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2016 UNIVERSIDAD SANTIAGO DE CALI

FACULTAD INGENIERIAS
PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRONICA
CIRCUITOS ELECTRONICOS III
Profesor: MSc. JAVIER A. MURILLO M.

Escriba aquí la ecuación.

CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS III

Primera Edición
Material de clase
Universidad Santiago de Cali

Msc. JAVIER ALONSO MURILLO MURILLO


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FACULTAD INGENIERIAS
PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRONICA
CIRCUITOS ELECTRONICOS III
Profesor: MSc. JAVIER A. MURILLO M.

I. INTRODUCCIÓN
Este curso de Electrónica III, es la parte de la Electrónica que se encarga de estudiar los
dispositivos, circuitos, sistemas y procedimientos para el procesamiento, control y
conversión de la energía eléctrica.

Para esta definición podemos también considerar que la electrónica de potencia es una
rama de la Ingeniería Electrónica que se enfoca principalmente en la conversión y
control de la energía eléctrica para diferentes aplicaciones tales como el control de
alumbrado, procesos electroquímicos, suministros de energía regulada de CD y CA,
soldadoras eléctricas, filtrado activo, compensación de VAR´s, control del movimiento
de máquinas eléctricas y otras más.

Los sistemas de suministro eléctrico generan, transmiten y distribuyen la energía


eléctrica a una frecuencia fija (50 o 60 Hz) y tratan de mantener un voltaje fijo en las
terminales de los consumidores.

Un consumidor sin embargo, puede necesitar potencia en CD y CA al mismo tiempo,


en mayor o menor cantidad o con frecuencia variable. Frecuentemente, está potencia se
necesita controlar con mucha precisión. Un sistema de electrónica de potencia es la
interfaz entre el sistema de suministro y la carga del consumidor para satisfacer ciertos
requerimientos que imponen las cargas.

El curso presenta los conceptos y dispositivos básicos de electrónica de potencia.

Objetivos:
 Aprender a identificar, seleccionar y manipular los diferentes dispositivos
semiconductores de potencia así como los diferentes componentes reactivos
utilizados en circuitos electrónicos de potencia.
 Inducir al alumno en el análisis y diseño de los circuitos electrónicos de
potencia comenzando por una revisión de los dispositivos empleados, siguiendo
con el estudio de las configuraciones básicas y finalizando con el de las
aplicaciones industriales más importantes.
 Desarrollar un proyecto práctico en el área de electrónica donde se apliquen los
conocimientos adquiridos en la carrera.

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II. PRECONCEPTOS

2.1. EL DIODO

Un diodo (del griego "dos caminos") es un dispositivo


semiconductor que permite el paso de la corriente
eléctrica en una única dirección con características
similares a un interruptor. De forma simplificada, la
curva característica de un diodo (I-V) consta de dos
regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial,
se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un
corto circuito con muy pequeña resistencia eléctrica.

Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son


dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua.

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Los primeros diodos eran válvulas grandes en chips o tubos de vacío, también
llamadas válvulas termoiónicas constituidas por dos electrodos rodeados de vacío en
un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las
lámparas incandescentes. El invento fue realizado en 1904
por John Ambrose Fleming, de la empresa Marconi,
basándose en observaciones realizadas por Thomas Alva
Edison.- Al igual que las lámparas incandescentes, los
tubos de vacío tienen un filamento (el cátodo) a través del
que circula la corriente, calentándolo por efecto Joule. El
filamento está tratado con óxido de bario, de modo que al Sir John Ambrose Fleming

calentarse emite electrones al vacío circundante; electrones que son conducidos


electrostáticamente hacia una placa característica corvada por un muelle doble
cargada positivamente (el ánodo), produciéndose así la conducción. Evidentemente,
si el cátodo no se calienta, no podrá ceder electrones. Por esa razón los circuitos que
utilizaban válvulas de vacío requerían un tiempo para que las válvulas se calentaran
antes de poder funcionar y las válvulas se quemaban con mucha facilidad.

Los diodos pn son uniones de


dos materiales semiconductores
extrínsecos tipos p y n, por lo
que también reciben la
denominación de unión pn.
Hay que destacar que ninguno
de los dos cristales por separado
tiene carga eléctrica, ya que en
cada cristal, el número de
electrones y protones es el
mismo, de lo que podemos
decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).

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Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p


(Je).

Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de
la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial,
de agotamiento, de deplexión, de vaciado, etc.

A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va


incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión.
Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en
la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la
zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente
de electrones y terminará deteniéndolos.

Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del
silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser
del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado
que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.

Al dispositivo así obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito,


tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que
no está polarizado. Al extremo p, se le denomina ánodo, representándose por la letra
A, mientras que la zona n, el cátodo, se representa por la letra C (o K).

A (p) C ó K (n)

Representación simbólica del diodo pn

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Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo
está polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.

Polarización directa

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga


espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es
decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.

Para que un diodo esté polarizado directamente, tenemos que conectar el polo
positivo de la batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas
condiciones podemos observar que:

 El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que
estos electrones se dirigen hacia la unión p-n.
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto
es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los
cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n.

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 Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona
de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p
convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es
atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta
llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega
hasta la batería.

De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo


electrones de valencia de la zona p, aparece a través del diodo una corriente
eléctrica constante hasta el final.

Polarización inversa

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo


a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha
zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a
continuación:

El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales
salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta

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llegar a la batería. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los
átomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrón en
el orbital de conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia,
ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se
convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la


zona p. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo
que una vez que han formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio,
tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrón que falta el
denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la
batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los átomos
trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga
eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial eléctrico que la batería.

En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al


efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco a ambos lados de la unión
produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente
inversa de saturación. Además, existe también una denominada corriente
superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequeña
corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los átomos de silicio no
están rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes
necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los átomos de la superficie del
diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con
lo que los electrones circulan sin dificultad a través de ellos. No obstante, al igual
que la corriente inversa de saturación, la corriente superficial de fugas es
despreciable.

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Curva característica del diodo

Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ).

La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa


coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no
polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va
reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la
nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la
barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión
se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente máxima (Imax ).


Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por
el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el
diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.

Corriente inversa de saturación (Is ).


Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la
formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se
duplica por cada incremento de 10º en la temperatura.

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Corriente superficial de fugas.


Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización
inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al
aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.

Tensión de ruptura (Vr ).


Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.

Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa


de saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensión, en el
diodo normal o de unión abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante
hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos
efectos:

Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generan pares


electrón-hueco que provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión inversa
es elevada los electrones se aceleran incrementando su energía cinética de forma
que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de
conducción. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la
tensión, chocando con más electrones de valencia y liberándolos a su vez. El
resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este
fenómeno se produce para valores de la tensión superiores a 6 V.

Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material, menor es
la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse
como cociente de la tensión V entre la distancia d; cuando el diodo esté muy
dopado, y por tanto d sea pequeño, el campo eléctrico será grande, del orden de
3·105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar

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electrones de valencia incrementándose la corriente. Este efecto se produce para


tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los
Zener, se puede producir por ambos efectos.

Efectos de la Temperatura en el Diodo: La temperatura tiene un efecto importante


en la determinación de las características operativas de los diodos. Conforme
aumenta la temperatura, disminuye la tensión de encendido V. Por otra parte, un
descenso en la temperatura provoca un incremento de V. Esta tensión umbral varía
linealmente con la temperatura según la ecuación (3), suponiendo que la corriente 𝑖𝐷
en el diodo se mantiene constante.

𝑉 (𝑇1) – 𝑉 (𝑇0) = 𝛼 . (𝑇1 – 𝑇2) (3)

siendo:

T0 = Temperatura ambiente, ºC.


T1 = nueva temperatura del diodo, en ºC.
V (T0) = tensión del diodo a temperatura ambiente.
V (T1) = tensión del diodo a la nueva temperatura.
𝛼 = coeficiente de temperatura en V/ºC.
Aclaración: 𝛼 : vale -2,5 mV/ºC para el germanio y -2 mV/ºC para el silicio.

La corriente de saturación inversa 𝑖𝑜 , es otro parámetro que depende de la


temperatura. Aumenta aproximadamente 7,2 %/ºC tanto para diodos de Ge como de
Si. En otras palabras: SE DUPLICA CADA 10 ºC DE AUMENTO DE LA
TEMPERATURA.

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Variación en las características de los diodos con el cambio de temperatura.

2.2. EL AMPLIFICADOROPERACIONAL

El nombre de amplificador operacional


proviene de una de las utilidades básicas de
este, como son la de realizar operaciones
matemáticas en computadores analógicos
(características operativas).

Originalmente los amplificadores


operacionales (AO) se empleaban para
operaciones matemáticas (Suma, Resta, Multiplicación, División, Integración,
Derivación, etc.) en calculadoras analógicas, de ahí su nombre.

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El amplificador operacional es un dispositivo lineal de propósito general el cual


tiene la capacidad de manejo de señal desde f=0 Hz hasta una frecuencia definida
por el fabricante, tiene además limites de señal que van desde el orden de los nV,
hasta unas docenas de voltio (especificación también definida por el fabricante). Los
amplificadores operacionales se caracterizan pro su entrada diferencial y una
ganancia muy alta, generalmente mayor que 105 equivalentes a 100dB.

El amplificador operacional (AO) es un amplificador de alta ganancia directamente


acoplado, que en general se alimenta con fuentes positivas y negativas, lo cual
permite que tenga excursiones tanto por arriba como por debajo de tierra (o el punto
de referencia que se considere).

El símbolo de un amplificador operacional es el siguiente:

Los Terminales son:

V+: Entrada no inversora.


V-: Entrada Inversora
Vout: Salida
Vs+: Alimentación positiva
Vs-: Alimentación negativa.

Normalmente los pines de alimentación son omitidos en los diagramas eléctricos


por razones de claridad.

Lazo Abierto: Si no existe realimentación, la salida del AO será la resta de sus 2


entradas multiplicada por un factor. Este factor suele ser del orden de 100000 (que

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se considera infinito en cálculos con el componente ideal). Por lo tanto si la


diferencia entre las 2 tensiones es de 1mV la salida debería de ser 100V. Debido a la
limitación que supone no poder entregar más tensión de la que hay en la
alimentación, el AO estará saturado si se da este caso. Si la tensión mas alta es la
aplicada a la Terminal positiva la salida será la que corresponde a la alimentación
Vs+, mientras que si la tensión más alta es la de la Terminal negativa la salida será
la alimentación Vs-

Lazo Cerrado: Se conoce como lazo a la retroalimentación en un circuito. Aquí se


supondrá realimentación negativa. Para conocer el funcionamiento de esta
configuración se parte de las tensiones en las 2 entradas exactamente iguales, se
supone que la tensión en la Terminal positiva sube y por lo tanto la tensión en la
salida también se eleva. Como existe la realimentación entre la salida y la Terminal
negativa, la tensión en esta Terminal también se eleva, por tanto la diferencia entre
las 2 entradas se reduce, disminuyéndose también la salida este proceso pronto se
estabiliza y se tiene que la salida es la necesaria para mantener las 2 entradas,
idealmente con el mismo valor.

Siempre que hay realimentación negativa se aplican estas 2 aproximaciones para


analizar el circuito:

V+ = V-
I+ = I- = 0

Configuración Interna de un Amplificador Operacional.


Internamente el AO contiene un gran número de transistores, resistores, capacitares,
etc.

Hay varios tipos de presentaciones de los amplificadores operacionales, como el


paquete dual en línea (DIP) de 8 pines o terminales. Para saber cual es el pin 1, se

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ubica una muesca entre los pines 1 y 8, siendo el numero 1 el pin que está a la
izquierda de una muesca cuando se pone integrado. La distribución de los
terminales del amplificador operacional integrado DIP de 8 pines es:
- Pin 2: entrada inversora (-)
- Pin 3: Entrada no inversora (+)
- Pin 6: Salida (out)

Para alimentar un amplificador operacional se utilizan 2 fuentes de tensión:


- Una positiva conectada al Pin 7
- Una negativa conectada al Pin 4

También existe otra presentación con 14 pines, en algunos casos no hay muesca,
pero hay un circuito pequeño cerca del Pin numero 1.
Esquema de la configuración interna del Amplificador Operacional:

Amplificador Operacional Ideal


A continuación se muestra un esquema del amplificador operacional ideal:

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Este es un dispositivo de acoplo directo, con entrada diferencial y un único


Terminal de salida. El amplificador solo responde a la diferencia de tensión entre
los 2 terminales de entrada, no a su potencia común. Una señal positiva en la
entrada inversora (-), produce una señal negativa a la salida, mientras que la misma
señal en la entrada no inversora (+) produce una señal positiva en la salida. Con una
tensión de entrada diferencial, Vd, donde a es la ganancia del amplificador. Ambos
terminales de entrada del amplificador se utilizaran siempre independientemente de
la aplicación. La señal d salida es de un solo Terminal y esta referida a masa, por
consiguiente, se utilizan tensiones de alimentación bipolares (+)

V0 = a Vd
a = infinito
Ri = Infinito
R0 = 0
BW (Ancho de banda) = infinito
V0 = 0 si Vd = 0

Teniendo en mente las funciones de la entrada y la salida, se puede definir las


propiedades del amplificador ideal.

1.- La ganancia de tención es infinita: a = ∞


2.- La Resistencia de entrada es infinita: Ri = ∞
3.- La resistencia de salida es 0: Ro = 0
4.- El ancho de banda es infinito: BW = ∞
5.- La tensión offset de entrada es 0: V0 = 0 Si Vd = 0

A partir de estas características del AO, podemos deducir otras 2 importantes


propiedades adicionales. Puesto que, la ganancia de tensión es infinita, cualquier
señal de salida que se desarrolle será el resultado de una señal de entrada
infinitesimalmente pequeña.

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Luego, en resumen:

 La tensión de entrada diferencial es nula.


 También, si la resistencia de entrada es infinita. No existe flujo de corriente
en ninguno de los termínales de entrada.
 Estas dos propiedades pueden considerarse como axiomas, y se emplearan
repetidamente en el análisis y diseño del circuito del AO. Una vez
entendidas estas propiedades, se puede, lógicamente, deducir el
funcionamiento de casi todos los circuitos amplificadores operacionales

APLICACIONES:
Amplificador Inversor
La configuración más sencilla es la inversora. Dada una señal analógica (por
ejemplo de audio) el amplificador inversor constituye el modo más simple de
amplificar o atenuar la señal (en el ejemplo propuesto modificar el volumen de la
señal)

Ejemplo:

A continuación montaremos paso a paso un amplificador inversor y para entenderlo


paso a paso. Partimos de nuestro amplificador operacional:

Ahora le vamos a añadir una resistencia R1 desde la entrada + a masa:

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Tienes que recordar que la corriente que entra por cualquiera de las dos entradas del
operacional es cero, por lo tanto no circulará corriente por R1 y la tensión en la
entrada + será 0 (V=I*R1=0*R1=0). Es lo mismo que si conectáramos la entrada +
a masa directamente, pero se pone una resistencia porque el circuito trabaja mejor.
A continuación le ponemos la realimentación negativa mediante una resistencia R2:

Ya podemos decir que estamos ante un circuito con realimentación negativa, así que
podemos decir que la tensión en la entrada + es igual a la tensión de la entrada -, es
decir, 0.

Pero nos falta por poner la entrada del circuito, la entrada la pondremos mediante
R3 de la siguiente manera:

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Este es el amplificador inversor completo, y todo lo que hemos dicho hasta ahora se
cumple, así que pasemos a analizarlo. Para ello nos apoyaremos en el siguiente
gráfico, que muestra todas las corrientes y tensiones del circuito:

Todos los circuitos con operacionales se analizan de forma muy parecida, asi que
presta atención. Buscamos una ecuación matemática que nos relacione la entrada
con la salida. Primero hayamos la expresión de la corriente de entrada I1. Para ello
tienes que tener en cuenta la tensión a la que esta sometida R3. Que será Vin-0=Vin.
Siempre la tensión en una resistencia vendrá dada según la dirección en que
pintemos la corriente, y será: la tensión del lado de la resistencia por donde entra la
corriente menos la tensión del lado de la resistencia por donde sale. Por lo tanto
según la ecuación:

Vin = I1 * R3
I1 =Vin / R3

Si observamos la figura y recordamos que por la entrada del operacional no iba


corriente alguna llegamos a la conclusión de que I2 = I1, así que calcularemos de la
misma forma I2 y la igualaremos a I1. Según esto escribiremos:

0 - Vout = I2 * R2
- Vout = I2 * R2
I2 =- Vout / R2
Igualando I2 = I1:

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I2 = I1
- Vout / R2 = Vin / R3
- Vout = Vin * (R2 / R3)
Vout = -Vin * (R2 / R3)

Según la expresión obtenida llegamos a la conclusión de que la tensión de salida


Vout es la de entrada cambiada de signo y multiplicado por una constante (R2/R3).
A esto se le llama ganancia del circuito. Este circuito tiene una ganancia (Av)
negativa de -(R2/R3) y por lo tanto podemos escribir que:

Vout = -Av * Vin

Amplificador no Inversor:
Este circuito presenta como característica más destacable su capacidad para
mantener la fase de una señal, el análisis se realiza de forma análoga al anterior.
Ejemplo:

En este tipo de amplificador, a diferencia del inversor, la entrada Vi entrará


directamente por la entrada no inversora del amplificador operacional (entrada +):

A continuación pondremos la realimentación negativa por medio de la resistencia


R1:

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Para terminar el circuito añadimos la resistencia R3 de la forma siguiente:

Ahora vamos a hallar la relación entra la salida y la entrada. Recuerda una vez más
que las tensiones en la entrada no inversora y la entrada inversora son iguales y que
la corriente de entrada al operacional es cero, por lo tanto I1 es igual a I2. Así que
no tenemos más que calcular las dos por separado y luego igualarlas:

Tensión de R2 = Vi
Vi = I2 * R2
I2 = Vi / R2

Tensión de R1 = Vo - Vi
Vo - Vi = I1 * R1
I1 = (Vo - Vi) / R1

Igualando I1 e I2
I1 = I2
(Vo - Vi) / R1 = Vi / R2
Vo - Vi = Vi (R1 / R2)
Vo = Vi (1 + R1 / R2)

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Por lo tanto, este circuito tiene una ganancia en tensión Av = 1 + R1 / R2 . Esto


quiere decir que la salida será Av veces la entrada, sin invertirse la señal ya que Av
es positiva.

Configuraciones Basadas en los Circuitos Inversor y No Inversor


El amplificador diferencial
Una tercera configuración del AO conocida como el amplificador diferencial, es una
combinación de las dos configuraciones anteriores. Aunque está basado en los otros
dos circuitos, el amplificador diferencial tiene características únicas. Este circuito,
mostrado en la figura, tiene aplicadas señales en ambos terminales de entrada, y
utiliza la amplificación diferencial natural del amplificador operacional.

Para comprender el circuito, primero se estudiarán las dos señales de entrada por
separado, y después combinadas. Como siempre Vd = 0 y la corriente de entrada en
los terminales es cero.

Recordar que Vd = V(+) - V(-) ==> V(-) = V(+)


La tensión a la salida debida a V1 la llamaremos V01

y como V(-) = V(+)

La tensión de salida debida a V1 (suponiendo V2 = 0) valdrá:

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Y la salida debida a V2 (suponiendo V1 = 0) será, usando la ecuación de la ganancia


para el circuito inversor, V02

Y dado que, aplicando el teorema de la superposición la tensión de salida V0 = V01


+ V02 y haciendo que R3 sea igual a R1 y R4 igual a R2 tendremos que:

Por lo que concluiremos

Que expresando en términos de ganancia:

Que es la ganancia de la etapa para señales en modo diferencial


Esta configuración es única porque puede rechazar una señal común a ambas
entradas. Esto se debe a la propiedad de tensión de entrada diferencial nula, que se
explica a continuación.

En el caso de que las señales V1 y V2 sean idénticas, el análisis es sencillo. V1 se


dividirá entre R1 y R2, apareciendo una menor tensión V(+) en R2. Debido a la
ganancia infinita del amplificador, y a la tensión de entrada diferencial cero, una
tensión igual V(-) debe aparecer en el nudo suma (-). Puesto que la red de
resistencias R3 y R4 es igual a la red R1 y R2, y se aplica la misma tensión a ambos
terminales de entrada, se concluye que Vo debe estar a potencial nulo para que V(-)
se mantenga igual a V(+); Vo estará al mismo potencial que R2, el cual, de hecho

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está a masa. Esta muy útil propiedad del amplificador diferencial, puede utilizarse
para discriminar componentes de ruido en modo común no deseables, mientras que
se amplifican las señales que aparecen de forma diferencial. Si se cumple la relación

La ganancia para señales en modo común es cero, puesto que, por definición, el
amplificador no tiene ganancia cuando se aplican señales iguales a ambas entradas.
Las dos impedancias de entrada de la etapa son distintas. Para la entrada (+), la
impedancia de entrada es R1 + R2. La impedancia para la entrada (-) es R3. La
impedancia de entrada diferencial (para una fuente flotante) es la impedancia entre
las entradas, es decir, R1+R3.

2.3. DISEÑO DE UN TERMÓMETRO SIMPLE.

Medir la temperatura es algo muy importante en diversos sectores de la actividad


humana. Podemos citar como ejemplo el caso de las incubadoras, donde los bebés
prematuros quedan algún tiempo hasta adquirir capacidad para llevar una vida
normal en el medio ambiente natural. Otras aplicaciones se encuentran en la
industria, donde el control preciso de la temperatura se hace necesario. El proyecto
descrito es de un eficiente termómetro electrónico que se puede montar con pocos
componentes de fácil obtención.

En las incubadoras, entre otros casos, es importantísimo el control de la


temperatura. En la gran mayoría de los casos, las incubadoras existentes en las
maternidades utilizan el clásico termómetro de vidrio, donde la indicación se hace
por la dilatación del mercurio en un tubo capilar.

Los inconvenientes de esta instrumentación son varios, entre ellos el riesgo de la


rotura del vidrio, con la consiguiente contaminación del bebé. (Lo mismo puede
decirse del uso de un termómetro de vidrio y mercurio en la preparación de
alimentos).

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Con un termómetro electrónico estos problemas no existen, esto sin hablar de otras
posibilidades de uso como: control de temperatura de estufas, ambientes con aire
acondicionado, calentamiento de agua, baños en laboratorios fotográficos, control
de temperatura de líquidos en laboratorios químicos, etc.

El autor cita específicamente las incubadoras porque existen millares de estos


equipamientos en hospitales, maternidades, sanatorios, clínicas, etc., que necesitan
de un sistema de indicación de la temperatura confiable, simple, y de bajo costo, y
el circuito que presento ofrece una óptima solución práctica.

El punto más importante del termómetro electrónico es el sensor, que debe tener
rapidez para traducir rápidamente las variaciones de temperatura en señales
eléctricas que sean indicadas por un medidor analógico.

La confiabilidad se une a la rapidez de indicación. Normalmente un termómetro


electrónico exige de 10 a 15 segundos para un lectura, aunque existen sensores más
rápidos.

El sensor utilizado es un diodo 1N4148, pero los que puedan conseguir termistores
NTC como el M841 (Siemens) la precisión y prontitud obtenida serán mucho
mayores.

Como el diodo es sensible a la temperatura, lo usaremos para el diseño de un


termómetro barato. En primer lugar analizaremos los voltajes de salida en un puente
que contiene un diodo u tres resistencias:

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El voltaje que cae en el nodo A sería:


𝑉1 . 𝑅3
𝑉𝐴 =
𝑅2 + 𝑅3
El voltaje en el nodo B es el voltaje del diodo y este corresponde a:

𝑉𝐵 = [𝑉𝐷 − 2(𝑇2 − 𝑇1 )]𝑚𝑉

Donde 𝑇1 es la temperatura inicial y 𝑇2 es la temperatura final.

Si las salidas A y B las conectamos al amplificador comparador tendríamos:

Considerando 𝑅6 = 𝑅7 = 𝑅𝐹 y 𝑅4 = 𝑅5 = 𝑅, el voltaje de salida en C será:

𝑅𝐹 𝑉1 . 𝑅3
𝑉𝐶 = ( − [𝑉𝐷 − 2(𝑇2 − 𝑇1 )]𝑚𝑉)
𝑅 𝑅2 + 𝑅3

Si tomamos 𝑉1 = 10𝑉 = 10000𝑚𝑉, 𝑉𝐷 = 0.7𝑉 = 700𝑚𝑉 (𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜 𝑑𝑒 𝑠𝑖𝑙𝑖𝑐𝑖𝑜)y


𝑇1 = 250 𝐶, obtenemos:

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𝑅𝐹 10000. 𝑅3
𝑉𝐶 = ( 𝑚𝑉 − 700𝑚𝑉 + 2𝑇2 − 50𝑚𝑉)
𝑅 𝑅2 + 𝑅3

𝑅𝐹 10000. 𝑅3
𝑉𝐶 = ( 𝑚𝑉 − 750𝑚𝑉 + 2𝑇2 )
𝑅 𝑅2 + 𝑅3

10000.𝑅3
Podemos igualar 𝑚𝑉 = 750𝑚𝑉 para eliminar la parte DC y determinar
𝑅2 +𝑅3

valores para 𝑅3 y 𝑅2 .

𝑅𝐹
Con esto nos queda 𝑉𝐶 = (2𝑇2 ).
𝑅

Determinemos valores de 𝑅𝐹 y R de tal manera que para una temperatura 𝑇2 =


1000 𝐶, la salida sea 𝑉𝐶 = 5𝑉.

Para finalizar el diseño consideraremos 𝑅3 = 𝑅1 .

Se ha diseñado un termómetro barato en el que para entradas de 00 𝐶 a 1000 𝐶, se


tiene una salida entre 0𝑉 y 5𝑉.

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Mejoras en el circuito
El circuito puede requerir de dos partes: alimentación estabilizada y medición
propiamente dicha. La estabilización de la alimentación es muy importante, pues las
variaciones de tensión afectan las lecturas.

Un diodo zener es el responsable de la estabilización de la tensión provista, y el


transistor Q1 funciona como un generador de corriente constante que, juntamente
con el diodo D1 , asegura una estabilidad térmica adicional a la proporcionada por
el zener. Esta acción es más acentuada cuando la batería da señales de
debilitamiento, de modo que se obtiene una tensión absolutamente estable en la
salida del diodo zener.

La parte de medición está constituida por un puente, con el galvanómetro insertado


en uno de los brazos del puente. En este mismo brazo también está el elemento
sensor, que puede ser un diodo 1N4148.

Este diodo para pequeñas señales (de silicio) tiene una resistencia inversa que
depende de la temperatura, así como la directa. En esta configuración trabaja
polarizado en el sentido directo, presentando por esto una ddp del orden de 0,6
Volts. Esta tensión no es rigurosamente constante, variando en torno de 2,1
milivolts por grado centígrado de variación de la temperatura de la unión.

Esta variación es prácticamente lineal en una amplia gama de temperatura


(felizmente para el constructor casero), lo que hace fácil establecer una escala en un
instrumento analógico común. La baja resistencia óhmica del diodo sensor posibilita
el acoplamiento directo del instrumento indicador, sin necesidad de circuitos

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amplificadores, que además de encarecer el proyecto podrían inducir errores de


lectura.

En cualquiera de los dos circuitos se requiere un arreglo para el diodo. En el


terminal del diodo, que será usado como “punta de prueba”, se debe aplicar una gota
de soldadura, de modo de constituir una pequeña esfera (ver la figura).

Esta gota de soldadura será Iimada para presentar una superficie plana. Esto es
importante, porque el contacto de esta pequeña superficie metálica será la que
conducirá las variaciones de temperatura, debiéndose, si es posible, usar una
soldadura rica en estaño.

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