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TRANSISTORES DE EFECTO

DE CAMPO
FET


INTRODUCCIN
. El transistor de efecto de campo (FET) (por sus siglas en ingls
Field Efect Transistor) es un dispositivo de tres terminales que
se utiliza para diversas aplicaciones, en gran parte, similares
a las del transistor BJT.
La principal diferencia entre los dos tipos de
transistores es el hecho de que el transistor
BJT es un dispositivo controlado por corriente como
se describe en la figura 5.1a, mientras que
el transistor JFET es un dispositivo controlado por
voltaje como se muestra en la figura 5.1b.
INTRODUCCIN
.
La principal diferencia entre los dos tipos de transistores es el
hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por
corriente como se describe en la figura 1a, mientras que el
transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje como
se muestra en la figura 1b.
CONSTRUCCIN Y CARACTERSTICAS
DE LOS JFETs
.
VGS = 0 V, VDS algn valor positivo
.
VGS = 0 V, VDS algn valor positivo
.
VGS < 0V
El nivel de VGS que resulta cuando ID = 0 mA se encuentra definido
por VGS = VP, siendo VP un voltaje negativo para los dispositivos de
canal-n y un voltaje positivo para los JFETs de canal-p.
CARACTERISTICAS
CARACTERISTICAS DE
TRANFERENCIA
Ecuacin de Shockley
CARACTERISTICAS DE
TRANFERENCIA
Aplicacin de la ecuacin de
Shockley
Aplicacin de la ecuacin de
Shockley
EJEMPLO:
Trazar la curva de transferencia definida por IDSS = 12 mA y VP = 6 V.
Para un JFET de canal n
Los puntos de la grfica estn
definidos por:

ID VGS
IDSS = 12mA 0V
IDSS/2 = 6mA 0,3(-6)= -1.8V
IDSS/4 = 3mA 0,5(-6)= -3V
0mA -6V


EJEMPLO:
Trazar la curva de transferencia para un dispositivo de canal-p
con IDSS = 4 mA y VP = 3 V.
Los puntos de la grfica estn
definidos por:

ID VGS
IDSS = 4mA 0V
IDSS/2 = 2mA 0,3(4)= 1,2V
IDSS/4 = 1mA 0,5(4)= 2V
0mA 4V


Caractersticas elctricas
MOSFET DE TIPO DECREMENTAL
EJEMPLO:
Trace las caractersticas de transferencia
para un MOSFET de tipo decremental de
canal-n con IDSS = 10 mA y VP = 4 V.
MOSFET DE TIPO INCREMENTAL
HOJA DE ESPECIFICACIONES
EJEMPLO
Determine a partir de los datos proporcionados en la hoja de
especificaciones y un voltaje promedio de umbral de VGS(Th) = 3 V:
(a) El valor de k que resulte para el MOSFET.
(b) Las caractersticas de transferencia.
SOL:
Relaciones importantes
POLARIZACION DEL FET
RELACIONES BASICAS
Para todos los FETs:
A 0 I
G
~
S D
I I =
Para JFETS y MOSFETs DECREMENTAL:
2
P
GS
DSS D
V
V
1 I I
|
|
.
|

\
|
=
Para MOSFETs TIPO INCREMENTAL:

2
T GS D
) V V ( k I =
CONFIGURACIN DE
POLARIZACIN FIJA
25
GG GS
GS
DS C
S
D D DD DS
V V
V V
V V
V 0 V
R I V V
=
=
=
=
=
CONFIGURACIN DE
POLARIZACIN FIJA
26
EJEMPLO
CONFIGURACIN DE
AUTOPOLARIZACIN
CONFIGURACIN DE
AUTOPOLARIZACIN
EJEMPLO:
SOL:
POLARIZACIN POR DIVISOR DE
VOLTAJE
POLARIZACIN POR DIVISOR DE
VOLTAJE
POLARIZACIN POR DIVISOR DE
VOLTAJE
MOSFETs DE TIPO DECREMENTAL
CURVA UNIVERSAL DE POLARIZACIN DE JFET
Fin