DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS
Unidad 1: Fundamentos de los dispositivos electrónicos
Sesión 02:
Aplicación, generación y recombinación de portadores
mecanismos de conducción de semiconductores-arrastre y
difusión (Ejercicios).
Docente: Dr. Odón Aréstegui S.
Materiales
Logros de la Sesión 02:
Al final de la sesión, el alumno entenderá e identificará:
Ejercicios relacionados:
Materiale semiconductores, aplicación, generación y
recombinación de portadores, mecanismos de conducción de
semiconductores-arrastre y difusión
Materiales Aislantes
Materiales Conductores
Materiales Semiconductores
Semiconductor tipo P: Estos dopantes usualmente son Boro, Indio
o Galio, por ser elementos trivalentes (3e- de valencia). Pues no
aportan los 4 electrones necesarios para establecer los 4 enlaces
covalentes, en la red cristalina éstos átomos presentarán un defecto
de electrones (para formar los 4 enlaces covalentes). De esa
manera se originan “huecos” que aceptan el paso de electrones que
no pertenecen a la red cristalina.
Por tanto al material tipo P también se le denomina Donador de
Huecos (o ACEPTADOR de electrones)
Semiconductor tipo N: Son impurezas como el Fósforo, Arsénico o
Antimonio, por ser elementos pentavalentes (5e- de valencia). Estos
donantes aportan electrones en exceso, los cuales, al no encontrarse
enlazados, se moverán fácilmente por la red cristalina aumentando su
conductividad.
Por tanto al material tipo N e denomina también DONADOR de
Electrones.
Conceptos teoricos
El electrón libre adquiere energía térmica a temperatura mayor
de 0K, de modo que escapa de las ligaciones y funcionando
como portador de carga.
Gap de energía: Energía mínima para desalojar un electrón de
una ligación covalente.
Eg Para silicio:
Eg Para el diamante:
Para semiconductores:
Conceptos teoricos
Equivalente de energía para electrón voltio a joule:
Cantidad de electrones libres por unidad de volumen, a
temperatura T:
Constante de boltzman:
Conceptos teoricos
Átomos en el silicio:
Dopaje: alteración de las densidades de los portadores de carga
Semicondutor intrinseco (cristal de silicio con resistencia muy
alta), y cumple:
Para semiconductor intrínseco:
Conceptos teoricos
Un semiconductor extrinseco es resultado de un dopado, por
ejemplo: Un átomo de fosforo contiene 5 electrones de valencia,
este al ser insertado en el cristal de silicio, tendremos:
El fosforo es donador de electrones. Es decir el fosforo es del tipo
N, cuando dopamos con él, tendremos que el numero de
portadores de carga (electrones) aumentará mucho.
Conceptos teoricos
Un semiconductor extrinseco del tipo n, por ejemplo: se inserto
boro en el cristal de silicio, asi los electrones son portadores
mayoritarios y las lagunas o huecos son portadores minoritarios.
Asi el atomo de boro contiene 3 electrones de valencia.
El boro es un aceptador de electrones, por tanto tenemos un
semiconductor tipo p. las lagunas son portadoras mayoritarias
de carga.
Conceptos teoricos
Campo elétrico aplicado a um material deriva a producción de corriente.
Velocidad de corriente:
Mobilidade de eléctrones en el silício:
Mobilidade de las lagunas en el silício:
Conceptos teoricos
● Conductividad total (suma de contribuciones individuales de cada tipo
de portador)
Cuando todas las impurezas están ionizadas a temperatura ambiente,
se cumple que:
● Resistividad:
Conceptos teoricos
● Conductividad a temperatura ambiente:
● Para diferentes temperaturas:
C: exponente térmico.
uo :considerado a temperatura ambiente
Ejercicios
1. Sabiendo que el silicio posee una banda prohibida de 1.12eV,
determinar la cantidad de electrones disponibles en el para
realizar la conducción a una temperatura de 300K y 600K.
2. Sabiendo que un material semiconductor posee el valor
máximo de banda prohibida, determinar la cantidad de
electrones disponibles en el para realizar la conducción a una
temperatura de 240K y 435K.
3. Considerando el ejercicio (1) para 300K, determinar la
cantidad de portadores p, si se adicionan 1016 atomos/ cm3.
4. Determinar la variación de tiempo considerando electrones y
para lagunas cuando se aplica un voltio en una muestra de 1um
de silicio.
Ejercicios
5. Sabiendo que la energía de banda prohibida para el
germanio es de 0.66V, y la concentración de portadores
intrínsecos es dada por:
a) Determinar: ni para 300K y a 600K
b) Determine la concentración de eléctrones y lagunas si el
Ge fuera dopado con P a una densidad de 5x1016cm-3
6. Determinar la resistividad de un substrato de cierto
elemento semiconductor dopado con 1018 átomos./cm3 de
elemento dopante. (considere un=300 cm2/V.s)
7. Calcular la resistividad a 350 K para un semiconductor Si-n
dopado con 1016 átomos/cm3.
