TRADUCCIÓN

MÓDULO 3.1
TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR
¿Qué son los BJT?: Los transistores bipolares se encuentran entre los dispositivos más utilizados para la amplificación
de todo tipo de señales eléctricas en circuitos discretos, es decir, circuitos hechos de componentes individuales en lugar
de circuitos integrados (I / C). Los BJT también se usan en circuitos junto con I / C, ya que a menudo es más práctico usar
transistores de salida discretos donde se necesita una salida de potencia mayor que la que puede proporcionar el I / C.
Por ejemplo, un circuito integrado puede llevar a cabo todo el procesamiento de las señales en un sistema, pero luego
pasar la señal procesada a un solo transistor discreto o un par de transistores coincidentes para la amplificación de potencia
para impulsar un altavoz u otro dispositivo de salida. También es a menudo más conveniente usar un transistor discreto
para un circuito individual dentro de un sistema más grande, para el cual las E / S no están disponibles fácilmente.

Los transistores vienen en muchas formas y tipos. En la figura 3.1.2 se muestra una selección de transistores de unión
bipolar (BJT) típicos.

Fig. 3.1.1 Transistores de unión bipolar.

Fig. 3.1.2 Transistores de unión bipolar típicos.

1. BUH515

Transistor de conmutación rápida NPN de alto voltaje (1500V) de alta potencia (50W) en un paquete ISOWATT218,
originalmente diseñado para su uso en bases de tiempo de TV analógica, pero también se utiliza en fuentes de alimentación
de modo conmutado.
2. 2N3055

Transistor de potencia de silicio NPN (115W) diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificadores. Se puede
utilizar como la mitad de un par de salida push-pull complementario con el transistor PNP MJ2955.

3. 2N2219

Transistor de silicio NPN en un paquete TO-39 con carcasa metálica, diseñado para usarse como un interruptor de alta
velocidad o para amplificación a frecuencias desde CC (0Hz) hasta UHF a aproximadamente 500MHz.

4. 2N6487

Transistor de salida NPN de uso general con una potencia nominal de hasta 75W en un paquete TO-220.

5. BD135 / BD136

Par complementario (NPN / PNP) de transistores de salida de audio de potencia media-baja en un paquete SOT-32.

6, 7 y 8. 2N222

Los amplificadores de señal pequeña de propósito general y los transistores de conmutación como el 2N2222 y el 2N3904
están comúnmente disponibles en una variedad de tipos de paquetes, como el paquete de carcasa metálica TO-18 (6) y
la versión de plástico TO-92 más barata (7) para orificio pasante montaje en placas de circuito impreso, así como en
versiones de montaje en superficie SOT-23 (8).

Fig. 3.1.3 Variaciones del paquete TO-92.

Muchos tipos de paquetes de transistores también están disponibles con diseños de conexión alternativos. El paquete TO-
92, por ejemplo, tiene variantes TO-94, TO-96, TO-97 y TO-98, todas con apariencia física similar, pero cada una con una
configuración de pin diferente. Cuando hay disponibles diferentes variantes de paquetes, generalmente se identifican en
la hoja de datos para cada tipo de transistor en particular. Las variaciones típicas, como las de la serie TO-92 a 98 de
paquetes utilizados para transistores como el 2N2222 se ilustran en la figura 3.1.3.

MÓDULO 3.2
CÓMO SE HACEN LOS TRANSISTORES
Los primeros transistores de unión bipolar utilizaron una variedad de métodos para producir un amplificador de corriente.
Por lo general, se utilizaba una oblea delgada de germanio para la base del transistor. El emisor y el colector se fabricaron
mediante la difusión de dos gránulos de indio (un material trivalente, que tiene tres electrones en su capa de valencia) en
cada lado de una oblea de base tipo N, como se muestra en la figura 3.2.1.
Fig. 3.2.1 Transistor difuso de aleación de germanio

El proceso de fusión hace que el indio se difunda en el germanio. A medida que los dos metales se fusionan, los átomos
de indio (con 3 electrones de valencia) se mezclan con los átomos de germanio puro (con 4 electrones de valencia) creando
un material de tipo P donde los átomos de indio parecerán cortos de un electrón, por lo que se unirán con solo tres en lugar
de cuatro átomos vecinos. Esto crea un portador de carga "hueco" en cada átomo de indio. La fusión se detiene justo antes
de que las dos regiones de tipo P se encuentren. El resultado es una capa extremadamente delgada de semiconductor de
tipo N (BASE) intercalada entre dos capas de tipo P más gruesas, que forman los otros dos terminales, el emisor y el
colector. Observe que la región de tipo P utilizada para el colector es más grande que la región del emisor. Esto se debe a
que la mayor parte del calor generado dentro del transistor se genera en la unión base / colector. Por lo tanto, esta unión
debe ser más grande para disipar este calor adicional.

Sin embargo, estos primeros transistores difusos de aleación presentaban varios inconvenientes:

1. Mala respuesta de frecuencia debido principalmente a sus grandes capacitancias de unión.

2. La corriente de su colector aumentó a medida que aumentó su temperatura, lo que los hizo susceptibles a la destrucción
debido a la fuga térmica.

3. Tenían corrientes de fuga relativamente altas a través de las uniones.

4. No podían soportar altos voltajes.

Transistores Planos de Silicio

Los transistores de aleación difusa basados en germanio se usaron ampliamente en la década de 1950, pero en la década
de 1960 fueron reemplazados en gran medida por transistores que utilizan silicio como material semiconductor y los
métodos de producción cambiaron al tipo de construcción plana (en capas), ilustrada en las Figuras 3.2. 2 a 3.2.3 Estos
transistores se construyen como una serie de capas muy delgadas (o planos) de material semiconductor construido como
un sándwich de varias capas). La construcción es más compleja que la técnica de difusión de la aleación, ya que requiere
muchos pasos separados, depositar capas de óxido en la oblea de silicio y usar técnicas fotográficas litográficas para
grabar áreas de silicio no deseadas. Estos pasos se repiten con variaciones para construir los patrones y capas necesarios
para formar transistores individuales o completar circuitos integrados interconectados.

Aunque los muchos pasos de fabricación individuales son complejos, desde formar un lingote de silicio muy puro, cortarlo
en obleas y formar los componentes necesarios en la oblea, este método puede fabricar miles de transistores al mismo
tiempo en una sola oblea de silicio. de construcción se vuelve mucho más barato y más confiable que el método de difusión
de aleación 'un transistor a la vez'.

Una vez que los transistores se han formado en la oblea, cada uno se prueba automáticamente y los transistores
defectuosos se marcan con una mancha de tinte. La oblea se corta en los transistores individuales y se descartan los
marcados como defectuosos.

El proceso plano es aún más eficiente cuando se usa para fabricar circuitos integrados donde se fabrican varios transistores
interconectados en un solo chip de silicio al mismo tiempo. Los circuitos integrados producidos por este método pueden
contener solo unos pocos transistores interconectados (integración de pequeña escala o SSI), cientos de transistores
(integración de mediana escala o MSI), miles de transistores (integración de gran escala o LSI), o dispositivos como
microprocesadores con millones de transistores interconectados (integración a gran escala o VLSI). Las figs. 3.2.2 a 3.2.4
ilustran los pasos básicos en el proceso de fabricación, suponiendo una oblea poblada con transistores individuales.

Fig. 3.2.2 Construcción de múltiples capas de un transistor plano de silicio.

Pasos en la figura 3.2.3

1. Capa 1 - Silicio tipo N fuertemente dopado.

2. El silicio de tipo N ligeramente dopado se deposita en la parte superior de la capa 1 haciendo un colector de dos capas.
(ver " Cómo funcionan los BJT ").

3. Parte de la capa colectora se graba para formar una depresión para la capa base de tipo P.

4. Se agrega una capa base de tipo P.

5. Parte de la capa base se graba dejando una capa base muy delgada.

6. Se agrega una capa de emisor de tipo N muy dopado.

7. Finalmente, se agregan conectores metálicos que permiten fijar los cables después de la prueba y separarlos de la
oblea.

Fig. 3.2.3 El proceso de construcción plana.

Fig. 3.2.4 Transistor plano de silicio completo.

MÓDULO 3.3
CÓMO FUNCIONA UN BJT (TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR)
Todo está en el dopaje

La forma en que funciona un transistor se puede describir con referencia a la Fig. 3.3.1 que muestra el dopaje
básico de un transistor de unión y la Fig. 3.3.2 que muestra cómo funciona el BJT.

Fig. 3.3.1 Cómo se dopa un transistor.

El funcionamiento del transistor depende mucho del grado de dopaje de las diversas partes del cristal semiconductor. El
emisor de tipo N está muy dopado para proporcionar muchos electrones libres como portadores de carga mayoritaria. La
región base del tipo P ligeramente dopada es extremadamente delgada, y el colector de tipo N está muy dopado para darle
una baja resistividad aparte de una capa de material menos dopado cerca de la región base. Este cambio en la resistividad
del colector asegura que haya un gran potencial dentro del material del colector cerca de la base. La importancia de esto
se hará evidente a partir de la siguiente descripción.

Durante el funcionamiento normal, se aplica un potencial a través de la unión base / emisor de modo que la base
sea aproximadamente 0.6v más positiva que el emisor, esto hace que la unión base / emisor sea sesgada hacia adelante.
Se aplica un potencial mucho mayor a través de la unión base / colector con un voltaje positivo relativamente alto aplicado
al colector, de modo que la unión base / colector está fuertemente polarizada inversamente. Esto hace que la capa de
agotamiento entre la base y el colector sea bastante amplia una vez que se aplica la energía.

Como se mencionó anteriormente, el colector está compuesto principalmente de material de baja resistividad fuertemente
dopado, con una capa delgada de material de alta resistividad ligeramente dopado junto a la unión base / colector. Esto
significa que la mayor parte del voltaje entre el colector y la base se desarrolla a través de esta delgada capa de alta
resistividad, creando un gradiente de alto voltaje cerca de la unión de la base del colector.

Cuando la unión del emisor de la base está polarizada hacia adelante, una pequeña corriente fluirá hacia la base. Por lo
tanto, se inyectan agujeros en el material de tipo P. Estos agujeros atraen electrones a través de la unión de base / emisor
polarizada hacia adelante para combinarse con los agujeros. Sin embargo, debido a que la región del emisor está muy
dopada, muchos más electrones se cruzan en la región base del tipo P que pueden combinarse con los agujeros
disponibles. Esto significa que hay una gran concentración de electrones en la región base y la mayoría de estos electrones
son barridos directamente a través de la base muy delgada y dentro de la capa de agotamiento de la base / colector. Una
vez aquí, quedan bajo la influencia del fuerte campo eléctrico a través de la unión base / colector. Este campo es tan fuerte
debido al gran gradiente potencial en el material colector mencionado anteriormente,

La variación de la corriente que fluye hacia la base afecta la cantidad de electrones atraídos por el emisor. De esta manera,
los cambios muy pequeños en la corriente base causan cambios muy grandes en la corriente que fluye del emisor al
colector, por lo que se está produciendo una amplificación de corriente.

Fig. 3.3.2 Cómo un transistor amplifica la corriente.

MÓDULO 3.5
GANANCIA DE CORRIENTE

Un BJT es un transistor operado por corriente, lo que significa que la corriente que fluye entre el emisor y el
colector de un transistor es mucho mayor que la que fluye entre la base y el emisor. Por lo tanto, una corriente de base
pequeña controla la corriente de colector / emisor mucho más grande. La relación de las dos corrientes, ICE / IBE es
constante, siempre que el voltaje del colector-emisor VCE sea constante. Por lo tanto, si la corriente base aumenta, también
lo hace la corriente del colector.

La característica de transferencia de BJT

Esta relación es la GANANCIA ACTUAL del transistor y se le da el símbolo hfe. Un transistor de ganancia bastante baja
puede tener una ganancia actual de 20 a 50, mientras que un tipo de ganancia alta puede tener una ganancia de 300 a
800 o más. La distribución de los valores de h fe para cualquier transistor dado es bastante grande, incluso en transistores
del mismo tipo y lote. El gráfico de ICE / IBE que se muestra en la figura 3.5.1 se llama CARACTERÍSTICA DE
TRANSFERENCIA y la pendiente del gráfico muestra la hfe para ese transistor.

Las curvas características (gráficos) se pueden dibujar para mostrar otros parámetros de un transistor, y se utilizan tanto
para detallar el rendimiento de un dispositivo en particular como para ayudar al diseño de amplificadores. Los ejemplos
que se muestran aquí son típicos de los BJT, cuando se usan como amplificadores de voltaje.

Fig. 3.5.1 Característica de transferencia.

La característica de entrada BJT

La CARACTERÍSTICA DE ENTRADA (Fig. 3.5.2), un gráfico de la corriente del emisor base IBE contra la tensión del
emisor base VBE (IBE / VBE ) muestra la CONDUCTANCIA de entrada del transistor. Como la conductancia I / V es el
recíproco de RESISTENCIA (V / I), esta curva se puede usar para determinar la resistencia de entrada del transistor. La
inclinación de esta curva particular cuando el VBE está por encima de 1 voltio muestra que la conductancia de entrada es
muy alta, y hay un gran aumento en la corriente (en la práctica, ¡generalmente suficiente para destruir el transistor!) Para
un aumento muy pequeño en VSER. Por lo tanto, la RESISTENCIA de entrada debe ser baja. Alrededor de 0.6 a 0.7 voltios
las curvas del gráfico, que muestran que la resistencia de entrada de un transistor varía, de acuerdo con la cantidad de
corriente base que fluye, y por debajo de aproximadamente 0.5 voltios cesa la corriente base.

Fig. 3.5.2 Característica de entrada

La característica de salida BJT

Fig. 3.5.3 Característica de salida.

La figura 3.5.3 muestra la CARACTERÍSTICA DE SALIDA cuya pendiente da el valor de conductancia de salida (y, por
implicación, resistencia de salida). Las partes casi horizontales de las líneas del gráfico muestran que un cambio en el
voltaje del emisor del colector V CE casi no tiene efecto en la corriente del colector en esta región, solo el efecto que se
esperaría si la salida del transistor tuviera una resistencia de gran valor en serie. Por lo tanto, el gráfico muestra que la
resistencia de salida del transistor es alta.

Estos gráficos característicos muestran que, para un transistor de silicio con una entrada aplicada entre la base y el emisor,
y la salida tomada entre el colector y el emisor (un método de conexión llamado modo de emisor común) uno esperaría;

• Baja resistencia de entrada (de la característica de entrada).

• Ganancia bastante alta (de la característica de transferencia).

• Alta resistencia de salida (de la característica de salida).

La característica mutua de BJT

Fig. 3.5.4 Característica mutua.

Fig. 3.5.4, la CARACTERÍSTICA MUTUA muestra un gráfico de CONDUCTANCIA MUTUA I C / V BE e ilustra el cambio
en la corriente del colector que tiene lugar para un cambio dado en el voltaje base del emisor (es decir, el voltaje de la
señal de entrada). Este gráfico es para un transistor de potencia de silicio típico. Observe las grandes corrientes de colector
posibles y la relación casi lineal entre el voltaje de entrada y la corriente de salida.

Las características descritas en esta página son las relacionadas con un transistor de potencia típico conectado en el modo
'emisor común'. Este es uno de los tres posibles modos de conexión para un transistor descrito en el Módulo BJT 3.6. -
Conexiones de transistores .
Nota: En muchos transistores, las corrientes serán mucho más pequeñas que las que se muestran en estos ejemplos. Para
amplificadores de señal pequeños, las corrientes de base serán unos pocos microamperios en lugar de miliamperios.

MÓDULO 3.6
CONEXIONES DE TRANSISTORES
Cómo se conecta un transistor para hacer un amplificador.

Debido a que un amplificador debe tener dos terminales de entrada y dos de salida, un transistor utilizado como
amplificador debe tener uno de sus tres terminales comunes a la entrada y a la salida, como se muestra en la figura 3.6.1.
La elección de qué terminal se utiliza como conexión común tiene un efecto marcado en el rendimiento del amplificador.

Un transistor conectado en los tres modos ilustrados en las Figs. 3.6.2 a 3.6.4 mostrarían curvas características bastante
diferentes para cada modo. El diseñador de circuitos puede explotar estas diferencias para proporcionar un amplificador
con las características más adecuadas para un propósito particular. Tenga en cuenta que los diagramas se muestran aquí
reducidos a su forma más básica y no están destinados a ser circuitos prácticos.

En un circuito amplificador de transistor, como los que se muestran en las Figs. 3.6.2 a 3.6.4, la línea de alimentación + V
y la línea 0V pueden considerarse como el mismo punto, en lo que respecta a cualquier señal de CA. Esto se debe a que,
aunque obviamente hay un voltaje (el voltaje de suministro) entre estos dos puntos, el suministro de CC siempre está
desacoplado por un condensador grande (por ejemplo, el condensador del depósito en la fuente de alimentación), por lo
que no puede haber diferencia de voltaje de CA entre rieles + V y 0V.

Fig. 3.6.1 Conexiones del amplificador.

Fig. 3.6.2 Modo de emisor común.

Modo de emisor común

La función más común de un transistor se debe utilizar en el modo EMISOR COMÚN. En este método de conexión,
pequeños cambios en la corriente de base / emisor provocan grandes cambios en la corriente del colector / emisor. Por lo
tanto, el circuito es el de un amplificador ACTUAL. Para dar amplificación de VOLTAJE, una resistencia de carga (o una
impedancia como un circuito sintonizado) debe conectarse en el circuito del colector, de modo que un cambio en la corriente
del colector provoque un cambio en el voltaje desarrollado a través de la resistencia de carga. El valor de la resistencia de
carga afectará la GANANCIA DE VOLTAJE del amplificador. Esto se debe a que cuanto mayor es la resistencia de carga,
mayor es el cambio de voltaje que será causado por un cambio dado en la corriente del colector. Tenga en cuenta que,
debido a este método de conexión, la forma de onda de salida estará en anti fase con respecto a la forma de onda de
entrada. Esto se debe a que un aumento en el voltaje base / emisor causará un aumento en la corriente base. Esto a su
vez causará un aumento en la corriente del colector, pero a medida que aumenta la corriente del colector, la caída de
voltaje a través de la resistencia de carga aumenta y el voltaje en el extremo superior de la resistencia de carga (el voltaje
de suministro) no cambiará, el voltaje en el extremo inferior debe disminuir. Por lo tanto, un aumento en el voltaje base /
emisor causa una disminución en el voltaje colector / emisor.

Parámetros comunes del emisor

 Ganancia de voltaje: alta (alrededor de 100).

 Ganancia actual: alta (alrededor de 50 a 800).
 Impedancia de entrada: media (aproximadamente 3kΩ a 5kΩ).
 Impedancia de salida: Media (aproximadamente el valor de la resistencia de carga).

Modo de colector común

La figura 3.6.3 ilustra el modo COLECTOR COMÚN; también llamado modo seguidor de emisor, ya que en este circuito la
forma de onda de salida en el emisor no está invertida y, por lo tanto, "sigue" la forma de onda de entrada en la base. Este
método de conexión a menudo se usa como AMPLIFICADOR DE BUFFER para trabajos tales como igualar impedancias
entre otros dos circuitos. Esto se debe a que este modo le da al amplificador una alta impedancia de entrada y una baja
impedancia de salida. La ganancia de voltaje en este modo es ligeramente menor que la unidad (x 1), pero está disponible
una alta ganancia de corriente (llamada h fc en modo de colector común). Otro uso para este modo de conexión es un
AMPLIFICADOR DE CORRIENTE, a menudo utilizado para circuitos de salida que tienen que conducir dispositivos de CA
de alta corriente como altavoces o dispositivos de CC como motores, etc.

Parámetros comunes de coleccionista

 Ganancia de voltaje: un poco menos que la unidad (1).

 Ganancia actual: alta (alrededor de 50 a 800)
 Impedancia de entrada: alta (varios kΩ)
 Impedancia de salida: baja (unos pocos ohmios)

Fig. 3.6.3 Modo de colector común.

Modo base común

El MODO DE BASE COMÚN generalmente se usa para amplificadores de VHF y UHF donde, aunque la ganancia de
voltaje no es alta, hay pocas posibilidades de que la señal de salida se envíe al circuito de entrada (lo que puede ser un
problema en estas frecuencias). Debido a que la base del transistor está conectada a tierra en este modo, forma una
pantalla efectiva conectada a tierra entre la salida y la entrada. Como la corriente del colector en este modo será la corriente
del emisor menos la corriente base, la ganancia de corriente (h fb en el modo base común) es menor que la unidad (<1).

Parámetros básicos comunes

 Ganancia de voltaje: Medio (alrededor de 10 a 50).

 Ganancia actual: menos que la unidad (<1)
 Impedancia de entrada: baja (aproximadamente 50Ω)
 Impedancia de salida: alta (aproximadamente 1MΩ)

Fig. 3.6.4 Modo base común.

MÓDULO 4
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
JFET (Transistores de efecto de campo de unión)

Aunque hay muchos nombres confusos para los transistores de efecto de campo (FET), existen básicamente dos tipos
principales:

1. Los tipos de unión PN con polarización inversa, JFET o Junction FET, (también llamado JUGFET o Junction Unipolar
Gate FET).

2. Los dispositivos FET de puerta aislada (IGFET).

Todos los FET pueden llamarse dispositivos UNIPOLAR porque los portadores de carga que transportan la corriente a
través del dispositivo son todos del mismo tipo, es decir, agujeros o electrones, pero no ambos. Esto distingue a los FET
de los dispositivos bipolares en los que tanto los agujeros como los electrones son responsables del flujo de corriente en
cualquier dispositivo.

El JFET

Este fue el primer dispositivo FET disponible. Es un dispositivo controlado por voltaje en el que la corriente fluye desde el
terminal SOURCE (equivalente al emisor en un transistor bipolar) al DRENAJE (equivalente al colector). Un voltaje aplicado
entre el terminal fuente y un terminal GATE (equivalente a la base) se usa para controlar la fuente - la corriente de drenaje.
La principal diferencia entre un JFET y un transistor bipolar es que en un JFET no fluye corriente de compuerta, la corriente
a través del dispositivo está controlada por un campo eléctrico, por lo tanto, "Transistor de efecto de campo". La
construcción JFET y los símbolos de circuito se muestran en las Figuras 1, 2 y 3.

Construcción JFET
La construcción de JFET puede ser teóricamente bastante simple, pero en realidad difícil, ya que requiere materiales muy
puros y técnicas de sala limpia. Los JFET se fabrican en diferentes formas, algunos como componentes discretos (únicos)
y otros, utilizando la tecnología plana como circuitos integrados.

La figura 1.1 muestra la forma (teóricamente) más simple de construcción para un FET de unión (JFET) utilizando técnicas
de difusión. Utiliza una pequeña losa de semiconductores de tipo N en la que se infunden dos áreas de tipo P para formar
la puerta. La corriente en forma de electrones fluye a través del dispositivo desde la fuente para drenar a lo largo del canal
de silicio tipo N. Como solo un tipo de portador de carga (electrones) transporta corriente en los JFET de canal N, estos
transistores también se denominan dispositivos "unipolares".

Fig.1.1 Construcción JFET de difusión

La figura 1.2 muestra la sección transversal de una unión plana FET de canal N (JFET). La corriente de carga fluye a través
del dispositivo desde la fuente para drenar a lo largo de un canal hecho de silicio tipo N. En el dispositivo plano, la segunda
parte de la puerta está formada por el sustrato de tipo P.

Los JFET de canal P también están disponibles y el principio de funcionamiento es el mismo que el tipo de canal N descrito
aquí, pero las polaridades de los voltajes, por supuesto, se invierten, y los portadores de carga son agujeros.

Fig. 1.2 Construcción plana JFET

Fig. 1.3 Símbolos del circuito JFET

MÓDULO 5.0
DISPOSITIVOS OPTO ACOPLADOS
Dispositivos opto y transistores fotográficos
Los optoacopladores u optoaisladores que consisten en una combinación de un LED infrarrojo (también IRED o ILED) y un
dispositivo sensible al infrarrojo, como un fotodiodo o un transistor fotográfico, se usan ampliamente para pasar información
entre dos partes de un circuito que funcionan a muy diferentes niveles de voltaje. Su objetivo principal es proporcionar
aislamiento eléctrico entre dos partes de un circuito, aumentar la seguridad de los usuarios al reducir el riesgo de descargas
eléctricas y evitar daños al equipo por posibles cortocircuitos entre la salida de alta energía y los circuitos de entrada de
baja energía.

También se utilizan en una serie de aplicaciones de sensores para detectar la presencia de objetos físicos.

Fig. 5.0.1 Optoacopladores y opto sensores de transistores

Optoacopladores de transistores

Los dispositivos que se muestran en la figura 5.0.1 usan foto transistores como sus elementos sensores, ya que son
muchas veces más sensibles que los fotodiodos y, por lo tanto, pueden producir valores más altos de corriente en sus
salidas.

El ejemplo 1 de la figura 5.0.1 ilustra la forma más simple de opto acoplamiento que consiste en un LED infrarrojo (con una
caja de plástico transparente) y un transistor de foto infrarrojo con una caja de plástico negro que protege el foto transistor
de la luz en el espectro visible mientras permite Luz infrarroja para pasar. Observe que el transistor fotográfico tiene solo
dos conexiones, colector y emisor, siendo la entrada a la base luz infrarroja.

Los ejemplos 2 y 3 en la figura 5.0.1 son dispositivos opto acoplados típicos ampliamente utilizados como sensores de
posición y proximidad, se utilizan como interruptores activados ópticamente y se describen con más detalle en el Módulo
5.4 .

Fig. 5.0.2 El optoacoplador 4N25

El ejemplo 4 en la figura 5.0.1 es un optoacoplador 4N25 en un circuito integrado DIL de 6 pines de Vishay . Utiliza un foto
transistor de salida con una conexión base que también está conectada a un pin externo para aplicar un circuito externo si
es necesario. Esto permite que el optoacoplador tenga una polarización de CC aplicada para evitar que el transistor
produzca corriente a niveles de luz muy bajos. La polarización del transistor de fotos también puede permitir que se use
con señales como audio analógico, como se describe en el Módulo 5.3. En este caso, la conexión del emisor se puede
dejar desconectada y la conexión de la base se puede usar como salida, luego el colector de foto transistor de salida /
unión de la base funciona como un fotodiodo, aumentando en gran medida el rango de frecuencia del optoacoplador, pero
a expensas de reduciendo la amplitud de señal disponible en la salida. El 4N25 también puede funcionar como un
optoacoplador digital con entradas lógicas 1 y lógicas 0. El aislamiento entre entrada y salida en el 4N25 es un mínimo de
5.3 kV.

El ejemplo 5 en la figura 5.0.1 es un chip optoaislador de canal único PC817 de 4 pines de Sharp, que utiliza un LED
infrarrojo integral y un transistor fotográfico para producir una salida de hasta 50 mA y proporciona aislamiento eléctrico de
hasta 5 kV. También está disponible en versiones de 2, 3 y 4 canales.

Fig. 5.0.3 Estructura básica del fototransistor

Foto transistores

La figura 5.0.3 muestra la estructura básica de un fototransistor. Su funcionamiento es similar al de los fotodiodos descritos
en el módulo de diodos 2.7 . Sin embargo, debido a que la conversión de luz a corriente tiene lugar en un transistor, la
pequeña corriente producida por un nivel particular de entrada de fotones a la base puede amplificarse para producir una
corriente de colector 200 veces mayor o más, dependiendo de la frecuencia del transistor, lo que hace que el foto transistor
sea mucho más eficiente que un fotodiodo. Sin embargo, debido a la gran área de unión (y, por lo tanto, a una capacidad
de unión mucho mayor) de un foto transistor, su respuesta a altas frecuencias es pobre y el tiempo de conmutación es
mucho mayor. más lento, en comparación con un fotodiodo. Además, la relación entre los cambios en la entrada de luz y
los cambios en el voltaje de salida no es tan lineal como en los fotodiodos. En consecuencia, los transistores fotográficos,
aunque menos útiles que los fotodiodos para la transmisión de datos de alta frecuencia, se utilizan ampliamente en
aplicaciones de control tales como optoacopladores / aisladores y sensores de posición.

Operación del transistor de foto

En un transistor fotográfico, la luz, en forma de fotones, se recoge en la capa base, que ocupa la mayor parte de la ventana
visible en la superficie superior del dispositivo, como se ilustra en la figura 5.0.3. Por lo tanto, el área del emisor se reduce
en tamaño para maximizar la absorción de luz en la base.

La conversión entre fotones y corriente tiene lugar principalmente en la región de agotamiento alrededor de la unión PN
base / colector donde los fotones absorbidos a través de la capa antirreflectante en la capa base desalojan los electrones
para crear pares de electrones / agujeros de manera similar a la de los fotodiodos , pero ahora los electrones libres creados
por este proceso son la fuente de corriente base en el transistor, y ahora se amplifican en una cantidad igual a la h fe del
transistor.

El colector tipo N inmediatamente debajo de la capa de agotamiento tiene una resistencia mayor que la capa N + al lado
del terminal del colector. Debido a esta mayor resistencia cerca de la unión PN, hay un gran gradiente de voltaje en el
colector cerca de la unión base / colector. Esto proporciona un voltaje positivo más alto cerca de la capa de agotamiento
para atraer y acelerar los electrones cargados negativamente en la capa de agotamiento hacia el terminal del colector.
Sin embargo, en comparación con los fotodiodos, los transistores fotográficos tienen algunos inconvenientes; su respuesta
a diferentes niveles de luz no es tan lineal, lo que hace que los transistores fotográficos sean menos adecuados que los
fotodiodos para una medición precisa de la luz.

Aunque los transistores fotográficos se pueden usar para detectar fuentes de luz a través del espectro de luz visible, son
más sensibles a las longitudes de onda en el rango infrarrojo cercano de alrededor de 800 a 900 nm, y se usan con mayor
frecuencia con fuentes emisoras de infrarrojos, como los LED emisores de infrarrojos (también llamados IRED) o ILED)
como su fuente de luz.

Los transistores fotográficos generalmente no son tan rápidos como los fotodiodos para reaccionar a cambios bruscos en
los niveles de luz. Por ejemplo, el tiempo que tarda la salida del foto transistor en cambiar entre 10% y 90% en respuesta
a un cambio repentino en el nivel de luz en la entrada puede estar entre 30 y 250 µs, mientras que los fotodiodos de alta
velocidad pueden tener tiempos de subida y bajada tan bajos. como 20ps (pico segundos) o menos. Los fabricantes
normalmente citan estas cifras para el tiempo de subida (t r ) y el tiempo de caída (t f ) en condiciones particulares de
temperatura y corriente de colector.

La razón principal de la respuesta mucho más lenta en los transistores fotográficos se debe al área mucho más grande de
la unión base / colector, y al hecho de que la capacitancia que existe a través de esta unión se ve aumentada por el 'efecto
Miller', que causa la unión capacitancia para ser aumentada por la ganancia de corriente (h fe ) del transistor. En la práctica,
esto significa que cuanto más sensible sea el transistor (es decir, cuanto más grande sea el área base) y / o cuanto mayor
sea la ganancia de corriente del transistor, mayores serán los tiempos de subida y bajada. Por estos motivos, los
transistores fotográficos se utilizan principalmente para conmutar aplicaciones de CC o CA de baja frecuencia.

Fig. 5.0.4 Conexiones de foto transistor

Foto transistor Conexiones

Los fototransistores están disponibles en varias formas, como NPN (Fig. 5.0.4a) o PNP (Fig. 5.0.4b). Muchos transistores
fotográficos solo tienen conexiones para el emisor y el colector, ya que la entrada de la base es proporcionada por la luz;
sin embargo, se proporciona una conexión base en algunos tipos (Fig. 5.0.4c).

Los transistores fotográficos Darlington (Fig. 5.0.4d) también están disponibles; El uso de una configuración de transistor
de par Darlington proporciona una ganancia de corriente aún mayor.

A niveles de luz bajos o incluso nulos, los foto transistores aún pueden producir una pequeña cantidad de corriente debido
a colisiones aleatorias en la capa de agotamiento. Aplicar el sesgo base como se muestra en la figura 5.0.4e puede tener
el efecto de prevenir esta 'Corriente oscura', reduciendo así el efecto del ruido aleatorio y dando un nivel de encendido /
apagado mejor definido a la corriente de salida.

Los optoacopladores tienen muchos usos y están disponibles en muchos tipos variados, algunos ejemplos se ilustran en
la figura 5.0.5. Use los números de tipo para buscar hojas de datos y úselos para identificar el propósito de cada diseño.
Fig. 5.0.5 Ejemplos de optoacopladores

MÓDULO 5.1
OPERACIÓN DE OPTOACOPLADOR
Optoacopladores / Optoaisladores

Los optoacopladores u optoaisladores se utilizan para pasar señales entre dos circuitos aislados utilizando diferentes
métodos, dependiendo principalmente de los tipos de señales que se están vinculando. Un sistema informático y sus
dispositivos periféricos pueden necesitar una señal digital, como la señal de modulación de ancho de pulso que impulsa
un motor. En este caso, el optoacoplador se utilizará en modo de saturación.

Una fuente de alimentación de modo conmutado puede necesitar un voltaje de muestra de CC de valor variable para
retroalimentar desde la salida a un sistema de control de voltaje en el circuito de entrada de la fuente de alimentación
mientras se mantiene un aislamiento eléctrico completo entre los circuitos de entrada y salida. En este caso, se utilizará el
modo lineal, ya que el circuito de control necesitará detectar pequeños cambios en el voltaje de CC.

Para vincular circuitos como amplificadores de audio donde los voltajes de señal cambian rápidamente, pero se debe evitar
la saturación y la distorsión, los optoacopladores pueden transferir señales usando el modo analógico para que el audio se
pueda transmitir de manera segura, por ejemplo, desde un dispositivo de entrada de audio a un amplificador de alta
potencia. .

Fig. 5.1.1 Modo de saturación

Modo de saturación
En el modo de saturación, el transistor de salida del optoacoplador se enciende completamente (condiciones de saturación)
o se apaga completamente (no conductor). Los optoacopladores que funcionan en modo de saturación se usan
ampliamente para proteger los pines de salida de los microcontroladores, por ejemplo, donde se pueden usar para controlar
dispositivos de salida como motores que pueden necesitar más corriente y / o voltajes más altos que los que se pueden
suministrar directamente desde el microcontrolador Puerto.

Entonces, el microcontrolador solo está activando un LED infrarrojo, ya sea con señales como modulación de ancho de
pulso, datos de motor paso a paso o señales simples de encendido y apagado. El aislamiento proporcionado por el
optoacoplador significa que el microcontrolador también está protegido de cualquier alto voltaje producido externamente,
como la fem posterior que se puede producir al desconectar una carga inductiva, como un motor. Los optoacopladores
también encuentran usos en los módems que proporcionan aislamiento entre las computadoras y las líneas telefónicas
externas.

Fig. 5.1.2 Modo lineal

Modo lineal

Los optoacopladores se pueden usar para la retroalimentación de voltaje en circuitos como fuentes de alimentación de
modo conmutado, donde el LED se ilumina con una muestra del voltaje de salida, de modo que cualquier variación de
voltaje cause una variación en la iluminación del LED del optoacoplador y, por lo tanto, una variación en la conducción. del
transistor de salida del optoacoplador, que se puede utilizar para indicar un error en el circuito de control de la fuente de
alimentación, lo que le permite compensar la variación de salida. Un ejemplo práctico de esta retroalimentación y el
aislamiento eléctrico que proporciona al usar un optoacoplador en modo lineal se puede ver en nuestro Módulo de fuentes
de alimentación 3.4 donde IC3 (un 4N25) proporciona una muestra del voltaje de salida que debe retroalimentarse a un
amplificador de error que controla el circuito regulador de voltaje dentro de IC1, proporcionando control de voltaje
automático, mientras que proporciona un aislamiento eléctrico completo entre el circuito de salida de CC de 5 V y la entrada
de voltaje más alto circuito.

Fig. 5.1.3 Entrada de audio en modo analógico

Modo analógico
Al igual que el modo lineal, los fototransistores utilizados en modo analógico no pueden saturarse, pero un audio de
polarización continua de aproximadamente la mitad del voltaje de alimentación es modulado por un audio, como se muestra
en la figura 5.1.3, o alguna otra señal que varía rápidamente . Esto produce una corriente variable en el LED, que a su vez
produce una corriente variable en el componente de salida del optoacoplador. Esto puede ser un fototransistor o muy a
menudo un fotodiodo. Los fototransistores utilizados en optoacopladores para fines de audio también pueden hacer uso de
una conexión base disponible en algunos optoacopladores para aplicar una polarización adecuada al fototransistor para
permitir que se obtenga una salida de señal de audio sin distorsiones. Los optoacopladores de audio especializados, como
el IL300 que se muestra en la Fig. 5.1.4, pueden usar uno o más fotodiodos para proporcionar una respuesta más lineal
que aquellos que usan solo fototransistores.

Fig. 5.1.4 El IL300 Audio optoacoplador

Además de proporcionar una respuesta más lineal (menos distorsión), el segundo diodo se usa para proporcionar
retroalimentación (aislada) al circuito de entrada para que el IL300 pueda compensar automáticamente las variaciones en
el CTR debido a cambios en la temperatura y / o el envejecimiento de la entrada CONDUCIDO, LIDERADO.

Fig. 5.1.5 Entrada de audio en modo analógico

Fototransistor versus optoacopladores de fotodiodo

Los optoacopladores que utilizan salidas de fototransistor pueden transmitir señales de audio analógicas hasta una
frecuencia de unas pocas decenas de kHz. Al variar el haz de luz infrarroja del LED en estas frecuencias, la cantidad de
corriente generada en la base de un fototransistor de salida varía, y la salida del transistor sigue y amplifica las variaciones
en la entrada.

Sin embargo, los optoacopladores que usan fototransistores no tienen una relación lineal tan buena entre los cambios en
la corriente de entrada y salida de luz como los tipos de fotodiodos, como se ilustra en la figura 5.1.5, por lo tanto, puede
producirse una distorsión de la señal. Los dispositivos de salida de fotodiodos se prefieren para su uso en la mayoría de
las aplicaciones de audio (y algunas aplicaciones digitales), aunque sus amplitudes de señal de salida son mucho menores
de lo que es posible con la amplificación proporcionada por un fototransistor; La razón de esto es la distorsión del
fototransistor y el bajo rendimiento a altas frecuencias.

Esto se debe a que el fototransistor tiene un área de base muy ampliada, que al tiempo que aumenta la sensibilidad a la
luz, también aumenta en gran medida la capacitancia de la unión de base / emisor. Este aumento de la capacidad también
empeora mucho debido al 'efecto Miller', que hace que la capacidad de base / emisor de un transistor se multiplique por la
ganancia de corriente (h fe ) del transistor.

Por lo tanto, las frecuencias más altas se reducen progresivamente en amplitud, porque la reactancia de la capacitancia
base / emisor se reduce a medida que la frecuencia aumenta mucho por encima del rango de audio.
Las señales digitales también se ven afectadas por este efecto porque las formas de onda cuadradas de las señales
digitales contendrán muchos armónicos de alta frecuencia que contribuyen a los tiempos rápidos de subida y caída de la
onda cuadrada, de modo que los bordes ascendentes de la señal se redondean y el tiempo de conmutación entre 0 y 1 se
hace más largo.

Los optoacopladores digitales de alta velocidad, que se pueden usar en frecuencias de cientos de kHz y los que se usan
para la operación de audio, generalmente usan fotodiodos como su elemento sensor porque, aunque debe proporcionarse
una amplificación adicional, ya sea externamente o dentro del chip del optoacoplador, esto se compensa al tener tiempos
de subida y bajada para operación digital, y una respuesta más lineal, produciendo menos distorsión cuando se usa con
audio analógico.

La función principal de un optoacoplador, cualquiera que sea el tipo de señal utilizada, es proporcionar un aislamiento
eléctrico completo entre los circuitos de entrada y salida. Una ventaja importante de los optoacopladores, en comparación
con los transformadores, que también se usan a menudo con fines de aislamiento, es que los optoacopladores se pueden
usar con señales de CA o CC, mientras que los transformadores solo pueden funcionar con CA.

MÓDULO 5.2
USANDO OPTOACOPLADORES
Existen muchas aplicaciones diferentes para los circuitos de optoacoplador, por lo que hay muchos requisitos de diseño
diferentes, pero un diseño básico para un optoacoplador que proporciona aislamiento, por ejemplo, entre dos circuitos,
simplemente implica la elección de valores de resistencia apropiados para las dos resistencias R1 y R2 que se muestran
en la Fig. 5.2.1.

En este ejemplo, se muestra un optoacoplador PC817 aislando un circuito utilizando la lógica HCT a través de una puerta
inversora Schmitt 7414. El inversor Schmitt en la salida realiza varias funciones; asegura que la salida se ajusta a las
especificaciones de voltaje y corriente de HCT, también proporciona tiempos de subida y caída muy rápidos para la salida,
y corrige la inversión de señal causada por el fototransistor que funciona en modo de emisor común. Cada familia lógica(por
ejemplo, los tipos LSTTL o CMOS) pueden tener diferentes niveles de voltaje lógico y diferentes requisitos de corriente de
entrada y salida, y los optoacopladores pueden proporcionar una forma conveniente de interconectar dos circuitos con
diferentes niveles lógicos. Lo que es necesario es asegurarse de que R1 cree un nivel de corriente apropiado desde el
circuito de entrada para conducir correctamente el lado LED del optoacoplador, y que R2 cree niveles de voltaje y corriente
adecuados para suministrar el circuito de salida a través del inversor.

Fig. 5.2.1 Una interfaz de optoacoplador simple para HCT

Diseño de interfaces de optoacoplador

El objetivo principal de una interfaz de optoacoplador es aislar completamente el circuito de entrada del circuito de salida,
lo que normalmente significa que habrá dos fuentes de alimentación completamente separadas, una para el circuito de
entrada y otra para la salida. En este ejemplo simple, los suministros de entrada y salida probablemente serán los mismos
en cuanto a las capacidades de voltaje y corriente, por lo que la interfaz solo proporciona aislamiento sin ningún cambio
importante en los niveles de voltaje o corriente.
Al elegir los valores apropiados para R1, el valor de la resistencia limitadora de corriente se configura para producir la
corriente directa correcta (I F ) a través del LED infrarrojo en el optoacoplador. R2 es la resistencia de carga para el
fototransistor y los valores de ambas resistencias dependerán de varios factores.

Relación de transferencia actual

La corriente en cada mitad del circuito está vinculada por la relación de transferencia de corriente o CTR, que es
simplemente la relación entre la corriente de salida y la corriente de entrada (I C / I F) generalmente expresado como un
porcentaje. Cada tipo de optoacoplador tendrá un rango de valores CTR establecidos en la hoja de datos del fabricante. El
valor de CTR también depende de varios factores, en primer lugar, es el tipo de optoacoplador, los tipos simples pueden
tener un valor de CTR de entre 20% y 100%, mientras que los tipos especiales, como los que usan una configuración de
transistor Darlington para su fototransistor de salida puede tener valores CTR de varios cientos por ciento. Además, el CTR
de cualquier dispositivo en particular puede variar considerablemente del valor típico de ese dispositivo en cualquier cosa
hasta +/- 30%. Los fabricantes normalmente citarán un rango de valores CTR para diferentes voltajes de colector de
fototransistor de salida (V C ) y diferentes temperaturas ambientales (T A) El CTR también variará con la edad del
optoacoplador, ya que la eficiencia de los LED disminuye con la edad (más de 1000 horas de funcionamiento). Debido a
que se puede esperar que el CTR de un optoacoplador se reduzca con el tiempo, es una práctica común elegir un valor
para I F algo más bajo que el máximo, de modo que el rendimiento previsto aún se pueda lograr durante la vida útil prevista
del circuito.

Aunque este ejemplo describe el diseño de una interfaz simple que une dos circuitos lógicos HCT, la diferencia entre los
resultados logrados aquí y los necesarios para cualquier otro optoacoplador es que se pueden hacer cálculos similares
simplemente usando datos apropiados para otros voltajes y corrientes y otros optoacopladores.

Cálculo de los valores de resistencia del optoacoplador

Fig. 5.2.2 CTR vs. Corriente directa para una PC817

El inicio del proceso de diseño es especificar las condiciones de entrada y salida que el optoacoplador debe vincular. Los
optoacopladores típicos pueden manejar corrientes de entrada y salida desde unos pocos microamperios hasta decenas
de miliamperios. Hay muchos optoacopladores en el mercado y para encontrar el más apropiado para un propósito
particular, se deben estudiar los catálogos de proveedores y las hojas de datos de los fabricantes.

Sin embargo, en este caso, un popular optoacoplador PC817 de Sharp utilizará voltajes y corrientes disponibles de la lógica
HCT. Suponiendo que una sola salida HCT solo alimenta este optoacoplador, se puede suponer un voltaje lógico 1 de
aproximadamente 4.9V.

La corriente de salida disponible desde una puerta HCT para controlar la entrada del optoacoplador está limitada a 4 mA,
que es bastante baja para accionar un optoacoplador. El PC817 debe ser capaz de producir la salida necesaria a partir de
esta baja corriente de entrada.

El gráfico de la Fig. 5.2.2 muestra que el CTR para una PC817 con una corriente directa (entrada) I F de 4 mA estará
alrededor del 80 al 150%, lo que permite ± 30% para todas las variables mencionadas anteriormente).

Idealmente, el optoacoplador debería actuar en este caso como si fuera invisible, es decir, la puerta HCT conectada a la
salida del optoacoplador debería ver una corriente disponible de hasta 4 mA, como si estuviera conectada a la salida de
otra puerta HCT. Por lo tanto, la corriente de salida del PC817 también debe ser idealmente de aproximadamente 4 mA,
con la corriente directa (I F ) activando el LED de entrada a 4 mA (suponiendo un CTR del 100%).

Habiendo encontrado una cifra aproximada para el CTR, lo que sugiere que las condiciones de entrada y salida deberían
ser similares, a 4 mA, la siguiente tarea es calcular los valores de R1 y R2.

Utilizando los datos de la Tabla 5.2.1 y suponiendo una entrada mínima de 4.9V a 5V en la salida de la puerta HCT, es
posible calcular un valor de resistencia adecuado para R1 en la Fig. 5.2.3.

Fig. 5.2.3 Optoacoplador HCT a HCT

El voltaje directo a través del LED infrarrojo con una corriente directa de solo 4 mA debe ser de aproximadamente 1.2V

5V - 1.2V = 3.8V a desarrollar en R1

Por lo tanto, R1 = 3.8V ÷ 4mA = 950Ω

Usando el siguiente valor de resistencia preferido más alto R1 = 1KΩ

El gráfico de CTR vs. I F en la figura 5.2.2 muestra que, idealmente, el CTR para el PC817 será de aproximadamente 115%
con una corriente directa de 4 mA, lo que sugiere que la corriente de salida opto debería ser de aproximadamente 4 mA x
115% = 4.6 mamá

Para saturar el fototransistor y producir un 0 lógico (menos de 0.2V) en la salida, R2 debe desarrollar un voltaje de 4.9 a
5V al pasar una corriente de 4.6mA (asumiendo un valor CTR del 115%).

Por lo tanto, R2 debe ser de al menos 5V ÷ 4.6mA = 1087Ω o R2 = 1.2kΩ (siguiente valor preferido).

Fig. 5.2.4a Salida con R2 = 1.2KΩ

Si se utiliza un valor superior a 1.2KΩ, el aumento de este valor en unos pocos kΩ podría garantizar que la salida tenga la
oscilación de voltaje máxima, sin embargo, aumentar este valor reduce la velocidad con la que el optoacoplador puede
responder a cambios rápidos de voltaje, debido a combinación de una carga de alta resistencia y una alta capacidad de
unión del fototransistor, lo que da como resultado un redondeo de la forma de onda de salida, como se puede ver al
comparar las formas de onda en la figura 5.2.4 a & b.

Ambas formas de onda mostradas fueron tomadas con la misma entrada, una onda cuadrada con una frecuencia de 2kHz,
pero con dos valores diferentes para R2, 1.2kΩ en la figura 5.2.4a y 10kΩ en la figura 5.2.4b.

El efecto de redondeo en el tiempo de subida de los pulsos se puede ver claramente en la figura 5.2.4b. También a
frecuencias más altas, la amplitud de la señal de salida se reduce notablemente. Por lo tanto, para un mejor rendimiento,
el valor de R2 debe mantenerse lo más bajo posible, pero por encima de 1kΩ.

Fig. 5.2.4b Salida con R2 = 10KΩ

El rendimiento del circuito del optoacoplador que muestra el resultado del uso de los valores calculados se muestra en la
Fig. 5.2.4. Observe también el efecto de usar un inversor Schmitt 74HCT14 en la salida; se elimina cualquier redondeo de
los pulsos cuadrados y aunque la salida del optoacoplador solo cae a 0.18V cuando el fototransistor se satura, la salida de
la puerta Schmitt en realidad cambia entre + 5V y 0v.

Agregar un inversor Schmitt también reinvierte la forma de onda de salida, que era una versión invertida de la forma de
onda de entrada en el colector del fototransistor.

Por supuesto, hay aplicaciones más útiles para un optoacoplador que simplemente aislar un IC lógico de otro. Un problema
común es conducir una carga desde el puerto de salida de una computadora. Las computadoras son caras y se dañan
fácilmente por los errores cometidos al conectarlas a circuitos externos. El problema se reduce asegurando que el circuito
externo esté completamente aislado de la computadora y que un optoacoplador como el PC817 sea una solución
económica y efectiva (suponiendo que no haya errores importantes del usuario).

Fig. 5.2.5 Circuito de accionamiento del motor PC817

Circuito de accionamiento del motor PC817

La figura 5.2.6 ilustra un ejemplo típico en el que se requiere conducir un motor de 12 V CC que requiere 40 mA de corriente
de un circuito lógico (o puerto típico de computadora) que solo puede soportar unos pocos mA de corriente a 5 V o menos.

Como la corriente disponible de los puertos de entrada / salida de computadora típicos puede ser solo de unos pocos µA,
ya que las líneas de puertos de computadora generalmente están diseñadas para manejar algún tipo de entrada lógica, la
entrada a este circuito de motor es a través de una puerta de inversor HCT Schmitt, que solo requiere una corriente de
entrada de 1 µA, con el motor 12V 40mA accionado por un transistor 2N3904 . El LED infrarrojo del optoacoplador se activa
a aproximadamente 4 mA a través de una resistencia de 1 kΩ desde la salida IC1. Como el CTR de la PC817es de
alrededor del 115%, el fototransistor puede suministrar aproximadamente 9 mA ya que el suministro a la salida del
fototransistor ahora se toma del suministro del motor de 12V. Esto es más del mínimo de 5 mA requerido para conducir el
2N3904 a saturación. Es importante que el transistor esté completamente saturado para reducir la disipación de potencia
en el 2N3904 al mínimo, por lo tanto, aunque la corriente del transistor (I CE ) es de 40 mA, solo habrá aproximadamente
0.3 V en el transistor saturado, por lo que la disipación de potencia en el transistor será 0.3V x 40mA = 12mW y la disipación
máxima para el 2N3904 es 1.5W. Aunque esta interfaz básica solo permite encender o apagar el motor, podría adaptarse
fácilmente cambiando IC1 para incluir un control de velocidad modulada por ancho de pulso desde una computadora o
hardware generado como se describe en Osciladores Módulo 4.6 .

Esta interfaz simple tiene una característica de seguridad más; El diodo D1 conectado a través del motor evitará
eficazmente que los picos desagradables de EMF generados por la carga inductiva (el motor) causen daños a la interfaz.

MÓDULO 5.3
OPTOACOPLADORES DE AUDIO
Uso de optoacopladores de audio

Fig. 5.3.1 Optoacoplador IL300

En los sistemas de audio, el aislamiento entre las entradas y el equipo de mayor voltaje / corriente generalmente es
proporcionado por transformadores de audio, sin embargo, también es posible utilizar optoacopladores de audio
especializados como el IL300, que utiliza un LED infrarrojo para iluminar un fotodiodo como dispositivo de salida y un
segundo fotodiodo para proporcionar retroalimentación, asegurando una linealidad mejorada y un rango de frecuencia más
amplio que las alternativas de fototransistor o fotorresistor. El uso de la retroalimentación de un segundo fotodiodo con
características muy parecidas a las del fotodiodo de salida también supera un problema básico con los optoacopladores.
Sin algún tipo de retroalimentación, las variaciones en la relación de transferencia actual afectarán el rendimiento del
optoacoplador. Pueden ocurrir variaciones debido a cambios en la temperatura ambiente y al envejecimiento del LED
infrarrojo. Optoacopladores como elIL300 de Vishay ilustrado en la Fig. 5.3.1, por lo tanto, puede reclamar un mejor
rendimiento y estabilidad durante la vida útil del circuito. En consecuencia, estos dispositivos especializados son
considerablemente más caros que los optoacopladores simples de uso general.

Fig. 5.3.2 Optoacoplador 4N25

Usando el 4N25 para audio

Sin embargo, también es posible utilizar algunos de los optoacopladores fototransistores de uso general mucho más
baratos para aplicaciones de audio, como el popular 4N25 ilustrado en la figura 5.3.2 también de Vishay , que normalmente
se utiliza para señales digitales de baja frecuencia (en modo de saturación ) o aplicaciones de CC (en modo lineal ) para
aplicaciones de audio limitadas.

Esto se debe a que el 4N25 tiene una conexión para la base de fototransistor disponible, así como también colector y
emisor. Esto permite los tres métodos diferentes de conexión que se muestran en la figura 5.3.3, donde el fototransistor
puede funcionar en modo de emisor común (a), modo de colector común (seguidor de emisor) (b), o usarse como fotodiodo
(c).

Fig. 5.3.3 Opciones de conexión 4N25

Cuando la salida del fototransistor se toma de la conexión de la base (con el emisor sin conectar) como se muestra en la
figura 5.3.3 (c), la unión de la base / colector se usa como fotodiodo. Como el fototransistor ahora no funciona como un
amplificador, el 'efecto Miller' (donde el valor de la capacitancia de unión se multiplica por la ganancia de corriente del
transistor) no se aplica, por lo que la capacitancia efectivamente grande de la unión base / colector es muy importante
reducido, lo que permite que el optoacoplador funcione a velocidades más altas, lo que significa que en el caso de
aplicaciones de audio, hay disponible un ancho de banda más amplio, aunque este modo de operación reduce en gran
medida la amplitud de la señal de salida.

En cualquiera de las configuraciones que se muestran en la figura 5.3.3, la elección de la resistencia de carga tiene un
efecto significativo en la señal de salida; cuanto mayor sea el valor de R L, mayor será la amplitud de la señal de salida,
pero menor será el ancho de banda, por lo que el valor de R L elegido es un compromiso que depende del propósito del
circuito.

Para que el 4N25 proporcione aislamiento para las señales de audio, la entrada al LED infrarrojo debe estar sesgada
adecuadamente con un voltaje de CC, de modo que cuando se aplica una señal de CA (audio) de modulación, la corriente
a través del LED se puede variar sin que la salida del optoacoplador alcance ya sea saturación o corte. Esta es realmente
una extensión del modo de operación lineal, y puede aplicarse utilizando una de las dos configuraciones básicas,
fototransistor o fotodiodo.

Fig. 5.3.4 Aislador de audio usando el modo de fototransistor

Método 1. Optoacoplador de audio básico.

El circuito que se muestra en la figura 5.3.4, adaptado de un diseño en Newnes Electronic Circuits Pocket Book por Ray
Marston (ISBN 10: 1-4832-9192-8) usa el 4N25 conectado como fototransistor para pasar señales de audio mientras se
aísla la entrada y circuitos de salida.

Un LM324 amplificador operacional se utiliza aquí para conducir el LED de entrada de la 4N25. R1 y R2 forman un divisor
de potencial para establecer el pin 3 (la entrada no inversora del amplificador operacional) a la mitad del voltaje de
alimentación y la señal de entrada de audio se superpone a este voltaje de polarización de CC a través de C1 para modular
la corriente a través del LED.

Debido a que el LM324 está conectado en modo seguidor de voltaje con el LED formando parte del circuito de
retroalimentación negativa, el pin 1 sigue exactamente las variaciones de voltaje en el pin 3, variando así la corriente a
través del LED. Sin señal aplicada, la corriente permanente, aunque el LED es de aproximadamente 0.5 a 1 mA
dependiendo del valor de R3 y el voltaje de alimentación utilizado para el circuito de entrada.

Fig. 5.3.5 Ancho de banda de audio usando el modo de fototransistor

Con suministros de entrada y salida separados establecidos en 12V y una señal de entrada de CA de 3Vpp, se obtiene
una señal de salida de alrededor de 6Vpp cuando RV1 se ajusta para configurar el pin 4 del 4N25 a aproximadamente la
mitad del suministro (6V). Dependiendo de los voltajes de alimentación y la amplitud de las señales utilizadas, el ajuste fino
de RV1 también proporciona un medio para lograr una distorsión mínima.

Sin embargo, debido a que la figura 5.3.4 usa un 4N25 en modo fototransistor, el ancho de banda útil del circuito es bastante
limitado, como se muestra en la figura 5.3.5, lo que lo hace útil para el habla, pero carece de ganancia en frecuencias
superiores a 8 kHz, un efecto típico debido a la gran capacidad de unión de base / emisor del fototransistor.

Fig. 5.3.6 Aislador de audio usando un 4N25 en modo de fotodiodo

Método 2 de ancho de banda ancho de audio

La figura 5.3.6 muestra un circuito mejorado con un ancho de banda de audio completo, logrado mediante el uso del 4N25
en modo de fotodiodo donde solo se usa la unión de la base del colector, formando un fotodiodo con mucha menos
capacitancia que con el fototransistor completo. La desventaja de este método es que la salida 4N25 ahora se reduce a
milivoltios en lugar de voltios. Por esta razón, es necesario agregar un amplificador buffer (IC3a) que tenga una alta
impedancia de entrada, inmediatamente después del optoacoplador.

Fig. 5.3.7 Ancho de banda de audio usando el modo de fotodiodo

No se produce amplificación de voltaje en la etapa de amortiguación, pero esto es seguido por un amplificador de voltaje
x100 para producir una salida de aproximadamente 7.5Vpp desde una entrada original de 1.5Vpp. El ancho de banda de
audio del circuito ahora se incrementa para cubrir un rango útil de aproximadamente 400Hz a 18kHz como se muestra en
la figura 5.3.7; Todavía no es de alta fidelidad, pero es bastante útil como parte de un amplificador de audio para muchos
fines de aislamiento.

En la versión experimental (placa) de este circuito, se usaron diferentes voltajes de suministro entre + 5V y + 24V para las
secciones de entrada y salida del circuito sin ningún problema, aparte de los voltajes de suministro más bajos que requieren
señales de amplitud reducida para evitar la distorsión.

El ruido generado alrededor del optoacoplador en la placa de pruebas puede ser un problema, pero puede reducirse o
eliminarse mediante un diseño cuidadoso de PCB y un desacoplamiento adicional de las líneas de suministro cerca de los
circuitos integrados.

Fig. 5.3.8 Pruebas del aislador de audio 4N25

MÓDULO 5.4
INTERRUPTORES OPTO ACTIVADOS
Dos interruptores opto activados típicos se ilustran en la figura 5.4.1. El ejemplo (a) es un interruptor ranurado donde un
haz de luz infrarroja del LED ilumina un fototransistor, haciendo que conduzca. Cuando un objeto se mueve a la ranura
entre el LED y el fototransistor, la luz se interrumpe y el fototransistor se apaga. Los interruptores opto activados
normalmente funcionan en modo de saturación para proporcionar señales definidas de encendido y apagado.

Otra aplicación común para los interruptores ranurados es tener un disco giratorio, con ranuras u orificios alrededor de su
borde para girar dentro de la trayectoria de la luz del interruptor, creando así una serie de pulsos de encendido / apagado
que pueden usarse para indicar (y controlar electrónicamente) La velocidad del disco giratorio.

En el sensor de objetos reflectantes ilustrado en la figura 5.4.1 (b), el LED infrarrojo y el fototransistor están montados uno
al lado del otro en el extremo angosto del interruptor. Aquí, el LED emite un haz de luz infrarroja en ángulo y si se coloca
algo de material reflectante a unos 3 a 4 mm del sensor, el haz de luz del LED se refleja nuevamente en el fototransistor,
lo que hace que conduzca y produzca una salida actual. Esta disposición a menudo se usa como sensor de proximidad.

El fototransistor en los sensores de proximidad también funciona en 'modo de saturación' donde el fototransistor se apaga
(no pasa corriente) o se enciende (completamente saturado, pasa su corriente máxima) por la acción de la luz infrarroja
reflejada.

Fig. 5.4.1 Interruptor óptico ranurado (a) y sensor de objeto reflectante (b).

Fig. 5.4.2 Interruptor Opto Ranurado Detectando un Boleto

Ejemplo de interruptor óptico ranurado

Fig. 5.4.3 Circuito de interruptor óptico ranurado

Un ejemplo simple de un interruptor óptico ranurado se muestra en la figura 5.4.2, con su diagrama esquemático en la
figura 5.4.3. Cuando un objeto como un boleto o una pequeña pestaña que forma parte de algún sistema mecánico se
coloca en la ranura del sensor, el haz de luz infrarroja del LED al fototransistor se bloquea, apagando el fototransistor. Su
terminal emisor, que ha estado en un alto voltaje de aproximadamente 4.8V porque el fototransistor ha estado saturado y,
por lo tanto, conduce mucho, se apaga y el voltaje del emisor cae a un valor bajo de alrededor de 0.8V.

Esto apaga el 2N3904, lo que hace que su emisor caiga a alrededor de 0.3V. Esto se ve como un 0 lógico en el pin 1 de
IC2 (la entrada de uno de los 6 inversores Schmitt en el IC) y su salida en el pin 2 cambia a la lógica 1, encendiendo el
LED verde de 5V. Retirar el objeto del interruptor ranurado permite que la luz infrarroja alcance la base del fototransistor,
lo que hace que conduzca y se sature nuevamente, que ahora tiene un voltaje de casi 5V en su emisor. Esto enciende el
2N3904 provocando que aparezca un 1 lógico (un voltaje mayor a 2V) en su emisor y en la entrada del inversor Schmitt.
Esto enciende el LED rojo y apaga el LED verde.

La interfaz del interruptor ranurado Opto

El LED de entrada del conmutador OPB370 ranurado elegido para esta demostración tiene una clasificación de corriente
máxima de 50 mA y la hoja de datos del OPB370 muestra que a 20 mA el voltaje directo del LED será de aproximadamente
1.3V. Para proporcionar una iluminación razonablemente brillante del LED, se maneja a través de R1 con IF a
aproximadamente 37 mA.

El objetivo de este diseño es impulsar una sola entrada de una puerta inversora Schmitt HCT, que será responsable de
proporcionar una salida que tendrá tiempos de subida y caída muy rápidos y parámetros de corriente y voltaje HCT
estándar.

Como se puede ver en la Tabla 5.4.1, la puerta HCT Schmitt reconocerá un voltaje por encima de 2.0V (VIH) como lógica
1 y un voltaje bajo (VIL) por debajo de 0.8Vas lógica 0. La corriente de salida del 2N3904 también debe ser suficiente para
controlar la entrada del inversor HCT, y cualquier cosa entre 1 µA y 4 mA será suficiente.

R1 en el circuito es la resistencia limitadora de corriente para el LED de entrada y se elige aquí para proporcionar una
corriente de aproximadamente 37 mA a través del LED de entrada infrarroja. Tenga en cuenta también que los LED de 5V
opcionales (D1 y D2) utilizados aquí tienen una resistencia limitadora de corriente interna, pero también podría usarse un
LED 'normal' con una resistencia limitadora de corriente externa adecuada.

Aunque los optoacopladores de fototransistor producen muchas veces la corriente producida por los tipos de fotodiodos,
la salida del fototransistor sigue siendo muy pequeña y, por lo tanto, el 2N3904 amplifica aún más. Además, el inversor
Schmitt 7414 proporciona un acondicionamiento adicional para hacer que la salida aumente y disminuya los tiempos de
forma muy rápida, y los niveles de voltaje y corriente son ideales para controlar los circuitos digitales HCT. Los voltajes que
se muestran en la figura 5.4.4 se tomaron del ejemplo de la placa de trabajo que se muestra en la figura 5.4.2.

Fig. 5.4.4 Circuito del sensor de proximidad opto

Sensor de objeto reflectante (proximidad)

Estos sensores ópticos funcionan de manera similar al opto sensor ranurado, pero se basan en la luz infrarroja reflejada
por un objeto (por ejemplo, una hoja de papel en una impresora) colocada a unos 2 mm a 8 mm del sensor para producir
una salida. La corriente producida por el sensor es incluso más pequeña que las corrientes de salida del interruptor
ranurado y, por lo tanto, también debe ser amplificada por una etapa de amortiguación del transistor para que sea útil,
como se muestra en la figura 5.4.4.

También se agrega un inversor Schmitt a la salida para garantizar cambios rápidos en el nivel lógico a medida que se
detecta un objeto reflectante dentro del rango de detección. Para evitar errores de detección, estos sensores funcionan
mejor en niveles bajos de luz ambiental, donde la única luz detectada por el fototransistor es la luz reflejada del LED
infrarrojo.

Observe también en ambos circuitos de conmutación que solo se está utilizando una fuente de alimentación, ya que el
aislamiento eléctrico entre entrada y salida normalmente es menos importante. La entrada a estos sensores es más ligera
que alguna propiedad eléctrica. La salida es lógica HCT, por lo que está adecuadamente acondicionada para la entrada a
muchas aplicaciones de computadora o circuito lógico. Los voltajes típicos se muestran en la figura 5.4.4 y los valores de
corriente en la tabla 5.4.2

Operación del circuito detector de proximidad

Fig. 5.4.5 Disposición del tablero de pruebas del sensor de proximidad opto

R1 es la resistencia limitadora de corriente para el LED infrarrojo y establece la corriente del LED (I F ) en aproximadamente
20 mA. La luz infrarroja producida se refleja desde un objeto (se usó papel de impresora blanco normal en las pruebas) y
cuando está en el rango de detección de aproximadamente 2 mm a 8 mm produce una corriente a través de R2 de hasta
aproximadamente 64 µA, cayendo a casi cero sin ningún objeto presente (y bajos niveles de luz ambiental).

Esta corriente es suficiente para encender el transistor amplificador búfer 2N3904 y su voltaje de colector cae de casi Vcc
a casi 0V.

Estos cambios dependen de la cantidad de luz reflejada en el sensor, por lo que puede no ser rápido cambiar y puede ser
de amplitud variable, sin embargo, el inversor Schmitt proporcionará una transición muy rápida de bajo a alto o de alto a
bajo en cualquier momento el voltaje del colector del transistor 2N3904 pasa los valores de umbral del inversor.

Cuando se requiere un solo sensor, el uso de solo 1 de 6 inversores en el 7414 IC puede parecer un desperdicio. El circuito
funcionará sin el inversor 7414, pero la conmutación es mucho menos definida y la salida es alta sin que exista un objeto
reflectante y baja cuando se produce la reflexión.

Para fines de prueba, se usó un LED rojo de 5V (con resistencia interna de limitación de corriente) para dar una indicación
clara del funcionamiento del circuito. Sin embargo, esto puede omitirse cuando el circuito se usa como entrada a otro
circuito, ya que esto reducirá considerablemente la corriente de suministro requerida, como se muestra en la Tabla 5.4.2.

El circuito de prueba original se muestra en la figura 5.4.5. Observe que el LED infrarrojo normalmente invisible se muestra
como luz visible (púrpura) en una cámara digital. También tenga en cuenta que como solo se está utilizando el inversor
conectado entre los pines 5 y 6 del IC, las otras cinco entradas no utilizadas en el 7414 IC están todas conectadas a 0V
para evitar que se inyecte ruido excesivo en el circuito.

MÓDULO 6.0
TIRISTORES
Paquetes de tiristores (SCR)

Fig. 6.0.1 Paquetes SCR típicos

Tiristor es un nombre general para varios dispositivos de conmutación de alta velocidad que se utilizan con frecuencia en
el control de alimentación de CA y la conmutación de CA / CC, incluidos triacs y SCR (rectificadores controlados de silicio).
El SCR es un tipo muy común de tiristor y en la Figura 6.0.1 se muestran varios ejemplos de paquetes SCR comunes. Hay
muchos tipos disponibles que pueden cambiar cargas de unos pocos vatios a decenas de kilovatios. El símbolo del circuito
para un SCR se muestra en la Figura 6.0.2. y sugiere que el SCR actúa básicamente como un diodo RECTIFICADOR DE
SILICIO , con las conexiones habituales de ánodo y cátodo, pero con un terminal de CONTROL adicional , llamado GATE.
De ahí el nombre Rectificador controlado de silicio.

Un voltaje de disparo aplicado a la puerta mientras el ánodo es más positivo que el cátodo activará el SCR para permitir
que la corriente fluya entre el ánodo y el cátodo.

Esta corriente continuará fluyendo, incluso si se quita el voltaje del disparador, hasta que la corriente del ánodo al cátodo
caiga a casi cero debido a influencias externas, como el circuito que se apaga, o la forma de onda de corriente CA que
pasa a través de cero voltios como parte de su ciclo.
Fig. 6.0.2 Construcción típica de SCR y símbolo de circuito

El rectificador controlado de silicio (SCR)

Los SCR, a diferencia de los rectificadores de unión PN de dos capas normales, consisten en cuatro capas de silicio en
una estructura PNPN, como se puede ver en la vista en corte de un SCR en la figura 6.0.2. La adición de la conexión de
compuerta a esta estructura permite que el rectificador pase de un estado de 'bloqueo directo' no conductor a un estado
de 'resistencia directa' de baja resistencia (véase también la figura 6.0.3). Por lo tanto, una pequeña corriente aplicada a la
puerta puede activar una corriente mucho mayor (también a un voltaje mucho más alto) aplicada entre el ánodo y el cátodo.
Una vez que el SCR está conduciendo, se comporta como un rectificador de silicio normal; la corriente de la puerta puede
eliminarse y el dispositivo permanecerá en un estado conductor.

El SCR se realiza mediante la aplicación del pulso de disparo al terminal de la puerta mientras que los terminales principales
del ánodo y el cátodo están polarizados hacia adelante. Cuando el dispositivo tiene polarización inversa, un pulso de
activación no tiene efecto. Para apagar el SCR, la corriente del ánodo al cátodo debe reducirse por debajo de un cierto
valor crítico de "corriente de retención" (cerca de cero).

Una aplicación común para los SCR es la conmutación de cargas de alta potencia. Son el elemento de conmutación en
muchos reguladores de luz domésticos y también se utilizan como elementos de control en fuentes de alimentación
reguladas o variables.

Fig. 6.0.3 Características SCR

Características SCR

La figura 6.0.3 muestra una curva característica típica para un SCR. Se puede ver que en la región de bloqueo inverso se
comporta de manera similar a un diodo; toda la corriente, aparte de una pequeña corriente de fuga, se bloquea hasta que
se alcanza la región de ruptura inversa, en cuyo punto se rompe el aislamiento debido a las capas de agotamiento en las
uniones. En la mayoría de los casos, la corriente inversa que fluye en la región de descomposición destruiría el SCR.
Sin embargo, cuando el SCR está polarizado hacia adelante, a diferencia de un diodo normal, en lugar de que la corriente
comience a fluir cuando se aplica un poco más de 0.6V, no fluye corriente aparte de una pequeña fuga de corriente. Esto
se llama modo de bloqueo directo, que se extiende a un voltaje relativamente alto llamado 'Voltaje de ruptura directa'. El
SCR normalmente funciona a voltajes considerablemente menores que la ruptura directa por sobretensión, ya que cualquier
tensión superior a la ruptura directa por sobretensión hará que la SCR se conduzca de manera incontrolada; El SCR exhibe
repentinamente una resistencia hacia adelante muy baja, permitiendo que fluya una gran corriente. Esta corriente está
'enganchada' y continuará fluyendo hasta que el voltaje a través del ánodo y el cátodo se reduzca a cero, o la corriente
directa se reduzca a un valor muy bajo, menor que la 'Corriente de retención' mostrado en la figura 6.0.3. Sin embargo, la
ruptura directa sobre la conducción puede ocurrir si el SCR se está utilizando para controlar un voltaje de CA (p. Ej., Red
o suministro de línea) y se produce un pico de voltaje repentino, especialmente si coincide con (o cerca de) el valor pico
de la CA. Si el SCR se empuja accidentalmente a la condición de ruptura hacia adelante, esto puede producir un aumento
repentino pero breve de la corriente máxima, lo que podría resultar desastroso para otros componentes en el circuito. Por
esta razón, es común encontrar que los SCR tienen algún método de supresión de picos incluido, ya sea dentro de la
construcción del SCR o como componentes externos que generalmente se denominan "circuito amortiguador".
especialmente si coincide con (o cerca de) el valor máximo de la CA. Si el SCR se empuja accidentalmente a la condición
de ruptura hacia adelante, esto puede producir un aumento repentino pero breve de la corriente máxima, lo que podría
resultar desastroso para otros componentes en el circuito. Por esta razón, es común encontrar que los SCR tienen algún
método de supresión de picos incluido, ya sea dentro de la construcción del SCR o como componentes externos que
generalmente se denominan "circuito amortiguador". especialmente si coincide con (o cerca de) el valor máximo de la CA.
Si el SCR se empuja accidentalmente a la condición de ruptura hacia adelante, esto puede producir un aumento repentino
pero breve de la corriente máxima, lo que podría resultar desastroso para otros componentes en el circuito. Por esta razón,
es común encontrar que los SCR tienen algún método de supresión de picos incluido, ya sea dentro de la construcción del
SCR o como componentes externos que generalmente se denominan "circuito amortiguador".

La forma correcta de activar el encendido del SCR es aplicar una corriente a la puerta del SCR mientras está operando en
la 'región de bloqueo hacia adelante', el SCR se 'dispara' y su resistencia hacia adelante cae a un nivel muy bajo. valor.
Esto produce una 'corriente de enclavamiento' que, debido a la baja resistencia hacia adelante del SCR en este modo,
permite que fluyan corrientes muy grandes (varios amperios) en la 'región conductora hacia adelante' sin apenas cambios
en el voltaje hacia adelante (aviso que la curva característica, una vez que se activa el SCR es prácticamente vertical). En
esta región, la corriente fluirá y puede variar, pero si la corriente directa cae por debajo del valor de "corriente de retención"
o el voltaje del ánodo al cátodo se reduce a muy cerca de 0 V, el dispositivo volverá a su región de bloqueo directo,
apagando efectivamente el rectificador hasta que se active una vez más. El uso de la puerta para activar la conducción de
esta manera permite controlar la conducción, lo que permite que el SCR se use en muchos sistemas de control de CA y
CC.

Fig. 6.0.4 El SCR 'Modelo de dos transistores.

Cómo funciona el SCR

El modelo de dos transistores SCR

La operación real del SCR puede describirse haciendo referencia a la figura 6.0.4 (a) y (b), que muestra diagramas
simplificados de la estructura del SCR con las capas y uniones P y N etiquetadas. Para comprender el funcionamiento de
un SCR, las cuatro capas del SCR pueden considerarse teóricamente como un pequeño circuito que comprende dos
transistores (uno PNP y un NPN) como se muestra en la figura 6.0.4 (b). Observe que la capa P2 forma el emisor de Tr1 y
la base de Tr2, mientras que la capa N1 forma la base de Tr1 y el colector de Tr2.

La condición 'Off'

En referencia a la Fig. 6.0.4 (c), sin señal de compuerta aplicada y la compuerta (g) con el mismo potencial que el cátodo
(k), cualquier voltaje (menor que la ruptura directa sobre el voltaje) aplicado entre el ánodo (a ) y el cátodo (k) para que el
ánodo sea positivo con respecto al cátodo no producirá una corriente a través del SCR. Tr2 (el transistor NPN) tiene 0v
aplicado entre la base y el emisor, por lo que no será conductor, y como su voltaje de colector proporciona la unidad base
para Tr1 (el transistor PNP), su unión de base / emisor se polarizará inversamente. Por lo tanto, ambos transistores están
apagados y no fluirá corriente (aparte de una pequeña corriente de fuga inversa) entre el ánodo SCR y el cátodo, y está
operando en su región de bloqueo hacia adelante.

Disparando el SCR

Cuando el SCR está operando en la región de bloqueo hacia adelante (ver las características del SCR en la figura 6.0.3),
si la puerta y, por lo tanto, la base de Tr2, ver la figura 6.0.4 (c) se hace positiva con respecto al cátodo ( también emisor
Tr2) mediante la aplicación de un pulso de activación de modo que se inyecte una pequeña corriente, típicamente de unos
µA a varios mA dependiendo del tipo de SCR, en la base Tr2, Tr2 se encenderá y su voltaje de colector caerá. Esto hará
que la corriente fluya en el transistor PNP Tr1 y un aumento rápido de voltaje en el colector Tr1 y, por lo tanto, en la base
Tr2. La unión del emisor base Tr2 se volverá aún más sesgada hacia adelante, activando rápidamente Tr1. Esto aumenta
el voltaje aplicado a la base Tr2 y mantiene la conducción de Tr2 y Tr1, incluso si el pulso o voltaje de activación original
que inició el proceso de encendido ahora se elimina.

La resistencia entre el ánodo y el cátodo cae a casi cero ohmios, de modo que la corriente SCR ahora está limitada solo
por la resistencia de cualquier circuito de carga. La acción descrita ocurre muy rápidamente, ya que la activación de Tr2
por Tr1 es una forma de retroalimentación positiva con cada colector de transistores que suministra grandes cambios de
corriente a la base del otro.

Como el colector Tr1 está conectado a la base Tr2, la acción de encender Tr1 conecta virtualmente la base Tr2 (el terminal
de puerta) al alto voltaje positivo en el ánodo (a). Esto asegura que Tr2 y, por lo tanto, Tr1 permanezcan conductores,
incluso cuando se elimina el pulso de activación. Para apagar los transistores, el voltaje a través del ánodo (a) y el cátodo
(k) debe tener su polaridad invertida, como sucedería en un circuito de CA en el momento en que el semiciclo positivo de
la onda de CA alcanza 0V antes de volverse negativo para la segunda mitad de su ciclo o, en un circuito de CC, la corriente
que fluye a través del SCR se desconecta. En cualquiera de estos casos, la corriente que fluye a través del SCR se reducirá
a un nivel muy bajo, por debajo del nivel de corriente de retención (que se muestra en la figura 6.0.3), por lo que las uniones
del emisor de base ya no tienen suficiente voltaje directo para mantener la conducción.

Fig. 6.0.5 Suministro SCR de bajo voltaje

Demostración de la operación SCR

Debido a que los SCR se usan normalmente para controlar cargas de alto voltaje y alta potencia, esto presenta un riesgo
considerable de descarga eléctrica para los usuarios en cualquier entorno experimental o educativo. Sin embargo, los
circuitos descritos en las siguientes páginas web del Módulo 6 están diseñados para demostrar los diversos métodos de
control utilizados con SCR que usan CA de bajo voltaje (12V RMS ) como se ilustra en la Fig. 6.0.5 en lugar de exponer al
usuario a los peligros de usar tensión de red (línea). Tenga en cuenta que los circuitos que se muestran en este módulo
están destinados únicamente a demostraciones de bajo voltaje, no como circuitos de control de trabajo para circuitos de
red (línea). Para ejemplos reales de trabajo, debe consultar las notas de aplicación producidas por los fabricantes de SCR.

La sección del circuito que contiene el SCR (un SCR C106M), junto con una resistencia limitadora de corriente 33R y una
lámpara de 12V 100mA se construye en una pequeña pieza de Veroboard (protoboard), que se puede conectar fácilmente
a una placa de prueba usando 'Blu Tack 'o adhesivo temporal similar, que permite construir varios circuitos de
accionamiento de forma experimental en la placa de pruebas. El SCR se suministra con CA a través de un interruptor de
doble polo y un transformador de aislamiento de 230V a 12V (un pequeño transformador de aislamiento médico es ideal)
con un fusible de 250mA en el circuito secundario, todo alojado en una caja de doble aislamiento.

Fig. 6.0.6 Circuitos de suministro SCR de bajo voltaje

Un rectificador de puente está contenido dentro de un recinto aislado con una resistencia bobinada 1K8 conectada a través
de la salida para garantizar que siempre haya algo de carga presente. Esto garantiza que las formas de onda de salida de
la salida rectificada de onda completa de 12 V se puedan mostrar de manera confiable en un osciloscopio. Estos circuitos
separados, ilustrados en la figura 6.0.6, están construidos de manera simple y comprenden un conjunto útil para demostrar
y experimentar con diferentes tipos de SCR u operación de suministro de energía a bajo voltaje.

MÓDULO 6.1
RECTIFICADORES CONTROLADOS DE SILICIO (SCR) EN CIRCUITOS DE CC
DC de conmutación de energía

Los tiristores se pueden usar para controlar cargas de CA o CC y se pueden usar para cambiar dispositivos de baja tensión
y baja corriente, así como corrientes muy grandes en voltajes de red (línea). En la figura 6.1.1 se ilustra un ejemplo simple
de un tiristor que controla una carga de CC, como un pequeño motor de CC. El motor aquí está conectado a un suministro
de 12V CC a través de un tiristor BT151, pero no funcionará hasta que el tiristor esté hecho para conducir. Esto se logra
cerrando momentáneamente el interruptor de "inicio", que proporciona un pulso de corriente al terminal de puerta del tiristor.
El motor ahora funciona cuando el tiristor se enciende y su resistencia ahora es muy baja.

Cuando el interruptor de arranque vuelve a su estado normalmente abierto, ya no hay corriente de puerta, pero el tiristor
continúa conduciendo, y en un circuito de CC, la corriente continuará fluyendo y el motor continuará funcionando. Cualquier
otra operación del interruptor de inicio ahora no tiene ningún efecto. El tiristor solo se apagará si el flujo de corriente se
reduce a un valor por debajo del umbral de corriente de retención del tiristor.

Esto se logra cortando el tiristor cerrando momentáneamente el interruptor de 'parada'. La corriente del circuito ahora fluye
a través del interruptor de parada en lugar de a través del tiristor, que se apaga instantáneamente, ya que la corriente SCR
ahora se reduce a menos que el valor de la corriente de retención. También se puede detener el motor mediante el uso de
un interruptor normalmente cerrado en serie con el tiristor, que cuando se presiona, también evitaría temporalmente el flujo
de corriente a través del tiristor el tiempo suficiente para que el tiristor se apague.

Aunque este circuito simple funciona, como se puede ver en el video que acompaña a la figura 6.1.1, no es difícil imaginar
formas más simples de encender y apagar un motor pequeño. Sin embargo, el principio es útil en situaciones como el uso
de una computadora para controlar un motor de CC. La pequeña corriente producida por la salida de la computadora se
utiliza para activar un tiristor (generalmente a través de un dispositivo optoacoplador para proporcionar aislamiento
eléctrico). El tiristor puede suministrar al motor u otro dispositivo cualquier valor de corriente más alto que se requiera. El
uso de un tiristor podría, con algunos circuitos adicionales apropiados, también permitir la conmutación remota de un
circuito o dispositivo, desencadenado, por ejemplo, por una señal de radio.

Fig. 6.1.1 Control DC usando un tiristor

Fig. 6.1.2 Protección contra sobretensión de la palanca.

Circuitos de palanca SCR

Otra operación de CC que utiliza tiristores es el circuito 'Crowbar', utilizado como dispositivo de protección contra
sobretensión. El circuito se llama palanca, ya que su acción es tan sutil como un golpe rápido con una palanca. Tales
circuitos a menudo pueden encontrarse evitando que los circuitos de suministro de energía emitan un voltaje más alto de
lo normal en condiciones de falla.

La idea básica es que si, por ejemplo, una falla en una línea de alimentación de CC hace que la salida se eleve por encima
de su valor de voltaje especificado, se detecta este 'sobrevoltaje' y provoca un SCR normalmente no conductor conectado
entre la salida de la fuente de alimentación y tierra para encender muy rápidamente. Esto puede tener diferentes acciones
de protección, la más simple de las cuales, como se ilustra en la Fig. 6.1.2 es quemar un fusible y desconectar
completamente la alimentación, lo que requiere la atención de un técnico de servicio para que el circuito vuelva a funcionar.
A menudo se elige como la opción más segura, ya que la causa del sobrevoltaje original debe examinarse y eliminarse
antes de permitir que el circuito vuelva a funcionar.

En la Fig. 6.1.2, la salida de un suministro regulado de 5V CC es detectada por D1, un diodo Zener de 6.2V, cuyo ánodo
se mantiene a un voltaje cercano a 0V por R1. Esta resistencia de 100Ω garantiza que, si la línea de suministro de 5 V se
eleva por encima de su límite especificado, fluye suficiente corriente a través del diodo Zener para proporcionar suficiente
corriente en la puerta SCR para encender el SCR. También se debe tener cuidado para garantizar que el SCR no se active
accidentalmente por picos de voltaje rápidos que aparecen en la línea de 5 V, debido, por ejemplo, a otros dispositivos de
conmutación en el circuito que se está suministrando. Por lo tanto, C1 está conectado entre la puerta y el cátodo del SCR
para reducir la amplitud de los pulsos de interferencia muy cortos, siempre que no existan el tiempo suficiente para cargar
C1 a un nivel lo suficientemente alto como para activar el SCR.

La razón para usar un tiristor para quemar el fusible es que los fusibles no se queman de inmediato, sino que funcionan al
soplar cuando fluye una corriente excesiva durante el tiempo suficiente para que el elemento fusible se caliente y se derrita.
Esto puede demorar lo suficiente para que el voltaje excesivo ya haya destruido varios componentes semiconductores. Sin
embargo, el tiristor tiene un tiempo de encendido muy rápido (aproximadamente 2 µs para el BT151), de modo que durante
el corto tiempo entre la sobretensión que se produce y el fusible fundido, toda la corriente de salida de la fuente de
alimentación fluirá a través del tiristor, en lugar de a través del circuito que se suministra.

Aunque los circuitos similares a la figura 6.1.2 se usan ampliamente, depender de fusibles para proteger los complejos
circuitos de semiconductores de bajo voltaje puede no proporcionar una protección adecuada. Sin embargo, un circuito
mejorado que puede evitar situaciones de sobretensión sin fundir fusibles, y que depende solo de la acción casi instantánea
de los semiconductores, se describe en nuestro Módulo 2.2 de fuentes de alimentación en reguladores de voltaje en serie.

MÓDULO 6.2
SCR EN CIRCUITOS DE CA
Control resistivo básico

Los tiristores se usan generalmente en circuitos de control de alimentación de CA, como atenuadores de luz, controles de
velocidad del motor de CA, calentadores, etc., donde los voltajes de la red (línea) se utilizan para cargas de muchos vatios,
o a menudo kilovatios. El objetivo del Control de CA es activar el SCR a la mitad de cada ciclo de CA para que la corriente
de carga a través del SCR se desconecte durante parte del ciclo de CA, restringiendo así la corriente promedio que fluye
a través del SCR y, por lo tanto, la potencia promedio entregada a la carga.

Fig. 6.2.1 Circuito de control resistivo básico

La forma más sencilla de lograr esto se ilustra en la figura 6.2.1, donde el tiristor se enciende mediante la aplicación de
una onda sinusoidal de bajo voltaje (derivada de la entrada de CA por una red de resistencia simple que contiene un
potenciómetro variable ) al terminal de puerta del SCR. Tenga en cuenta que debido a que la onda de entrada de la puerta
se deriva de la corriente alterna que fluye a través del SCR, consistirá solo en pulsos de media onda rectificados. El efecto
de esta onda de entrada es que el SCR se encenderá solo cuando la forma de onda de la puerta alcance el potencial de
disparo del SCR, lo que ocurre en la mitad de cada medio ciclo positivo de la onda de CA. Una vez que se enciende el
tiristor, continúa conduciéndose hasta que la onda de CA se reduce a poco más de cero voltios, cuando la corriente que
fluye entre el ánodo y el cátodo cae a un valor menor que umbral de 'retención de corriente' (que se muestra en el Módulo
de tiristores 6.0 Fig. 6.0.3) . El tiristor permanece en un estado no conductor durante el medio ciclo negativo de la onda de
CA, ya que ahora está polarizado en reversa (en modo de bloqueo inverso) durante el resto del ciclo de CA. Cuando
comienza el siguiente medio ciclo positivo, el tiristor permanece en un estado no conductor hasta que la forma de onda de
activación en el terminal de la puerta alcanza su potencial de disparo una vez más.

Fig. 6.2.2 Disparo resistivo SCR

El tiempo o el ángulo de fase en el que se activará el SCR se puede variar cambiando la amplitud de la forma de onda de
la puerta. Como se puede ver en la animación de la figura 6.2.2. cuanto menor es la amplitud de la señal de puerta, más
tarde se enciende el SCR. Por lo tanto, cambiar la amplitud de la forma de onda de disparo controla el tiempo de encendido
del SCR. Sin embargo, tenga en cuenta que, dado que un tiristor es básicamente un diodo rectificador que solo conduce
durante la mitad del ciclo de CA, un SCR solo puede entregar el 50% de la energía de CA disponible. Además, al usar esta
forma muy básica de control, el flujo de corriente a través del SCR solo se puede controlar durante la mitad del medio ciclo
positivo, que es una cuarta parte del ciclo completo de CA. Se puede ver que una vez que el tiempo de encendido alcanza
la amplitud máxima de la onda de CA, no se puede ajustar más,

Fig. 6.2.3 Control de CA utilizando resistencias

También se puede ver tanto en la animación como en el video de la figura 6.2.3, que cuando se usa el método resistivo
simple, el control no es muy lineal; inicialmente, la corriente a través del SCR cambia solo en una cantidad relativamente
pequeña, pero hay un cambio más rápido justo antes de que cese la conducción. Mire cuidadosamente el recuadro que
muestra la lámpara en el video; solo comienza a atenuarse visiblemente justo cuando el tiempo de conmutación se acerca
al valor máximo de la onda de CA.

Métodos de control SCR de onda completa

Fig. 6.2.4 Métodos de control SCR de onda completa

Control SCR de onda completa

La operación básica de SCR descrita anteriormente se puede mejorar considerablemente con algunas modificaciones
simples. Quizás el mayor inconveniente del control resistivo simple es que el rango de ajuste solo podría cubrir el 25% de
toda la onda de CA. Esto se debe a la acción del diodo del SCR que solo se realiza durante la mitad positiva de la onda de
CA. Para permitir la conducción durante la mitad negativa de la onda de CA, la CA se puede rectificar usando un rectificador
de onda completa, como se muestra en la figura 6.2.4 (a). Como las dos mitades de la onda AC ahora serán positivas, el
rango de ajuste ahora se mejora a casi el 50%. Una alternativa es usar un segundo SCR conectado en antiparalelo como
se muestra en la figura 6.2.4 (b) de modo que un SCR conduzca durante semiciclos positivos y el otro SCR durante
semiciclos negativos. Sin embargo, esta disposición paralela de SCR también se puede obtener simplemente usando un
único Triac en lugar de dos SCR.

Fig. 6.2.5 Circuito de demostración de control de fase SCR

Control de fase SCR

Para lograr el control de casi el 100% de la onda de CA, el control de fase simplemente reemplaza una de las resistencias
en el circuito de control resistivo con un condensador. Esto ahora convierte la red de resistencia en un filtro de paso bajo
variable que cambiará la fase de la onda de CA aplicada a la puerta. Los detalles de cómo funciona un filtro de paso bajo
se pueden encontrar aquí pero básicamente, los valores de C y R se eligen para que el ajuste de R1 proporcione un cambio
de fase de 0 ° a casi 90 °. Para que sea efectiva, la variación de R1 necesita dar un cambio suficiente en el comportamiento
del dispositivo de carga (en este caso, una lámpara de 12 voltios y 100 mA). Sin embargo, además de cambiar la fase de
la forma de onda de la puerta, el filtro RC también alterará la amplitud de la forma de onda de la puerta, por lo que la
amplitud de la forma de onda de la puerta también debe mantenerse por encima del potencial de disparo del tipo SCR
elegido, para cambiar tomar lugar. A partir de estas condiciones, se puede ver que el cálculo de los valores adecuados
para R y C para proporcionar un control adecuado, depende tanto de la fase como de la amplitud, por lo que puede volverse
bastante complejo. Por lo tanto, también es probable que sea necesaria alguna experimentación práctica con los valores
de R y C.
Fig. 6.2.6 Control de fase SCR

El video en la figura 6.2.6 muestra un circuito de trabajo que utiliza los valores de los componentes que se muestran en la
figura 6.2.5. Al observar el brillo de la lámpara junto con la forma de onda cambiante que se muestra en la imagen insertada,
se puede ver que el uso del control de fase proporciona un control mucho mejor en casi 180 ° de cada medio ciclo, en
comparación con el control resistivo simple.

Control de nivel SCR

Fig. 6.2.7 Control de nivel SCR

Otra forma de encender el SCR en la parte apropiada del ciclo de CA es aplicar un voltaje de CC a la puerta durante el
tiempo que se requiere que conduzca el SCR. Por lo tanto, la CC aplicada a la compuerta será un pulso de ancho variable
que tendrá un nivel de voltaje suficiente para provocar la conducción del SCR. Estos pulsos deben sincronizarse con la
onda de CA rectificada para que siempre comiencen y terminen en el momento correcto en relación con la forma de onda
de CA.

La animación en la figura 6.2.7 ilustra el método básico de activar un SCR usando el control de nivel. El SCR se activa
(enciende) durante un período durante cada medio ciclo de CA rectificado por un voltaje V g aplicado a la puerta SCR. El
SCR se apaga al final de cada medio ciclo a medida que el voltaje en el SCR cae cerca de cero, lo que también coincide
con el final del impulso de disparo V g . Los pulsos de CC pueden generarse digitalmente, utilizando una salida de
computadora o mediante un circuito de componentes discretos como el que se muestra a continuación en la figura 6.2.8,
que utiliza un monoestable basado en temporizador 555. Este circuito ofrece un método simple y económico para demostrar
la operación SCR utilizando solo voltajes bajos. Se utilizan dos fuentes de alimentación, el área sombreada de la figura
6.2.8 es la fuente de alimentación de demostración de CA descrita en el Módulo 6.0 de SCR , que aísla el circuito de
demostración de la fuente de alimentación (línea). La sección de control del circuito se debe suministrar con un voltaje de
CC de entre 5V y 12V. Esto puede ser de una fuente de alimentación de CC separada (p. Ej., Una 'Verruga de pared'), una
fuente dedicada regulada por IC, o una batería. La sección de control del circuito (negro) también está aislada de la sección
de CA (roja) por dos optoacopladores, IC1 e IC3. Debido a que este circuito ya está aislado de la tensión de red por T1,
parecería innecesario usar un segundo método de aislamiento en IC1. Sin embargo, la función principal de IC1 no es el
aislamiento en este caso, sino actuar como un detector de cruce por cero.
Fig. 6.2.8 Circuito de activación de nivel SCR

Fig. 6.2.9 Formas de onda de activación de nivel SCR

Circuito de demostración de activación de nivel

El circuito de la figura 6.2.8 enciende el SCR en un momento elegido por la configuración de VR1 durante cada medio ciclo
de CA positivo de la fuente de alimentación de bajo voltaje (forma de onda A). El SCR se apaga nuevamente cuando el
voltaje de CA rectificado se reduce a casi cero al final de cada medio ciclo. El circuito de control se basa en un circuito
integrado de 555 temporizadores que funciona en modo monoestable y dos optoacopladores 4N25 .

Además de aislar la circuitería 555 de la CA entrante, IC1 (4N25) proporciona un impulso de sincronización (forma de onda
B en la figura 6.2.9). Esto se logra al polarizar IC1 en modo de colector común para que su transistor de salida conduzca
la mayor parte de la entrada de CA de onda completa, produciendo un alto voltaje (5 V) en el pin 4, pero se apaga cuando
la onda de CA se acerca a 0 V, produciendo una salida de 0 V en el pin 4 de IC1. Estos pulsos se utilizan para activar el
555 monoestable (IC2) al comienzo de cada medio ciclo.
Cada vez que se activa IC2, su salida en el pin 3 se eleva por un tiempo establecido por la constante de tiempo creada por
la resistencia variable VR1 y el condensador de temporización C1. Observe que VR1 también está conectado en paralelo
con una resistencia de 27K R4. El propósito de esto es lograr una constante de tiempo más precisa de lo que es posible
usando solo los valores preferidos de VR1 y C1. También sería posible instalar una resistencia preestablecida en lugar de
R4 para obtener la duración exacta del impulso de disparo de alto nivel producido por IC2.

Fig. 6.2.10 Disparo de nivel SCR

Observe que el pulso de activación producido por IC2 (forma de onda C en la figura 6.2.9) se eleva de inmediato cuando
se recibe un pulso de sincronización, que activaría el SCR al comienzo del medio ciclo. Además, cuando el pulso del
disparador vuelve a estar bajo, esto no apagaría el SCR, continuaría conduciéndose hasta el final del medio ciclo; Esto no
es lo que se necesita. Sin embargo, la forma de onda C se invierte por la acción del optoacoplador IC3, porque su transistor
de salida está conectado en modo de emisor común. Por lo tanto, el SCR se activa durante el último período del semiciclo
de CA rectificado (forma de onda D en la figura 6.2.9). Observe que la forma de onda D no se parece a la inversa de la
forma de onda C porque, tan pronto como se activa el SCR, la entrada de la puerta (junto con el ánodo y el cátodo) sigue
la forma de la onda de CA rectificada desde el momento de la activación hasta el momento en que alcanza 0V.

Tenga en cuenta que el circuito de activación de nivel que se describe aquí y se muestra en funcionamiento en el video de
la figura 6.2.10 no tiene la intención particular de representar un circuito práctico para el control de alto voltaje, sino como
una pieza de demostración que permite estudiar el control de un SCR. Por lo tanto, este módulo brinda la oportunidad de
estudiar los modos de activación de SCR con mayor profundidad, utilizando la fuente de alimentación de CA de bajo voltaje
descrita en el Módulo 6.0 de SCR y construyendo los circuitos de activación en la placa de pruebas. Sin embargo, en la
práctica, existen algunos inconvenientes para nivelar la activación, que se pueden superar mediante el uso de disparo de
pulso.

Disparo de pulso SCR

El uso de la activación de nivel como se describió anteriormente tiene el inconveniente de crear corriente de compuerta
durante todo el período 'encendido' del SCR. Esto crea una corriente de compuerta innecesaria y, en aplicaciones de alta
potencia, puede aumentar el calor generado en la unión 2 del SCR, lo que a su vez puede reducir la confiabilidad a largo
plazo.

Una modificación del circuito que se muestra en la figura 6.2.8 se ilustra en la figura 6.2.11. Este circuito genera un solo
pulso estrecho (aproximadamente 4 µs de duración) para activar el SCR en el ángulo de disparo elegido, el SCR continúa
conduciéndose hasta que la corriente directa cae a menos del valor de la corriente de retención en alrededor de 0 V, lo
que reduce en gran medida la puerta promedio actual.
Fig. 6.2.11 Circuito de activación de pulso SCR

Cómo funciona el circuito de activación de pulso

La parte de la figura 6.2.11 que se muestra en gris pálido funciona de la misma manera que la descrita para la figura 6.2.8;
la salida de IC2 (el monoestable) consiste en pulsos positivos de ancho variable (forma de onda A qué se muestra en la
figura 6.2.12) donde el borde descendente de cada pulso define el ángulo de disparo del SCR. (Tenga en cuenta que en
el circuito de activación de nivel esta forma de onda se invierte antes de aplicarse a la puerta, de modo que el borde
descendente se convierte en un borde ascendente para activar el SCR). En la figura 6.2.11 antes de que se invierta la
salida de IC2, C3 y R5 la diferencian para producir una serie de pulsos estrechos positivos y negativos de 4 µs
correspondientes a los bordes ascendente y descendente de la forma de onda A. Estos pulsos estrechos se alimentan al
colector común (seguidor de emisor)transistor controlador Tr1 a través de R6. El diodo D2 en el emisor Tr1 elimina los
impulsos positivos (aparte de un pequeño residuo debido al potencial de unión directa del diodo).

Fig. 6.2.12 Formas de onda de activación de pulso SCR

Los pulsos de ida negativos (forma de onda B) en el emisor Tr1 son invertidos por el transformador de pulso 1: 1 T2
conectando T2 secundario en anti fase al primario T2 (observe los puntos del indicador de fase al lado de los devanados
primario y secundario) para producir positivo va disparando pulsos para el SCR. T2 también actúa como el aislador entre
el circuito de control de CC de bajo voltaje y el SCR de CA de alto voltaje. La figura 6.2.12 forma de onda C muestra la
forma de onda del cátodo SCR, el borde ascendente rápido correspondiente a la sincronización del impulso de disparo
entregado a la puerta a través de la resistencia limitadora de corriente R8; Esto reduce la corriente suministrada por cada
impulso de disparo a alrededor de 100 µA.
Tanto los circuitos de activación de nivel como de activación de pulso proporcionan activación y ajuste confiables en casi
todo el 360 ° de la onda de CA de 50Hz. Puede ser necesario algún ajuste de la constante de tiempo monoestable para la
operación de 60Hz. El nivel de voltaje de alimentación de CC no es crítico, entre aproximadamente 5V y 12V.

Fig. 6.2.13 SCR Formas de onda de cruce por cero

Conmutación sincrónica (cruce por cero)

Sin embargo, existe un problema con todos los métodos de control descritos anteriormente. La forma de onda de salida de
CA cuando se activa el SCR durante cada medio ciclo positivo de la onda de CA, tiene un tiempo de aumento muy rápido,
ya que la corriente a través del SCR cambia repentinamente de cero al valor instantáneo de la onda de CA. Cuando se usa
con un suministro de CA de 230 V, este cambio repentino puede ser de alrededor de 325 V (el valor máximo de la onda de
CA). La forma de onda también puede ser un pico triangular agudo si el SCR se enciende después de que se haya
producido el valor máximo de la onda. En cualquier caso, la forma de onda de voltaje de CA producida por la acción SCR
será rica en armónicos, que puede generar un nivel grave de interferencia electromagnética (emi) que causa problemas no
solo a otros circuitos conectados; la interferencia también puede irradiarse a otros dispositivos electrónicos cercanos como
interferencia de radiofrecuencia (rfi) ya que los armónicos producidos pueden extenderse bien en las bandas de
radiofrecuencia. Para evitar estos problemas, se pueden utilizar métodos de control alternativos. Uno de esos métodos,
llamado 'Conmutación sincrónica o de cruce por cero' es permitir que los tiristores solo se conmuten cuando la forma de
onda de la red eléctrica esté en o muy cerca de cero voltios. El tiristor se enciende durante varios ciclos y luego se apaga
nuevamente (a medida que el voltaje de CA pasa por 0 V) durante otro número de ciclos. La relación entre ciclos de
encendido y apagado se puede modificar para proporcionar una variación de la potencia promedio suministrada a la carga.
Fig. 6.2. 13 ilustra un método teórico para lograr la conmutación de cruce cero. Un circuito de demostración práctico se
muestra en la figura 6.2.14 y las formas de onda reales obtenidas del circuito se muestran en la figura 6.2.15.

La forma de onda A en la figura 6.2.15 muestra la forma de onda de 18Vpp 100Hz aplicada al circuito de cruce por cero
desde la fuente de alimentación de CA rectificada de onda completa y el rectificador de puente (sombreado en gris en la
figura 6.2.14).

La forma de onda B es una serie de pulsos de 5V, derivados del optoacoplador IC1. Como el transistor del optoacoplador
se enciende durante la mayor parte del semiciclo positivo de la entrada de CA, esto hace que el emisor sea alto, aparte de
un pulso estrecho, ya que el emisor cae de 5V a 0V cada vez que la entrada de CA cae a 0V. Por lo tanto, estos pulsos
están sincronizados con el punto de voltaje cero de la forma de onda A.

Sin embargo, como se necesitan impulsos de activación positivos para activar la SCR, Tr1 invierte los impulsos en B para
crear la forma de onda C.
La forma de onda D es la salida de un oscilador astable IC2 555 de funcionamiento libre, que produce pulsos cuadrados a
una frecuencia de repetición de pulso de aproximadamente 7Hz y un ciclo de trabajo variable ajustable por VR1. Esta forma
de onda se usa para controlar la relación de los tiempos de encendido y apagado del SCR. Como el SCR estará alto
(encendido) durante varios semiciclos de 100 Hz, luego bajo (apagado) durante varios semiciclos. La relación marca /
espacio de la onda cuadrada producida por IC2 es ajustable por VR1 para producir un tiempo de activación de entre
aproximadamente el 20% y el 90% del tiempo periódico de la salida astable. El funcionamiento de IC2 se describe con más
detalle en el módulo de osciladores 4.4.

Las salidas de Tr1 (forma de onda C) e IC2 (forma de onda D) se aplican a las dos entradas de la compuerta AND (IC3).
La salida de IC3 pasa a la lógica 1 solo cuando ambas entradas están en la lógica 1. Esto produce una serie de pulsos de
disparo positivos estrechos (forma de onda E) para disparar el SCR solo al comienzo de esos medios ciclos mientras la
forma de onda D es alta. Los impulsos de activación producidos se aplican a T2, un transformador de impulsos de
aislamiento 1: 1 a través del transistor controlador de seguidor de emisor Tr2. El devanado secundario de T2 aplica los
impulsos de disparo a la puerta del SCR a través de una resistencia limitadora de corriente R11 y el diodo D3. La forma de
onda de la puerta (forma de onda F) es prácticamente idéntica a la forma de onda de salida en el cátodo SCR ya que solo
hay una pequeña diferencia de voltaje entre la puerta y el cátodo del SCR.

Fig. 6.2.14 SCR Circuito de control de cruce por cero

* Nota de seguridad: en general, las resistencias de 0.25 vatios están bien para este diseño, pero si el circuito funciona
durante un tiempo prolongado sin suministro de CA, pero con el suministro de CC todavía encendido, existe la posibilidad
de que R11 (47R 0.25W) se sobrecaliente, ya que en estas condiciones pasará una corriente mayor debido a que la forma
de onda E es una versión de corriente más alta de la salida astable (forma de onda D). Para evitar el sobrecalentamiento,
R5 podría ser reemplazado por una versión de mayor potencia, ¡o preferiblemente los suministros de CA y CC siempre
deberían estar apagados cuando el circuito no está funcionando!

SCR formas de onda de cruce por cero AB CD de formas de onda de cruce por cero SCR SCR formas de onda de cruce
por cero EF
Fig. 6.2.15 Formas de onda Fig. 6.2.14 Circuito

Fig. 6.2.16 SCR Circuito de tablero de prueba de cruce por cero

Operación del circuito de cruce cero de SCR

Este circuito de demostración utiliza nuevamente el suministro de CA rectificado de onda completa de bajo voltaje (12V
RMS ) descrito anteriormente y sombreado en gris en la figura 6.2.14.

Fig. 6.2.14. utiliza dos métodos diferentes de aislamiento y demuestra cómo se puede lograr el método de control de cruce
por cero utilizando componentes estándar. No pretende representar ninguna solución particular disponible comercialmente,
ni representa el mejor método disponible. El propósito de los circuitos de accionamiento de puerta SCR discutidos en este
módulo es proporcionar demostraciones útiles de técnicas de accionamiento comúnmente utilizadas y un entorno de bajo
voltaje para la experimentación relevante. Se pueden construir de forma económica en una placa de pruebas estándar o
una placa de tiras como se muestra en la figura 6.2.16 para que sirvan como demostraciones útiles o como proyectos de
estudiantes. Se utilizan voltajes bajos en estos proyectos para mantener un entorno más seguro, pero learnabout-
electronics.org no afirma ni sugiere que ningún circuito electrónico sea totalmente seguro,

El video en la figura 6.2.17 muestra el efecto del control de cruce por cero cuando se usa para atenuar una lámpara.
Observe el parpadeo pronunciado que se produce cuando el SCR se enciende y apaga a bajas frecuencias, lo que
demuestra que esta solución, al tiempo que elimina un problema de control SCR (interferencia) produce otro: la baja
velocidad de conmutación y el parpadeo asociado. Sin embargo, aunque esto puede ser un problema para aplicaciones de
iluminación, no lo es para aplicaciones con valores que cambian lentamente, como el control de calefacción. Por lo tanto,
el cruce por cero puede ser efectivo para controlar la temperatura variando la potencia promedio suministrada a un
elemento calefactor.
Además, debido a la ausencia de picos de voltaje que cambian rápidamente en el control de cruce por cero, es más
adecuado para usar con cargas inductivas que los circuitos de accionamiento que cambian durante el ciclo de CA.

Fig. 6.2.17 Control de Cruce Cero SCR.

MÓDULO 6.3
TRIACS Y DIACS
El triac

Fig. 6.3.1 Paquetes de triac

La figura 6.3.1 muestra algunos paquetes típicos de triac junto con el símbolo de circuito para un triac. El triac es un tiristor
bidireccional, similar en operación a dos SCR conectados en paralelo inverso, pero usando una conexión de puerta común.
Por lo tanto, el triac puede conducir y ser controlado durante los semiciclos positivos y negativos de la forma de onda
principal. Sin embargo, en lugar de tener conexiones positivas de ánodo y cátodo negativo, las conexiones principales de
transporte de corriente del triac normalmente están etiquetadas como MT1 y MT2, que significan los terminales principales
1 y 2 (aunque se pueden usar otras letras) ya que cualquiera de los terminales puede ser positivo o negativo. El triac se
puede activar en la conducción mediante un pulso de corriente aplicado al terminal de puerta (G). Una vez activado, el triac
continuará conduciendo hasta que la corriente principal se reduzca por debajo del umbral de retención de corriente cercano
a cero.
Fig. 6.3.2 Características del triac

La figura 6.3.2 ilustra las características principales del triac.

 VBO es el voltaje máximo directo o inverso que el triac puede tolerar antes de que se rompa en una conducción
no controlada.
 VDRM es el voltaje máximo repetitivo máximo (generalmente el voltaje máximo máximo de la onda de CA aplicada)
que se puede tolerar de manera confiable.
 VGT es un rango de voltajes de puerta que activará la conducción.
 IL es la corriente mínima que hará que el triac se trabe y continúe conduciendo después de que se elimine el voltaje
de activación de la puerta.
 IH es la corriente de retención mínima por debajo de la cual un triac conductor dejará de conducir.

Cuadrantes Triac

Fig. 6.3.3 Cuadrantes triac

Debido a que la corriente o pulso de activación utilizada para activar el triac, puede aplicarse mientras el terminal MT2 es
positivo o negativo, y la corriente o pulso de activación también puede ser positiva o negativa, hay cuatro formas diferentes
de activar el triac. Por lo general, se describen como "Cuadrantes" como se muestra en la Fig. 6.3.3

La mayoría de los triacs se pueden activar en cualquiera de los cuatro cuadrantes, y se necesitan dos de los cuatro posibles
cuadrantes para activar la conducción durante los dos medios ciclos (positivo y negativo) de la onda de CA.
Los cuadrantes I y III o los cuadrantes II y III son los métodos preferidos de activación, ya que el cuadrante IV es mucho
menos sensible a la activación debido a la forma en que se construye el diac. Entonces, si el cuadrante IV se usa con
cualquiera de los otros tres cuadrantes, los semiciclos positivos y negativos necesitarían diferentes valores de corriente de
activación, creando una complicación innecesaria. Además, si se dispara un triac en el cuadrante IV, se reduce su
capacidad de manejar cualquier cambio rápido de corriente (δI / δt), lo que hace que el triac sea más susceptible al daño
por eventos tales como picos de corriente alta aleatorios y las inevitables corrientes de alta corriente cuando las lámparas
de incandescencia están encendidas.

Un objetivo importante en muchos diseños modernos es combatir los picos de voltaje potencialmente dañinos y reducir la
tendencia del triac a reactivarse durante la parte apagada de un ciclo. Esto sucede durante cada ciclo de CA entre el
momento en que la corriente cae por debajo de la corriente de retención del tiristor y antes del siguiente impulso de disparo.
Aunque normalmente no es un problema cuando el triac está impulsando una carga resistiva, como una lámpara
incandescente, cuando se usa con cargas inductivas como motores, el voltaje de carga y la corriente de carga
probablemente no estarán 'en fase' entre sí, por lo que el voltaje puede en realidad estar cerca de su valor máximo cuando
la corriente cae a cero, (como se describe aquí) causando un cambio grande y rápido en el voltaje a través del triac que
puede hacer que el triac se vuelva a disparar instantáneamente y, por lo tanto, se vuelva a encender para que se pierda el
control.

Los triacs estándar se han utilizado para el control de CA durante muchos años, pero durante ese tiempo el rango de
diferentes diseños de triac ha aumentado enormemente. Los diseños modernos de triac como los triacs 3Q HIGH-COM (3
cuadrantes, alta conmutación) de NXP / WeEn y los triacs Snubberless TM de ST Microelectronics tienen muchas ventajas,
como un rendimiento mejorado, menos disparos falsos, usabilidad con cargas resistivas e inductivas y un interruptor
mejorado desactiva las capacidades sin la necesidad de circuitos adicionales como amortiguadores. El acondicionamiento
de entrada adicional también es una característica de algunos diseños, incluido el acondicionamiento de pulso de puerta
como detectores de cruce por cero y entradas de nivel lógico, etc.

Como muchas funciones de control ahora se llevan a cabo utilizando microprocesadores y / o circuitos lógicos, también
hay muchos triacs que aceptan señales lógicas para disparar en lugar de depender únicamente de las técnicas tradicionales
de control de fase. Uno de estos triac es el triac 6073A Sensitive Gate de ON Semiconductor, que se utiliza en el circuito
de demostración de bajo voltaje en el módulo 6.4 de tiristores.

Figura 6.3.4. El opto triac

Opto Triac

Los materiales utilizados en la fabricación de Triacs y SCR, como cualquier dispositivo semiconductor, son sensibles a la
luz. Su conducción cambia por la presencia de la luz; Es por eso que normalmente se empaquetan en pequeños trozos de
plástico negro. Sin embargo, si se incluye un LED dentro del paquete, puede encender la salida del dispositivo de alto
voltaje en respuesta a una corriente de entrada muy pequeña a través del LED. Este es el principio utilizado en Opto-Triacs
y Opto-SCR, que están fácilmente disponibles en forma de circuito integrado (IC) y no necesitan circuitos muy complejos
para que funcionen. Simplemente proporcione un pequeño pulso en el momento adecuado para iluminar el LED
incorporado y la alimentación se enciende. La principal ventaja de estos dispositivos activados ópticamente es el excelente
aislamiento (típicamente varios miles de voltios) entre los circuitos de baja y alta potencia. Esto proporciona un aislamiento
seguro entre un circuito de control de bajo voltaje y una salida de alta corriente de alto voltaje. Aunque la corriente de salida
de los opto triacs generalmente se limita a decenas de miliamperios, proporcionan una interfaz útil cuando la salida se
utiliza para activar un triac de alta potencia desde un opto triac de bajo voltaje.
El diac

Fig. 6.3.5 DB3 Diac y símbolo de circuito

El diac es un diodo de activación bidireccional (ver Fig. 6.3.5) que se ha utilizado durante muchos años como el principal
componente de activación para triacs estándar. Bloquea el flujo de corriente cuando un voltaje aplicado a través de él es
menor que su ruptura sobre el potencial V BO (ver Fig. 6.3.6), pero conduce fuertemente cuando el voltaje aplicado es
igual a V BO . Sin embargo, a diferencia de otros diodos que conducen solo en una dirección, el diac tiene una ruptura de
voltaje similar en ambas direcciones, positiva o negativa. Una vez que el voltaje de CA aplicado al diac alcanza ya sea + V
BO o -V BO, se produce un pulso de corriente positivo o negativo. La ruptura sobre el potencial para diacs es típicamente
alrededor de 30 a 40 voltios. Esta acción hace que los diacs sean particularmente útiles para disparar triacs en circuitos de
control de CA debido a su capacidad para disparar el triac durante el semiciclo positivo o negativo de la forma de onda de
la red (línea). Su símbolo de circuito (que se muestra en la figura 6.3.5) es similar al de un Triac, pero sin el terminal de
puerta.

Fig. 6.3.6 Características típicas de Diac.

Las características de Diac ilustradas en la figura 6.3.6 muestran que a voltajes por debajo de V BO el diac tiene una alta
resistencia (la curva característica es casi horizontal, lo que indica que solo hay una pequeña corriente de fuga de unos
pocos µA que fluye, pero una vez + V BO o -V BOCuando se alcanza, el diac exhibe una resistencia negativa. Normalmente,
la ley de Ohm establece que un aumento en la corriente a través de un componente con un valor fijo de resistencia, provoca
un aumento en el voltaje a través de ese componente; Sin embargo, el efecto opuesto está sucediendo aquí, el diac exhibe
resistencia negativa en la ruptura, donde la corriente aumenta bruscamente, aunque el voltaje en realidad se está
reduciendo. El modo de resistencia negativa dura un período de aproximadamente 2 µs, momento en el cual el voltaje
directo se ha reducido a aproximadamente 5 V y el diac está pasando una corriente de 10 mA. Esta acción es bastante
simétrica (aunque no exactamente) en las regiones positivas (+ V) o negativas de las características.

Figura 6.3.7. El Triac activado internamente (Quadrac)

Triac activado internamente (Quadrac)

Hay muchos menos tipos de diac disponibles de los proveedores de componentes que los triacs. También es más fácil
seleccionar el diac ideal para activar un triac particular cuando ya está integrado en el paquete. Tal es el caso con el
"Quadrac" o Triac activado internamente ilustrado en la figura 6.3.7. Estos dispositivos también reducen el recuento de
componentes y el espacio de PCB.

Triacs de puerta sensible

Los triacs que dependen de un diac para disparar tienen un inconveniente para muchas aplicaciones modernas de bajo
voltaje. El voltaje requerido para que el diac produzca un impulso de disparo debe ser al menos igual o mayor que su
potencial de ruptura (V BO ) y esto es aproximadamente 30V o más. Sin embargo, hay triacs disponibles, Sensitive Gate
Triacs, que pueden ser activados por voltajes mucho más bajos, dentro del rango de dispositivos TTL, HTL, CMOS y OP
AMP, así como salidas de microprocesador.

En el módulo 6.4 de tiristores se muestra un circuito de demostración para conducir un triac de puerta sensible .

Prueba de tiristores, triacs y diacs.

Hay muchas páginas en Internet que ofrecen métodos para probar SCR y triacs utilizando un multímetro. Básicamente
implican verificar la resistencia del dispositivo que se está probando para determinar si es o no circuito abierto. La medición
de la resistencia entre el ánodo y el cátodo de un SCR o entre los dos terminales principales de un triac debe indicar una
resistencia muy alta cuando se mide en cualquier dirección cambiando las sondas del medidor.

En ambas pruebas, el medidor debe registrar resistencias fuera de rango (generalmente indicado por la pantalla que
muestra '1' o 'OL') también llamado resistencia infinita o infinita. Se pueden realizar pruebas de resistencia similares
midiendo la resistencia, nuevamente en ambas direcciones, entre la puerta de un SCR y su cátodo, o la puerta y el MT1
en un triac, y deberían indicar una resistencia mucho menor, pero no cero ohmios.

Si cualquiera de estas cuatro pruebas produce una lectura de cero ohmios, se puede suponer que el componente está
defectuoso; sin embargo, si los resultados no muestran fallas, esto PROBABLEMENTE significa que el componente está
bien. Las pruebas de resistencia en estos componentes de alto voltaje son de uso limitado y solo se pueden confiar como
una guía simple; no muestran que el dispositivo se activará con el voltaje correcto o que la corriente de retención es
correcta. Los SCR y los Triacs generalmente operan a voltaje de línea (línea) y cuando fallan, los resultados pueden ser
dramáticos. Al menos, la fusión violenta de un fusible será el resultado habitual de un cortocircuito SCR o triac. Sin embargo,
es bastante posible que estos dispositivos estén defectuosos y no muestren ningún síntoma de falla en una prueba de
ohmímetro. Pueden parecer correctos con los bajos voltajes utilizados en los medidores de prueba, pero aún fallan en
condiciones de voltaje de red.

El método normal de prueba en equipos que usan SCR o triacs sería la verificación de voltajes y formas de onda si el
circuito estaba funcionando, o la sustitución de una parte sospechosa cuando el daño (por ejemplo, fusibles quemados) es
aparente. En muchos casos, los componentes de las fuentes de alimentación o los circuitos de control de alto voltaje de
los equipos fabricados se denominarán "componentes críticos de seguridad" y solo se deben reemplazar utilizando los
métodos y componentes recomendados por los fabricantes. Es común que los fabricantes especifiquen "kits de servicio"
completos de varios dispositivos semiconductores y posiblemente otros componentes asociados, todos los cuales deben
ser reemplazados, ya que la falla de un dispositivo de control de potencia puede dañar fácilmente otros componentes de
una manera que no siempre es obvia en el momento de la reparación.

MÓDULO 6.4
CIRCUITOS TRIAC
Circuito básico de atenuación diac-triac

En la figura 6.4.1 se muestra un circuito básico de control de potencia que utiliza un triac y un diac. El condensador C1 se
carga a través de la resistencia variable que comprende R1 y R2, en dirección positiva o negativa alternativamente por el
voltaje de entrada de CA. Los impulsos de corriente creados por el diac cada vez que el voltaje del capacitor (V C ) alcanza
el potencial de ruptura positivo o negativo sobre el diac (+/- V BO ) se utilizan para activar un triac. El tiempo (o ángulo de
fase) en el que esto sucede dependerá de qué tan rápido se cargue el voltaje a través del capacitor de carga C1 en la
figura 6.4.1. Esto es controlado por la resistencia variable R2 y crea un método variable de 'Control de fase’ similar al
descrito en el Módulo 6.2 de SCR para la activación de SCR.

La forma de onda de la red de CA se retrasa efectivamente o cambia de fase por el circuito RC para que el diac se active
por una descarga de corriente del condensador C1 a la puerta del triac. El triac luego conduce durante el resto del medio
ciclo de la red, y cuando la tensión de la red pasa a cero se apaga. En algún momento del siguiente medio ciclo (negativo),
el voltaje en C1 alcanza un corte por sobre voltaje en la polaridad opuesta y el diac nuevamente conduce, proporcionando
un pulso de disparo apropiado para encender el triac. Al variar el punto en la forma de onda en el que se dispara el triac
de esta manera, se puede variar la cantidad de energía entregada a la carga.

Fig.6.4.1 Circuito básico de control de fase triac

Control de cambio de fase

Usando un diseño básico como el que se muestra en la figura 6.4.1, el ajuste de la potencia de salida es posible variando
la cantidad de cambio de fase producida por la red de cambio de fase RC R (que comprende R1 y R2) y C1. A medida que
R2 se ajusta, la resistencia total (R) variará entre 3.3K ohmios cuando R2 esté en cero ohmios, y 253.3K cuando R2 tenga
la máxima resistencia y produzca un cambio de fase de casi 90 °.

El valor de C1 se elige de modo que cuando se carga al menos hasta la ruptura del voltaje del diac (V BO ), puede
suministrar suficiente corriente para que el diac active el triac sin estar totalmente descargado. Sin embargo, a medida que
el cambio de fase de la forma de onda de CA a través de C1 aumenta hacia 90 °, la amplitud de la onda de fase cambiada
disminuirá (como se puede ver al comparar las figuras 6.4.2. Y 6.4.3) pero su amplitud mínima debe aún será igual o mayor
que V BO .

El valor de R1 se elige para dar solo unos pocos grados de cambio de fase cuando R2 se ajusta a cero ohmios, y el valor
máximo de R2 se selecciona de modo que junto con R1, la cantidad de cambio de fase producida sea tan cercana a 90 °
como posible sin dejar que el voltaje pico a pico de la forma de onda V C caiga por debajo de + V BO y -V BO .

Potencia máxima (R 2 a resistencia mínima)

Fig.6.4.2 Formas de onda con resistencia mínima

Las formas de onda típicas para el circuito de control de fase triac en la figura 6.4.1 se muestran en la figura 6.4.2 y la
figura 6.4.3. La Figura 6.4.2 muestra el voltaje de suministro (V S ) y el voltaje de fase desplazada (V C ) que aparece a
través del condensador C1 cuando R2 se establece en la resistencia mínima. Tenga en cuenta que hay muy poca diferencia
entre V S y V C . La forma de onda azul (V C ) tiene aproximadamente la misma amplitud que V S (se muestra en verde),
y el desplazamiento de fase no es mucho mayor que 0 °. Pase el mouse de la PC sobre la figura 6.4.2 (o "toque" en una
pantalla táctil) para ver el efecto en la forma de onda de salida.

La forma de onda de salida del triac (púrpura) muestra que el triac se dispara temprano en el semiciclo positivo en el punto
donde V C = + V BO (la ruptura positiva sobre el voltaje del diac), que será aproximadamente + 30V, dependiendo del diac
utilizado . En este punto, el capacitor C descargará corriente al diac, causando un pulso positivo en la puerta del triac. El
triac se enciende y la forma de onda de salida es prácticamente idéntica a la tensión de alimentación V S (aparte de la
caída de voltaje muy pequeña a través del triac) hasta que V S vuelve a 0 V al final del medio ciclo positivo cuando, porque
la corriente pasa el triac ahora es menor que la corriente de retención del triac, el triac se apaga.

Poco tiempo después, el triac se enciende nuevamente cuando V C = -V BO (el corte negativo de voltaje sobre el voltaje,)
a aproximadamente -30 V, C descarga corriente al diac y el triac se enciende una vez más. El resultado es que la forma
de onda de salida es prácticamente la misma que la forma de onda de entrada, aparte de dos cortos períodos de tiempo
alrededor del tiempo en que la forma de onda pasa a través de cero voltios. Por lo tanto, esto aplica la potencia máxima a
la carga, que será indistinguible de aplicar todo el potencial de red (línea) a la carga.

Mínimos de alimentación (R 2 en resistencia máxima)

Fig.6.4.3 Formas de onda con resistencia máxima

La figura 6.4.3 muestra las formas de onda de control de fase relacionadas con la figura 6.4.1 con R2 a la resistencia
máxima (250 KΩ). Aquí, la red RC (R1 + R2) C ha provocado un cambio de fase de casi 90 °, pero ha reducido la amplitud
de Vc de modo que todavía es suficiente para hacer que los picos de la onda alcancen V BO para que el triac aún pueda
disparado Al observar la onda de salida (pasar el mouse o tocar la Fig. 6.4.3) se puede ver que cuando el voltaje del
condensador V C coincide con -V BO cerca del final de un semiciclo negativo de V S, se dispara el triac y la tensión de
salida triac toma el valor instantáneo de V S . Como V Sya está cerca de cero voltios, el triac se apaga nuevamente cuando
su corriente cae por debajo de la corriente de retención (I H ) a cero. El triac permanece en su estado apagado hasta que
se activa una vez más cuando V C coincide con + V BO , por lo que comienza otro pulso muy corto, pero esta vez positivo
al final del medio ciclo positivo. Por lo tanto, el gasto triac está en su condición mínima.

Fig. 6.4.4. Eliminando la histéresis en atenuadores triac

Problemas de histéresis

Sin embargo, hay un problema con este circuito de activación básico, aunque se usa ampliamente en muchos reguladores
de lámparas domésticos. El problema ocurre porque cuando C1 se descarga parcialmente en el diac, quedará algo de
carga en C1 y cuando VS pasa a través de cero y comienza a cargar C1 en la polaridad opuesta, esta carga restante se
opondrá a la acumulación de la carga de polaridad opuesta en C1. Por lo tanto, la activación durante el próximo medio
ciclo se retrasará, causando ángulos de conducción desiguales, especialmente durante los ciclos de encendido inicial de
la forma de onda de la red. Este efecto de histéresis causa una diferencia entre la cantidad de conducción que ocurre en
los semiciclos positivos y negativos, lo que también significa que la onda de CA en la salida del triac no estará centrada en
cero voltios, sino que tendrá un componente de CC variable y no deseado.

Sin embargo, este efecto de histéresis se puede eliminar utilizando el circuito de una nota de aplicación detallada de
Littelfuse que se muestra en la figura 6.4.4. Aquí el condensador C1 se descarga completamente cada vez que V S pasa
por cero. Si la carga en la placa superior de C1 es positiva y el punto X está a cero voltios, C1 se descargará a 0V a través
de D3 y R4. Si la carga en C1 es negativa cuando X = 0V, C1 se descargará a través de D1 y R3. Cuando el punto X es
positivo o negativo, C1 no se puede cargar a través de D1 o D3 ya que los voltajes en la parte inferior de R3 y R4 se
mantendrán dentro de aproximadamente +/- 0.6V de cero debido al voltaje de conducción directa de D2 (durante el medio
ciclo positivo) o D4 (durante el medio ciclo negativo). Por lo tanto, C1 siempre se carga a través de R1 y R2.

Tenga en cuenta que en los circuitos de control prácticos que utilizan tiristores, triacs y diacs, los voltajes grandes se
conmutan muy rápidamente. Esto puede dar lugar a graves interferencias de RF, y se deben tomar medidas en el diseño
del circuito para minimizar esto. Además, como el voltaje de la red (línea) está presente en el circuito, debe haber algún
tipo de aislamiento seguro entre los componentes de control de bajo voltaje (por ejemplo, los circuitos Diac y de cambio de
fase) y los componentes de la red 'en vivo', por ejemplo, el triac y la carga. Esto se puede lograr fácilmente mediante el
"Opto acoplamiento" de un circuito de control de bajo voltaje a la parte de control de potencia de alto voltaje del circuito, y
/ o utilizando componentes aislantes como los transformadores de pulso especialmente diseñados como se describe en el
Módulo 6.2 SCR

Disparando un Triac de puerta sensible

Fig. 6.4.5 Activación de un Triac Sensitve Gate

Fig. 6.4.6 Disparo de un triac de puerta sensible

El circuito de la figura 6.4.5 demuestra un control de atenuador de bajo voltaje al activar un triac de puerta sensible
SN6073A en los cuadrantes II y III. El control se logra en prácticamente 180 ° de los semiciclos positivos y negativos de la
onda como se muestra en el video Fig. 6.4.6. y las formas de onda del circuito en la figura 6.4.7.

La figura 6.4.5 utiliza una variación de las técnicas de activación de bajo voltaje demostradas para la activación de SCR en
el módulo de tiristores 6.2, pero esta vez activa un triac de puerta sensible, que se activa desde un circuito analógico de
bajo voltaje que comprende un detector de cruce por transistor cero (Tr1), que se apaga cada vez que la forma de onda A
cae cerca de 0 V, produciendo una serie de pulsos positivos en su colector (forma de onda B), coincidiendo con los puntos
de cruce de onda de CA cero. Estos pulsos son invertidos por un amplificador inversor (Tr2) para producir pulsos de
sincronización negativos (forma de onda C) que se utilizan para activar un retardo variable monoestable (555 temporizador
IC1) para producir pulsos cuadrados de ancho variable que tienen un ancho (y, por lo tanto, un retraso de tiempo) controlado
por VR1. Los pulsos cuadrados producidos por IC2 están condicionados por un diferenciador C5 / R8 para producir pulsos
estrechos positivos y negativos (forma de onda D). Estos pulsos son amplificados por un amplificador de corriente (seguidor
de emisor) Tr3 y D2 elimina la parte positiva no deseada de la forma de onda. Los pulsos negativos resultantes conducen
la puerta del triac a través de un transformador de pulso de aislamiento T2 (forma de onda E). Todo el circuito de disparo
se alimenta de una fuente de 12 V CA derivada del transformador de aislamiento T1. El puente rectificador BR1 suministra
una forma de onda de media onda de 100Hz para el detector de cruce cero y un suministro estabilizado de 5V CC a través
de D1 e IC1, eliminando la necesidad de un segundo suministro de CC de bajo voltaje. La figura 6.4.7 también muestra las
formas de onda de salida del triac a potencia máxima (F) y potencia mínima (G). Estos pulsos son amplificados por un
amplificador de corriente (seguidor de emisor) Tr3 y D2 elimina la parte positiva no deseada de la forma de onda. Los
pulsos negativos resultantes conducen la puerta del triac a través de un transformador de pulso de aislamiento T2 (forma
de onda E). Todo el circuito de disparo se alimenta de una fuente de 12 V CA derivada del transformador de aislamiento
T1. El puente rectificador BR1 suministra una forma de onda de media onda de 100Hz para el detector de cruce cero y un
suministro estabilizado de 5V CC a través de D1 e IC1, eliminando la necesidad de un segundo suministro de CC de bajo
voltaje. La figura 6.4.7 también muestra las formas de onda de salida del triac a potencia máxima (F) y potencia mínima
(G). Estos pulsos son amplificados por un amplificador de corriente (seguidor de emisor) Tr3 y D2 elimina la parte positiva
no deseada de la forma de onda. Los pulsos negativos resultantes conducen la puerta del triac a través de un transformador
de pulso de aislamiento T2 (forma de onda E). Todo el circuito de disparo se alimenta de una fuente de 12 V CA derivada
del transformador de aislamiento T1. El puente rectificador BR1 suministra una forma de onda de media onda de 100Hz
para el detector de cruce cero y un suministro estabilizado de 5V CC a través de D1 e IC1, eliminando la necesidad de un
segundo suministro de CC de bajo voltaje. La figura 6.4.7 también muestra las formas de onda de salida del triac a potencia
máxima (F) y potencia mínima (G). Todo el circuito de disparo se alimenta de una fuente de 12 V CA derivada del
transformador de aislamiento T1. El puente rectificador BR1 suministra una forma de onda de media onda de 100Hz para
el detector de cruce cero y un suministro estabilizado de 5V CC a través de D1 e IC1, eliminando la necesidad de un
segundo suministro de CC de bajo voltaje. La figura 6.4.7 también muestra las formas de onda de salida del triac a potencia
máxima (F) y potencia mínima (G). Todo el circuito de disparo se alimenta de una fuente de 12 V CA derivada del
transformador de aislamiento T1. El puente rectificador BR1 suministra una forma de onda de media onda de 100Hz para
el detector de cruce cero y un suministro estabilizado de 5V CC a través de D1 e IC1, eliminando la necesidad de un
segundo suministro de CC de bajo voltaje. La figura 6.4.7 también muestra las formas de onda de salida del triac a potencia
máxima (F) y potencia mínima (G).
Fig. 6.4.7 Formas de onda de salida y activación de Triac de puerta sensible.

MÓDULO 6.5
PROTECCIÓN TIRISTOR
Protección tiristor
Los tiristores generalmente operan en condiciones de alta tensión y alta corriente. Al controlar los suministros de CA, los
SCR o los triacs pueden verse afectados y dañados por una variedad de condiciones de sobrevoltaje y / o sobre corriente
que ocurren aleatoriamente. Por lo tanto, los circuitos que usan tiristores normalmente usarán una variedad de dispositivos
de seguridad para proteger los circuitos controlados por un SCR o un triac contra daños. Además, como la acción del tiristor
también puede causar interferencia eléctrica, es posible que también se deban tomar medidas para minimizar esto.

Varias de estas características de seguridad que también se encuentran en los relés de estado sólido (SSR) se describen
en el Módulo 6.6 de tiristores , además de estos, dos componentes más utilizados, el MOV (varistor de óxido de metal) y
la resistencia PPTC (coeficiente de temperatura positivo del polímero) se describen a continuación.

Fig. 6.5.1 Sobretensiones y picos de sobretensión

Sobretensión
El suministro de red (línea) puede causar una serie de condiciones de sobretensión; Estos pueden ser picos de voltaje
repentinos, como se muestra en la forma de onda (a) en la figura 6.5.1. que, aunque pueden ser de muy corta duración,
pueden comprender voltajes muy altos y grandes cantidades de energía eléctrica. Estos picos de voltaje pueden deberse
a causas naturales, como descargas de rayos, o eventos de origen local, como la conmutación de cargas inductivas, por
ejemplo, motores eléctricos. Los picos de voltaje pueden ser muchas veces el voltaje máximo de un tiristor y, por lo tanto,
potencialmente dañar el tiristor. Incluso cuando el pico de voltaje no es lo suficientemente grande como para causar daño
permanente, si excede el voltaje de ruptura del tiristor, esto podría provocar que se encienda prematuramente.

Otro tipo de evento de sobrevoltaje que podría ocurrir es una sobretensión, vea la forma de onda (b) en la figura 6.5.1
cuando un voltaje más alto de lo normal dura más que un pico de voltaje y puede ser causado por fallas en la red de
suministro.

El varistor de óxido de metal (MOV)

Un componente de seguridad común utilizado para proteger los circuitos de tiristores accionados por la red (cualquiera de
estas condiciones de sobretensión) es un dispositivo de sujeción de tensión resistivo como el MOV (Varistor de óxido de
metal), ilustrado junto con su símbolo de circuito en la figura 6.5.2. , que actúa como una resistencia no lineal, lo que
significa que la relación entre corriente y voltaje en el MOV no es lineal, sino que cambia a diferentes voltajes aplicados.
Como se muestra en la figura 6.5.3, un MOV se ve muy similar a un condensador de disco de cerámica y tiene algunas
similitudes en la construcción. El MOV tiene dos placas paralelas en forma de disco, como un pequeño condensador
cerámico, pero el material cerámico entre las placas de un MOV está impregnado con pequeños granos de un óxido
metálico como el óxido de zinc (ZnO) y (en cantidades mucho más pequeñas) otro metal óxido tal como óxido de cobalto
(CoO) u óxido de manganeso (MnO).

Esto tiene el efecto de que las uniones entre los dos tipos de granos de óxido de metal utilizados producen muchos diodos
pequeños que están orientados aleatoriamente y, por lo tanto, se combinan para formar muchas series y redes paralelas
de diodos polarizados hacia adelante y hacia atrás. Por lo tanto, cuando se aplica un bajo voltaje a las placas conductoras,
solo fluye una corriente muy pequeña (la corriente de fuga inversa de los diodos), pero por encima de un cierto voltaje
crítico, llamado voltaje de varistor, las uniones de diodos dentro del material cerámico se rompen permitiendo una gran
corriente para fluir.

Por lo tanto, el MOV tiene una resistencia muy alta por debajo del voltaje del varistor y una resistencia muy baja por encima
de él. Este voltaje se especifica para cualquier MOV particular como el voltaje al que fluye una corriente de 1 mA a través
del MOV.

Las características típicas de voltaje / corriente para un MOV se muestran en la figura 6.5.4, donde el MOV descrito por
estas características tiene un voltaje de varistor de 300V. Por lo tanto, entre -300 V y + 300 V no hay un cambio perceptible
en la corriente, lo que indica que el MOV tiene una resistencia que se aproxima al infinito, pero a voltajes más altos (en
cualquier polaridad) que la especificación de 'Voltaje del varistor', fluye una gran corriente con apenas más cambio de
voltaje. El MOV en esta región, por lo tanto, tiene una resistencia muy baja.

Para proteger un tiristor, se elegiría un MOV con un voltaje de varistor mayor que el voltaje de funcionamiento máximo,
pero menor que el voltaje de ruptura del tiristor.

MOV capacitancia

Debido a que la estructura de un MOV es similar a la de un capacitor de cerámica, la capacitancia de un MOV tiene un
efecto significativo en desacelerar el tiempo de respuesta de su operación. Tiene más capacidad que un diodo Zener, por
ejemplo, lo que puede ser una ventaja o una desventaja. Al proteger los circuitos de CC, la capacitancia del tiempo de
respuesta más lento de un MOV puede ser útil para reducir la amplitud de corta duración sobre los picos de voltaje. En
aplicaciones de alta frecuencia, como la protección de línea de datos, la capacidad adicional de un MOV a través de las
líneas podría limitar severamente su capacidad de pasar datos de alta frecuencia.

Fig. 6.5.5 MOV destruido por fuego

Peligros de MOV

Sin embargo, aunque los MOV son útiles para controlar eventos de sobretensión, su uso tiene algunos problemas. Cuando
ocurre un pico de voltaje o una sobretensión, el alto voltaje también producirá una corriente alta a través del MOV de
resistencia temporalmente bajo (pero no del todo cero) durante el tiempo en que exista la condición de sobrevoltaje. Esto
significa que, durante ese tiempo, también habrá una alta corriente a través del MOV. Por lo tanto, la corriente de voltaje y
el tiempo están involucrados, por lo que el pico podría describirse más adecuadamente como un pico de energía, con la
cantidad de energía involucrada medida en julios en lugar de simplemente en voltios, por lo que los MOV se clasifican en
julios y en voltios.

Al protegerse contra estos eventos de alta energía, el MOV debe disipar una gran cantidad de energía en muy poco tiempo.
Esto hace que se genere una gran cantidad de calor en el MOV, y si este calor no se puede disipar lo suficientemente
rápido, o si la sobretensión continúa durante más de un tiempo muy corto, el MOV puede entrar en fuga térmica, donde el
aumento de la temperatura provoca un aumento de la corriente, que a su vez provoca un aumento adicional de la
temperatura, lo que lleva a tanta corriente que el MOV se destruye rápidamente, creando un riesgo de incendio, consulte
la figura 6.5.5. Incluso suponiendo que el MOV esté totalmente destruido sin prenderse fuego, pero se convierte en circuito
abierto, existe la situación de que el circuito que estaba protegiendo ahora no está protegido contra el próximo evento de
sobretensión.

Un MOV es muy efectivo para eliminar picos cortos de voltaje, siempre que el voltaje no suba demasiado ni dure demasiado,
pero no se puede esperar que lidie con eventos tales como rayos directos o cercanos, ni sobrevivirá a condiciones de
sobretensión prolongadas. debido a sobretensiones.

Fig. 6.5.6 Protección MOV

Protección adicional para MOV

Para minimizar el riesgo de incendio en los MOV, estos deben estar protegidos por al menos un segundo dispositivo de
seguridad. Esto puede ser un fusible, que se fundirá para cortar la corriente al circuito en caso de que fluya demasiada
corriente. Los fusibles pueden actuar inmediatamente en el caso de fusibles rápidos, típicamente marcados con F250mA,
por ejemplo, en un fusible rápido de 250mA, ver ejemplo (a) en la figura 6.5.6 o después de un corto tiempo de sobre
corriente, a menudo necesario para evitar fusible fundido debido a picos de corriente normales en el encendido del equipo.
Los fusibles contra sobretensiones pueden variar en la construcción, pero un fusible contra sobretensiones típico se
muestra en el ejemplo b de la figura 6.5.6. Tenga en cuenta el dispositivo de resorte dentro del fusible y la letra 'T' antes
de la clasificación de corriente indicada en relieve en uno de los terminales finales, que denota 'retraso de tiempo'.

Los fusibles son un simple dispositivo de protección contra sobre corriente "único"; una vez que falla un fusible dentro de
un equipo electrónico, generalmente requiere la atención de un técnico de servicio, no solo para reemplazar el fusible sino
para diagnosticar la falla que causó la sobre corriente. Esta intervención humana proporciona una capa adicional de
protección en lo que podría ser una condición peligrosa.

Las resistencias de coeficiente de temperatura positivo (PPTC) basadas en polímeros (ejemplo c en la figura 6.5.6) también
están disponibles para proporcionar protección contra sobre corriente, estos componentes actúan térmicamente en
respuesta rápida al calor adicional causado por la sobre corriente, pero en lugar de fallar permanentemente, como los
fusibles comunes, pueden reiniciarse después de que la situación de sobre corriente haya terminado.
Fig. 6.5.7 Protección contra sobre corriente PPTC

Estos dispositivos, también llamados multifusibles o polis fusibles (nombres de fabricantes), son básicamente resistencias
hechas mediante el uso de un material polimérico impregnado con gránulos de carbono. En los PPTC, su resistencia sigue
siendo baja a temperaturas normales, ya que los gránulos de carbono en contacto entre sí forman cadenas de baja
resistencia a través del dispositivo, pero cuando se alcanza una temperatura alta específica, debido al alto flujo de corriente,
el polímero se expande hasta un punto donde, los gránulos de carbono se separan y la resistencia, aunque el dispositivo
aumenta rápidamente a un valor mucho mayor, cortando el flujo de corriente casi por completo hasta que el PPTC se deja
enfriar una vez más. Luego, los gránulos de carbono se vuelven a conectar y las vías de baja resistencia regresan una vez
más. Estos dispositivos de corte térmico se pueden usar en serie con el suministro, para proteger todo el circuito, como se
muestra en la figura 6.5. 7 o puede combinarse dentro del MOV (llamado TMOV o MOV con protección térmica) en cuyo
caso la protección térmica solo se aplica al MOV en sí. El tiempo de disparo (TtT) que tarda la resistencia PPTC en
'dispararse' a su estado de alta resistencia generalmente estará en un rango de un milisegundo a alrededor de 10 segundos.
El tiempo de disparo para cualquier dispositivo dado será aproximado, ya que también dependerá de factores externos
como la corriente de falla y la temperatura ambiente.

Tubos de descarga de gas (GDT)

Fig. 6.5.8 Tubo de descarga de gas (GDT)

Los MOV son eficientes para suprimir picos de voltaje de hasta unos pocos cientos de voltios, pero para picos de
sobrevoltaje y sobretensiones inducidos por rayos lejanos es necesario usar dispositivos como los Tubos de descarga de
gas (GDT). Estos pararrayos (ilustrados en la figura 6.5.8) son pequeños tubos de cerámica o vidrio llenos de un gas inerte
entre dos electrodos, que tiene una resistencia casi infinita hasta su ruptura particular o voltaje de chispa, pero por encima
de este límite conducirá fuertemente.
Los GDT están disponibles en un rango de voltajes de ruptura desde alrededor de 75 voltios hasta varios miles de voltios,
dependiendo del gas utilizado, su presión y las dimensiones físicas del tubo.

Fig. 6.5.9 Amortiguador SCR

Circuitos Snubber

Otro método para reducir el impacto de los picos de voltaje en la operación de SCR es usar un circuito amortiguador RC a
través de SCR o triac como se muestra en la figura 6.5.9. En este circuito simple, la elección correcta de la constante de
tiempo RC puede reducir la amplitud de los picos de voltaje al desviar la energía producida por el alto voltaje y la corriente
para cargar el capacitor durante la duración del sobrevoltaje, al cargar parcialmente el capacitor (y por lo tanto reduciendo
la amplitud del voltaje a través del circuito durante la carga) y luego liberando la energía almacenada de vuelta al circuito
a una velocidad controlada a través de la resistencia. El efecto general es reducir sustancialmente la amplitud de cualquier
pico de sobretensión aleatorio. Más información sobre los circuitos snubber está disponible en Thyristor Module 6.6 RC
Snubber Circuits.

MÓDULO 6.6
OPTO TRIACS Y RELÉS DE ESTADO SÓLIDO.
Opto Triacs

Los dispositivos que se utilizan en el control de equipos de alto voltaje / alta potencia debe tener un buen aislamiento
eléctrico entre su salida de alto voltaje y la entrada de bajo voltaje. Confiar en una capa de óxido de silicio, unos pocos
átomos de espesor para proporcionar el aislamiento requerido no es realmente una opción en tales condiciones. Cuando
se producen fallas (y es más probable que lo hagan en circuitos de alta potencia), los resultados pueden ser catastróficos,
no solo para los componentes del circuito sino también para los usuarios de dichos equipos. Aislamiento físico (lo que
significa que no hay electricidad conexión en absoluto entre la entrada y la salida) es lo que se necesita. Afortunadamente,
hay soluciones disponibles para este problema. Muchos circuitos de alta potencia hoy en día están controlados por circuitos
de baja tensión y baja corriente, como microprocesadores, que utilizan dispositivos optoelectrónicos como Opto-Triacs,
Opto-Tiristores y relés de estado sólido para aislar los circuitos de baja y alta potencia.

El dispositivo de control debe ser capaz de manejar los altos voltajes, incluidos los picos de alto voltaje que pueden ocurrir
en los circuitos de salida de CA o CC debido a la retroalimentación de la femde cargas inductivas y picos de voltaje que
pueden estar presentes aleatoriamente en la fuente de alimentación de la red (línea). También los valores altos de corriente
de sobretensión (mucho más altos que la "corriente de funcionamiento" normal) que se producen, por ejemplo, cuando se
encienden cargas como motores o lámparas incandescentes, pueden requerir que el dispositivo de control deba estar
clasificado para manejar corrientes de sobretensión de hasta 40 o 50 veces mayor que la corriente de "ejecución" normal.
El dispositivo de control elegido también debe garantizar el aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida.
Además de estos criterios, el circuito alrededor del dispositivo de control también debe proporcionar protección contra
situaciones peligrosas. Por ejemplo, disipadores de calor adecuados para los dispositivos de estado sólido utilizados.
También se necesitan fusibles especiales o disyuntores de acción muy rápida para evitar daños a los semiconductores
debido a sobrecargas de corriente.
Fig. 6.6.1 Opto Triac y Opto SCR

En este grupo de optoacopladores, las combinaciones foto-triacs, photo-SCR o foto-diodo / MOSFET reemplazan los
fotodiodos y fototransistores descritos en el Módulo 5 de dispositivos opto acoplados, y también están disponibles en forma
de circuito integrado (IC) para conmutar potencia relativamente baja. Cargas de CA o CC. Los relés de estado sólido (SSR)
de alta potencia ilustrados en la Fig. 6.6.2 usan circuitos integrados como los que se muestran en la Fig. 6.6.1 con circuitería
'incorporada' adicional para manejar cargas de alto voltaje y alta corriente de manera segura y confiable.

Fig. 6.6.2 SSR típico de alta potencia

Relés de estado sólido

Opto triacs y Opto SCR se utilizan para cambiar cargas de CA, pero también están disponibles relés de estado sólido que
utilizan transistores MOSFET de potencia que pueden cambiar CA o CC. Los relés de estado sólido de baja potencia, que
consisten básicamente en un circuito opto triac, como el tipo ilustrado en la figura 6.6.1, pueden usarse como circuitos
integrados convencionales, montados en una placa de circuito impreso. Alternativamente, estos optoacopladores de baja
potencia pueden encerrarse dentro de una caja aislada junto con triacs o SCR de alta potencia y componentes de seguridad
adicionales, como disipadores de calor y componentes de supresión de pulsos, en relés de estado sólido (SSR) montados
en bastidor más grandes con solo cuatro o cinco tornillos. terminales de servicio pesado que pueden tratarse como
interruptores de alimentación de red (línea) y pueden reemplazar muchos tipos de relés electromecánicos.

Fig. 6.6.3 Relé de estado sólido MOSFET

Una de las características más importantes de los SSR es que el opto acoplamiento proporciona un aislamiento eléctrico
completo entre su circuito de entrada de baja potencia y su circuito de salida de alta potencia. Cuando el interruptor de
salida está 'abierto' (es decir, los MOSFET están apagados), el SSR tiene una resistencia casi infinita en sus terminales de
salida, y una resistencia casi nula cuando está 'cerrado' (es decir, los MOSFET conducen mucho). Aun así, el interruptor
semiconductor disipará cierta potencia cuando esté en estado "encendido" o "apagado" con corrientes de CA o CC. Por
esta razón, se requieren disipadores de calor adecuados para evitar el sobrecalentamiento.

Un circuito típico de un MOSFET SSR básico se muestra en la Figura 6.6.3. Una corriente de aproximadamente 20 mA a
través del LED es suficiente para activar los MOSFET que reemplazan a los contactos del relé mecánico. La luz (infrarroja)
del LED cae sobre la unidad fotovoltaica que comprende varios fotodiodos. Debido a que un solo fotodiodo solo producirá
un voltaje muy bajo, los diodos en la unidad fotovoltaica están dispuestos en una serie / serie paralela para producir
suficiente voltaje para encender los MOSFETS.

Fig. 6.6.4 Uso de un chip de relé MOSFET para conmutar CA o CC

La Figura 6.6.4 representa un ejemplo básico de un SSR MOSFET, que muestra cómo se pueden organizar las salidas
para permitir que el SSR cambie cargas de CA o CC. Una serie de SSR similares están disponibles para cumplir con
diferentes requisitos de voltaje y corriente de salida de CA y CC, un ejemplo típico es el PVT412 SSR de International
Rectifier(ahora parte de Infineon Technologies) fabricado en varias versiones como un paquete DIL de 6 pines y capaz de
reemplazar un relé mecánico de un solo polo para conmutar voltajes de CA o CC de hasta 400 V (pico) con corrientes de
hasta 140 mA de CA o 210 mA de CC. Hay otros chips disponibles que actúan como relés de doble polo, normalmente
cerrados (NC), normalmente abiertos (NO) y de cambio con una amplia variedad de instalaciones adicionales. Los SSR
también se fabrican en una gama de voltajes de salida y clasificaciones de corriente, con una gama de tipos de paquetes
que van desde componentes de montaje en superficie pequeños hasta chips complejos de múltiples clavijas y grandes
ejemplos de corriente pesada para montaje en bastidor en gabinetes de control eléctrico. Puede encontrar más información
sobre SSRs buscando relés de estado sólido en sitios web de fabricantes como Infineon Technologieso en proveedores
de semiconductores como RS Components.

Figura 6.6.5 Características de seguridad de relé de estado sólido

Características de seguridad de SSR

Los SSR consisten básicamente en un optoacoplador que maneja algún dispositivo de conmutación de alta potencia, como
un triac de potencia, MOSFETS o un SCR, pero como su propósito es cambiar cargas eléctricas de alta potencia, a menudo
en situaciones críticas de seguridad, los SSR se fabrican con una amplia variedad de características, diseñado para permitir
una operación segura y confiable. Algunos de estos se ilustran en el circuito que se muestra en la figura 6.6.5:

 Protección de polaridad inversa. Si los terminales de entrada están conectados en la polaridad incorrecta, el diodo
D1 conduce y reduce el voltaje en la parte inferior de R1 a aproximadamente 0.7V, evitando así que el LED del
optoacoplador se dañe. Tenga en cuenta que el diodo y la resistencia de corriente R1 deben ser capaces de resistir
la corriente de polaridad inversa a la tensión de entrada máxima sin daños; de lo contrario, se puede insertar un
fusible de entrada de capacidad adecuada entre el terminal positivo de entrada y la resistencia de limitación de
corriente.
 Protección contra la sobretensión. Es común que los SSR puedan trabajar desde un rango de voltajes de entrada
de CC, por ejemplo, 5v a 24V. Estos voltajes más altos pueden hacer que la corriente a través del LED del
optoacoplador aumente más que su máximo requerido, en este caso el circuito de protección contra sobre corriente
funciona para mantener un nivel de corriente adecuado a través del LED. R2 es una resistencia de bajo valor para
detección de corriente; su valor se elige de modo que, en condiciones normales de funcionamiento, Tr1 esté
sesgado justo por debajo de su umbral de corte, pero si la corriente a través del LED de entrada del optoacoplador
aumenta debido a un voltaje de entrada excesivo, la corriente adicional a través de R2 hará que Tr1 conduzca,
desviando parte de la corriente del LED a través de Tr1 reduce el voltaje en la parte inferior de R1 y la corriente a
través del LED a un nivel seguro.

Fig. 6.6.6 Supresión de voltaje transitorio

Diodo de supresión de voltaje transitorio (TVS). Los SSR utilizados en situaciones de control pueden ser responsables de
daños causados por picos de voltaje repentinos y de corta duración (es decir, transitorios), que pueden ser causados por
eventos externos como pulsos de fem de retorno al cambiar cargas inductivas; También las descargas de rayos a distancia
y otras descargas electromagnéticas o electrostáticas son situaciones de alto riesgo para los dispositivos semiconductores.
Tales picos de voltaje pueden tener una duración muy corta, pero pueden tener una amplitud de cientos o miles de voltios,
y aunque la corriente que crean puede ser muy pequeña, el estrés causado por tales voltajes puede causar una falla total
en los dispositivos semiconductores utilizados en los SSR. Una forma de reducir estos eventos peligrosos es el uso de un
diodo supresor de voltaje transitorio (TVS) conectado en paralelo con dispositivos sensibles como el optoacoplador como
se muestra en la figura 6.6.5.

La figura 6.6.6 ilustra la acción del diodo TVS y muestra una salida de onda sinusoidal superpuesta a las características
del diodo TVS. El diodo TVS bidireccional funciona más bien como dos diodos Zener consecutivos , donde por encima de
un cierto voltaje inverso, se produce una falla de corriente y el diodo conduce en gran medida. Como el diodo TVS en este
caso es bidireccional, la falla se produce tanto en condiciones de avance como de retroceso.

En uso, un diodo TVS debe tener un voltaje de ruptura mayor que el voltaje máximo de la onda de CA , que es 1.414 x V
RMS entonces se usa normalmente un diodo TVS con un voltaje de ruptura aproximadamente 1.5 veces mayor que el
voltaje RMS de la onda sinusoidal.

Un pico de voltaje que excede este límite hace que el diodo conduzca fuertemente, limitando su voltaje al voltaje de ruptura
del diodo. Una diferencia notable entre un diodo Zener y un TVS es que el diodo TVS tiene un área de unión más resistente,
para hacer frente a la repentina corriente de alta intensidad durante los eventos de pico. Sin embargo, una vez que termina
el pico, el diodo deja de conducir (aparte de una pequeña corriente de fuga inversa) y no tiene más efecto en la onda de
salida hasta que se produzcan más picos. Los diodos TVS también están disponibles en tipos unidireccionales que también
se pueden usar en el lado de entrada del optoacoplador en SSR que usan una entrada de CC si existe un alto riesgo de
picos. Sin embargo,

Fig. 6.6.7 Circuitos RC Snubber

Circuitos RC Snubber. Estos circuitos proporcionan un método para reducir el efecto dañino de los picos que se producen
en la fuente de alimentación de CA, o los cambios de voltaje muy grandes y rápidos que pueden ocurrir cuando se enciende
o apaga una carga inductiva (conmutada). Con los tipos más antiguos de triacs o SCR, esta red RC (R5 y C1) está
conectada a través del triac de salida o SCR como se muestra en la figura 6.6.5 y la figura 6.6.7. Su efecto es disminuir el
rápido aumento o disminución del voltaje durante el pico. El uso de un circuito amortiguador también puede reducir la
interferencia de radio causada por la conmutación triac o SCR. Al elegir una constante de tiempo adecuada para R5 / C1,
el condensador no tendrá tiempo para cargarse a medida que aumenta el voltaje de pico, antes de que el voltaje se reduzca
una vez más y descargue el condensador. De esta forma, se reduce la amplitud de cualquier pico de voltaje rápido. Los
valores típicos para R serían aproximadamente 39 a 100Ω para R5 y 22 a 47nF para C1. El condensador también
necesitaría ser del tipo de pulso con un voltaje de trabajo máximo muy alto, mucho más alto que el valor máximo de la
onda de salida, para permitir la tensión adicional causada por cualquier pico de voltaje. Sin embargo, el diseño de los
circuitos amortiguadores es más complejo que simplemente elegir valores R y C típicos, y debe tener en cuenta una serie
de factores que serán exclusivos del circuito o componente que protege el amortiguador y de las cargas que el circuito
puede conducir. .

HIQUEL (electrónica de alta calidad) proporciona en línea una nota de aplicación útil sobre diseño de amortiguadores y
calculadora de componentes .

Alternadores

Alternativamente, hay Triacs modernos disponibles, que también se pueden llamar 'Alternistores' o 'Triacs Alternistor' que
son mucho menos propensos a daños o disparos falsos aleatorios causados por voltajes transitorios rápidos. Varios
fabricantes de semiconductores tienen su propia gama de dispositivos, como la gama ´Snubberless TM ´ de ST
Microelectronics o la gama ´Hi-Com TM ´ de WeEn Semiconductors que son capaces de manejar los picos de voltaje, así
como los rápidos eventos de dV / dt encontrados durante la conmutación (apagado) con cargas inductivas. El diseño interno
de estos triacs es diferente a los tipos originales, lo que los hace mucho mejores para manejar los rápidos cambios de alto
voltaje que pueden ocurrir cuando las cargas inductivas se desconectan, debido a la diferencia de fase entre la corriente y
el voltaje en los inductores. En este caso, es posible que cuando el triac se apaga cuando la corriente principal (línea) pasa
por cero voltios, el voltaje de la red a través del triac puede estar en su valor máximo. Si bien tales eventos en los diseños
de triac originales podrían causar problemas con la reactivación incontrolada, esto se ha reducido en gran medida en los
diseños modernos.
Fig. 6.6.8 Acción de Cruce Cero SSR

Cruce de voltaje cero. Algunos SSR incluyen circuitos de 'Cruce cero' o 'Conmutación síncrona', que reducen la posibilidad
de introducir 'picos' de cambio rápido en el suministro de la red (línea) al garantizar que su salida solo se encienda cuando
el ciclo de voltaje de la red pasa por cero voltios . Como se muestra en la figura 6.6.8 si el voltaje de control solicita un
encendido en un momento durante el ciclo de voltaje cuando el voltaje de CA no pasa a través de 0V, la acción de
conmutación se retrasa hasta que el voltaje cruza a continuación 0V al final de la mitad actual ciclo. Sin embargo, el circuito
de cruce de voltaje cero no juega ningún papel en el apagado de la salida; esto está controlado por la acción del triac o
SCR, que una vez encendido solo se apagará cuando la corriente de carga de salida caiga por debajo de la corriente de
retención especificada por el triac o SCR,

Las descripciones anteriores de las características de seguridad están destinadas a presentar a los usuarios de SSR
algunas de las restricciones de seguridad necesarias al elegir el SSR correcto para cualquier operación en particular. Sin
embargo, esta lista no se ofrece como una guía completa, la importancia o no importancia de cualquiera de estos factores
dependerá en gran medida del uso previsto de la RSS. Por lo tanto, es aconsejable, especialmente cuando se considera
la operación segura de los circuitos, obtener asesoramiento específico para el proyecto previsto, muchos fabricantes u
organismos de seguridad nacionales e internacionales pueden brindar asesoramiento calificado sobre la idoneidad de los
SSR para usos particulares. También le recomendamos que siga estudiando siguiendo algunos de los enlaces
recomendados al final de esta página.

Comparación de estado sólido y cambio mecánico

Los relés de estado sólido (SSR) tienen una serie de ventajas sobre los relés electromecánicos, algunos de los cuales son
ventajas obvias y otros que serían disputados por los adherentes a (y los fabricantes de) relés electromecánicos. Sin
embargo, qué tipo de relé es mejor para una aplicación en particular depende más de la aplicación que del tipo de relé.
Por lo tanto, esto debe considerarse cuidadosamente al leer las siguientes listas.

Ventajas de los SSR frente a los relés electromecánicos.

 Debido a que los SSR no tienen bobinas inductivas o contactos móviles, no generan interferencia electromagnética.
 Los SSR no causan ningún arco eléctrico potencialmente peligroso.
 Los SSR son silenciosos en funcionamiento.
 Los SSR no están sujetos a desgaste mecánico, por lo que potencialmente realizarán muchas más operaciones
de conmutación que los relés electromecánicos (sin embargo, cualquier tipo puede estar diseñado para realizar
más operaciones de las necesarias durante la vida útil del equipo en el que se utilizan).
 Los SSR no sufren de rebote de contacto.
 Los SSR tienen un tiempo de conmutación más rápido que los relés electromecánicos.
Para la conmutación de CA, están disponibles SSR de cruce por cero que solo se activan en el momento en que la forma
de onda de CA pasa a cero voltios o cerca de ella, lo que reduce la aparición de picos de voltaje que ocurren si un circuito
se enciende cuando el voltaje de CA está en un máximo.

Los SSR pueden ser físicamente más pequeños que los tipos comparables de relés electromecánicos.

Desventajas de los SSR contra relés electromecánicos.

 Cuando los SSR están encendidos, hay una resistencia medible entre los terminales de salida, por lo tanto, los
SSR producen algo de calor, así como una caída de voltaje en su condición de "encendido".
 Cuando los SSR están en su estado 'apagado', todavía hay una pequeña corriente de fuga inversa que fluye en la
salida. A diferencia de los relés electromecánicos, los SSR no están totalmente "encendidos" ni "apagados". Por
lo tanto, es posible que no se permita su uso según algunas normas de seguridad.
 Debido a que los SSR pueden encenderse muy rápidamente (en milisegundos), los picos de interferencia aleatoria
en sus circuitos de entrada o los cambios repentinos de voltaje rápidos en sus salidas pueden causar la
conmutación no deseada de algunos SCR o triacs.
 La falla de un SSR generalmente causará un corto circuito (encendido) mientras que la falla en un relé
electromecánico generalmente causará un circuito abierto (apagado). Debido a esto, el uso de SSR puede causar
cierta preocupación en los sistemas críticos de seguridad.

Módulo 1.0
FALLO DEL TRANSISTOR
¿Por qué fallan los transistores?

Todos los dispositivos semiconductores son confiables, siempre que funcionen correctamente, no hay razón para que
fallen. Por supuesto que fallan y esto puede ser por una variedad de razones.

Fallas de fabricación

Ocasionalmente ocurren fallas de fabricación, generalmente en equipos nuevos. Si hay una falla en un nuevo
transistor, a menudo aparecerá en las primeras horas de uso. Si funciona correctamente durante este período, lo más
probable es que continúe haciéndolo. Una gran proporción de fallas de fabricación se puede detectar mediante la prueba
de remojo de nuevos equipos. Eso lo está ejecutando en un banco de pruebas durante varias horas para asegurarse de
que no ocurran fallas tempranas. Los artículos que sobreviven a estas pruebas se pueden usar con confianza.

Edad componente

No hay una razón real por la que los transistores sufran envejecimiento. Una rodaja de silicio de 10 años debe
ser igual a una rodaja de 1 año. Sin embargo, los sistemas más antiguos que contienen transistores comienzan a dar más
problemas. La razón de esto es que otros componentes, como las resistencias, pueden cambiar sus valores con el tiempo,
especialmente si están sujetos a los efectos de calentamiento causados por el flujo de corriente. Esto eventualmente puede
resultar en un transistor operando fuera de sus parámetros normales, por ejemplo, funcionando a una temperatura superior
a la permitida. Es entonces cuando los transistores pueden fallar. En tales circunstancias, es aconsejable investigar las
razones del transistor fallido en lugar de simplemente reemplazarlo. Siempre verifique los voltajes en los terminales del
transistor después del reemplazo para asegurarse de que no haya lecturas anormales.
Causas externas

A veces, las causas externas pueden dañar o incluso destruir los transistores. El mal manejo de los FET puede
provocar daños por descarga electrostática. A veces, esto provocará que un transistor (o una placa de circuito) no funcione
cuando se instala dentro de un sistema. Esto puede deberse a que las capas aislantes muy delgadas dentro del dispositivo
se han roto completamente debido a la electricidad estática de alto voltaje, aplicada descuidadamente a los terminales. Lo
que es más siniestro es que a veces tales descargas no causan la destrucción inmediata del dispositivo, pero dañan el
aislamiento de tal manera que el dispositivo falla en algún momento (horas o años) más tarde.

En los equipos alimentados por la red (línea), los pulsos de alto voltaje que ocurren de vez en cuando pueden dañar los
semiconductores. La mayoría de los circuitos alimentados por la red eléctrica tienen algún tipo de protección incorporada
que evita daños en la mayoría de los casos, pero rara vez es 100% efectivo.

Diseño de circuito

Se pueden encontrar muchas fallas, especialmente en equipos producidos para el usuario doméstico al consultar
las bases de datos de fallas recurrentes publicadas en revistas técnicas en Internet. La razón por la que ocurren estas
fallas recurrentes se debe básicamente al diseño. Los productos para el hogar están diseñados para ser producidos a un
precio rentable y para que funcionen sin problemas por un tiempo. Los fabricantes pueden producir productos que
funcionan según estrategias cuidadosamente elaboradas. Algunas fallas ocurrirán debido a que el producto excede su
"vida útil" mientras que otras ocurrirán prematuramente. Diseñar un producto electrónico para una vida particular, bajo
condiciones que serán muy variables y sobre las cuales los diseñadores no tienen control (nuestros hogares) no es una
ciencia precisa. Sin embargo, las fallas que ocurren generalmente siguen un patrón distinto, y el registro cuidadoso de
fallas anteriores puede ser una buena indicación de las futuras. Estas fallas pueden afectar a los transistores tan fácilmente
como cualquier otro componente. Cuando las fallas ocurren prematuramente, los fabricantes a menudo producen
modificaciones para evitar fallas similares en el futuro.

Potencia vs. confiabilidad.

Al considerar un elemento de equipo defectuoso, recuerde siempre que la confiabilidad de cualquier componente
es proporcional a la potencia que se disipa. En otras palabras, "Si normalmente se calienta, normalmente falla". Tal regla
sugiere que un transistor fallido tiene más probabilidades de estar en las etapas de salida de un circuito que las etapas de
bajo voltaje y baja potencia que lo preceden. Cualquier circuito que use altos voltajes, alta corriente o ambos, pone mucho
más estrés en los semiconductores que los circuitos de bajo voltaje y baja corriente. Aunque los dispositivos utilizados en
estos circuitos están diseñados para soportar dicho uso, lo hacen menos bien que aquellos dispositivos que tienen una
vida relativamente fácil en situaciones de baja potencia. Las principales áreas problemáticas son las fuentes de
alimentación y las etapas de salida. Cuando se enfrenta a un circuito defectuoso y muy poca información del circuito,

Fallos de semiconductores

Cuando falla un diodo o un transistor, generalmente ocurre una de dos cosas:

• Una unión (o uniones) se cortocircuita (su resistencia se vuelve muy baja o cero).

• Una unión (o uniones) se abre en circuito (su resistencia se vuelve muy alta o infinita).
Por supuesto, esta lista podría extenderse para incluir que las uniones pueden tener fugas (resistencia ligeramente baja),
aunque esto es raro. En la práctica, esta condición generalmente es seguida bastante pronto por un cortocircuito completo.

Lo anterior sugiere que los diodos y los transistores pueden probarse mediante simples mediciones de resistencia, en la
mayoría de los casos esto es cierto. Un conjunto de pruebas de resistencia puede mostrar con un alto grado de certeza si
un semiconductor es reparable o defectuoso. Es cierto que pueden ocurrir otras fallas y realizar otras pruebas, pero se
discutirán después de todas las pruebas de resistencia importantes.