este
fenmeno se denomina potencial de bloqueo (Pinch Voltage, VP).

Figura 3: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con la tensin de


bloqueo