MATERIA: ANALOGA II.

PROFESOR: JOSÉ A. CASTAÑEDA

ALUMNOS: JHONNATTAN QUINTERO PEÑUELA.

JOSE ALEJANDRO RUIZ.
JUAN ESTEBAN CASTRO.

TEMA: ORIGEN DEL TRANSISTOR.

FECHA: JUNIO 2021.

1. ¿CUÁNDO Y QUINES DISEÑARON EL PRIMER TRANSISTOR?
PRIMER DISEÑO: El primer transistor fue diseñado Entre los días 19 y 24 de
diciembre de 1947 Según los apuntes que fueron encontrados en el cuaderno
Del señor Brattain; Durante algunos meses se mantuvo en completo secreto
antes de salir a la luz pública Y de ser patentado formalmente.
QUIENES LO DISEÑARON: Los responsables fueron los científicos Shockley,
Bardeen, y Brattain. Aunque fueron un grupo Existió Algo de discordia Debido
al ego de alguno de los miembros, Pese a estas circunstancias el señor Brattain
Puso trabajar el primer Transistor De igual manera se debe agradecer Que el
señor Shockley Haya creado este grandioso grupo de trabajo.

2. Para que se utiliza un transistor Bipolar?

Un transistor, también conocido como un BJT (Transistor de Unión Bipolar), es
un dispositivo semiconductor impulsado por corriente, que puede ser utilizado
para controlar el flujo de corriente eléctrica en la que una pequeña cantidad de
corriente en el conductor base controla una mayor cantidad de corriente entre
el Colector y el Emisor. Se pueden utilizar para amplificar una señal débil, como
un oscilador o un interruptor.
Un transistor es un dispositivo que regula el flujo de corriente o voltaje y sirve
como interruptor o puerta para señales electrónicas, además los transistores
consisten en tres capas de un material semiconductor, cada una capaz de
transportar una corriente.

3. PORQUE FUE TAN COMPLEJO EL DESARROLLO DEL PRIMER TRANSISTOR.

OBJETIVOS INICIALES: El transistor es un dispositivo de tres terminales que

surge en los Laboratorios Bell de la AT&T. Se buscaba un conmutador de
estado sólido para ser utilizado en telefonía y para reemplazar tanto a los relés
como a los sistemas de barras. Luego se contempla la posibilidad de obtener el
reemplazo de la válvula (o tubo) de vacío.
Quentin Kaiser escribió: "Si no hubiese sido por las microondas o el radar de
UHF, probablemente nunca hubiéramos tenido la necesidad de detectores de
cristal. Si no hubiéramos obtenido detectores de cristal, probablemente no
habríamos tenido el transistor, salvo que hubiera sido desarrollado de algún
modo completamente diferente".

ANTECEDENTES FISICOS: Se sabía que el contacto entre un alambre metálico y

la galena (sulfuro de plomo II) permitía el paso de corriente en una sola
dirección, tal como lo revelaron los trabajos de Carl Ferdinand Braun. El radar,
por otra parte, al emplear frecuencias elevadas, debía utilizar un detector
eficaz, con muy poca capacidad eléctrica, por lo que no era conveniente el uso
de los diodos de vacío. El diodo de estado sólido era esencial para esa
finalidad. En la década de los cuarenta estaba completo el estudio teórico de
los contactos semiconductor-metal.
Uno de los inventores del transistor, Walter Brattain, escribió: "Ninguno en la
profesión estaba seguro de la analogía entre un rectificador de óxido de cobre
y un tubo diodo de vacío y muchos tenían la idea de cómo conseguir poner una
rejilla, un tercer electrodo, para hacer un amplificador".
Para modificar la conductividad de algunos semiconductores, se tuvo en
cuenta los niveles de energía cuantificados de los átomos, que dan lugar a las
bandas de energía cuando existen átomos distribuidos regularmente. El
estudio del movimiento de los electrones en estas bandas vislumbró la
posibilidad de cambiar la conductividad eléctrica de algunos semiconductores
agregando impurezas controladas adecuadamente, surgiendo así los
materiales de tipo N y de tipo P
ORIGEN DE LA DENOMINACIÒN: Un diodo surge al unir un material N con uno
P, el transistor surge de una unión de tipo NPN, o bien PNP. La denominación
"transistor" fue sugerida por J.R. Pierce, quién dijo: “y entonces, en aquella
época, el transistor fue imaginado para ser el dual del tubo de vacío, así si un
tubo de vacío tenía transconductancia, éste debe tener transresistencia, y así
llegué a sugerir «transistor»"

PATENTES DE INVENCIÒN: Para obtener la invención, luego de efectuarse las

primeras pruebas, se lo mantuvo en secreto durante casi siete meses, hasta
que se pudo detallar su funcionamiento en forma adecuada. Esta patente le
fue concedida a John Bardeen y a Walter Brattain por el transistor de punta de
contacto. La patente del transistor de juntura (o unión), aparecido en 1951, le
fue concedida a William Shockley.

4. QUIEN DIRIGIÓ EL EQUIPO DE CIENTÍFICOS QUE DISEÑO EL TRANSISTOR.

El que reunió a los científicos para la investigación del transistor fue

Mervin Joe Kelly (físico) - (Director de investigación, presidente y presidente de la
junta directiva de Bell Labs)
Y sus científicos que lograron la hazaña fueron
William Bradford Shockley (jefe del grupo)-(físico)
John Bardeen (Ing. Eléctrico)-(físico)
Walter Houser Brattain (físico)

* Cuales fueron los premios obtenidos en su vida por estos científicos.

John Bardeen, William Shockley y Walter Brattain compartieron el Premio Nobel

de Física en 1956 por su invención: el transistor.
John Bardeen consiguió su segundo premio Nobel de física por su teoría de la
superconductividad en 1972.

5. Porque es importante el desarrollo del transistor en el mundo de la electrónica?

Es importante porque ha permitido la evolución y la integración electrónica
hasta un punto increíble.
ha permitido crear circuitos integrados los cuales realizan operaciones muy
complejas. como tarjeta de videos, supercomputadoras, teléfonos celulares,
procesadores y microcontroladores de dispositivos electrónicos etc.

6. ¿QUE PARTES TINE UN TRANSISTOR?

SUS PARTES SON 3: primero encontramos la BASE; Siendo la encargada de
manejar y controlar la corriente qué va a ser producida entre colector y emisor.
Segundo encontramos también el COLECTOR qué es quién se encarga de
recoger dicha señal y enviarla al emisor para que sea ampliada. Tercera y
última cómo lo nombramos anteriormente es el EMISOR quién se encarga de
ampliar y entregar dicha señal.

7. ¿CUALES SON LAS CARACTERISTICAS MAS RELEVANTES DE UN TRANSISTOR?

LO MAS RELEVANTE: El transistor funciona como un interruptor el hecho de
poder darle este uso ha sido lo que más ha marcado a dicho componente.
Desde su creación se pudieron solucionar infinidad de problemas que se tenían
por falta de componentes que hicieran este trabajo se ha logrado tener
muchos usos basándonos en diferentes materiales y diferentes
configuraciones, pero desde el origen de su creación ha sido una gran
revolución para poder evolucionar día a día la electrónica y sus derivados.
8. DESCRIBE LAS CARACTERÍSTICAS DE CADA MODELO DE TRANSISTOR
PROPUESTO EN EL VIDEO DE 9 TIPOS DE TRANSISTORES.

TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR

es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de
sus terminales. Se fabrica básicamente sobre un mono cristal de Germanio,
Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado
intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el
diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy
controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP,
quedando formadas dos uniones NP. La configuración de uniones PN, dan
como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre
corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al
colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen
diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más
contaminado que el colector).

TRANSISTOR NPN: En el transistor NPN el emisor es un semiconductor tipo N, la

base es tipo P y el colector es tipo N

TRANSISTOR PNP: En el transistor PNP el emisor es un semiconductor tipo P, la

base es tipo N y el colector es tipo P, totalmente contraria a la del transistor
NPN.

DARLINGTON: ¿Qué pasaría si simplificamos una señal que ya fue amplificada?

exactamente ese es el fundamento detrás de un par de Darlington
básicamente son dos transistores de unión bipolar conectados en serie a pesar
de ser dos transistores juntos la cantidad de electrodos sigue siendo 3 lo que
significa que una vez encapsulado tendremos un transistor que funciona
exactamente igual que los anteriores, pero con un mayor potencial de
amplificación o ganancia.

FOTOTRANSISTOR: Permite controlar el flujo de corriente en función de la luz

que le llega, la forma en cómo funciona un foto-transistor es agregando a un
transistor de unión bipolar un nuevo elemento, un foto-diodo el cual varía su
resistencia al paso de la corriente en polarización inversa dependiendo de la
luz que incida en él al trabajar en conjunto, cuando él foto-diodo recibe luz
deja pasar parte de la corriente desde el colector hacia la base, es decir, se
estará amplificando a sí mismo dependiendo de la luz
si analizamos el fototransistor y el fotodiodo nos vamos a dar cuenta de que
hacen lo mismo les llega la luz y dejan pasar corriente, pero la razón de que no
se usa un fotodiodo directamente es que la corriente que deja pasar es tan
baja que se requiere de un amplificador para qué resultado sea útil.

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

JFET o transistor de efecto de campo de unión NPN Y PNP: este también

funciona utilizando semiconductores tipo N y tipo P, pero están dispuestos de
una manera distinta en este caso, hay un canal compuesto de un único
semiconductor entre dos terminales a los cuales llamaremos fuente y drenado,
un semiconductor dopado puede transmitir la corriente sin problemas
y por lo tanto hasta el momento lo único que tenemos es un simple cable pero
lo interesante ocurre cuando agregamos un semiconductor del tipo contrario
en medio del canal como lo hacían los transistores de unión bipolar a este
nuevo elemento se le conoce como puerta lo que ocurrirá es que dado que se
forman nuevas uniones PN también se crearán las correspondientes zonas de
deplexión o empobrecimiento en principio aún sin aplicar ningún voltaje en la
puerta si los electrones quieren pasar de la fuente al drenador éstos no
tendrán problemas sin embargo mientras más alto sea el voltaje entre la
fuente y el drenado esta zona de deplexión comenzará a cambiar su forma
siguiendo la misma lógica que vimos en el diodo por lo tanto a mayor voltaje
mayor será la zona de deplexión en la cual no hay portadores de carga libre lo
que finalmente significa que nuestro canal que antes permitía pasar
libremente a los electrones ahora es mucho más estrecho y por lo tanto
limitara la corriente que pase entre la fuente y el drenador.
En los transistores JFET la puerta se utiliza para aumentar aún más la zona de
deplexión
y por lo tanto generar un estrangulamiento del flujo de corriente modificando
la curva de corriente versus voltaje gradualmente
hasta cerrar completamente el paso de los electrones este tipo de transistor
suele estar denominado por el tipo de semiconductor que compone el canal es
decir éste sería un transistor JFET de canal N y este de canal P siendo la
principal diferencia el voltaje que se debe aplicar a la puerta pues la idea es
que se genera una polarización inversa en la unión PN y ya que la unión PN se
invierte también lo hace el voltaje requerido.

El MOSFET o transistor de efecto de campo - metal óxido semiconductor NPN Y

PNP: Que hace referencia a los materiales utilizados en su construcción, aunque
actualmente pueden estar compuestos de otros materiales.

Está basado en la estructura Mos. En los MOSFET de enriquecimiento, una

diferencia de tensión entre el electrodo de la Puerta y el substrato induce un
canal conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor, gracias al efecto
de campo. El término enriquecimiento hace referencia al incremento de la
conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de
carga en la región correspondiente al canal, que también es conocida como
la zona de inversión.

IGBT o transistor bipolar de puerta aislada:

Solo es la mezcla entre un BJT y un MOSFET y no es cualquier mezcla están

ordenados de una manera muy similar a un par de Darlington gracias a eso el
IGBT posee una alta ganancia y puede ser controlado mediante el voltaje como
los FET.

9. ¿Serán reemplazados los transistores por algún otro elemento electrónico?

consulta y sustenta tu respuesta.
Según lo consultado el otro elemento que podría reemplazar los transistores son
los tubos de vacío
Los tubos de vacío fueron la base de la electrónica en la primera mitad del siglo
pasado donde fueron utilizados en los primeros televisores y los primeros
ordenadores estos hicieron uso de un componente que acabaría siendo
reemplazado por los pequeños y más eficientes transistores.
Pero grupo de ingenieros de la Universidad Tecnológica de California (Caltech)
se ha dado cuenta de que aprovechar el antiguo concepto era interesante. Eso
sí, le han dado una vuelta y han creado nanotubos de vacío que podrían ofrecer
una alternativa real de futuro a los transistores.
Los nanotubos de vacío podrían ser la solución al problema: su fabricación se
podría completar con diversos metales y el resultado, dicen sus creadores,
podría ser más eficiente energéticamente que los chips de silicio.
El doctor Axel Sherer dirige el Grupo de Nano fabricación en Caltech, y allí
trabaja con varios colaboradores para desarrollar tubos de vacío diminutos que
tienen un tamaño que equivale a una millonésima parte de lo que ocupaban los
que se usaban hace un siglo.
El uso de una técnica llamada quantum tunneling permite activar y desactivar
el flujo de electrones sin que se filtren, algo que les permitiría ser más eficientes
y rápidos que los chips basados en transistores. Para el Dr. Sherer los
transistores han suplido nuestras demandas en los últimos años, pero "en la
próxima década, eso podría no ser cierto".