Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
1/12
Electrnica de dispositivos
tomos
El tomo
Hay dos razones para empezar con el tomo: Es el principal constituyente de la materia Su descripcin cualitativa es similar a la de un slido
E2 E1 = h
Las nicas rbitas posibles son aquellas en el momento angular electrnico est cuantizado
q 4m mvrn = nh / 2 En = 2 2 2 8n h 0
Tema 1: Electrones, energa, tomos y slidos 2/12
Electrnica de dispositivos
E = h
p = mv = h
Ecuacin de Schrdinger
Recoge todos los conceptos cunticos para la descripcin del tomo de hidrgeno
8 2m + (E V ) = 0 2 h
2
Postulados: Cada estado est determinado por su y por sus nmeros cunticos: n, l, m, s La probabilidad de encontrar un electrn en una posicin est determinada por Principio de exclusin (Pauli): Dos electrones no pueden compartir un mismo estado. Principio de incertidumbre (Heisenberg): es imposible conocer la situacin exacta de un electrn
3/12
Electrnica de dispositivos
Nmeros cunticos
Resolucin de la ecuacin de Schrdinger
h2 Zq 2 2 2 = E 8 m 4 0 r
(r , , ) = R (r )H ( )I ( )
nmeros cunticos ( configuracin electrnica):
Capa K L n>0 n 1 2 0l n-1 l 0 0 1 1 1 -l ml m 0 0 0 -1 +1 s= s niveles 1s 2s 2p 3s 3p 3d N mx. 2 2 6 2 6 10
Electrnica de dispositivos
Los niveles 3s (2N estados/2N e-) y 3p (6N estados/2N e-) se transforman en dos bandas continuas con 4N estados cada una. La banda superior se llama banda de conduccin La banda inferior se llama banda de valencia Se forma una banda prohibida o gap entre las dos anteriores La anchura del gap depende del parmetro de red, de la temperatura, ... A la temperatura de cero absoluto (0K), los e- ocupan los niveles inferiores
Tema 1: Electrones, energa, tomos y slidos 5/12
Electrnica de dispositivos
Eg= Ec - Ev
6/12
Electrnica de dispositivos
7/12
Electrnica de dispositivos
Slidos cristalinos
Ejemplo: clula solar
amorfo policristalino cristalino
metal semiconductor aislante Muchos semiconductores son cristalinos por naturaleza La unidad bsica de un cristal se llama celda unidad, que se repite espacialmente Los tomos de silicio y de germanio se disponen formando una red de diamante Los ndices de Miller describen la orientacin de un cristal
8/12
Electrnica de dispositivos
Crecimiento de cristales
Es el proceso de obtencin de material cristalino a partir de su fase amorfa o policristalina El material de partida se somete a tratamientos previos de purificacin Se lleva a cabo en hornos especiales El crecimiento puede ser en volumen o epitaxial. Existen varias tcnicas. Para el silicio se suele usar el mtodo Czochrlaski. Se trata de un mtodo de crecimiento a partir del fundido Los lingotes, con una orientacin cristalina determinada, se cortan en obleas (wafers)
9/12
Electrnica de dispositivos
Ejemplos numricos
Cuntos tomos de silicio hay en un Pentium IV? El volumen de un Pentium IV es aproximadamente 14140.5 mm3 100 mm3 = 0.1 cm3 Como: (Si)= 2.33 g/cm3 m= V = 0.233 g Mr(Si)=28, con lo que: N= NAm/Mr 51021 tomos Recordemos que un Pentium IV tiene unos 40 millones de transistores De qu color es un cristal con un gap de 2.6eV? y de 1.12eV?
E = h = h
1.24 m E [eV ]
Electrnica de dispositivos
Hoja de datos
Constantes importantes
Masa efectiva Ge mn* 0.55 m0 mp* 0.37 m0 Si 1.1 m0 0.56 m0 GaAs 0.067 m0 0.48 m0
1.1
h= 6.610-34 Js e= 1.610-19 C me= 9.110-31 kg NA= 6.023 10-23 0= 8.8 10-12 F/m 0= 410-7 N/A2 r(Si)= 11.8 r(SiO2)= 3.9 (Si)= 2.33 g/cm3 Tf(Si)= 1440C (SiO2)= 2.53 g/cm3 Tf(SiO2)= 1710C 1 eV = 1.610-19 J k= 1.38 10-23 J/K = 8.6210-5 eV/K
11/12
Electrnica de dispositivos
Introduccin Densidad de Estados (DeE) Funcin de distribucin de Fermi-Dirac Densidad de portadores (en semiconductores intrnsecos) Semiconductores extrnsecos: tipo p y tipo n Concepto de equilibrio trmico Densidad de portadores en semiconductores extrnsecos Nivel de Fermi en semiconductores extrnsecos Cmo obtener un semiconductor dopado?
12/12