República Bolivariana de Venezuela

Ministerio del poder popular para la educación superior

Instituto Universitario Fundación la Salle

Técnico en Electricidad

Cátedra: Electrónica I

SEMICONDUCTORES

Profesora: Alumno:

Jenny Velásquez Alexis Gil

C: I: 31.521.534

San Félix, 24 de Octubre del 2022

 INDICE:

Introducción…………………………………………………………………………………… pág. 3

Bandas de energía…………………….……………………………………………………pág. 4,5

Transporte en los semiconductores…………………………………………………… pág. 5,6

Huecos…………………………………………………………………………….………………… pág.6, 7

Electrones. …………………………………………………………..…………………………….pág.7, 8

Enlace covalente. …………………….……………………………………………..…………pág.8, 9

Impureza donadoras……………………………………………………………….……… pág.9, 10

Impureza receptoras………………………………………………………………..…… pág.10, 11

Características de los diodos……………………………………………………… pág. 11, 13

Unión PN como rectificación…………………………………………….………… pág. 13, 14

Polarización del diodo (directo e inversa)…………………………………………. pág.14

Rectificación de media onda……………………………………………………………… pág.15

Rectificación de onda completa………………………………………………….……… pág.16

Conclusión…………………………………………………………………………….…………… pág.17

Bibliografía…………………………………………………………………………………………. pág. 18
 INTRODUCCION:

Un material semiconductor, es aquel que se puede comportar como

conductor o como aislante. Esto quiere decir, que su conductividad puede ser
modificada en función de distintos factores como temperatura, presión,
campo magnético, entre otros. No obstante, un material semiconductor es
extrínseco cuando es contaminado con impurezas en mínimas proporciones
(una partícula entre un millón). A este proceso de contaminación se le
conoce como dopaje que a su vez se manifiesta en dos tipos: Tipo N y Tipo P.

En el caso del tipo N, se contamina el material con átomos de valencia 5. Al

introducirlos se fuerza al quinto electrón a vagar por el material ya que no
encuentra un lugar estable donde situarse. Se les llama electrones
mayoritarios. De igual manera, durante el tipo N se contamina el material
con átomos de valencia 3. Debido a esto, queda un hueco donde debería ir
un electrón. Una vez conocida la importancia de estos materiales, se podría
decir que con el descubrimiento de un nuevo semiconductor se abriría la
posibilidad de crear componentes más compactos, veloces y eficientes
energéticamente. Algunas de las preguntas que resolveremos en este trabajo
son:

1. Bandas de energía
2. Transporte en los semiconductores
3. Huecos
4. Electrones.
5. Enlace covalente
6. Impureza donadoras
7. Impurezas receptoras
8. Características de los diodos
9. Unión PN como rectificación
10.Polarización del diodo (directo e inversa)
11.Rectificación de media onda
12.Rectificación de onda completa

Finalmente se da la conclusión y la bibliografía.

  Bandas de energía:

En el caso de los sólidos, líquidos y gases tienen diferentes disposiciones de

moléculas. Por esta razón se han agrupado estrechamente en sólidos de
modo que los electrones dentro de los átomos de las moléculas migran al
orbital de los átomos adyacentes.

La disposición molecular en los gases no es cercana, pero es moderada en los

líquidos. Como resultado, cuando los átomos se acercan entre sí, los orbitales
de los electrones se cubren parcialmente. Los niveles de bandas de energía
se generan como resultado de la fusión de átomos dentro de los materiales,
en lugar de niveles de energía únicos. Una banda de energía es una colección
de niveles de energía que están muy juntos.

De este modo el cristal se transforma en un sistema electrónico que obedece

al principio de exclusión de Pauli.

La definición de la banda de energía establece que el número de átomos en

una piedra de cristal puede estar más cerca y varios electrones pueden
interactuar entre sí. Los cambios en los niveles de energía de los electrones
dentro de su caparazón pueden inducir cambios en sus niveles de energía. La
característica clave de la banda de energía es que los niveles de energía de
los electrones en la electrónica son estables en una amplia gama de
frecuencias. Como resultado, el nivel de energía de un átomo variará en las
bandas de conducción y valencia.

Dependiendo de la distancia interatómica y del número de electrones de

enlace entre otros factores, pueden formarse distintos conjuntos de bandas
que pueden estar llenas, vacías o separaciones entre bandas por zonas
prohibidas o bandas prohibidas, formándose así bandas de valencia, bandas
de conducción y bandas prohibidas.
Así en un aislante la separación entre la banda de valencia y la banda de
conducción es muy grande (» 10 eV), y esto significa que un electrón en la
banda de valencia necesita mucha energía para ser liberado y convertirse en
un electrón libre necesario para la conducción. En un conductor las dos
bandas están solapadas, no necesitándose ninguna energía para alcanzar la
conducción. En un semiconductor la banda prohibida es muy estrecha, o lo
que es lo mismo, es muy fácil que un electrón sea liberado y pueda contribuir
a la conducción.

 Transporte en los semiconductores:

Los electrones en la banda de conducción y huecos en la banda de valencia se

consideran portadores "libre" en el sentido de que pueden moverse a través
de la red de semiconductores que compone la estructura cristalina del
material. Una descripción sencilla, pero en la mayoría de casos adecuada de
movimiento portador ve cada transportista que se mueve en una dirección
aleatoria a una cierta velocidad.
El carro se mueve en esta dirección al azar para una distancia llamada la
longitud de dispersión antes de chocar con un átomo de celosía. Una vez que
la colisión tiene lugar, el vehículo se aleja en una dirección aleatoria
diferente.

De esta forma se entiende:

1. Los portadores se mueven libremente sobre la red del semiconductor

en una dirección aleatoria a una cierta velocidad determinada por la
temperatura y la masa del portador.
2. Los portadores continuarán en esa dirección hasta que choquen con
otro átomo de la red.
3. No hay ningún movimiento neto global de portadores en cualquier
dirección.

La velocidad de los portadores se determina por la temperatura de la red. La

velocidad térmica es una velocidad promedio de los portadores. Los
portadores tienen una velocidad térmica que normalmente se distribuye
alrededor de esta velocidad térmica media. Por lo tanto, algunos tienen una
velocidad mayor y otros una inferior.

Salvo ciertas circunstancias que se discutirán en las siguientes secciones, no

hay movimiento neto de portadores en ninguna dirección. Cada dirección del
movimiento del portador es igualmente probable, por lo tanto, el
movimiento de un portador en una dirección finalmente se equilibra con el
movimiento del portador en la dirección opuesta.

 Huecos:

Un hueco de electrón, o simplemente hueco, es la ausencia de un electrón en

la banda de valencia que estaría normalmente completa sin el hueco. Una
banda de valencia completa (o casi completa) es característica de los
aislantes y de los semiconductores. La noción de hueco, desarrollada por
Werner Heisenberg en 1931, es esencialmente un modo sencillo y útil para
analizar el movimiento de un gran número de electrones, considerando
expresamente tal ausencia o hueco de electrones como si fuera una partícula
elemental o más exactamente una cuasi partícula.

Considerado lo anterior, el hueco de electrón es, junto al electrón, entendido

como uno de los portadores de carga que contribuyen al paso de corriente
eléctrica en los semiconductores.

El hueco de electrón tiene valores absolutos de la misma carga que el

electrón pero, contrariamente al electrón, su carga es positiva

Aunque bien corresponde el recalcar que los huecos no son partículas como
sí lo es por ejemplo el electrón, sino la falta de un electrón en un
semiconductor; a cada falta de un electrón entonces resulta asociada una
complementaria carga de signo positivo (+).

 Electrones:

Un electrón es un tipo de partícula subatómica que presenta carga eléctrica

negativa y que orbita activamente el núcleo atómico (compuesto por
protones y neutrones), que presenta una carga eléctrica positiva.
Los electrones juegan un rol esencial en determinas fuerzas y fenómenos
físicos de la naturaleza, como la electricidad, el magnetismo o la
conductividad térmica, y en gran medida determinan las uniones atómicas,
tanto iónicas (de pérdida o ganancia de electrones) o covalentes (de uso
conjunto de electrones).

Los electrones generan campos eléctricos que afectan a las partículas

cargadas a su alrededor.

El origen de los electrones, conforme a la teoría más aceptada respecto del

origen del universo, apunta a que se formaron durante los primeros
milisegundos del Big Bang, cuyas temperaturas superaban los 1010 K,
suficientes para formar pares de positrones (e+) – electrones (e-) que se
aniquilaban entre sí por tener carga eléctrica contraria.

Por razones desconocidas, el número de electrones fue muy superior al de

los protones, por lo que sobrevivieron y empezaron a ser atraídos por los
primeros protones cuando el universo se enfrió lo suficiente, formando así
los átomos más elementales de la naturaleza.

La cantidad de electrones en los átomos de la materia determina que ésta

tenga una carga neutra (equilibrio entre protones y electrones), positiva
(escasez de electrones) o negativa (exceso de electrones).

Al mismo tiempo, existen electrones “libres” que pueden desplazarse de un

átomo a otro de la materia, generando flujos eléctricos o campos
magnéticos, dependiendo de la temperatura a la que se encuentren.

 Enlace covalente:

Se llama enlace covalente a un tipo de enlace químico que ocurre cuando dos
átomos se enlazan para formar una molécula, compartiendo electrones
pertenecientes a su capa de valencia o último nivel de energía, alcanzando
gracias a ello el conocido “octeto estable”, conforme a la “regla del octeto ”
propuesto por Gilbert Newton Lewis sobre la estabilidad electrónica de los
átomos.
La “regla del octeto” plantea que los iones de los elementos químicos
ubicados en la Tabla Periódica, tienden a completar sus últimos niveles de
energía con 8 electrones, y esta configuración electrónica les confiere una
gran estabilidad, que es muy similar a la de los gases nobles.

Los átomos enlazados por enlaces covalentes comparten uno o más pares de
electrones de su último nivel de energía. Se denomina orbital molecular a la
región del espacio donde está ubicada la densidad electrónica en la molécula.

Esta densidad electrónica se puede definir y calcular utilizando ecuaciones

matemáticas muy complejas que describen el comportamiento de los
electrones en las moléculas.

 Impurezas donadoras:

Son los semiconductores que están dopados, esto es que tienen impurezas.
Hay 2 tipos dependiendo de que tipo de impurezas tengan:

Semiconductor tipo n

Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas

pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un
semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios",
mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".

Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura, los electrones libres

dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen
hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno
de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina
con el hueco.

 Impurezas aceptadoras:

Son los semiconductores que están dopados, esto es que tienen impurezas.

En este caso son las aceptadoras:

Semiconductor tipo p

Es el que está impurificado con impurezas "Aceptadoras", que son impurezas

trivalentes. Como el número de huecos supera el número de electrones
libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son
los minoritarios.

Al aplicarse una tensión, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y

los huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan al
extremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del
circuito externo.
En el circuito hay también un flujo de portadores minoritarios. Los electrones
libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay
muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este
circuito.

 Características de los diodos:

1. Definición:

Un diodo es un dispositivo semiconductor que actúa esencialmente como un

interruptor unidireccional para la corriente. Permite que la corriente fluya en
una dirección, pero no permite a la corriente fluir en la dirección opuesta.

Los diodos también se conocen como rectificadores porque cambian

corriente alterna (CA) a corriente continua (CC) pulsante. Los diodos se
clasifican según su tipo, voltaje y capacidad de corriente.

Los diodos tienen una polaridad determinada por un ánodo (terminal

positivo) y un cátodo (terminal negativo). La mayoría de los diodos permiten
que la corriente fluya solo cuando se aplica tensión al ánodo positivo. En este
gráfico se muestran varias configuraciones del diodo.
 2. Símbolo de diodo

El símbolo para representar un diodo es:

La flecha negra ▶ en el símbolo apunta en el sentido de la corriente de avance

del diodo, (i) que es el sentido en el que circula la corriente. El voltaje, (v), del
diodo se orienta con el signo ++plus en el extremo en el que la corriente de
avance entra al diodo. Usamos la convención de signos para componentes
pasivos. La curva de color naranja indica también la polaridad del voltaje.

3. Diodo unión PN

El diodo P-N es indispensable para el funcionamiento de todos los

dispositivos electrónicos, contando con todas las formas de transporte de
portadores, generación y recombinación.
Los portadores mayoritarios se pueden difundir a través de la región de
agotamiento unión PN, a pesar de que el campo eléctrico impide su travesía.
Los portadores minoritarios que llegan a la unión son arrastrados a través de
la región de agotamiento debido a la corriente de arrastre.

En equilibrio, la corriente neta (difusión y arrastre) es cero para ambos,

electrones y huecos, debido a que la corriente de difusión es igual y opuesta
a la corriente de arrastre tanto para ambos portadores.

Diodos de unión p-n son la base no sólo de las células solares, sino de
muchos otros dispositivos electrónicos, como los LED, láser, fotodiodos y
transistores de unión bipolar (BJTs). Una unión p-n combina, en un solo
dispositivo, los efectos de la recombinación, la generación, la difusión y la
corriente de arrastre, descritos en las páginas anteriores.

 Unión PN como rectificador:

Un diodo rectificador o unión PN es un semiconductor de dos terminales que

permite el paso de la corriente en una sola dirección.

Generalmente, el diodo de unión P-N se forma uniendo materiales

semiconductores de tipo n y de tipo p. El lado de tipo P se llama ánodo y el
de tipo n, cátodo.

El diodo rectificador es un dispositivo semiconductor que se utiliza para

convertir la corriente alterna en corriente continua. Tiene una conductividad
unidireccional evidente y puede fabricarse con materiales semiconductores
como el germanio o el silicio.

Se utilizan muchos tipos de diodos para una amplia gama de aplicaciones. Los
diodos rectificadores son un componente vital en las fuentes de
alimentación, donde se utilizan para convertir la tensión alterna en tensión
continua.

El diodo rectificador es capaz de conducir valores de corriente que varían

desde varios miliamperios hasta unos pocos kiloamperios y voltajes hasta
unos pocos kilovoltios.
Se utilizan en las fuentes de alimentación para convertir la corriente alterna
en corriente continua, un proceso llamado rectificación. También se utilizan
en otros circuitos en los que debe pasar una gran corriente a través del
diodo.

 Polarización del diodo (directa e inversa)

1. POLARIZACIÓN INVERSA

Cuando la capa tipo N se conecta al positivo de la batería y la capa P al

negativo se dice que es una polarización inversa, y ocurre lo siguiente a
través de la juntura: Los electrones que salen del negativo de la batería
corren a llenar los vacíos o espacios de la capa P, completando todos los
átomos de esta pastilla los 8 electrones (compartidos con el visitante); a
partir de este momento no reciben más corriente, dado que presentan alta
resistencia.

Cuando se conecta la capa N al positivo, ocurre algo similar todos los

electrones que se encontraban libres en la capa, corren a los espacios del
terminal positivo de la batería, dejando a los átomos de la pastilla
compartiendo sus 8 electrones, en este punto se vuelven aislantes y no
permiten el paso de corrientes eléctricas.

De esta forma una juntura conectada en forma inversa presenta alta

resistencia al paso de la corriente eléctrica.

2. POLARIZACIÓN DIRECTA:

El terminal negativo de la batería introduce más electrones libres a la capa N,

lo que hace que muchos pasen a través de la JUNTURA de las 2 capas y llenen
los espacios de la capa P. Este flujo será permanente debido a que el terminal
positivo de la batería continuamente toma electrones de allí, dejando
espacios para llenar por los electrones que pasen por la unión.

Y así una juntura que se conecta en forma directa presenta baja resistencia al
paso de la corriente.
  Rectificador de media onda:

Los rectificadores eléctricos son los circuitos encargados de convertir la

corriente alterna en corriente continua. Los más habituales son los
construidos con diodos o con tiristores, aunque existen otros que son para
casos especiales y algunos que ya no se utilizan.

El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte

negativa o positiva de una señal de corriente alterna, de lleno conducen
cuando se polarizan inversamente. Además su voltaje es positivo.

Rectificador de media onda con filtro RC (Diodo ideal)

Un circuito RC sirve como filtro para hacer que el voltaje alterno se vuelva
directo casi como el de una batería, esto es gracias a las pequeñas
oscilaciones que tiene la salida del voltaje, las cuales son prácticamente
nulas. La primera parte del circuito consta de una fuente de voltaje alterna,
seguido de un diodo que en esta ocasión será ideal (simplemente para
facilitar la comprensión del funcionamiento) y finalmente el filtro RC.

El circuito funciona de la siguiente manera:

Entra corriente alterna al circuito, la cual se rectifica con el diodo. (Solo

permite pasar un semi-ciclo de la corriente, que en este caso es el semi-ciclo
positivo)

En el momento que el voltaje sale del diodo el condensador se empieza a

cargar y la caída de voltaje se recibe en la resistencia.

En el entender que es lo que está pasando y como calcular el filtro.

  Rectificador de onda completa:

El rectificador de onda completa utiliza ambas mitades de la señal senoidal

de entrada, para obtener una salida unipolar, invierte los semiciclos
negativos de la onda senoidal.

El rectificador de onda completa es un circuito empleado para aprovechar

ambos semiciclos de la corriente alterna y obtener corriente directa como
resultado ideal (positivo y negativo) aunque el resultado aparenta ser el
mismo que en el rectificador de media onda, en este caso los niveles de
intensidad son superiores y la caída de tensión es menor cuando se le aplica
una carga al sistema.

El rectificador de onda completa es muy utilizado en circuitos electrónicos

dígase radiorreceptores, televisores, computadoras, equipos de video, entre
otros. Estamos hablando de circuitos que por sus características necesitan
una alimentación que no produzca ruidos en sus sistemas y que permitan a la
parte analítica su correcto desempeño.

Independientemente de que existen otras formas de rectificadores de onda

completa, el más sencillo está basado en un puente rectificador de cuatro
diodos y un condensador:

En este sistema, al circular la corriente alterna por el puente rectificador los

diodos D3 y D4 separan los semiciclos positivos y D1 y D2 separan los
semiciclos negativos.

El condensador C1 se encarga de sostener la tensión resultante en la fracción

de segundo en que la fuente de Corriente Alterna (AC) cambia su polaridad.
 Conclusión:

 La definición de la banda de energía establece que el número de

átomos en una piedra de cristal puede estar más cerca y varios
electrones pueden interactuar entre sí.
 Los portadores se mueven libremente sobre la red del semiconductor
en una dirección aleatoria a una cierta velocidad determinada por la
temperatura y la masa del portador. Los portadores continuarán en
esa dirección hasta que choquen con otro átomo de la red.
 Un hueco de electrón, o simplemente hueco, es la ausencia de un
electrón en la banda de valencia que estaría normalmente completa
sin el hueco.
 Un electrón es una partícula con carga eléctrica negativa. Los
electrones forman la corteza exterior “reactiva” de los átomos que
interacciona con otros y forman los vínculos químicos que mantienen a
las moléculas unidas.
 Un enlace covalente se produce en dos átomos no metálicos cuando se
unen y comparten uno o más electrones del último nivel para alcanzar
así la regla del octeto.
 Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son
impurezas pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en
un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores
mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores
minoritarios".
 Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son
impurezas trivalentes. Como el número de huecos supera el número
de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los
electrones libres son los minoritarios.
 El diodo es un semiconductor cuya principal función es dejar pasar la
corriente solo en una dirección, es decir, en un solo sentido y bloquear
la corriente en el otro sentido.
 Bibliografía:

https://es.acervolima.com/definicion-y-clasificacion-de-bandas-de-energia/

https://www.pveducation.org/es/fotovoltaica/dispositivos-
semiconductores/movimiento-de-portadores-en-
semiconductores#:~:text=Los%20portadores%20se%20mueven
%20libremente,otro%20%C3%A1tomo%20de%20la%20red.

https://es.wikipedia.org/wiki/Hueco_de_electr%C3%B3n

https://concepto.de/electron/

https://concepto.de/enlace-covalente/

http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/
Pagina6.htm

https://www.fluke.com/es-ve/informacion/blog/electrica/que-es-un-diodo

https://es.khanacademy.org/science/electrical-engineering/ee-
semiconductor-devices/ee-diode/a/ee-diode-circuit-element#:~:text=La%20K
%20luce%20como%20el%20s%C3%ADmbolo%20de%20un%20diodo.