UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTÍN

FACULTAD DE INGENIERÍA DE PRODUCCIÓN Y SERVICIOS

ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

TRABAJO DE INVESTIGACIÓN FORMATIVA:

“Dispositivos semiconductores”

INTEGRANTES:
-Llaja Apaza Aarom
-Maldonado Ordoñez, Christofer J.
-Noa Kana, Luis Jefferson
-Torres Turumpire, Octavio Isaac
 Dispositivos semiconductores
Los dispositivos semiconductores son esenciales en la electrónica contemporánea, reemplazó en gran
medida a los tubos al vacío utilizados en los primeros días de la radio y televisión. Transistores, diodos,
circuitos integrados y otros dispositivos de estado sólido han sustituido a los tubos al vacío en las
últimas cuatro décadas. La fotocelda (Figura 1) es un ejemplo de dispositivo semiconductor que utiliza
la absorción de fotones para aumentar la conductividad, generando corriente proporcional a la
intensidad de la luz. Los detectores de partículas cargadas basados en semiconductores aprovechan la
excitación de electrones por partículas cargadas, produciendo impulsos de corriente en circuitos
externos. Estos detectores de estado sólido son cruciales en investigación nuclear y física de alta
energía, contribuyendo a importantes descubrimientos en estos campos.

Figura 1. Una fotocelda semiconductora en

un circuito. Cuanto más intensa sea la luz
que cae en la fotocelda, mayores serán la
conductividad de la fotocelda y la corriente
medida por el amperímetro (A)
Figura 2. Diagrama de bandas de energía
para un semiconductor tipo p a baja
temperatura. Un nivel receptor ha
aceptado un electrón de la banda de
valencia, dejando atrás un hueco.
Young, H. D. (2009). Física Universitaria: Sears-Zemansky.
 La unión p-n
- La conductividad del material semiconductor está controlada por
concentraciones de impurezas, como ejemplo la unión p-n en la frontera
entre una región de un semiconductor con impurezas tipo p, y otra
región que contiene impurezas tipo n.
- Cuando una unión p-n se conecta con un circuito externo (figura 3), y
se hace variar la diferencia de potencial Vp - Vn = V a través de la unión,
la corriente I varía (figura 4).
- Válida para valores tanto positivos como negativos de V, Cuando V se Figura 3
vuelve muy negativo, I tiende al valor -Is.

En el exponente, e = 1.602 x 10^(-19), C es el cuanto de carga, k

es la constante de Boltzmann y T es la temperatura absoluta.

Figura 4
 Corrientes a través de una unión p-n
El comportamiento cualitativo de un diodo de unión p-n se comprende considerando los mecanismos de conductividad en
ambas regiones. La polarización directa, con la conexión de la batería, permite una corriente en sentido directo. La polarización
inversa, al invertir la polaridad de la batería, resulta en una corriente inversa significativamente menor. La analogía con una caja
con barrera permeable ilustra la difusión de cargas a través de la unión p-n. En equilibrio, las corrientes de difusión y
recombinación son iguales.
|ipg|=|ipr| y |ing|=|inr|
NOTA
En el equilibrio térmico, la energía de Fermi es constante a través de la unión. Al aplicar una polarización directa, la disminución
del campo eléctrico facilita la difusión de electrones y huecos, aumentando las corrientes de recombinación. Para polarización
inversa, se observa el efecto de ruptura por avalancha y la ruptura de Zener en diodos, complicando su comportamiento práctico.

Figura 6, se representa una unión p-n bajo condiciones de polarización directa. La diferencia de
Figura 5: se representa una unión p-n en equilibrio, sin campo ni diferencia de potencial externamente aplicados. Las corrientes
potencial entre las regiones p y n disminuye, al igual que el campo eléctrico dentro de la unión.
de generación y recombinación son iguales. La energía de Fermi (EF) es constante en ambos lados de la unión. Se observa un
Las corrientes de recombinación aumentan, mientras que las de generación son casi constantes,
exceso de carga positiva en el lado n y de carga negativa en el lado p, generando un campo eléctrico en la dirección indicada.
resultando en una corriente neta de izquierda a derecha.
 transistores
Un transistor de unión bipolar con dos uniones p-n en configuración de "emparedado". En esta configuración, al aplicar una
polarización directa entre el emisor y la base, se controla la corriente en el circuito del colector, funcionando así como un
amplificador de potencia o voltaje. También se da el efecto de campo (MOSFET) y su variante de enriquecimiento, explicando
que funciona como un amplificador al modular la corriente entre la fuente y el drenaje mediante la carga en la compuerta.

Figura 7.

Aplicaciones

los transistor NPN y PNP, tienen dos aplicaciones principales: pueden funcionar como un interruptor o como un amplificador con
ganancia variable. Además, el transistor es esencial en el desarrollo de sistemas digitales, como compuertas lógicas, que son
fundamentales para los sistemas embebidos y, en última instancia, para la tecnología digital actual. En su aplicación más común, los
transistores NPN y PNP se utilizan como un interruptor electrónico, operando en las zonas de corte y saturación.
 Circuitos integrados
- Un refinamiento más en la tecnología de semiconductores es el circuito integrado.

- pueden combinar las funciones de varios MOSFET, capacitores y resistores en un solo cuadro de
material semiconductor.

- Una ampliación de este concepto conduce a los circuitos integrados en gran escala y a la integración
muy grande (VLSI)

- Estos chips resultantes de circuito integrado son el centro

de todas las calculadoras de bolsillo y las computadoras
actuales.

- Útiles por su miniaturización, confiabilidad, rapidez,

consumo de energía y costo. Aplicaciones en las
comunicaciones, los sistemas de cómputo, los sistemas de
control y entre otros.
Figura 8. Un circuito integrado del tamaño de su
pulgar puede contener millones de transistores.