TRANSISTORES MOSFET

CONFIGURACIÓN Y POLARIZACIÓN
CESAR SERRANO – JUAN CARLOS CABRERA G.
 TIPOS DE MOSFET:
MOSFET- TIPO DE EMPOBRECIMIENTO
 La corriente que fluye por el
transistor ingresa por el surtidor
(fuente), este la conduce por un
sustrato (región tipo p) que es un
canal angosto hasta llegar al
drenador (tipo n).

 A la izquierda, hay una compuerta

metálica llamada graduador
(aislante). Por ser aislante, la
corriente en el graduador es
despreciable.
MODO DE EMPOBRECIMIENTO

 El transistor MOSFET efectúa el proceso anterior;

VDD conduce los electrones del surtidor al drenador
a la izquierda del sustrato tipo P.
 La tensión del graduador puede regular la corriente
que pasa por el canal.
CURVAS DE DRENADOR:

Las curvas de la parte superior son de voltaje VGS positivo

mientras que las inferiores son de voltaje VGS negativo. La
ultima curva es la de VGS (apag); esta indica que la corriente
de drenador es aproximadamente cero.
Cuando esta el voltaje entre VGS (apag) y cero esta en modo
de operación de empobrecimiento.
POLARIZACION DE MOSFET DEL
TIPO DE EMPOBRECIMIENTO

Se establece un punto Q en Vgs=0, por lo tanto, una señal de

CA que entra por el graduador produce variaciones arriba y
abajo del punto Q. Es una ventaja cuando Vgs=0 porque así
se puede polarizar y se puede utilizar este circuito en donde
el graduador y el surtidor no necesitan voltaje.
 CUATRO VENTAJAS Y APLICACIONES
1. Amplificar señales 2. Si la impedancia
pequeñas casi igual de entrada de
como los
transistores JFET. un JFET no es
suficientemente
alta se puede
3. Un transistor MOSFET es
utilizar un
un amplificador
MOSFET.
separador casi ideal
porque el graduador
aislado significa que la 4. Excelentes
resistencia de entrada se propiedades de
aproxima a infinito. bajo ruido.
 TIPOS DE MOSFET:
MOSFET- TIPO DE ENRIQUECIMIENTO

 Este tipo de MOSFET se usa en

microprocesadores y memorias de
computadores (funciona como
interruptor).

 Para obtener corriente de

drenador, se tiene que aplicar un
voltaje positivo en el graduador
compuerta.
FORMACION DE LA CAPA DE INVERSION
 El sustrato se extiende hasta el oxido de silicio. Ya no
hay un canal tipo N entre el surtidor y drenador; por
consecuencia, entre los dos terminales no habrá flujo
de corriente hasta llegar a un voltaje determinado.
 Un voltaje positivo en el graduador atrae electrones
libres dentro del sustrato tipo P. Estos se unen con
algunos huecos adyacentes al oxido de silicio. Cuando
el voltaje en el graduador es lo suficientemente
positivo, todos los huecos cercanos al oxido de silicio
se llenan por lo que ahora pueden fluir los electrones
del surtidor al drenador.
CURVAS DE DRENADOR:

La curva mas baja es la curva de VGS (th). Cuando VGS es

menor que VGS (th) , la corriente de drenador es
extremadamente pequeña. Cuando VGS es mayor que VGS
(th), fluye una corriente considerable, cuyo valor depende de
VGS.
POLARIZACION DE MOSFET DEL
TIPO DE ENRIQUECIMIENTO

Con un MOSFET del tipo de enriquecimiento, VGS tiene que

ser mayor que VGS (th) para obtener corriente. Esto elimina
la autopolarizacion, la polarizacion por corriente de surtidor
y, la polarizacion cero, ya que todas ellas operan en el modo
de empobrecimiento.
Los MOSFET del tipo de enriquecimiento trabajan con las
siguientes polarizaciones:

1. Polarizacion con graduador.

2. Polarizacion por divisor de voltaje (tensión).
3. Retroalimentación de drenador: compensa cambios en
las características de los FET.
• “Si ID(enc) trata de incrementarse por alguna razón, VD (enc)
decrece.
En resumen:
 La polarización cero trabaja solo con los
MOSFET de tipo de empobrecimiento.
 La polarización por retroalimentación de
drenador trabajan con MOSFET del tipo de
enriquecimiento.