Electrónica l

Docente: Diego fernando Medina

Ingeniero Electrónico
Msc. en Sistemas Automáticos de Producción
Cel: 3132901695
E-mail: diegof_medina@fet.edu.co
 Misión Fundación Escuela
Tecnológica “Jesús Oviedo
Pérez”
• Contribuir a la sociedad en la formación de personas íntegras
con competencias técnicos profesionales, tecnológicas
profesionales, profesionales y postgraduadas, a través de la
docencia, la investigación y la extensión, tomando como
estrategia la cultura académica, el buen gobierno en
interacción con la diversidad, el cuidado del ambiente, la
inclusión y las diferentes expresiones de la cultura, que les
permita construir su proyecto de vida, vincularse al contexto
laboral en un mundo globalizado, responder a las
necesidades de los diferentes sectores, y aportar con
soluciones al desarrollo local, regional, nacional e
internacional.
 Visión Fundación Escuela
Tecnológica “Jesús Oviedo
Pérez”
• En el año 2025, la fundación escuela tecnológica de Neiva
“Jesús Oviedo Pérez”, será una institución de educación
superior reconocida a nivel nacional e internacional por su
calidad académica, sostenibilidad y con una amplia oferta
educativa, que responda y contribuya a la formación de
profesionales íntegros, líderes y emprendedores para el
desarrollo productivo y competitivo de la región y el país,
en un contexto de inclusión, respeto a la diversidad y
pluralidad.
Intensidad Horaria: Electrónica l
 Unidades Temáticas:
Electrónica l

Unidades Temáticas Semanas Horas

Introducción a los Semiconductores 4 18

Diodo Semiconductor 4 18

Dispositivos básicos de tres terminales 4 18

Fuentes de Voltaje Primario y Regulado 4 18

 Evaluación de la Asignatura:
Electrónica l

• Primer Corte ---------- 30%

Unidad Temática 1 -- Taller: Conceptos Básicos de Semiconductores (15%)
Unidad Temática 2 -- Evaluación Parcial: Diodo Semiconductor (15%)
• Segundo Corte ------- 30%
Unidad Temática 3 - Evaluación Parcial: transistores BJT (15%)
Taller: MOSFET y FET (15%)
• Tercer Corte ---------- 40%
Unidad Temática 4 ----- Proyecto Final: Fuente de Voltaje DC Regulada
- Informe (20%) y Funcionamiento del Circuito (20%)
Bibliografía
 Concepto de átomo

Es la partícula mas pequeña de la cual se compone la materia en el universo,

dicha partícula tiene un núcleo el cual se compone de partículas con carga
eléctrica positiva llamadas protones y partículas sin carga eléctrica llamadas
neutrones. Alrededor del núcleo giran partículas con carga negativa llamadas
electrones.
Masa y Carga Eléctrica de
Protones, Electrones y
Neutrones
 Cantidad de Electrones que
tiene un Coulomb

1e -------------- -1.6021917 * C
X ----------------- 1C

X = = 6.24 *

1C ----6.24 *
 Número Atómico de un
Elemento
Corresponde a la cantidad de protones, electrones o neutrones que tiene un átomo de un
determinado elemento en su estado normal o neutral.
Ej:
El hidrógeno tiene un numero atómico Z=1, lo cual significa que un átomo de hidrógeno
en su estado natural tiene 1 protón, 1 neutrón y 1 electrón.
El helio tiene un número atómico de Z=2, es decir, un átomo de éste elemento en su
estado neutral tiene 2 protones, 2 neutrones y 2 electrones.
 Capas, orbitas o niveles de
Energía de un átomo

Son las trayectorias descritas por el movimiento de los electrones

alrededor del núcleo de un átomo. Dentro de cada trayectoria, los
electrones presenta un nivel de energía determinado y diferente al de
las demás trayectorias.
 Número Máximo de
Electrones en cada Capa
El número máximo de electrones que puede contener cada capa está determinado
por la siguiente expresión:
= 2*
Donde:
: es la cantidad máxima de electrones que puede contener cada capa
n: es el número de la capa u orbita.

Ej:
-La cantidad máxima de electrones que puede contener la capa 1 es:
= 2* = 2* = 2
-La cantidad máxima de electrones que puede contener la capa 2 es:
= 2* = 2* = 8
 Número Máximo de
Electrones en cada Capa
 Electrones de Valencia

Son aquellos electrones que se encuentran en la última órbita o último

nivel de energía de un átomo de determinado elemento.
Ej:

- Un átomo de cobre, tiene 1 electrón de valencia

- Un átomo de carbono tiene 4 electrones de valencia

 Enlace iónico o ionización
Es la unión entre dos o más átomos mediante el paso de uno o más
electrones de valencia de un átomo a otro con el fin de completar 8
electrones en su última órbita o la máxima cantidad de electrones permitida
en su última órbita y así alcanzar la estabilidad para ambos.
Ej:
el cloruro de sodio o sal (NaCl) es la unión de un átomo de sodio con un
átomo de cloro mediante enlace iónico.
 Enlace Iónico de Cloruro de
Sodio (NaCl)

El átomo de sodio al ceder su único electrón de valencia, se convierte en

un ion positivo; mientras que el átomo de cloro al recibir un electrón, se
convierte en ion negativo.
 Enlace covalente

Es la unión entre uno o mas átomos compartiendo electrones de valencia

con el fin de completar 8 electrones en su última nivel de energía o la
máxima cantidad de electrones permitida en su última órbita y así
alcanzar la estabilidad para ambos.

Ej: la molécula de agua se constituye de dos átomos de hidrógeno

enlazados a un átomo de oxígeno mediante enlace covalente
Enlace Covalente de la
Molécula de Agua (O)
 Aislantes, Conductores y
Semiconductores

La capacidad de un material de conducir la electricidad está determinada por

los átomos que componen dicho material. De acuerdo a esta capacidad, los
materiales se clasifican en:

-Aislantes
-Conductores
-Semiconductores

Los materiales conductores son aquellos que tienen la propiedad de

conducir la electricidad de forma fácil; mientras que los aislantes difícilmente
lo pueden hacer. Un material semiconductor, bajo ciertas condiciones tiene
comportamientos de conductor y bajo otras se comporta como aislante.
 Aislantes

Por lo general, los materiales aislantes se caracterizan por ser materiales compuestos,
es decir, están constituidos por dos o mas elementos. Los átomos que constituyen un
material aislante se caracterizan por tener electrones de valencia muy enlazados a su
núcleo, es decir, sus electrones de valencia se encuentran a un nivel de energía
relativamente cercano a su núcleo.

Ejemplo de materiales aislantes:

-Grafito
- Mica
- Caucho
- Madera
- Vidrio
- Porcelana
 Conductores

Son materiales constituidos generalmente por átomos de un solo elemento.

Dichos átomos, tienen como características que sus electrones de valencia se
encuentran en un nivel de energía relativamente elevado con respecto a sus
núcleos, lo cual hace que dichos electrones de valencia se conviertan en
electrones libres de sus átomos.

Ejemplo de materiales conductores:

- Cobre
- Oro
- Plata
- Aluminio
 Semiconductores

Son aquellos materiales que poseen propiedades eléctricas intermedias de conducción de corriente eléctrica. Los
materiales considerados como semiconductores pueden ser constituidos por átomos de un solo elemento o de
varios elementos.

• Semiconductores de un solo elemento (estructura cristalina)

Silicio (Si)
Germanio (Ge)

• Semiconductores de varios elementos (Compuesto)

Arseniuro de Galio (GaAs)

Sulfuro de Cadmio (CdS)
Nitruro de Galio (GaN)
Fosfuro de Galio y Arsénico (GaAsP)
Fosfuro de Indio (InP)
 Estructura Atómica de
Elementos semiconductores
 Banda de Valencia, Prohibida
y de Conducción
La banda de conducción se define como la trayectoria a través de la cual un electrón
libre se mueve cuando ya no pertenece a ningún átomo o ha dejado su banda de
valencia.

La banda prohibida, se define como la cantidad de energía necesaria que necesita un

electrón de valencia para convertirse en electrón libre, es decir, para pasar de su banda
de valencia, a la banda de conducción.
 Elementos Semiconductores
en Fabricación Electrónica
Los elementos semiconductores mas utilizados para la fabricación de
dispositivos electrónicos como diodos, transistores y circuitos integrados
son:

• Silicio (Si) ------ Estable ante Cambios de Temperatura

• Germanio (Ge) ---- Inestable ante cambios de Temperatura
• Arseniuro de Galio (GaAs) ---- Mayor Velocidades de Respuesta
 Estructura Cristalina del Silicio
Cada átomo de Silicio (Si) comparte un electrón de valencia con otro átomo de Silicio
(Si). Teniendo en cuenta que el Silicio (Si) tiene cuatro electrones de valencia, dentro de
la estructura cristalina cada átomo forma cuatro enlaces covalentes con cuatro átomos
vecinos respectivamente.
 Estructura Cristalina del Germanio

Cada átomo de Germanio (Ge) comparte un electrón

de valencia con otro átomo de Germanio (Ge),
formando así cuatro enlaces covalentes con cuatro
átomos vecinos respectivamente.
 Estructura del Arseniuro de
Galio (GaAs)
Cada átomo de arsénico (As) comparte un electrón de valencia con un átomo de Galio (Ga) y
viceversa. Debido a que el arsénico (As) tiene cinco electrones de valencia, se forman cinco
enlaces covalentes con cinco átomos de galio (Ga) vecinos respectivamente, y viceversa. De esta
manera, cada átomo de cada elemento queda rodeado de átomos del elemento
complementario.
 Corriente en Semiconductores

Un átomo de silicio (Si) dentro de una estructura cristalina y a cero

grados kelvin, presenta la estructura atómica ya conocida.
 Corriente en Semiconductores:
Generación de Par Electrón-Hueco
A temperatura ambiente (25°C), los electrones de valencia son excitados
con la energía calorífica de dicha temperatura lo cual hace que salten la
banda prohibida, es decir, pasen desde la banda de valencia a la banda de
conducción convirtiéndose de esta manera en electrones libres o de
conducción.
 Corriente en Semiconductores:
Par Electrón-Hueco
Desde la perspectiva de la estructura cristalina del silicio (Si), los pares
electrón-hueco se observan de la siguiente manera:
 Corriente de Electrones Libres
Al aplicar una diferencia de potencial eléctrico a un elemento o material hecho de una
estructura cristalina de Silicio (Si) y que se encuentra a temperatura ambiente, los
electrones libres o de conducción se desplazarán hacia el extremo positivo de la
diferencia de potencial; lo cual generará una corriente de electrones que sucede en la
banda de conducción.
 Corriente de Huecos
Cuando un electrón de valencia se desplaza de izquierda a derecha mientras deja detrás un
hueco, éste se ha movido de derecha a izquierda. Las flechas negras indican el movimiento
efectivo de un hueco; lo cual se conoce como corriente de huecos y sucede en la banda de
valencia.
 Tipo de corriente en un Conductor:
Corriente de Electrones
El tipo de corriente que se da en un elemento conductor como el cobre (Cu),
es solamente la corriente de electrones la cual sucede en la banda de
conducción. Esto es debido a que los átomos de cobre (Cu) solo tienen un
electrón de valencia el cual se convierte en electrón libre a temperatura
ambiente, y no existen más electrones de valencia en los átomos de cobre
que puedan desplazarse para llenar el respectivo hueco dejado por el
electrón libre.
 Tipos de materiales
Semiconductores
Materiales
Semiconductores

Materiales
Intrínsecos Materiales
Extrínsecos

Altamente Son dopados

puros con otros
elementos
 Materiales Semiconductores
Extrínsecos
Son aquellos materiales constituidos por elementos semiconductores a
los cuales se les ha agregado impurezas (otros elementos) con el fin de
aumentar su cantidad de electrones libres y/o huecos para de ésta
manera aumentar su conductividad eléctrica. Los materiales
semiconductores extrínsecos son utilizados para la fabricación de los
diferentes dispositivos electrónicos tales como diodos, transistores,
circuitos integrados, etc; estos materiales a su vez se clasifican en:
Materiales
Semiconductores
Extrínsecos

Tipo N Tipo P

Presentan
Presentan
mayor cantidad
mayor cantidad
de electrones
de huecos
libres
 Material Semiconductor Tipo N
Es aquel material constituido por Silicio (Si) o Germanio de alta pureza
(intrínseco) a los cuales se le ha agregado impurezas con el fin de
aumentar su cantidad de electrones libres o electrones de conducción y
de ésta manera mejorar su conductividad eléctrica. Dichas impurezas
son átomos de elementos que presentan cinco electrones de valencia
como:

-Arsénico (As)
-Fósforo (P)
-Bismuto (Bi)
-Antimonio (Sb)
 Ejemplo 1 de semiconductor tipo N
Cristal de Silicio (Si) dopado con átomos de antimonio (Sb)
 Ejemplo 2 de semiconductor tipo N
Cristal de Silicio (Si) dopado con átomos de fósforo (P)
 Material Semiconductor Tipo P

Es aquel material constituido por Silicio (Si) o Germanio de alta pureza

(intrínseco) a los cuales se le ha agregado impurezas con el fin de
aumentar su cantidad de huecos (ausencia de electrones) y de ésta
manera mejorar su conductividad eléctrica. Dichas impurezas son
átomos de elementos que presentan tres electrones de valencia como:

-Boro (B)
-Indio (In)
-Galio (Ga)
-Aluminio (Al)
 Ejemplo 1 de semiconductor tipo P
• Cristal de Silicio (Si) dopado con átomos de Boro (B)
 Ejemplo 2 de semiconductor tipo P
• Cristal de Silicio (Si) dopado con átomos de Aluminio (Al)
Portadores Mayoritarios y
Minoritarios
 Taller: Conceptos Básicos de
Semiconductores
Defina con sus propias palabras:
1. ¿Qué es electrón de valencia?
2. ¿Qué es banda de valencia?
3. ¿ Qué es banda de conducción?
4. ¿Qué es enlace covalente?
5. ¿Que es enlace iónico?
6. ¿Qué es hueco?
7. ¿Qué es electrón libre?
8. ¿Qué es semiconductor intrínseco?
9. ¿Qué es semiconductor extrínseco?
10. ¿Qué es un átomo trivalente?
11. ¿Qué es un átomo pentavalente?
12. ¿Qué es material semiconductor tipo P?
13. ¿Qué es material semiconductor tipo N?
 Diodo Semiconductor

Es un dispositivo electrónico que tiene la capacidad de conducir la

corriente eléctrica en un solo sentido ya que es fabricado mediante la
unión de un material semiconductor tipo N y un material semiconductor
tipo P.
 Formación de Región de
Empobrecimiento
Una vez se crea la unión PN, alrededor de esta se acumulan cargas positivas del
lado del material tipo N y cargas negativas del lado del material tipo P debido
a la difusión natural de electrones libres desde el lado tipo N al lado tipo P.
 Potencial de Barrera

Las cargas eléctricas positivas y negativas de lado y lado de la unión PN,

generan un campo eléctrico y por lo tanto una diferencia de potencial en la
región de empobrecimiento.

Dicha diferencia de potencial depende de

tres factores:

-Elemento semiconductor (Si o Ge)

-Temperatura Ambiente
-Cantidad de Dopado tanto para Tipo P como
para Tipo N
 Unión PN: desde el punto de
vista de niveles de energía
Los niveles de energía de las bandas de los átomos de impurezas del material
tipo N, son mas bajos debido a que son pentavalentes; mientras que los
niveles de energía de las bandas de los átomos de impurezas del material
tipo P son mas altos debido a que son trivalentes.
 Formación de Región de
Empobrecimiento: desde el punto de
vista de niveles de energía
Cuando se forma la región de empobrecimiento, la diferencia de niveles de
energía de las bandas entre los materiales tipo P y tipo N aumenta; esto es
debido a la acumulación de cargas negativas en la región de empobrecimiento
del lado tipo P y de cargas positivas en esa misma región, pero del lado N.
 Polarización de un Diodo

Es el uso de un voltaje de corriente continua (c.c.) externo con el fin de

hacer operar o funcionar un diodo semiconductor. Existen dos tipos de
polarización para este dispositivo electrónico:

- Polarización en directa: existe un flujo de electrones desde la región N

hacia la región P debido a la aplicación de dicho voltaje externo, es
decir, el diodo semiconductor conduce la corriente eléctrica.

- Polarización en inversa: idealmente no existe flujo de electrones desde

la región N hacia la región P, es decir, el dispositivo no conduce la
corriente eléctrica.
 Polarización Directa de un
Diodo
El voltaje externo de corriente continua (VCC) debe ser conectado al diodo
como se muestra en la figura. También dicho voltaje externo debe ser mayor
al potencial de barrera del diodo (>0.7v si el diodo es de Silicio o >0.3v si el
diodo es de Germanio) con el fin de que suceda la corriente de electrones.
 Flujo de Electrones Libres
debido a la Polarización
Directa de un Diodo
Los electrones libres de la región N son empujados por el polo negativo de la
fuente externa de voltaje para atravesar la región de empobrecimiento; una vez
llegan a la región P, los electrones pierden energía y por lo tanto se combinan con
los huecos, es decir, pasan a la banda de valencia. Ahí se sienten atraídos por el
polo positivo del voltaje externo y por lo tanto se desplazan a través de los huecos
hacia el extremo izquierdo de la región P.
 Polarización en Directa de un
Diodo
• https://www.youtube.com/watch?v=H_5DTSGEiEg
 Efecto de la Polarización en
Directa sobre la región de
Empobrecimiento
Cuando se polariza un diodo en directa, su región de empobrecimiento se
estrecha debido a la perdida de energía de algunos electrones libres antes de
cruzar la unión PN y lo cual hace que caigan en la banda de valencia de los
iones positivos de la región de empobrecimiento; también debido a la
recombinación de huecos y electrones de valencia de los iones negativos del
lado tipo P en la medida que los huecos se desplazan hacia la unión PN.
 Polarización Inversa de un
Diodo

El polo positivo del voltaje externo se conecta a la región tipo N,

mientras que el polo negativo se conecta a la región tipo P del diodo
semiconductor.
 Comportamiento de
Electrones Libres y Huecos
debido a la Polarización
Inversa de un Diodo
El polo positivo del voltaje externo atrae los electrones libres de la región N y a su vez
crea mas iones positivos en la región de empobrecimiento del lado tipo N ensanchando
de esta manera dicha región. Mientras que los electrones libres proporcionados por el
polo negativo del voltaje externo, se combinan con los huecos al llegar a la región tipo
P y se desplazan a través de éstos hacia la región de empobrecimiento acumulando mas
iones negativos en dicha región y de esta manera ensanchándola del lado tipo P.
 Corriente en Polarización
Inversa a través de la unión
PN
Se genera una pequeña corriente en inversa a través de la unión PN de un
diodo semiconductor debido al desplazamiento de los portadores
minoritarios de la región tipo P (electrones libres) hacia la región tipo N
para combinarse con los portadores minoritarios de esa región (huecos).
 Ruptura en Inversa

Voltaje Externo ---------- Voltaje de Ruptura--------Efecto Avalancha

 Ruptura en Inversa

• Efecto Avalancha

https://www.youtube.com/watch?v=5CldHpdyo0I
 Curva Característica V-I de
un Diodo
Es el comportamiento gráfico de la corriente que conduce un diodo en
función de su voltaje de polarización. Dicha corriente tiene un
comportamiento diferente para los dos tipo de voltaje de polarización del
diodo:

• Curva característica V-I para polarización en directa.

• Curva característica para polarización en inversa.

 Curva característica V-I para
polarización en directa

• Punto ‘A’ corresponde a un voltaje de polarización en directa de 0v.

• Punto ‘B’ corresponde a un voltaje de polarización en directa entre 0v y 0.7v.
• Punto ‘C’ corresponde a un voltaje de polarización en directa mayor a 0.7v.
 Resistencia Dinámica del
Diodo en Polarización Directa
Debido al comportamiento de I-V del diodo, éste dispositivo presenta
una resistencia dinámica la cual se puede calcular a partir de la curva
característica V-I y utilizando la siguiente expresión:

Donde:

: es la variación del voltaje de polarización directa del diodo

: es la variación de la corriente de polarización en directa del diodo.
 Ejemplo 1: Resistencia
Dinámica del Diodo en Directa
Determinar la resistencia dinámica del diodo cuya curva característica I-V se
muestra a continuación para los puntos ‘A’ y ‘B’, y entre los puntos ‘C’ y ‘D’.

‘D’

‘C’

Corriente (mA)

‘B’
‘A’

Voltaje (V)
 Solución Ejemplo 1:
Resistencia Dinámica del
Diodo en Directa
‘A’ = (0.64v, 0.1mA)
‘B’ = (0.66v,0.19mA)

= = = 0.222 kΩ = 222 Ω

‘C’=(0.74v, 4.2mA)
‘D’ = (0.75v, 5.5mA)

= = = 7.69 Ω
 Curva Característica para
Polarización en Inversa
Ante un voltaje de polarización en inversa de cero voltios, la corriente del diodo en inversa es
cero amperios. A medida que el voltaje de polarización en inversa incrementa (≠0v), éste
recae en el diodo y existe una pequeña corriente en inversa del orden de los micro amperios
o nano amperios. Cuando se alcanza el voltaje de ruptura en el diodo, se presentan el efecto
avalancha y el diodo empieza a conducir la corriente en Inversa.
 Curva Característica V-I Completa
Al combinar la curva característica I-V de polarización directa del diodo
con la curva de polarización inversa, se obtiene la curva característica I-V
completa del diodo la cual se muestra a continuación.
 Efecto de la Temperatura en
la Curva Característica I-V de
un Diodo
Ante un incremento de la temperatura ambiente, existe un incremento de la magnitud
de la corriente del diodo tanto en directa como en inversa. Por otra parte, el potencial
de barrera de la unión PN y la magnitud del voltaje de ruptura disminuye.
 Aproximaciones del Diodo

Son modelos matemáticos que se pueden utilizar para describir el

comportamiento u operación de la corriente y el voltaje en un diodo.

• Modelo Ideal de Diodo

• Modelo Práctico de Diodo

• Modelo Completo de Diodo

 Modelo Ideal del Diodo
Asume la operación del diodo en polarización directa como la de un interruptor
cerrado, y en polarización inversa como la de un interruptor abierto.

Polarización Directa Polarización Inversa

 Curva característica I-V del
Modelo Ideal del Diodo
• El potencial de barrera de la unión PN se asume como 0v.
• La corriente en inversa se asume como 0μA.
• La resistencia dinámica se asume como 0Ω cuando el diodo está polarizado
en directa y se toma como αΩ cuando está polarizado en inversa.
 Corriente de Polarización en
Directa para el Modelo Ideal
del Diodo
La corriente de polarización en directa del diodo, está determinada por
el voltaje externo de polarización y la resistencia limitadora del circuito
mediante la ley de ohm como lo muestra la siguiente expresión:

𝑅𝑙𝑖𝑚𝑖𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎
: es la corriente en directa del diodo
: es el voltaje de polarización externo
𝑉 𝑝𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖 ó 𝑛 : es la resistencia limitadora del circuito
 Voltaje y Corriente de
Polarización en Inversa para el
Modelo Ideal del Diodo

= 0A
=

: es la corriente en inversa del modelo

ideal del diodo.
: es el voltaje en inversa del modelo ideal
del diodo

𝑉 𝑝𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖 ó 𝑛 𝑉 𝑝𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖 ó 𝑛
 Modelo Práctico del Diodo

Se tiene en cuenta el potencial de barrera de la unión PN del diodo. Por lo tanto, en

polarización directa se modela el diodo como un interruptor cerrado adicionándole
una fuente de voltaje de 0.7v la cual representan el potencial de barrera. En Inversa,
el diodo se asume como un interruptor abierto al igual que en el modelo ideal.

Polarización en Directa Polarización en Inversa

 Curva característica I-V del
Modelo Práctico del Diodo
• El potencial de barrera corresponde al valor real (0.7v para diodo de Silicio 0.3v
para diodo de Germanio).
• La corriente en inversa se asume como cero absoluto.
• La resistencia dinámica se asume como 0Ω para un y se asume αΩ para un 0.7v.
 Corriente de Polarización en
Directa para el Modelo
Práctico del Diodo
La corriente de polarización en directa del diodo está determinada por
la siguiente expresión:

L.K.V - + + =0
- +*+ =0
*= -

Donde
: es el voltaje externo de polarización
: es el potencial de barrera o voltaje en directa del diodo (0.7V)
Polarización en Directa
: es la resistencia limitadora del circuito.
Corriente de Polarización en
Inversa para el Modelo
Práctico del Diodo
= 0A

: es la corriente en inversa del modelo

ideal del diodo.
: es el voltaje en inversa del modelo ideal
del diodo
 Modelo Completo del Diodo
Además de tener en cuenta el potencial de barrera de la unión PN,
también tiene en cuenta la resistencia dinámica tanto en directa como
en inversa. Por lo tanto, es el modelo mas aproximado al
comportamiento real del diodo.
Modelo Completo del Diodo en Inversa
Modelo Completo del Diodo
en Directa

Polarización en Directa Polarización en Inversa

 Curva característica I-V del
Modelo Completo del Diodo
• El potencial de barrera corresponde al valor real (0.7v para diodo de Silicio 0.3v
para diodo de Germanio).
• La pendiente de las líneas rectas correspondientes a la polarización en directa y en
inversa del modelo completo, están determinadas por el inverso de la resistencia
dinámica en directa y en inversa respectivamente.

Y=m*x+b
=(*)-b

= *
 Voltaje y Corriente en Directa
del Modelo Completo del Diodo

= 0.7V + *

L.K.V. - + + + = 0
Modelo Completo del Diodo -+ + =0
en Directa - + + *( + ) = 0
*( + ) = -

: es el voltaje en polarización directa del diodo

: es el potencial de barrera del diodo (0.7v para el silicio y 0.3v para el germanio)
: es la corriente en polarización directa del diodo
: es la resistencia dinámica del diodo en polarización directa
: es el voltaje externo de polarización
Polarización en Directa
: es la resistencia limitadora del circuito
 Voltaje y Corriente en Inversa del
Modelo Completo del Diodo

=
Modelo Completo del Diodo en Inversa

=*

: es la corriente de polarización en inversa del diodo

: es el voltaje de polarización en inversa del diodo
: es la resistencia dinámica del diodo en polarización
inversa
: es el voltaje externo de polarización
Polarización en Inversa
: es la resistencia limitadora del circuito
 Ejemplo 1: Modelos del Diodo
Determinar el voltaje y la corriente de polarización en directa para cada
uno de los modelos del diodo de la figura mostrada a continuación.
También determinar el voltaje a través del resistor limitador en cada caso.
Suponga que r’d=10Ω.
 Solución Ejemplo 1: Modelos
del Diodo
Modelo Ideal

= = = 10mA

= 10mA *1kΩ = 10v =

Solución Ejemplo 1: Modelos
del Diodo
Modelo Práctico

0.7v

= = = 9.3mA

= 9.3mA*1kΩ = 9.3v
Solución Ejemplo 1: Modelos
del Diodo
Modelo Completo del diodo

== =

= 0.7V + * = 0.7v + *10Ω = 0.79v

= *1kΩ = 9.207v
 Ejemplo 2: Modelos del Diodo

Determine el voltaje y la corriente de polarización en inversa para cada uno

de los modelos del diodo de la figura. Determine también el voltaje a
través del resistor limitador en cada caso. Suponga
Solución Ejemplo 2: Modelos
del Diodo
Modelo ideal del diodo

= = 10v.

= 0A

= * = 0A*1kΩ = 0v

= 0v
Solución Ejemplo 2: Modelos
del Diodo
Modelo Práctico del Diodo

= 10V.

= 0A

= 0V
Solución Ejemplo 2: Modelos
del Diodo
Modelo Completo del Diodo

= 10V
= 10MΩ
+
= - = 10MΩ - 1kΩ =9.999MΩ
= 9.999MΩ
= = * = * 9.999MΩ = 9.999v
= * = *1KΩ = 1mV
 Evaluación Unidad Temática 2:
Diodo Semiconductor
1) Determine la resistencia dinámica en directa entre los puntos ‘A’ y ‘B’ del
diodo cuya curca I-V se muestra a continuación.

‘A’

‘B’
 Evaluación Unidad Temática 2:
Diodo Semiconductor
2) Determine el voltaje en el diodo del circuito mostrado utilizando el modelo
completo del diodo. Nota: asuma =10Ω y =100MΩ, asumir que le diodo está
fabricado de Silicio.
 Evaluación Unidad Temática 2:
Diodo Semiconductor
3) Determine el voltaje en el diodo del circuito mostrado utilizando el
modelo completo del diodo. Nota: asuma =10Ω y =100MΩ, asumir que el
diodo está fabricado de Silicio.
 Evaluación Unidad Temática 2:
Diodo Semiconductor
4) Determinar el voltaje en cada uno de los puntos A, B, C y D del circuito
mostrado a continuación. Nota: utilice el modelo práctico del diodo, asumir
que le diodo está fabricado de Silicio.
 Encapsulados Típicos de
Diodos Semiconductores

Montaje de Orificio Montaje Superficial

 Prueba del buen estado de un
Diodo Semiconductor
Con el fin de verificar el buen estado y el correcto funcionamiento de un diodo,
se realizan las mediciones mostradas a continuación con un multímetro digital.
 Prueba del mal estado de un
Diodo Semiconductor
Un diodo semiconductor en mal estado puede estar en una de dos condiciones o
presentar una de dos tipos de falla:

• Diodo Abierto (circuito abierto)

• Diodo Cerrado (cortocircuito)
 Ejemplo 1: Prueba de un Diodo
Semiconductor
Probar el estado de los diodos semiconductores de un encapsulado de
puente de cuatro diodos.
 Ejemplo 2: Prueba de un Diodo
Semiconductor
De acuerdo a la lectura del multímetro sobre el circuito, determinar si el diodo
está funcionando apropiadamente. Si no está funcionando correctamente,
determinar el tipo de falla que presenta.

Está dañado (funciona incorrectamente)  El Diodo está Abierto

 Ejemplo 3: Prueba de un Diodo
Semiconductor
De acuerdo a la lectura del multímetro sobre el circuito, determinar si el
diodo está funcionando apropiadamente. Si no está funcionando
correctamente, determinar el tipo de falla que presenta.

Funciona incorrectamente - Diodo Abierto

 Ejemplo 4: Prueba de un Diodo
Semiconductor
De acuerdo a la lectura del multímetro sobre el circuito, determinar si el
diodo está funcionando apropiadamente. Si no está funcionando
correctamente, determinar el tipo de falla que presenta.

El diodo funciona incorrectamente --- Diodo Cortocircuitado

 Ejemplo 5: Prueba de un Diodo
Semiconductor
De acuerdo a la lectura del multímetro sobre el circuito, determinar si el
diodo está funcionando apropiadamente. Si no está funcionando
correctamente, determinar el tipo de falla que presenta.

Funciona correctamente el Diodo  NO tiene ningún tipo de falla

 Aplicaciones de Diodos
Semiconductores
Los diodos semiconductores tienen una gran utilidad en diversos
circuitos o sistemas electrónicos como lo son:

• Circuitos rectificadores de media onda

• Circuitos rectificadores de onda completa
• Circuitos limitadores de voltaje
• Circuitos multiplicadores de voltaje
 Circuitos Rectificadores en una
Fuente de voltaje directo (VCD)
Diagrama de bloques general de una fuente de voltaje de corriente directa (VCD)
 Circuitos Rectificadores de
Media Onda
Es un circuito que tiene como función eliminar o suprimir los semiciclos
negativos de una señal de voltaje de corriente alterna.
 Circuitos Rectificadores de
Media Onda
• Funcionamiento para los semiciclos positivos (polarización en directa del
diodo).
 Circuitos Rectificadores de
Media Onda

• Funcionamiento para los semiciclos negativos (polarización en inversa del diodo).

Voltaje de Salida de un Circuito
Rectificador de Media Onda
 Voltaje Medio o Promedio de
Media Onda Rectificada
El valor medio o promedio de toda señal está dado por:
=

: es el valor medio de la señal

A: es el área bajo la curva de la señal en un ciclo completo

Dado que el área bajo la curva de una función o señal se determina mediante
integración como se muestra a continuación.
= dt
Donde:
: es la señal o función de la cual se requiere determinar su valor medio
 Voltaje Medio o Promedio de
Media Onda Rectificada

2π
Π rad
 Valor Medio de Voltaje de
Media Onda Rectificado

= dθ = [ dθ + ]

= dθ = dθ = = [π)-(-cos 0 rad)]

= (π + 1) = (1+ 1) = =
=
 Ejemplo1: Rectificador de
Media Onda

Calcular el valor promedio de media onda rectificada, si la señal de voltaje de

entrada del rectificar es .

= = * = 169.7v
= 169.7v

= = 54.01v.
 Efecto del Potencial de
Barrera en la Salida de un
Rectificador de Media Onda
 Voltaje Pico Inverso (PIV) del
Diodo Semiconductor
Es el valor pico de los semiciclos negativos de un voltaje de corriente
alterna que experimenta un diodo semiconductor en circuito rectificador
de media onda.

≥ PIV +20%
 Ejemplo 2: Voltaje Pico Inverso
(PIV)
Seleccionar un diodo para un circuito rectificador de media onda, tal que
tenga la capacidad de rectificar un voltaje de corriente alterna de 220v,
f=60Hz.

= 311.12v.
PIV= - = - 311.12v.
|PIV| = 311.12v.
|PIV| +20%

311.12v.+20%
311.12v.+62.22v
373.35v ---- Diodo 1N4004 -1N4007
 Ejemplo 1: Rectificadores de
Media Onda
Graficar el voltaje de salida del circuito rectificador de media onda
mostrado a continuación.
= - 0.7v
= 100v- 0.7v
= 99.3v.

=
 Ejemplo 2: Rectificadores de
Media Onda
Graficar el voltaje de salida del circuito rectificador de media onda
mostrado a continuación.
 Acoplamiento con Transformador

El uso del transformador previo a la un circuito rectificador de media onda tiene

dos propósitos:

-Transformar (reducir o elevar) el voltaje de la fuente de corriente alterna.

-Aislar eléctricamente la fuente de voltaje de corriente alterna del circuito
rectificador con el fin protegerlo.
 Relación de Transformación
de un Transformador
La relación de transformación de un transformador está dado por:
n=

n: es la relación de transformación del transformador

: es la cantidad de vueltas o espiras del embobinado secundario
: es la cantidad de vueltas o espiras del embobinado primario
 Relación de Voltajes en un
Transformador
= n*

n: es la relación de transformación del transformador

: es el voltaje en el primario del transformador
: es la voltaje en el secundario del transformador
 Relación de Transformación de
un Transformador en Físico

n=

Trifásico

n=
 Acoplamiento con
Transformador
Al utilizar acoplamiento con transformador, el voltaje pico de entrada al
circuito rectificador, será el voltaje pico en el embobinado secundario.
 Ejemplo 1: Rectificador de Media
Onda con Acoplamiento de
Transformador
Determinar el voltaje pico a la salida del rectificador de media onda del
circuito mostrado a continuación:
 Solución Ejemplo1: Rectificador de
Media Onda con Acoplamiento de
Transformador

n = = 0.5

= n* = 0.5*170v = 85v
= 85v
+ 20% = 85v +17v =102v
≥ 102v
= - 0.7v = 85v -0.7v = 84.3v