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a. Empobrecimiento (Si VG < VS) o Enriquecimiento (Si VG > VS). (Debo especificar el caso)
b. Enriquecimiento.
c. En ninguno. (Porque al ser polarización en cero, VGS no es ni negativo ni positivo, es cero)
d. Empobrecimiento.
2. Trace el diagrama con JEFT canal N en polarización por divisor de voltaje, indicando los valores
de cada resistencia y el voltaje de estrangulamiento (VP). Utilice estos datos:
R1 = 2.1MΩ, VDD = 16v y VD = 10.24v, y la curva de transferencia.
Tener en cuenta que puede usar la información proporcionada por la gráfica tanto de
la curva de transferencia como de los puntos de la recta de carga, solo debe tener
cuidado con su interpretación.
16v
2.2MΩ 2.4 KΩ
0.28MΩ 1.5 KΩ
VGS(corte) = - 4v de acuerdo a la
gráfica, por lo tanto, VP = + 4v.
Actividad en Clase: JFET y MOSFET
3. La hoja de datos del E-MOSFET revela que ID(ON) = 10mA con VGS(ON) = -12V y
K = 0.12 mA/v2
ID = 1.08 mA
VGS (v) -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
5. Determine VGS y VDS para los E-MOSFET del circuito de la figura. La información dada en la
hoja de datos es: ID (encendido) = 2mA para un VGS (encendido) = 3V y VGS(umbral) = 1.5V
K = 0.89 mA/v2
VGS = 2.5 v
ID = 0.89 mA
VDS = 3.66 v