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INSTITUTO TECNOLÓGICO DE PUEBLA

ING. MECANICA

CIRCUITOS ANALOGICOS Y DIGITALES

TRABAJOS DE INVESTIGACION

CATEDRÁTICO:

ING. HECTOR ROCHA PEÑA

ALUMNA:

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VARGAS SANCHEZ MA. GUADALUPE
• CONTENIDO

TEMA 1.-

SEMICONDUCTORES (DIODOS). . . . . PAG. 3 -13

TEMA 2.-

TRANSISTORES. . . . . . . . . . . . . .PAG. 14 - 23

TEMA 3.-

TIRISTORES. . . . . . . . . . . . . . .PAG. 24 -35

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• SEMICONDUCTORES
Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad eléctrica puede
considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden
creciente

Como todos los demás átomos, el átomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el
núcleo, como electrones en las órbitas que le rodean. (En el caso del silicio este número
es de 14). El interés del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la
aparición de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Un electrón
se siente más ligado al núcleo cuanto mayor sea su cercanía entre ambos. Por tanto los
electrones que tienen menor fuerza de atracción por parte del núcleo y pueden ser
liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en las órbitas exteriores
(figura 2). Estos electrones pueden, según lo dicho anteriormente, quedar libres al
inyectarles una pequeña energía.

Modelo completo del átomo de silicio y orbital exterior

• SEMICONDUCTORES

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Si los conductores son materiales que disponen de electrones libres y los aislantes
carecen de ellos, los semiconductores se encuentran en una situación intermedia: a la
temperatura de 0 K se comportan como aislantes, pero mediante una aportación de
energía puede modificarse esta situación, adquiriendo un comportamiento más cercano al
de los conductores.

El más empleado actualmente es el silicio.

Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos químicos y compuestos,


como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de cinc y el
telururo de plomo. Donde el más empleado actualmente es el silicio.

• Para incrementar el nivel de la conductividad se provocan cambios de temperatura,


de la luz o se integran impurezas en su estructura molecular.
• Estos cambios originan un aumento del número de electrones liberados (o bien
huecos) conductores que transportan la energía eléctrica. El campo eléctrico
aplicado ejerce también una fuerza sobre los electrones asociados a los enlaces
covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrón perteneciente a un enlace
cercano a la posición del hueco salte a ese espacio. Así, el hueco se desplaza una
posición en el sentido del campo eléctrico. Si este fenómeno se repite, el hueco
continuará desplazándose. Aunque este movimiento se produce por los saltos de
electrones, podemos suponer que es el hueco el que se está moviendo por los
enlaces.

La carga neta del hueco vacante es positiva y por lo tanto, se puede pensar en el hueco
como una carga positiva moviéndose en la dirección del campo eléctrico. Obsérvese que
los electrones individuales de enlace que se involucran en el llenado de los espacios
vacantes por la propagación del hueco, no muestran movimiento continuo a gran escala.
Cada uno de estos electrones se mueve únicamente una vez durante el proceso
migratorio. En contraste, un electrón libre se mueve de forma continua en la dirección
opuesta al campo eléctrico.

Análogamente al caso de los electrones libres, la densidad de corriente de huecos viene


dada por:

Jh = hp (qE)

En donde:

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 Jh = Densidad de corriente de huecos
 h = Movilidad de los huecos en el material

 p = Concentración de huecos
 q = Carga eléctrica del hueco: igual y de signo opuesto a la del electrón
 E = Campo eléctrico aplicado

La movilidad h es característica del material, y está relacionada con la capacidad de


movimiento del hueco a través de los enlaces de la red cristalina. La "facilidad" de
desplazamiento de los huecos es inferior a la de los electrones.

Consideremos ahora el caso de un semiconductor que disponga de huecos y electrones, al


que sometemos a la acción de un campo eléctrico. Hemos visto cómo los electrones se
moverán en el sentido opuesta a la del campo eléctrico, mientras que los huecos lo harán
en según el campo. El resultado es un flujo neto de cargas positivas en el sentido indicado
por el campo, o bien un flujo neto de cargas negativas en sentido contrario. En definitiva,
se mire por donde se mire, la densidad de corriente global es la suma de las densidades
de corriente de electrones y de huecos:

J = Jh + Je = hp(qE) + en(qE)

— Los cuatro electrones de valencia (o electrones exteriores) de un átomo están en


parejas y son compartidos por otros átomos para formar un enlace covalente que
mantiene al cristal unido.
— Para producir electrones de conducción, se utiliza energía adicional en forma de luz
o de calor (se maneja como temperatura), que excita los electrones de valencia y
provoca su liberación de los enlaces, de manera que pueden transportar su propia
energía.
— Cada electrón de valencia que se desprende de su enlace covalente deja detrás de sí
un hueco, o dicho en otra forma, deja a su átomo padre con un electrón de menos, lo
que significa entonces que en ese átomo existirá un protón de más.
— Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice
que estos huecos transportan carga positiva). Éste es el origen físico del incremento
de la conductividad eléctrica de los semiconductores a causa de la temperatura.
Los cristales semiconductores de dividen en intrínsecos y extrínsecos. Un cristal
intrínseco es aquél que se encuentra puro (aunque no existe prácticamente un cristal
100% puro); es decir, no contiene impurezas; mientras que un cristal extrínseco es aquél
que ha sido impurificado con átomos de otra sustancia. Al proceso de impurificación se le
llama también dopado, y se utiliza para obtener electrones libres que sean capaces de

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transportar la energía eléctrica a otros puntos del cristal. En un semiconductor
intrínseco las concentraciones de huecos y de electrones pueden alterarse mediante la
adición de pequeñas cantidades de elementos llamados impurezas o dopantes, a la
composición cristalina. Como vemos, es esta característica de los semiconductores la que
permite la existencia de circuitos electrónicos integrados.

Si la introducción de impurezas se realiza de manera controlada pueden modificarse las


propiedades eléctricas en zonas determinadas del material. Así, se habla de dopado tipo
P ó N (en su caso, de silicio P ó N) según se introduzcan huecos o electrones
respectivamente.

Centrémonos ahora en el silicio tipo P. En la práctica, a temperatura mayor que cero este
material estará formado por:

 Huecos procedentes del dopado.


 Huecos procedentes de la generación térmica de pares e-/h+.
 Electrones procedentes de la generación térmica de pares e-/h+.
 Electrones y huecos procedentes de impurezas no deseadas.

Habitualmente, a temperatura ambiente, el nivel de dopado es tal que los huecos


procedentes de él superan en varios órdenes de magnitud al resto de portadores. Ello
confiere el carácter global P del material. Sin embargo, ha de tenerse en cuenta que
existen electrones. En este caso, los huecos son los portadores mayoritarios, y los
electrones los minoritarios. Si se trata de un material de tipo N, los portadores
mayoritarios serán los electrones, y los minoritarios los huecos.

Material Portadores mayoritarios Portadores minoritarios


Silicio Puro - -
Silicio tipo P Huecos Electrones
Silicio tipo N Electrones Huecos

Hay que resaltar que el dopado no altera la neutralidad eléctrica global del material.

INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA SOBRE LOS SEMICONDUCTORES

Al presentar el concepto de portadores mayoritarios y minoritarios se ha asumido una


hipótesis de trabajo: que a temperatura ambiente (25ºC) la concentración de portadores
provocada por generación térmica es mucho menor que la causada por los dopados. Pues
bien, si se eleva la temperatura sobre la de ambiente se aumentará la tasa de pares
electrón/hueco generados. Llegará un momento en el que, si la temperatura es lo

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suficientemente elevada, la cantidad de pares generados enmascare a los portadores
presentes debidos a la impurificación. En ese momento se dice que el semiconductor es
degenerado, y a partir de ahí no se puede distinguir si un material es de tipo N ó P: es la
temperatura a la cual los dispositivos electrónicos dejan de operar correctamente. En el
caso del silicio, esta temperatura es de 125 ºC.

Conducción eléctrica en semiconductores

Dada la especial estructura de los semiconductores, en su interior pueden darse dos


tipos de corrientes:

CORRIENTE POR ARRASTRE DE CAMPO

Supongamos que disponemos de un semiconductor con un cierto número de electrones y


de huecos, y que aplicamos en su interior un campo eléctrico. Veamos que sucede con los
portadores de carga:

Cada átomo de silicio tiene cuatro electrones de valencia. Se requieren dos para formar
el enlace covalente. En el silicio tipo n, un átomo como el del fósforo (P), con cinco
electrones de valencia, reemplaza al silicio y proporciona electrones adicionales. En el
silicio tipo p, los átomos de tres electrones de valencia como el aluminio (Al) provocan una
deficiencia de electrones o huecos que se comportan como electrones positivos. Los
electrones o los huecos pueden conducir la electricidad.
ESTRUCTURA DEL SILICIO

El silicio es un elemento con una gran cantidad de aplicaciones. Es el segundo elemento


más abundante en la corteza terrestre (después del oxígeno) con un porcentaje en peso
del 25,7%. Está presente en multitud de materiales, tan diversos como la arena, la
arcilla, el vidrio o el hueso. El silicio puro no se encuentra en la naturaleza, pero bajo las
condiciones adecuadas pueden obtenerse en forma de estructuras monocristalinas. En
éstas los átomos se disponen según una red tipo diamante con simetría cúbica, en donde
cada átomo forma enlaces covalentes con otros cuatro adyacentes. Así todos los átomos
tienen la última órbita completa con ocho electrones.

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Figura: Estructura cristalina del silicio puro

En la figura se aprecia que todos los electrones de valencia están asociados a un enlace
covalente. Por tanto, al no existir portadores libres, el silicio puro y monocristalino a 0 K
se comporta como un material aislante.

Si un electrón atraviesa la zona en la que se encuentra el hueco puede quedar atrapado


en él. A este fenómeno se le denomina recombinación, y supone la desaparición de un
electrón y de un hueco. Sin embargo, como en el caso anterior, el material mantiene su
neutralidad eléctrica.

Electrones libres: Obviamente, la fuerza que el campo eléctrico ejerce sobre los
electrones provocará el movimiento de estos, en sentido opuesto al del campo eléctrico.
De este modo se originará una corriente eléctrica. La densidad de la corriente eléctrica
(número de cargas que atraviesan la unidad de superficie en la unidad de tiempo)
dependerá de la fuerza que actúa (qE), del número de portadores existentes y de la
"facilidad" con que estos se mueven por la red, es decir:

Je = en(qE) en donde:

 Je = Densidad de corriente de electrones


 e = Movilidad de los electrones en el material

 n = Concentración de electrones
 q = Carga eléctrica
 E = Campo eléctrico aplicado

La movilidad e es característica del material, y está relacionada con la capacidad de


movimiento del electrón a través de la red cristalina.

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• conducción por difusión de portadores

Antes de entrar en el fenómeno de conducción por difusión vamos a explicar el concepto


de difusión. Si suponemos que tenemos una caja con dos compartimentos separados por
una pared común. En un compartimiento introducimos un gas A, y en el otro un gas B.

La anterior figura nos muestra: Difusión de dos gases a través de una membrana porosa

Si en un momento determinado se abre una comunicación entre las dos estancias parte
del gas A atravesará la pared para ocupar el espacio contiguo, al igual que el B. El
resultado final es que en ambas estancias tendremos la misma mezcla de gases A+B. La
difusión de partículas es un mecanismo de transporte puramente estadístico, que lleva
partículas "de donde hay más, a donde hay menos", siempre que no haya ninguna fuerza
externa que sea capaz de frenar dicho proceso. Matemáticamente puede expresarse
esta idea mediante la primera ley de Fick, que establece que el flujo de partículas que
atraviesa una superficie (J partículas/s/m2) es proporcional al gradiente de concentración
(c partículas/m3) de dichas partículas:

A la constante de proporcionalidad se le denomina difusividad, y tiene dimensiones de


m2/s.

Principalmente los semiconductores se diferencian:

• de los aislantes: La energía para liberar un electrón es menor en el semiconductor


que en el aislante. Así a temperatura ambiente el primero dispone ya de portadores
libres.
• de los conductores: Los semiconductores poseen dos tipos de portadores de carga: el
electrón y el hueco.
• EL DIODO

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Cuando ciertas capas de semiconductores tipo p y tipo n son adyacentes, forman un
diodo de semiconductor, y la región de contacto se llama unión pn. Un diodo es un
dispositivo de dos terminales que tiene una gran resistencia al paso de la corriente
eléctrica en una dirección y una baja resistencia en la otra.
Las propiedades de conductividad de la unión pn dependen de la dirección del voltaje,
que puede a su vez utilizarse para controlar la naturaleza eléctrica del dispositivo
Algunas series de estas uniones se usan para hacer transistores y otros dispositivos
semiconductores como células solares, láseres de unión pn y rectificadores.
Los dispositivos semiconductores tienen muchas aplicaciones en la ingeniería eléctrica.
Los últimos avances de la ingeniería han producido pequeños chips semiconductores que
contienen cientos de miles de transistores. Estos chips han hecho posible un enorme
grado de miniaturización en los dispositivos electrónicos. Observemos la siguiente
figura:

Si unimos un semiconductor tipo "P" con uno tipo "N", obtendremos un "DIODO".

Existen los siguientes tipos de Diodos:

• DIODO RECTIFICADOR

Estos diodos tienen su principal aplicación en la conversión de corriente alterna AC, en


corriente continua DC.

En las anteriores figuras le mostramos su símbolo, y su representación física.


A significa Ánodo (+) y la K significa Cátodo (-). En la imagen de su aspecto físico
observamos una franja blanca, esta representa al cátodo.

Polarización directa y polarización inversa de un diodo rectificador.-

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1.- Polarización directa. El positivo de la batería va al ánodo y el negativo al cátodo. El
diodo conduce manteniendo en sus extremos una caída de tensión de 0.7 voltios.

2.- Polarización inversa. El positivo de la batería va al cátodo y el negativo al ánodo. El


diodo no conduce. Toda la tensión cae en el . Puede existir una pequeña corriente de fuga
del orden de µAmperios.

• PUENTE RECTIFICADOR

.- Los fabricantes han incluido dentro de una misma cápsula cuatro diodos rectificadores
con montaje llamado "en puente".

SIMBOLO ASPECTO FISICO

Observamos en el símbolo dos terminales de entrada de corriente alterna y dos de salida


de corriente continua.
Los terminales del puente rectificador pueden cambiar, dependiendo del fabricante.
Vemos que pueden tener distintos aspectos, que dependen sobre todo de la potencia que
sea necesaria en el circuito al que van destinados.

APLICACIONES.-

- Se utilizan en fuentes de alimentación conectados a la salida de un transformador para


poder obtener en su salida, indicada por las patillas + y -, una corriente continua.

• DIODO DE SEÑAL

Este tipo de diodo se utiliza para la detección de pequeñas señales, o señales débiles, por
lo que trabaja con pequeñas corrientes. La tensión Umbral, o tensión a partir de la cual el
diodo, polarizado directamente, comienza a conducir, suele ser inferior a la del diodo
rectificador. O sea la V.Umbral es aproximadamente 0,3 voltios.

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El material semiconductor suele ser el Germanio.

APLICACIONES.-

- Se emplean, sobre todo el la detección de señales de Radio Frecuencia (RF). Se


utilizan en etapas moduladoras, de moduladoras, mezcla y limitación de señales.
-

• DIODO PIN.-

Este tipo de diodo que presenta una región P fuertemente dopada y otra región N
también fuertemente dopada,

Este diodo tiene aplicaciones en circuitos donde utilizan frecuencias muy altas
como VHF, UHF y circuitos de microondas.

Se le suele utilizar como interruptor o como modulador de amplitud en frecuencias


de microondas ya que para todos los propósitos se le puede presentar como un
cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso.

Cuando se le aplica una polarización directa al diodo PIN, conduce corriente y se


comporta como un interruptor cerrado. Si se le aplica una polarización inversa se
comporta como un interruptor abierto, no dejando pasar la señal.

• DIODO ZENER.-

El diodo zener sirve para regular o estabilizar el voltaje en un circuito.


Esto quiere decir que tiene la propiedad de mantener en sus extremos una tensión

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constante gracias a que aumenta la corriente que circula por el.

• FOTODIODO.-

Es un dispositivo que tiene la propiedad de que estando polarizado directamente, conduce


cuando recibe luz.
Símbolo:

APLICACIONES.-

- Se utiliza en televisores, videos, y equipos de música como censor de los mandos a


distancia que utilizan diodos emisores de rayos infrarrojos.

• DIODO LED.- ( Diodo Emisor de Luz )

Es un diodo que realiza la función contraria al fotodiodo. Cuando se le aplica tensión,


polarizado directamente, emite luz.
Se fabrica con un compuesto formado por Galio, Arsénico y Fósforo.

La zona plana, donde comienza una de las patillas, indica el cátodo.

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Aplicaciones.-

- Se emplean, en aparatos electrónicos como indicadores luminosos, por ejemplo:


televisores, videos, mandos, etc.

Estas son algunas de las principales características de los semiconductores también


conocidos con el nombre de diodos.

• BIBLIOGRAFIA

http://www.elprisma.com

http://www.aputes.rincondelvago.com

• TRANSISTORES

DEFINICIÓN

Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o más electrodos. Los tres electrodos
principales son emisor, colector y base. La conducción entre estos electrodos se realiza
por medio de electrones y huecos.

El germanio y el sicilio son los materiales más frecuentemente utilizados para la


fabricación de los elementos semiconductores. Los transistores pueden efectuar

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prácticamente todas las funciones de los antiguos tubos electrónicos, incluyendo la
ampliación y la rectificación, con muchísimas ventajas.

Símbolo de un transistor

• ELEMENTOS DE UN TRANSISTOR O TRANSISTORES:

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de


material tipo N y una capa tipo P, o bien, de dos capas de material tipo P y una tipo N. al
primero se le llama transistor NPN, en tanto que al segundo transistor PNP.

 EMISOR, que emite los portadores de corriente, (huecos o electrones). Su


labor es la equivalente al CATODO en los tubos de vacío o "lámparas"
electrónicas.

 BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la


equivalente a la REJILLA cátodo en los tubos de vacío o "lámparas"
electrónicas.

 COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor.


Su labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vacío o "lámparas"
electrónicas.

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• TIPOS DE TRANSISTORES

 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN, BJT. ( PNP o NPN )

- BJT, de transistor bipolar de unión (del inglés, Bipolar Junction Transistor).


El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el
proceso de inyección hacia el material polarizado de forma opuesta.

 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. (JFET, MESFET, MOSFET )

- JFET, De efecto de campo de unión (JFET): También llamado transistor unipolar, fue
el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P.

En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un


transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. En los terminales de la
barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo
tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N
y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta.

A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro ordenador. Aplicando


tensión positiva entre el ordenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor,
estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de ordenador con
polarización cero.
Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la
conducción en el canal.

- MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor.

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- MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos
componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser
positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un
electrodo de metal.

 TRANSISTORES HBT y HEMT.

Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar


Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y Hight Electrón Mobility Transistor
(De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales formados por la combinación de
diferentes componentes, con distinto salto de banda prohibida.

Observemos el siguiente ejemplo:

 TRANSISTOR DE PUNTA DE CONTACTO:

El transistor primario. Consiste en electrodos de emisor y colector tocando un


pequeño bloque de germanio llamado base, que podía ser de tipo N y del tipo P, siendo un
cuadrado de 0.05 pulgada de lado. Era difícil de controlar, por lo que ya hoy se encuentra
sin uso por estar anticuado.

 TRANSISTOR DE UNIÓN POR CRECIMIENTO:

Se obtienen sus cristales realizando un proceso de crecimiento, desde el germanio


y el silicio fundidos de forma que presenten uniones con muy poca separación incrustadas
en la pastilla.

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Las impurezas se transforman durante el crecimiento del cristal y producen
lingotes PNP o NPN, de los que se obtiene pastillas individuales, de unión a su vez pueden
ser de unión de crecimiento, unión por alineación o de campo interno, que es aquél en que
la concentración de impurezas se encuentra en una cierta zona de la base a fin de
mejorar el comportamiento en alta frecuencia del transmisor.

 TRANSISTOR DE UNIÓN DIFUSA:

Utilizable en un margen amplio de frecuencias en el proceso de fabricación se


utiliza silicio, lo que favorece la capacidad de potencia.
Se subdividen en los de difusión única (hometaxial), doble difusión, doble difusión planar
y triple difusión.

 TRANSISTORES EPITAXIALES:

Transistor de unión obtenido por el proceso de crecimiento en pastilla de


semiconductor y procesos fotolitográficos utilizados para definir las regiones de emisor
y de base durante el crecimiento.
Se subdividen en transistores de base epitaxial, capa epitaxial y sobrecapa.

• Observemos los siguientes diagramas de transistores:

Transistor Transistor
NPN PNP

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Transistor NPN
con colector unido Transistor
a la cubierta NPN túnel

UJT-p
UJT-n Unión
Unión

Fototransistor
NPN Multiemisor
NPN

Transistor Transistor
de avalancha NPN Schottky NPN

Transistor JFET
canal N *

Transistor JFET Transistor JFET


canal P * canal N

PUT Transistor JFET


Unión Programable canal P

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Darlingt on NPN Darlington NPN
*

• En las siguientes hojas observaran algunas imágenes de los posibles


transistores que existen en el mercado:

• TRANSISTORES DEL TIPO BC

• TRANSISTORES

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• TRANSISTORES DEL TIPO BU

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• TRANSISTORES DE POTENCIA MOS-FET

Diodo supresor de transitorios K610-CE-9216, tensión de actuación 26.7V,


aguanta hasta 500W durante varios milisegundos, se conecta como un cener: 1.04€;
172 pts.

• PUENTES RECTIFICADORES

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• VALVULAS TERMOIONICAS

• CONCLUSIONES

Como pudimos comprender en el texto anterior que un transistor es un


dispositivo mediante el cual podemos hacer fluir corriente para tener un
mejor consumo de energía mediante un proceso el cual nos establece una
relación de ventajas, como son:

 El consumo de energía es sensiblemente bajo.

 El tamaño y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vacío.

 Una vida larga útil (muchas horas de servicio).

 Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento).

 No necesita tiempo de calentamiento.

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 Resistencia mecánica elevada.

 Los transistores pueden reproducir otros fenómenos, como la fotosensibilidad.

• REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS.-

1. PRINCIPIOS DE DISEÑO DIGITAL


DANIEL D. GAJSKI
EDT. PRENTICE HALL

2. DISEÑO DIGITAL
MORRIS MANO
EDT. PRENTICE HALL

3. http://www.comunidadelectronica.com

4. http://www.mailingelectronica.com

• TIRISTORES

 INTRODUCCION

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Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los dispositivos semiconductores
de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de
potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a
un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son
interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prácticos exhiben ciertas
características y limitaciones.

• EL TIRISTOR

 GENERALIDADES Y SIMBOLOS

El tiristor es un interruptor electrónico fácil de conectar y algo menos sencillo de


desconectar. Por tiristor se entiende una válvula de silicio bloqueada en su sentido de
paso, pero que se hace conductora mediante la acción de un electrodo llamado de disparo
o starter. Además del starter (que normalmente permite el desbloqueo pero no el
bloqueo al paso de la corriente), el tiristor tiene otros dos electrodos: ánodo y un cátodo.
La siguiente figura muestra el correspondiente símbolo.

SENTIDO DE PASO

ÁNODO CÁTODO

ELECTRODO DE MANDO

SIMBOLO DE TIRISTOR CON SUS TRES TERMINALES. EL TRAMO PRINCIPAL ESTÁ ENTRE
ANODO Y CATODO. EL TRAMO DE GOBIERNO UNA (ADICIONALMENTE) EL STARTER CON EL
CATODO.

Al starter se le denomina también puerta, electrodo de mando o ∗ gate ∗ (del inglés).


 LO QUE NO ES PRECISO APRENDER PARA EL EMPLEO DE LOS TIRISTORES

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Para el usuario de tiristores resulta indiferente el saber cómo se ha construido el
sistema tiristor, los procesos internos que provocan la conducción o el bloqueo de la
corriente, así como la forma con que se sujeta el sistema a la caja.

Tampoco tiene una importancia decisiva el conocer cómo se desarrolla y fabrican


un tiristor y los recursos que se utilizan para que éste responda en sus características a
los límites y tolerancias indicados en sus respectivas tablas.

 LO QUE SI DEBE SABER EL UTILIZADOR DE TIRISTORES

En primer lugar el práctico ha de conocer que existen diferentes tipos para una amplia
gama de tensiones y corrientes: hay tiristores para tensiones algunas decenas de voltio y
corrientes de décimas de amperio hasta tiristores con tensiones que actualmente ya
llegan hasta los 1600 V e intensidades hasta varios centenares de amperio.

Por otro lado, el usuario es importante que sepa las particularidades que presentan
los tiristores frente a los interruptores. En este sentido sería conveniente contrastar
los pequeños tiristores con los transistores de conmutación y los transistores grandes o
de potencia con los interruptores dotados de contactos mecánicos.

Adicionalmente conviene tener una orientación acerca del comportamiento (externo) del
tiristor, por lo que hay que adquirir unos ciertos conocimientos sobre las curvas
características de estos componentes.

Al objeto de poder seleccionar correctamente el tipo adecuado de tiristor, es


preciso conocer los datos esenciales a buscar de entre el sinnúmero de valores límites y
característicos que facilita el fabricante.

Finalmente, el usuario debería familiarizarte desde el principio con los circuitos típicos
de tiristores.

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• TIPOS DE TIRISTORES.

Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusión. La corriente del ánodo
requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el área de la unión, desde el punto
cercano a la compuerta cuando inicia la señal de la compuerta para activar el tiristor.
Para controlar el di/dt, el tiempo de activación y el tiempo de desactivación, los
fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta.

Dependiendo de la construcción física y del comportamiento de activación y


desactivación, en general los tiristores pueden clasificarse en nueve categorías:

1. Tiristores de control de fase (SCR).


2. Tiristores de conmutación rápida (SCR).
3. Tiristores de desactivación por compuerta (GTO).
4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
5. Tiristores de conducción inversa (RTC).
6. Tiristores de inducción estática (SITH).
7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
9. Tiristores controlados por MOS (MCT)

• TIRISTORES PEQUEÑOS

La característica entre los transistores de conmutación, y los pequeños tiristores es que


este último ofrece la ventaja de que el tránsito del estado de bloqueo al de conducción y
viceversa, se realiza de un modo súbito o basculante. Esto supone una simplificación en el
circuito y la exclusión de estados intermedios. La mencionada simplificación de circuito,
por otro lado, sólo tiene lugar en corriente alterna ya que en ella el tránsito del estado
de paso al de bloque se realiza de una forma muy sencilla.

Como ventajas a favor de los transistores de conmutación, merece citarse: la menor


potencia de mando, la posibilidad de pasar del estado de conducción al de bloqueo
operando sobre el circuito de mando, la menor tensión residual en estado de conducción y
finalmente una mayor sencillez de conexionado para el servicio en corriente continua.

Por este motivo se preferirá el tiristor al transistor cuando: sea posible hallar el
tipo adecuado de tiristor, el servicio sea en tensión alterna, los tiempos de conmutación

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no deben ser muy reducidos, la tensión residual no resulte crítica y cuando los costes no
lo hagan prohibitivo.
• TIRISTOR DE POTENCIA

Cuando el tiristor haya de efectuar las funciones de un interruptor mecánico, presenta


frente a éste las siguientes ventajas:

- tiempos de conexión notablemente inferiores,


- conmutación libre de rebotes,
- ningún desgaste,
- potencia de mando muy pequeña,
- interrupción de la corriente alterna cercana al punto de paso cero.

Como inconvenientes del tiristor, merecen citarse:

- aparición de una tensión residual (1… 2 voltios) en estado de conducción.


- circulación de una corriente , que aunque pequeña, se presenta en estado de
bloqueo,
- menor capacidad para soportar sobrecargas eléctricas,
- no poder apreciarse a simple vista el estado de conmutación.

Por otro lado el tiristor permite efectuar la conexión en un determinado y ajustable


instante o punto de las semiondas de paso, con lo que presenta la posibilidad de graduar
el valor medio de la corriente de paso.

 CARACTERISTICAS DE SALIDA DEL TIRISTOR

Dichas características hacer referencia al comportamiento del canal de corriente entre


ánodo y cátodo del tiristor. A este canal de corriente se de designa por tramo principal o
tramo de conmutación.

Las características de salida de un tiristor dependen de tres aspectos en general:

- paso o conducción,

- las curvas de bloqueo en sentido directo para una corriente constante del starter,

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- las curvas de bloqueo en sentido inverso, para una corriente constante del starter.
 CARACTERISTICA DE PASO

Esta curva característica tiene un curso casi vertical y muy cerca del eje de ordenadas
(corriente). Su principal característica es que la tensión de paso del tiristor es muy
reducida y a penas varía al aumentar la corriente de paso.

La curva característica de paso se notará por que siempre esta o tendrá


coordenadas (0,0). La corriente de paso tiene pues un definido valor mínimo, que e
designa por corriente de manteniendo. Al disminuir la corriente de paso hasta este valor,
el tiristor bascula del estado de paso al de bloqueo. La corriente de mantenimiento es,
por lo tanto, el mínimo valor de la corriente anódica que todavía conserva el estado de
conducción.

 CARACTERISTICAS DE BLOQUEO INVERSO

Cuando la corriente del starter es muy reducida o nula, esta curva coincide
prácticamente con la característica de bloqueo de cualquier válvula de silicio equivalente.
Al aumentar la corriente del starter, estas corrientes de bloqueo se hacen, a su vez,
mayores, al igual que cuando aumenta la temperatura. Las tensiones de ruptura (tensiones
correspondientes al curso vertical de la característica ∗ corriente anódica-tensión
cátodo-ánodo∗) caen algo más arriba al aumentar la temperatura.

 CARACTERISTICAS DE BLOQUEO Y LINEA BASCULANTE

Su curso o forma es muy parecida a las de las características de bloqueo inverso. En


realidad, esta coincidencia no es tan acentuada. A diferencia de las características de
bloqueo inverso, las curvas de bloqueo terminan aproximadamente en el punto donde
empiezan a ser verticales. El extremo de una característica de bloqueo significa el punto
a partir del cual el tiristor pasará de su estado de bloqueo al de conducción cuando se
aumente la correspondiente corriente anódica. Esta línea que une estos puntos extremos,
recibe el nombre de línea basculante.

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El curso de la línea basculante depende del tipo de tiristor y también de las
propiedades del circuito a él conectado. La transición del estado de bloqueo al de
conducción viene determinada por la naturaleza del circuito de corriente, en el que el
tiristor desempeña el papel de un interruptor.

 ¿QUE SON LAS CARACTERISTICAS DE ENTRADA?

Una característica de entrada muestra la dependencia entre la corriente y la tensión de


entrada de un componente con dos terminales de entrada y dos de salida. A menudo
entrada y salida tienen un terminal común, como es el caso del tiristor y el triac.

La característica de entrada se refiere al tramo de gobierno, que en los tiristores y


triacs es el tramo del starter (starter-cátodo). En relación con el comportamiento de la
entrada, que se refleja en la correspondiente característica, hay que distinguir dos
casos:

- cuando la entrada no es afectada por la salida y

- cuando la salida influye sobre la entrada.

En el primer caso, para mostrar el comportamiento de la entrada, basta una sola línea
característica. Esto es lo que sucede con el tiristor y con el triac. Tanto en el tiristor
como en el triac, hay que contar con grandes discrepancias en los datos o propiedades de
entradas.

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CORRIENTE DE ENTRADA COMPONENTE

TENSION DE ENTRADA TRAMO DE CONMURACION


ENTRADA
SALIDA

ESTA FIGURA ILUSTRA LOS CONCEPTOS – ENTRADA – Y –SALIDA - DE UN COMPONENTE GOBERNABLE,


DOTADO DE TRES TERMINALES (TRIAC).

ANODO

TRAMO DE GOBIERNO O MANDO TRAMO DE CONMUTACION


CATODO
ENTRADA SALIDA

STARTER

ESTA FIGURA ILUSTRA LOS CONCEPTOS – ENTRADA – Y –SALIDA - DE UN COMPONENTE GOBERNABLE,


DOTADO DE TRES TERMINALES (AHORA APLICADO A UN TIRISTOR).

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• EL TRIAC

El triac es un tiristor que puede adoptar el estado de conducción para ambos sentidos de
la corriente. Consecuentemente tiene las mismas características esenciales y datos que
el tiristor.

 DENOMINACIONES Y SIMBOLOS

L a palabra - triac - es una expresión que procede del inglés (triode alternating current
switch). Esto significa que se trata de un interruptor de corriente alterna con tres
terminales. Dos de estos terminales se intercalan en el circuito a controlar (como si de un
interruptor se tratara.
El tercer terminal (starter) sirve para el arranque del paso de la corriente. Para la
designación de estos terminales, análogamente al tiristor, se emplean las siguientes
expresiones:

- para el terminal que provoca el paso de corriente (arranque): starter, puerta, gate
o electrodo de mando;

- Para el terminal al que queda aplicada la tensión del starter: cátodo o terminal 1;

- para el otro terminal de un modo parecido: ánodo o terminal 2.


Observemos la siguiente figura:

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En la anterior figura utilice expresiones para la identificación de los terminales: starter,
terminal 1 y terminal 2.
El tramo starter-terminal 1 es el tramo del starter o de mando. El tramo terminal 1-

ANODO (CATODO) CATODO (ANODO) TERMINAL 1 TERMINAL 2


ELECTRODO DE STARTER

MANDO

SIMBOLO DEL TRAIC, REPRESENTADO DE DOS FORMAS. CONVIENE EVITAR LAS DESIGNACIONES DE ANODO Y
CATODO, EMPLEANDO EN SU LUGAR LAS DE TERMINAL 1 Y TERMINAL 2.

terminal 1 es el tramo del starter o de mando. En el tramo terminal 1-terminal 2 es el


tramo de conexión o principal.

Debido a que en los esquemas de conexión el terminal del starter suele representarse
procedente de la izquierda se emplearán dos símbolos que se corresponden como objetos
e imagen en un espejo.

Para el triac se han propuesto otras denominaciones que, sin embargo, no se han
impuesto: tiristor de doble sentido, tiristor bidireccional y tiristor de corriente alterna.

 OBJETO DEL TRAIC

El triac puede considerarse como un contador de corriente alterna de pequeñas


dimensiones. A menudo se le emplea en combinación con el diac para el ajuste del valor
eficaz de una corriente alterna. Así, por ejemplo, un triac y un diac conectados
adecuadamente pueden servir para ajustar la luminosidad de una lámpara de corriente
alterna. El reducido número de componentes y su pequeño volumen hacen que puedan
incorporarse en una lámpara de sobremesa.

 ENTRADA Y SALIDA DEL TRIAC

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En la siguiente figura le mostraré análogamente al tiristor, compuesto por el triac; cuyas
características poseen entradas y salidas respectivamente. Empezaré con el estudió de
las características de salida.

TERMINAL 2
TRAMO DE MANDO ENTRADA SALIDA TRAMO PRINCIPAL O DE

STARTER TERMINAL 1 CONEXION

LADOS DE ENTRADA Y SALIDA DE UN TRIAC. EL LADO DE ENTRADA PUEDE DESIGNARSE COMO TRAMO PRINCPAL O DE
CONEXIÓN.

 CARACTERISTICAS DE SALIDA DEL TRIAC

En el triac, las características de salida reflejan el comportamiento de la tensión entre


los terminales 1 y 2 en relación con la corriente que recorre el tramo entre terminal 1 y
2. En las características de salida aparece también la corriente del starter debido a la
influencia que tiene sobre las características de bloqueo: a cada valor de la corriente de
starter corresponde un par de líneas características de bloqueo.

La diferencia sustancial entre el comportamiento de un triac y un tiristor estriba en que


en el caso del triac no hay ningún sentido de bloqueo inverso. En el triac el estado de
conducción se presenta para ambos sentidos de la corriente.

En este sentido es curioso hacer constar cómo la corriente y tensión del tramo del
starter, puede tener el mismo signo para los dos sentidos de la corriente. Observemos el
siguiente esquema:

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CUADRANTE II CUADRANTE I

TENSION ENTRE TERMINALES 1 Y 2


0
0

TENSION STARTER-TERMINAL 1

CUADRANTE III CUADRANTE IV

PARA REPRESENTAR LA DEPENDENCIA ENTRE LAS TENSIONES DEL TRAMO PRINCIPAL Y


DEL STARTER, SE NECESIRTAN 4 CUADRANTES, SI SE QUIERE TOMAR EN
CONSIDERACION LAS POLARIDADES DE DICHAS 2 TENSIONES.

En el anterior esquema el eje vertical es la tensión entre terminales 1 y 2 que son


designados por UA1 A2. El eje horizontal, la tensión entre starter y terminal 1 USt A1, es
decir, es la tensión en el tramo del starter. Respecto A los signos de estas tensiones se
tiene que:

CUADRANTE TENSION USt A1 TENSION UA1 A2

I POSITIVO POSITIVO
II NAGATIVO POISITIVO
III NEGATIVO NEGATIVO
IV POSITIVO NEGATIVO

En el cuadrante IV no resulta ventajoso, mientras que el trabajo en los cuadrantes


I, II y III no representan ninguna dificultad. Se arranca allí donde con el signo
cambiante de la tensión UA1 A2, se obtiene una tensión UStA1 también de signo alternativo
(cuadrantes I y III). En el caso de tener que emplear impulsos de una sola polaridad para
el arranque, se emplean impulsos negativos de la tensión UStA1 y se trabajará en los
cuadrantes II y III

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 CARACTERISTICAS DE ENTRADA DE UN TRIAC

Inicia cuando el arranque o paso de la corriente puede desencadenarse tanto si la tensión


starter-terminal 1 es positiva como negativa. Dicho funcionamiento con tensiones
negativas de starter-terminal 1 y corrientes de starter también negativas ofrecen la
ventaja de tener un solo y definido margen de arranque seguro. Para los valores positivos
de la tensión starter-terminal 1 y de la corriente de starter, se obtendrán dos márgenes.

En el margen pequeño hace referencia al arranque con una tensión positiva del
terminal 2 respecto del1. En el margen mayor corresponde al caso en que la tensión del
terminal 1 sea positiva respecto al 2. Consecuentemente, en este tipo de triacs resulta
más conveniente trabajar con impulsos de arranque negativos respecto al terminal 1. Con
esta disposición resultan entonces suficientes tensiones del orden de 3 V para el tramo
starter terminal 1, y corrientes de starter de por lo menos 100mA.

En las siguientes figuras podremos observar con precisión los tipos de tiristores que
existen:

Tiristor SCR Tiristor SCS


Silicon controlled Silicon controlled
rectifier switch

Diac Diac

Triac Tiristor Schottky


PNPN de 4 capas *

Tiristor Schottky Tiristor Schottky


PNPN de 4 capas PNPN de 4 capas

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Tiristor de Tiristor de
conducción conducción
inversa, puerta inversa, puerta
canal N controlado canal P
por ánodo controlado por
cátodo
Tiristor de desconexión
Tiristor de
puerta canal N
controlado por ánodo desconexión
puerta control P
controlado por
cátodo
SBS
SUS
Silicon bilateral switch
Silicon unilateral
switch
Trigger Diac Fototiristor

Ditriac / Quadrac

• REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS

1.- CIRCUITOS PRACTICOS DE ELECTRONICA


TRIACS Y TIRISTORES
FRITZ BERGTOLD
EDICIONES CEAC.

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2.- http://es.geocines.com

3.- http://www.arrakis.es

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