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ELECTRÓNICA:

ELECTRÓNICA ANALÓGICA

BIBLIOGRAFÍA Y ENLA CES:


J. Aduriz, J.Berra, O. Jaio, Elektronika Analogikoa, Elhuyar, 2001.
http://www.sc.ehu.es/sbw eb/electronica/elec_basica/
F. Hernando, M.V. Rodriguez, J.R. Serrano, M.J. Sáenz, Electrónica general, Dpto. Electrtónica y Comunicaciones,
UPV/EHU, 2009.
M. Horenstein, Microelectrónica: circuitos y dispositivos, Prentice Hall, 1997.
Malvino, Principios de electrónica, Mc Graw Hill, 1999.
A. R. Hambley, Electrónica, 2ª Ed., Prentice Hall, 2001.
A. Agarw al, J. Lang, Foundations of Analog and Digital Electronic Circuits, Elsevier, 2005.
J. Ruiz de Garibay, Tecnología electrónica, Universidad de Deusto, 2014

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Electrónica analógica
ÍNDICE
1. Introducción
2. Diodos
3. Transistores
4. Amplificador operacional
5. Filtrado de señal

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Electrónica analógica
2. Diodos
2.1. Introducción
- Materiales semiconductores
- Unión P-N
2.2. Características
- Aproximaciones

- Recta de carga
- Tipos de diodos
2.3.Circuitos con diodos
- Repaso de conceptos básicos
- Rectificadores
- Filtrado
-Reguladores de señal

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Electrónica analógica
2. 1. Introducción

La mayoría de dispositivos de estado sólido que hay actualmente en el
mercado, se fabrican con un tipo de materiales conocido como
semiconductores (Sc).

Vamos a examinar las propiedades físicas de dichos elementos

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Electrónica analógica
Clasificación de los materiales
Atendiendo a las propiedades eléctricas un solido cristalino puede
ser:

Conductor Semiconductor Aislante

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Clasificiación de los materiales
Conductores
Los conductores tienen un único electrón en la última capa (la órbita de valencia).

La atracción del electrón libre con el núcleo es muy débil.

En un conductor los e- de valencia se mueven libremente por todo el material. Como


el movimiento es al azar, se compensan y por tanto la corriente media en nula.

Al someterles a la acción de un campo eléctrico, se produce un movimiento neto de


esos e- y se produce la conducción eléctrica

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Clasificiación de los materiales
Aislantes
Los aislantes tienen completa la órbita de valencia, así que están fuertemente
atraídos y es muy difícil liberarlos.
Los mejores aislantes tienen 8 e- de valencia.
Aunque se aplique un campo eléctrico no se obtiene corriente eléctrica, ya que no
dispone de cargas libres que puedan moverse por el material.

Ejemplos: teflón, mica, mylar, cerámica, plástico, vidrio, porcelana

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Clasificiación de los materiales
Semiconductores

Los materiales semiconductores son elementos como el germanio y el silicio que a
bajas temperaturas son aistantes pero que a medida que se eleva la temperatura (o por la
adición de impurezas ) pueden ser conductores.

Los Sc más habituales poseen 4 e- en la última capa

Al combinarse los átomos de silicio para formar un sólido, lo hacen según un patrón
ondenado denominado cristal
ESTRUCTURA DIAMANTINA

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Semiconductores
Representación en dos dimensiones de la estructura diamantina

Sc puro a muy baja temperatura (cercana a 0 K)

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Semiconductores

Sc puro a muy baja temperatura (cercana a 0 K)

Cada átomo está rodeado de 4 átomos vecinos y


comparten los e- de valencia.
Los e- de valencia permanecen ligados en los enlaces
covalentes y no se dispone de cargas libres

No hay electrones libres -> Se comporta como un aislante

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Semiconductores

A partir de cierta Tª el enlace se puede romper

Los átomos de un cristal de silicio vibran y un electrón puede salir de


la órbita de valencia, convirtiéndose en un electrón libre.
El espacio que se queda en el orbital se denomina hueco.

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Semiconductores
A partir de cierta Tª el enlace se puede romper
Si aumentamos Tª -> Estamos suministrando energía

A partir de una cierta energía


suministrada aparecen dos tipos de
cargas libres:

Electrones (negativas)

Huecos (positivas)
En un Sc intrínseco se crean el mismo
número de electrones y de huecos:

n=p=ni
n= concentración de e-
p= concentración de h+

ni=concentración intrínseca

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Semiconductores

Los electrones libres se mueven a través del cristal.
Cuando un e- cae en las proximidades de un hueco será atraído y

caerá en él aniquilándose ambos (recombinación)-> ya no


contribuyen a la conducción de corriente
Los procesos de generación térmica de pares e--h+ y de

recombinación coexisten
En situación de equilibrio termodinámico el número de generaciones

es igual al de recombinaciones.

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Semiconductores
En presencia de un campo eléctrico, tendremos:

Movimiento de electrones en dirección contraria al campo.

Movimiento de huecos en la misma dirección que el campo

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Dopaje de un Semiconductor


Un cristal Sc totalmente puro se denomina semiconductor intrínseco.

Los Sc intrínsecos presentan el mismo número de e- de conducción que de h+,
por lo que no son los suficientemente flexibles para la mayor parte de las
aplicaciones prácticas.
Para aumentar el número de portadores se introduce de forma controlada una

cierta cantidad de átomos de impurezas obteniéndose lo que llamamos Sc


extrínseco o dopado.
En los Sc extrínsecosla conducción de corriente eléctrica tiene lugar

preferentemente por uno de los dos tipos de portadores.

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Semiconductor Tipo n

Es un Sc extrínseco con impurezas pentavalentes; es decir, con 5 e- en
su órbita de valencia.

A las impurezas se las llama donadoras

Impurezas: 5 e- en la última capa (fósforo, Al dopar un Sc intrínseco con impurezas


antimonio o arsénico) (Impurezas donadoras, aumenta la concentración de
donadoras) electrones y disminuye la de huecos

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Semiconductor Tipo p

Es un Sc extrínseco con impurezas trivalentes; es decir, con 3 e- en su
órbita de valencia.

A las impurezas se las llama aceptoras

Al dopar un Sc intrínseco con impurezas


Impurezas: 3 e- en la última capa (indio, aceptoras, aumenta la concentración de
galio o boro) (Impurezas aceptoras) huecos y disminuye la de electrones

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Unión p-n. Diodo sin polarizar


La unión p-n es la estructura fundamental de los componentes electrónicos electrónicos
(fundamentalmente, diodos y transistores)

Consiste en la unión metalúrgica de dos Sc dopados

De tal manera que la mitad del Sc sea de tipo p y la otra mitad de tipo n

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Unión p-n. Diodo sin polarizar
Al unir Sc de tipo p y tipo n se produce un fenómeno curioso

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Unión p-n. Diodo sin polarizar

En las proximidades de la unión aparece una zona


en la que no existen cargas libres: zona de
deplexión

En la zona de deplexión aparece un


campo eléctrico que se opone al
movimiento por difusión de h+ y e-.

Se crea una barrera de potencial

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Unión p-n. Polarización directa.
Consiste en aplicar una tensión positiva del lado p y
negativa del lado n.

La zona de deplexión se estrecha.

Cuando la tensión aplicada supere la tensión umbral habrá


circulación de corriente. Es decir, la tensión aplicada deberá
ser mayor que la barrera de potencial (0,3 V para el Ge y 0,7
V para el Si)

El recorrido seguido por un electrón:

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Unión p-n. Polarización inversa.

Consiste en poner una tensión positiva del lado de la


zona n y negativa del lado de la zona p.

La zona de deplexión se aumenta: el terminal negativo


atrae a los huecos de la zona p y el terminal positivo a los
electrones libres de la zona n

No hay circulación de corriente (realmente, existe una


pequeña circulación de corriente llamada corriente de
saturación inversa o corriente de fugas)

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Unión p-n. Polarización inversa. Tensión de ruptura


Existe un valor de tensión límite a la que puede polarizarse un
diodo en inversa: tesión de ruptura

A partir de esa tensión el diodo comienza a conducir
intensamente (efecto avalancha)

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2. 2. Características

Representación del diodo

Circuito básico del diodo:

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2. 2. Características
Dispositivo no-lineal
Expresión matemática de la curva: Curva característica:

La curva característica es una representación gráfica del


funcionamiento de un dispositivo electrónico

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1ª Aproximación: Diodo ideal

Curva característica

Teóricamente, un diodo se comporta como un conductor perfecto (resistencia


cero cuando está polarizado en directa y como un aislante perfecto
(resistencia infinita cuando está polarizado en inversa)

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EJEMPLO
Utiliza la aproximación del diodo ideal para calcular la corriente, tensión
y la potencia en la carga, la potencia disipada por el diodo y la potencia
total del circuito de la figura.

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2ª Aproximación

Se contempla la barrera de potencial

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EJEMPLO

Utiliza la segunda aproximación del diodo ideal para calcular la


corriente, tensión y la potencia en la carga, la potencia disipada por el
diodo y la potencia total del circuito de la figura.

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3ª Aproximación

Se contempla la barrera de potencial y la resistencia interna, pero no las


fugas de corriente

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EJEMPLO
Utiliza la tercera aproximación del diodo ideal para calcular la corriente,
tensión y la potencia en la carga, la potencia disipada por el diodo y la
potencia total del circuito de la figura.

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RECTA DE CARGA
Es una herramienta empleada para hallar el valor exacto de la corriente y la tensión en el
diodo.

El punto de trabajo, conocido como punto Q, representa una solución simultanea para la
recta y la curva; es decir, es el único punto de la gráfica que funciona tanto para el diodo
como para el circuito.

V S −V
I=
RS

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RECTA DE CARGA
EJEMPLO

Supongamos que la tensión de la fuente Vs es 2 V y la resistencia de limitación es 100 Ω.

- Calcular el punto de trabajo para el siguiente circuito.

- Calcular los límites de la recta de carga.

V S −V
I=
RS

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Tipos de diodos

- Diodo rectificador: en polarización directa funciona como un interruptor


cerrado y en inversa como interruptor abierto.Por ejemplo, si se le aplica
una CA sinusoidal, dejará pasar las partes positivas y no las negativas. Se
emplea para convertir CA en CC, por ejemplo.

- Diodo emisor de luz: LED (Light emiting diode), al aplicarles una pequeña
tensión (1,5 V-4 V) emiten luz.

- Fotodiodos: cuando reciben luz producen corriente o tensión

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LED

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Tipos de diodos

- Optoacoplador: combina un diodo LED y un fotodiodo dentro de un


mismo encapsulado. Si la tensión de entrada varía, la cantidad de luz
también lo hará; lo que significa que la tensión de salida cambia de
acuerdo con la tensión de entrada. La ventaja fundamental , es el
aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida.

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Tipos de diodos

- Diodo Zener: este diodo puede trabajar en la zona de ruptura, no se


destruye como un diodo normal.
Si a un diodo Zener se polariza en directa ( se le aplica una corriente
eléctrica de ánodo a cátodo) se comporta como un diodo normal.
Si se le suministra una corriente inversa, el diodo solo dejará pasar un
voltaje dado (dependiendo las especificaciones Zener)

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Tipos de diodos

- Diodo Zener
En polarización directa se comporta como un diodo normal.
Se suele analizar solo en polarización inversa

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