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Electrnica
M ODELOS DE
P ORTADORES DE
ECUACIN DE CONTINUIDAD
Tr. 1
Electrnica
Modelo de Enlace
n=1 2 electrones 10 de los 14 e- estn fuertemente ligados al ncleo
+4 +14
El enlace de los 4 e- restantes es mucho ms dbil (electrones de valencia )
+4
+4
Modelo de Enlace
n=2 8 electrones
+4
+4
+4
n=3
+4
+4
+4
Crculo que representa el corazn de un tomo de Si
-Los dispositivos electrnicos de hoy en da usan materiales semiconductores. -Existen varios tipos de materiales semiconductores: elementales (IV): Si y Ge compuestos: AsGa, AsIn, otros -La disposicin de los tomos en los materiales influye en sus propiedades.
Nos centraremos en el estudio del Silicio (Si) que cristaliza en una estructura de diamante (cada tomo de Si est rodeado de otros cuatro tomos a la misma distancia espacial) Tr. 2
Electrnica
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
hueco
+4
h+
+4
+4
+4
+4
electrn libre
+4
+4
a)Cristal perfecto a T = 0K
e-
Tr. 3
Electrnica
+4
+4
+4
+4
+4
hueco
+4 h+
+4
+4
+4
electrn libre
Electrnica
+4
+4
hueco
+4
h+
+4
+4
hueco
+4
h +
+4
+4
+4
+4
+4
+4
e- y h+, con una masa eficaz cada uno Se libera un e-. El h+ a su vez acta atrayendo a otros e- (de otros enlaces o e-libres )=> Se produce un movimiento de partculas positivas ficticias (h+)
Departamento de Electrnica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla
-La conduccin a T ordinaria puede tener lugar a travs de dos modos cunticos distintos, describibles por medio de dos partculas clsicas: e de carga -q y masa eficaz m e h de carga + q y masa eficaz m h Tr. 5
Electrnica
Semiconductores Puros
Semiconductor intrnseco indica un material semiconductor extremadamente puro que contiene una cantidad insignificante de tomos de impurezas
+4
+4
+4
Semiconductor intrnseco es un semiconductor cuyas propiedades son innatas al material, es decir, no son producidas por agentes externos
+4
+4
h+
hueco
+4
+4
+4
electrn libre
+4
-Electrones y huecos se liberan por pares en un semiconductor intrnseco. -Las masas eficaces no son, en general, iguales entre s, ni a la del electrn aislado. -Valores de ionizacin tpicos: 0,7 eV (Ge), 1,1 eV (Si), 1,4 eV (AsGa)
e - La concentracin de portadores en un semiconductor intrnseco es una de las propiedades intrnsecas que identifican al material. Si n=n de e-/cm 3 y p=n de h+/cm 3 que existen dentro de un semiconductor, se obtiene que, para un semiconductor intrnseco en condiciones de equilibrio n=p=ni
Departamento de Electrnica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla
Tr. 6
Electrnica
Semiconductores Extrnsecos
Control de la concentracin de portadores = dopado Dopar = aadir cantidades controladas de tomos de impurezas para aumentar los e - h+ No se crea un par e-h tomo donador Columna V Energa de Ionizacin de la impureza 0,03 eV (Ge) --- 0,1 eV (Si) (don.) 0,02 eV (Ge) --- 0,06 eV (Si) (acep.) tomo aceptador Columna III
Tipo n
+4 +4
Tipo p
+4 +4
+4 (P, As,...)
+4
(B, Al,...)
+4
+5
+4
+4
+3
+4
e- extra
h+ extra
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Tr. 7
Electrnica
E2 E1
E2 E1
2 tomos de Hidrgeno
E 2 E2 E1 E1
Electrnica
Banda de Valencia
Ev
CONDUCTOR
Tr. 9
Electrnica
ESTADO FUNDAMENTAL A T=0K: Banda Valencia totalmente ocupada Banda Conduccin totalmente vaca
Electrnica
Semiconductor Extrnseco Semiconductor Extrnseco (tipo p) (tipo n) A T=0K: A T=0K: Ea vaco Ed llena BV llena---> BV llena---> (h+ impurezas aceptoras) BC vacia--->(e- impurezas donantes) BC vacia--->
Departamento de Electrnica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla
Tr. 11
Electrnica
EXCITADOS
T>0K
Departamento de Electrnica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla
Tr. 12
Electrnica
eV
Ge 0,01 0,01 0,012 0,013 0,26 0,32 0,04 varios 0,01 0,01 0,01 0,011 0,011
Si --0,04 0,044 0,049 0,52 0,37 0,24 varios 0,045 0,057 --0,065 0,16
Tr. 13
Li D ONADORAS ACEPTORAS
Li B
Eg=0,68 eV
Sb P As Cu Cu Cu Au B Al Ti Ga In
Cu Eg=0,68 eV Cu
Ed
Electrnica
Concentraciones de Equilibrio
Densidades volumtricas: ni = densidad de portadores en el material puro no = densidad de electrones en un semiconductor extrnseco en equilibrio po = densidad de huecos en un semiconductor extrnseco en equilibrio Nd = densidad de impurezas donadoras Nd += densidad de impurezas donadoras ionizadas Na = densidad de impurezas aceptoras Na - = densidad de impurezas aceptoras ionizadas Ecuacin de Neutralidad de Carga
+ p o no + N d N a = 0
Na
-= N a
Nd + = Nd
Tr. 14
Electrnica
E EV
EC
g C (E)
Densidad de Estados= n de estados existentes a una energa dada E Funcin de Fermi f(E)= n de los estados existentes a la energa E ocupados por un electrn g C (E)dE ---> n de estados en la banda de conduccin/cm 3 con energas comprendidas en E y E+dE (si E>=E C) g V (E)dE ---> n de estados en la banda de valencia/cm 3 con energas comprendidas en E y E+dE (si E<=E V)
E EV g V(E)
Tr. 15
Electrnica
Estadstica de Portadores
Situacin de Equilibrio (= todo proceso equilibrado con su opuesto)
f = Funcin de Distribucin (Fermi-Dirac) = Probabilidad de que E est ocupado por un e -
Ef = Energa de Fermi
1 para E < Ef ; a T = 0K, f es 0 para = 0,5 E > Ef ; Para T > 0K: f(E )
f
kT(T=300K) = 0,026eV
1 f ( E ) = ----------------------1+e
(E E f ) -------------kT
Ef va a ser un nivel cte. de referencia en el equilibrio= Energa de Fermi = Energa que corresponde a un valor de la funcin de distribucin de 1/2
f(E)
T1 = 0 K T2 > T1 T3 > T2
Ef
0,5 0
Electrnica
Concentraciones de Portadores
Concentracin de electrones n 0 = g C ( E )f ( E ) dE E
C
Concentracin de huecos p 0 = V g V ( E ) ( 1 f ( E) ) dE
E
n o = N ce
con
po = Nv e
(E E ) f v ------------------kT
con
= Nv N e c
Tr. 17
Electrnica
Semiconductores Intrnsecos
Material intrnseco: densidad de h+ = densidad de e- = n i (T)
no = po = ni no p o = n i2 (T) Nivel de Fermi de un semiconductor intrnseco: ni = Nc e = Nv e con E i = nivel de Fermi intrnseco
( E E ) c i ------------------kT ( E E ) i v ------------------kT
ni (T ) = ;
N vN e c
E g -----kT
Nc 1 1 1 kT E i = - ( E c + E v ) --- ln --- - ( Ec + E v ) = EV + - ( E c E v ) ---- N 2 2 2 2 v Tomaremos E i (mitad de la banda prohibida) como nivel de referencia
Expresiones alternativas en funcin de los parmetros Ei y n i :
(vlida para todo tipo de semiconductor)
despreciable a T=300K
no = nie
( Ef E i ) --------------kT
po = nie
( E i Ef ) 2 -------- n p = n -------o o i kT
Tr. 18
Electrnica
Valores Tpicos
Densidad equivalente de los estados en las bandas (Si, 300K) N c = 2,8 x 1019/cm 3 N v = 1,04 x 1019/cm 3
Densidad intrnseca de portadores (ni) T (K) 200 300 400 600 Ge (/cm3) 5. 109 1,8. 1013 1,2. 1015 1,1. 1017 Si (/cm3) 0,5.10 8 1,1. 10 10 10 13 2. 1015
Tr. 19
Electrnica
Nd + N d
Na = 0
( Ec Ef ) -------------------kT
Concentracin de Portadores:
no po =
p o n o +N = 0
Nivel de Fermi:
n n o E = E + k T ln ----f c Nc
no N d
= N e c
para Nd >> ni
d 2 ni p = ----o Nd no N
Nc Ef Ec kT ln ----Nd Nd Ef Ei + kT ln ----ni Ec Ef Ei Ev
Tr. 20
n 0 >> p0 tipo n
Electrnica
Concentracin de Portadores:
no po =
Nivel de Fermi:
p o = N Ve
po n o N a = 0
N a E f E i kT ln ----ni Nv E f Ev + kT ln ----Na Ec Ei Ef Ev
Tr. 21
para Na >> ni
a 2 n i n o = ----Na po N
p0 >> n 0 tipo p
Electrnica
Dependencia con T
n0 -------Nd impurezas no ionizadas
T1
impurezas completamente ionizadas Regin Extrnseca
T2
Semiconductor extrnseco
Semiconductor intrnseco
comportamiento n i intrnsecos (no=po=ni) -------Nd
Congelacin
Regin Intrnseca
T bajas
T
T altas
Ec Ed Ev
despreciable
dominante
(n=Nd +)
(n=n i)
Tr. 22
Electrnica
Procesos de Recombinacin-Generacin
Definicin general: generacin = proceso por el cual se crean portadores ( e- y h+)
recombinacin = proceso por el cual se destruyen portadores
Ambos procesos se caracterizan por unas cantidades que se denominan velocidades
G: velocidad de generacin
(nmero de portadores generados por unidad de tiempo y unidad de volumen)
R: velocidad de recombinacin
(nmero de portadores eliminados por unidad de tiempo y unidad de volumen)
En no equilibrio: R = G
Si no hay otros procesos: dn = G R = U dt dp = G R = U dt Para saber G, R y U hay que distinguir entre procesos directos o indirectos
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Electrnica
no<< po
Electrnica
captura de un ecaptura de un h +
Et
Ev
La estadstica asociada a estos procesos es compleja. Pero se puede demostrar que: 2 pn n i donde p y n se definen ahora en funcin de unos U = ---------------------------------------------- [p + n ] + [n + n ] coeficientes de captura C cp y C cn n i p i
1 = -------------C N cp t
1 n = -------------C N cn t
Valores tpicos:
Tr. 25
Electrnica
DIFUSIN
Movimiento de portadores debido a un gradiente de concentracin
huecos electrones
va
Movimiento de portadores tendiendo a ir desde regiones de alta concentracin hacia regiones de baja concentracin
Tr. 26
Electrnica
acelera a los portadores y sus colisiones con impurezas o con la estructura cristalina
col = m e v an q t col = m h v ap an = n v ap = p
Movilidades:
Velocidades de arrastre: v
La es una medida de la facilidad de movimiento de los portadores en el semiconductor Un incremento de colisiones retarda el movimiento y reduce la movilidad
Tr. 27
Electrnica
Dependencias de la Movilidad ()
Dependencia de la movilidad con el dopado y la temperatura Dependencia de la movilidad con el dopado a T=cte
Electrnica
Velocidad de arrastre
va
Dependencia de la velocidad de arrastre con el campo elctrico
A PEQUEOS va << V T RM ICA TIENE
POCO EFEC TO SOB RE
CUA NDO ESTO S ELEC TRONES COLISIONAN C ON LOS TO MOS DE LA RED , EXC ITAN LA RED EN UN NUEVO MODO DE VIB RAC IN QUE TIENE UNA SEC C IN MAYOR PAR A INTERC EPTA R MS ELECTRONES . DE ESTA FOR MA , LA DISPER SIN POR LOS TOMOS DE LA RED ES MUY GRA NDE , CA USAN DO QU E LA VELOC IDAD DE A RRASTRE SE SATUR E.
Departamento de Electrnica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla
Tr. 29
Electrnica
Corrientes de Arrastre
I
A Densidad de corriente = carga por unidad de tiempo y de superficie que atraviesa un plano arbitrario perpendicular a la direccin de flujo de portadores
Carga que atraviesa A durante un tiempo t: qpv a p A t Densidades de corriente: j ap = qp v ap = qp p
h e jap jan
huecos electrones
j an = q nv an = qn n
= j
ap
+j
an
= q ( p
+ n ) n
Conductividad: = q ( p + n ) p n
Un mismo semiconductor puede tener distintos valores de
1 Resistividad: =
control de las propiedades elctricas con el dopado Tr. 30
Electrnica
Ec Ev
Ec(x) Ev(x)
Curvatura de bandas
E
E ref
Ec Ev
E - E c = energa cintica de los eEv - E = energa cintica de los h+ Ec - Eref = energa potencial del e-
Electrnica
Corrientes de Difusin
El movimiento de portadores de carga debido a la difusin da lugar a corrientes elctricas
h
e jpdif jndif
Corrientes de Difusin:
j pdif = q Dp p j ndif = qDn n Dp kT --- = -----p q D p y Dn son las constantes de difusin ( cm2/s)
jp = q p p qDp p jn = q n n + qDn n
Tr. 32
Electrnica
Ecuacin de Continuidad
Objetivo: Calcular la distribucin de las concentraciones de los portadores
Luz
I
rea A
Jh(x+x) Jh(x)
x
GL G-R
x+x
Dinmica de los portadores: efecto combinado de todos los procesos que originan cambio de portadores con el tiempo w Arrastre y Difusin (fenm. de transporte) w Generacin/Recombinacin de pares e -h w Otros (iluminacin)
Concentracin de huecos
Dentro del volumen infinitesimal (Ax): -hay distintas densidades de corriente en cada punto del volumen--> J h ( x ) J h ( x + x ) -se dan procesos de recombinacin y generacin en el tiempo (G-R) -se crean portadores por iluminacin (G L )
(x ( x + x p ( x, t )[ volumen] = I-----) I-----------) -h --- -h---------t q q transporte + p t RG [ volumen] + p t [ volumen ] otros
Tr. 33
Electrnica
Ecuacin de Continuidad
SI X ----> d X , DESAR ROLLO
EN SER IE DE TAYLOR:
J h ( x + dx) = J h ( x ) + J h dx x j 1 p p = + GL U t q x j 1 n n = + GL U t q x
= q p qD p p p x
= q n + qD n n n n x
Tr. 34