FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA

Tema 6: Transistores MOSFET

Prof. Dr. Luis Alberto Aranda

 CONTENIDOS

1. Funcionamiento del transistor MOSFET

2. Regiones de trabajo del transistor MOSFET

3. Circuitos con transistores MOSFET

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 CONTENIDOS

1. Funcionamiento del transistor MOSFET

2. Regiones de trabajo del transistor MOSFET

3. Circuitos con transistores MOSFET

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 EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

• El transistor de efecto de campo o FET (field-effect transistor) es un dispositivo

semiconductor que utiliza el campo eléctrico para controlar la conductividad del
canal que transporta la carga

• Funcionan transportando un único tipo de carga (electrones o huecos) por eso

también se les conoce como transistores unipolares

• Son muy utilizados hoy en día para amplificar o conmutar señales

• Tienen tres terminales denominados fuente (S), drenador (D) y puerta (G)

• La corriente de drenador se controla con la caída de tensión puerta-fuente

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 FAMILIA DE TRANSISTORES FET

FET

JFET MOSFET

Empobrecimiento Empobrecimiento Enriquecimiento

Canal N Canal P Canal N Canal P Canal N Canal P

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 EL TRANSISTOR MOSFET

• El transistor MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor FET) es el transistor más

utilizado hoy en día en microelectrónica

• Los transistores bipolares fueron los más utilizados inicialmente, pero fueron
sustituidos poco a poco por los MOSFET debido a que son más fáciles de fabricar
y a que ocupan menos espacio (mayor integración)

• Construidos a partir de un sustrato de silicio sobre el que se hace crecer una

capa de dióxido de silicio (SiO2) y luego se deposita una capa de silicio
policristalino (antiguamente se depositaba aluminio, de ahí el “metal” del nombre)

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 EL TRANSISTOR MOSFET

• La capa de óxido actúa como aislante, impidiendo el flujo de electrones por la

puerta. Sin embargo, al aplicar tensión VGS los electrones se acercan al metal

• Si la tensión es suficiente se crea un canal Metal Óxido (aislante)

y la corriente fluye de fuente a drenador

Transistor bipolar NPN MOSFET canal P

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 MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO

• Los MOSFET de enriquecimiento funcionan cuando VGS > 0

• Por el contrario, los MOSFET de empobrecimiento funcionan cuando VGS = 0

• Si consideramos un MOSFET como un interruptor, el de enriquecimiento frente

al de empobrecimiento se comporta al revés, cuando uno está encendido el otro
está apagado y viceversa

• Estudiaremos los transistores MOSFET de enriquecimiento

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 CONTENIDOS

1. Funcionamiento del transistor MOSFET

2. Regiones de trabajo del transistor MOSFET

3. Circuitos con transistores MOSFET

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 REGIONES DE TRABAJO DEL MOSFET

• Dado que el transistor MOSFET presenta un aislante en la puerta (G), la

resistencia en ese terminal es muy alta y la corriente que circula por la puerta es
nula (𝑰𝑮 = 𝟎) independientemente de la región de trabajo del transistor

• En el transistor bipolar, la región de trabajo (corte, activa y saturación) se controla

mediante la corriente de base (𝑰𝑩 )

• En el transistor MOSFET, la región de trabajo se controla mediante la caída de

tensión entre la puerta y la fuente (𝑽𝑮𝑺 )

• El transistor MOSFET también tiene 3 regiones de trabajo. La diferencia es que a

la región de activa se la denomina región óhmica o región lineal

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 REGIONES DE TRABAJO DEL MOSFET

• Corte: la tensión entre la puerta y la fuente (𝑉GS ) es inferior a la tensión umbral

(𝑉GS(th) ). No se consigue generar el canal de conducción por lo que, 𝑰𝑫 = 𝟎. En
este caso el transistor no conduce y se comporta como un interruptor abierto

D
𝑉GS < 𝑉GS(th)
G
S 𝐼G = 𝐼D = 𝐼S = 0 A

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 REGIONES DE TRABAJO DEL MOSFET
• Región óhmica o lineal: superada la tensión umbral (𝑉GS(th) ), si la tensión 𝑉GS crece lo
suficiente, se crea un canal de conducción en la región que separa la fuente y el
drenador. Entonces, una pequeña tensión entre el drenador y la fuente (𝑉DS ) hará que
circule una intensidad de drenador (𝐼D ) proporcional a la tensión 𝑉DS aplicada. El
transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión 𝑉GS

𝐼D 𝑉GS > 𝑉GS(th)

𝐼G = 0 → 𝐼D = 𝐼S D 𝑉DS < (𝑉GS −𝑉GS th )

𝑉𝐷𝑆 2
𝑉𝐷𝑆
𝑅= 𝐼D = 𝑘 𝑉GS − 𝑉GS · 𝑉DS −
G 𝐼𝐷 th
2
S
𝐴
𝑘 es una constante que se mide en
𝑉2
𝐼S

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 REGIONES DE TRABAJO DEL MOSFET

• Saturación: cuando 𝑉DS supera cierto límite, se produce un estrangulamiento del

canal en la zona cercana a la puerta, lo que hace que la tensión de drenador no
pueda crecer más. 𝐼D se hace independiente de 𝑉DS . El transistor se comporta
como una fuente de corriente controlada por 𝑉GS

𝐼D 𝑉GS > 𝑉GS(th)

𝐼G = 0 → 𝐼D = 𝐼S D 𝑉DS > (𝑉GS −𝑉GS th )

𝑘 2
𝐼D = 𝑉 − 𝑉GS
G 2 GS th

S
𝐴
𝑘 es una constante que se mide en
𝑉2
𝐼S

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 CONTENIDOS

1. Funcionamiento del transistor MOSFET

2. Regiones de trabajo del transistor MOSFET

3. Circuitos con transistores MOSFET

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 EL MOSFET COMO INVERSOR

• Podemos construir un inversor utilizando un MOSFET canal N (llamados NMOS)

• Si la tensión Vin conmuta entre 0V y +Vdd el transistor sólo puede estar en dos
regiones de trabajo: corte o saturación
+
• En el circuito de la figura, la salida Vout toma el
valor contrario a la entrada Vin

• Cuando Vin = 0V el transistor está en corte, por

lo que ID = 0 y Vout = +Vdd

• Cuando Vin = +Vdd el transistor satura, por lo

que Vout = GND = 0V

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 EL MOSFET COMO INVERSOR

• También lo podemos construir utilizando un MOSFET canal P (llamados PMOS)

• Si la tensión Vin conmuta entre 0V y +Vdd el transistor sólo puede estar en dos
regiones de trabajo: corte o saturación
+
• En el circuito de la figura, la salida Vout toma el
valor contrario a la entrada Vin

• Cuando Vin = 0V el transistor satura, por lo que

Vout = +Vdd

• Cuando Vin = +Vdd el transistor se corta, por lo

que ID = 0 y Vout = GND = 0V

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 EL MOSFET COMO INVERSOR

• Podemos combinar ambos tipos de transistores para construir ese mismo inversor

• De esta forma se evita el uso de la resistencia (lo que facilita la integración)

• Se dice que el inversor está fabricado con

tecnología CMOS (complementary MOS)

• Cuando un transistor satura el otro se corta y

viceversa

• Es la base de la informática actual

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 CELDA DE MEMORIA SRAM

• Las celdas de memoria SRAM (static random access memory) están formadas
por 6 transistores MOSFET

• Permiten almacenar 1 bit de información mientras estén alimentadas (volátiles)

• Son rápidas de leer y escribir

• Usadas como memoria caché

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 CELDA DE MEMORIA DRAM

• Las celdas de memoria DRAM (dynamic random access memory) están formadas
por 1 transistor MOSFET y un condensador

• Permiten almacenar 1 bit de información mientras estén alimentadas (volátiles)

• La información se degrada con el tiempo Word line

• Son más lentas, pero más densas

que las SRAM
C
Bit line
• Usadas como memoria RAM

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 CELDA DE MEMORIA FLASH

• Celdas de memoria no volátil usadas para construir memorias de

almacenamiento masivo (ej. pendrive)

• Se pueden implementar utilizando transistores MOSFET de puerta flotante

• Estos transistores tienen un hueco entre el

aislante y el metal de la puerta que actúa
como trampa para los electrones (pueden
entrar, pero no salir)

• Aplicando una tensión en sentido opuesto se

liberan y la celda se borra

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