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Conductividad Electrnica

Qu es la conductividad electrnica?
Es la medida de la capacidad (o de la amplitud) de un material para dejar pasar
(o dejar circular) libremente la corriente elctrica.
La conductividad depende de la estructura atmica y molecular del material,
los metales son buenos conductores porque tienen una estructura con muchos
electrones con vnculos dbiles, y esto permite su movimiento.
La conductividad tambin depende de otros factores fsicos del propio material,
y de la temperatura.

1. Conductividad Electrnica de los Semiconductores:


Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o
como un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el
campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la
temperatura del ambiente en el que se encuentre.
El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el
germanio, posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el
azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes y
tienen la capacidad de conducir la corriente cuando se aplica una
diferencia de potencial.
A temperatura muy bajas, los semiconductores puros se comportan
como aislantes, pero sometido a temperaturas altas, mezclado con
impurezas o en presencia de luz la conductividad de los semiconductores
pueden aumentar de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles
cercanos a los de metales.

2. Tipos de Semiconductores:
Semiconductores intrnsecos
Semiconductores extrnsecos
o Semiconductor tipo N
o Semiconductor tipo P
2.1.

Semiconductores Intrnsecos:

Un conductor es Intrnsecos cuando se encuentra en estado puro,


no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su
estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los
electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida
ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran
presentes en la banda de conduccin.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento
semiconductor intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se
rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se
liberan de la atraccin que ejerce el ncleo del tomo sobre los
mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conduccin y all
funcionan como electrones de conduccin, pudindose desplazar
libremente de un tomo a otro dentro de la propia estructura
cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el
paso de una corriente elctrica.
Como se puede observar en la ilustracin, en el caso de los
semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es
mucho ms estrecho en comparacin con los materiales aislantes. La
energa de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para
saltar de la banda de valencia a la de conduccin es de 1 eV
aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si), la energa
de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV,
mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrnseco, compuesta


solamente por tomos de silicio (Si) que forman una celosa. Como se
puede observar en la ilustracin, los tomos de silicio (que slo
poseen cuatro electrones en la ltima rbita o banda de valencia), se
unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y
crear as un cuerpo slido semiconductor. En esas condiciones el
cristal de silicio se comportar igual que si fuera un cuerpo aislante.

2.2.
extrnsecos:

Semiconductores

Son los semiconductores que estn dopados, esto es que tienen


impurezas. Hay 2 tipos dependiendo de qu tipo de impurezas
tengan:
Semiconductor Tipo N:
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un
proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al
semiconductor para poder aumentar el nmero deportadores
de carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones
ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor.
Este tipo de agente dopante es tambin conocido
comomaterial donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de
electrones portadores en el material
Semiconductor Tipo P:

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un


proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al
semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores
de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms
dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este
agente dopante es tambin conocido como material aceptor y
los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son
conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de
huecos.