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Prctica # 2. Circuitos generadores de corriente

constante.
Sebastin Peaherrera, openaherrerap@est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana, Sede Cuenca
Laboratorio Analgica II.

AbstractThis document presents the design, calculation and

experimentation about various constant current generator circuits, among them, configurations with BJT and JFet transistors.
Also, it is documented a sawtooth signal generator circuit with a
BJT transistor. Simulations will be documented in order to have
information for future practices.
Index TermsFuente de corriente constante, analgica, BJT,
JFet, transistor.

O BJETIVOS
1. Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de dos
circuitos generadores de corriente constante:
a) Con transistor FET.
b) Con transistor BJT.
2. Disear un circuito para obtener una seal de diente de
sierra.
I.
I-A.

entre Gate y Source (Vgs), la misma que hace crecer una zona
de agotamiento que obstaculiza el paso de corriente por medio
del canal central. Esto se debe a que Vgs polariza inversamente
el diodo entre Gate y Source. Cuanto mayor sea esta tensin
inversa menor ser la corriente de drenaje.
El voltaje de estrangulamiento es Vp y la corriente de
saturacin de drenaje es Idss, los cuales son los parmetros
mximos de tensin y corriente para un JFet.
Los transistores Fet en general se caracterizan por tener una
alta impedancia de ingreso, por lo tanto no absorben corriente
de Gate lo que les hace adecuados para circuitos de baja
corriente, esta caracterstica est descrita en la ecuacin 2.
La relacin que describe el funcionamiento es conocida como
ecuacin de Shockley que se describe a continuacin:
2

VGS
(1)
ID = IDSS 1
VP

M ARCO T ERICO

ID = 0 A

(2)

JFet.

La familia de transistores Fet se caracterizan por tener una

construccin y funcionamiento diferentes a los Transistores
de Unin Bipolar (BJT). Su nombre se refiere a Transistor
de Efecto de Campo, para el caso de los JFet su nombre se
refiere a la familia a la que pertenece y a que es un transistor
de Unin (Junction Field Effect Transistor).
El transistor JFet est formado por la unin de dos materiales semiconductores, el tipo N que contiene cargas negativas
se encuentra en el centro recubierto por un anillo de material
tipo P, en el caso de un JFet de tipo N, para su contra parte P
el material central es positivo. Su estructura externa se muestra
como tres contactos Gate (Compuerta), Drain (Drenaje) y
Source (Fuente).[1]

I-B.

BJT

El transistor BJT es un dispositivo electrnico formado

por la unin de tres materiales semiconductores npn o en su
defecto pnp. Su funcionamiento es similar a la de un diodo;
cuando es polarizado directamente, la regin de agotamiento
se acorta permitiendo el intercambio de portadoras entre los
materiales semiconductores y generando a la vez el paso de
corriente a travs de sus terminales.
El transistor posee tres terminales llamados: base, colector
y emisor. La caracterstica principal de este tipo de transistores
es la relacin lineal que mantiene la corriente de base con la
corriente de colector, representada en la ecuacin 3.
IC = IB

Figura 1. Estructura JFet.

Su funcionamiento se basa en el estrangulamiento de la

regin central del dispositivo, esto se logra variando la tensin

(3)

El funcionamiento de este dispositivo est descrito en tres

regiones: saturacin, corte y lineal. La regin de saturacin
se caracteriza por el transistor trabajando como interruptor
cerrado, se ubica en la parte superior de la recta de carga
cuando la corriente de colector tiende a ser la mxima. La
regin de corte es inversa a la de saturacin, por lo tanto,
su funcionamiento ser descrito como un interruptor abierto
y est ubicada en la parte inferior de la recta de carga.
La regin lineal se encuentra posicionada en la mitad de la
recta; generalmente es usada para configurar al transistor como
amplificador.

La corriente que circula por el Resistor de base es la suma

de la corriente del diodo con la corriente de base. Esta relacin
queda expresada en la ecuacin 6.
IR1 = ID + IB

(6)

El valor del resistor de Base se deduce a partir de la Ley de

Ohm, el mismo que est expresado por medio de la ecuacin
7.
Figura 2. Estructura BJT.

R1 =
I-C.

VEE VZ
I1

(7)

Fuente de corriente constante

Son circuitos establecidos de tal manera que a pesar de

existir una variacin en la carga, su salida se mantiene invariante. Puede sen configurados mediante transistores BJT o
Fet, siendo los primeros relativamente ms estables. Debido
a las corrientes que manejan los transistores Fet, se establece
que deben ser utilizados para salidas de corriente no mayor a
20 mA.
I-C1. Fuente de corriente constante con BJT.: Esta configuracin est conformada por un transistor de unin bipolar
con un arreglo de resistores y un Zener. El diodo mantiene la
tensin constante a la resistencia de emisor, de modo que al
existir un cambio en la tensin en la malla entre base y emisor,
esta resistencia no varia su voltaje, permitiendo de este modo
se mantenga constante el valor de corriente que circula a travs
de ella. El esquema puede ser observado en la figura 3.[1]

I-C2. Fuente de corriente constante con Fet.: Considerando la funcin que debe cumplir el circuito, de entregar una
corriente de un valor fijo, se polariza al Fet en Gate a tierra;
debido a que a esta configuracin entrega una corriente de
Drain constante de valor mximo como Idss.

Figura 4. Esquema de fuente de corriente constante con Fet.

La corriente en un transistor Fet depende de la tensin

entregada entre Gate y Source y no de la carga, por lo tanto:
ID = IDSS

(8)

La resistencia mxima est definida por la relacin entre

tensin de la fuente y el Idss:
RLmax =

VDD
IDSS

(9)

Figura 3. Fuente de corriente constante con BJT.

I-D.
La ecuacin 4 describe el funcionamiento del circuito antes
mencionado por medio del valor de tensin que regula el diodo
Zener.
RE =

VZ VBE
IE

(4)

La resistencia mxima para el circuito con BJT est definida

por la ecuacin 5.
Rmax =

VEE IE RE
IE

(5)

Generador de seal diente de Sierra.

El funcionamiento de este circuito se basa en cargar un

capacitor linealmente, para ello el transistor debe estar polarizado en regin de corte de modo que se lo considere como un
circuito abierto. Cuando el capacitor se cargue completamente
es necesario descargarlo instantneamente, para ello se debe
generar un cortocircuito entre los terminales del capacitor; en
otras palabras el transistor debe polarizarse en saturacin, por
lo tanto es considerado como un interruptor cerrada con tierra,
de ese modo la descarga es rpida. El esquema se observa en
la figura 5.

Cuadro I
D ESCRIPCIN DE M ATERIALES Y H ERRAMIENTAS .
Descripcin
Transistor MPF102
Transistor 2n3904
Capacitores varios
Diodo Zener 5.1V
Resistores Varios
Cable Multipar
Pinza Puntas Planas

III.
III-A.

Figura 5. Esquema Generador de seal de diente de sierra.

Para asegurar que el transistor entre en saturacin se debe

calcular el valor de resistencia mxima de colector, la relacin
se observa en la ecuacin 10.
RCmax =

VCC
IC

(10)

(11)

Un factor importante del circuito es el valor del capacitor,

pues este multiplicado con el valor de resistencia de colector
permiten conocer el tiempo aproximado de carga y descarga
del mismo. Para obtener una lnea completamente recta y no
exponencial como lo es por defecto, el tiempo de carga debe
ser mucho mayor a 5 , de modo que el transistor se polarice
en cierta fraccin de ese tiempo y asegure una carga lineal y
una descarga casi inmediata. La constante de tiempo tao esta
definida por la ecuacin 12.
= RC

(12)

En cuanto al resistor de base debe ser pequeo para asegurar

el estado de saturacin. Para considerar ese cambio en las
regiones de la recta de carga, la seal de ingreso debe
ser cuadrada con un valor de frecuencia relacionado con la
constante de tiempo del capacitor. El clculo de la resistencia
de base se da por medio de la ecuacin 13:
RB =

II.

VS VBE
IBsat

(13)

M ATERIALES Y H ERRAMIENTAS

En esta seccin se presentan los materiales y herramientas

mostrados en el cuadro .

Precio
1.20
1.20
2.00
0.30
0.60
1.50
8.00

D ESARROLLO

Clculos.

III-A1. Determinacin de los parmetros Idss y Vp.:

Para poder obtener estos valores es necesario configurar en
Polarizacin Fija al transistor JFet, con resistencias de drenaje
de cualquier valor. Para Vds se escoge un valor de fuente que
est cerca al que se va a establecer en las polarizaciones, y el
Vgs valores negativos pequeos. Los valores medidos de Id
para cada valor de Vgs se demuestran en la tabla II.
Cuadro II
VALORES I D VS V GS .

Adicional se debe asegurar que la corriente de base es la

suficientemente grande como para saturar el transistor, por lo
tanto se debe multiplicar su valor por un factor de garanta
como en la ecuacin 11:
IBsat = IB G

Cantidad
2 unidades
2 unidades
5 unidades
1 unidad
20 unidades
1m
1 unidad

Vgs (V)
-1
-1.5

Id (mA)
4.12
2.5

Con estos valores, se pueden establecer dos ecuaciones con

dos incgnitas, reemplazando en la relacin 1. A continuacin
se detallan los resultados:
1.
3,85 103 = IDSS (1 +

1 2
)
VP

0,87 103 = IDSS (1 +

2 2
)
VP

2.

Con estas dos ecuaciones establecidas, se procede a resolver

el sistema y se obtienen los siguientes resultados:
Cuadro III
VALORES I DSS Y V P CALCULADOS .
Idss (mA)
8.95
23.5

Vp (V)
-2.906
-1.678

De estos pares de races se escoge el primero debido a que

el segundo sobrepasa las condiciones de funcionamiento del
transistor.
III-A2. Fuente de corriente constante con BJT.: Los parmetros necesarios para el clculo est definidos para obtener
una corriente Id = 10mA, con una fuente de de 16 V en
corriente continua; adicional la tensin del diodo zener es
5.1V con una corriente de polarizacin de 8mA. El factor de
ganancia de corriente para corriente continua del transistor es
208. El modelo con los parmetros establecidos se encuentra
en la figura 6.

Rmax =

VEE IE RE
IE

Rmax =

16 4,4
10mA

Rmax = 1,16 K
Los valores calculados son aplicados al esquema original,
obteniendo la siguiente simulacin (Figura 7) :

Figura 6. Diseo de Fuente con BJT.

El valor de corriente de base se determina aplicando la

ecuacin 3 con el valor conocido de Ic = 10mA.
IB =

IC

IB =

10
208

IB = 0,048 mA
Considerando la ecuacin 6, se determina el valor de
corriente del resistor de base.
IR1 = ID + IB
IR1 = 0,048 + 8

Figura 7. Simulacin Fuente de corriente constante BJT.

Debido a que la corriente es constante, su punto de trabajo

se mantendr de igual forma constante. La recta de carga se
muestra en la figura 8:

IR1 = 8,048 mA
El resistor de base se obtiene aplicando la ecuacin 7:
R1 =

VEE V z
IR1

R1 =

16 5,1
8,048

R1 = 1,354 K
La resistencia de emisor se calcula por medio de la ecuacin
4:
RE =

VZ VBE
IE

RE =

5,1 0,7
IE

RE = 0,44 K
La mxima resistencia de carga se determina aplicando la
ecuacin 5:

Figura 8. Recta de Carga fuente con BJT.

Si se realiza un anlisis de la resistencia versus la corriente

se obtiene la siguiente grfica de operacin. Ver grfica 9.

Figura 9. Simulacin Resistencia vs Corriente BJT.

Figura 11. Simulacin fuente con JFet.

III-A3. Fuente de corriente constante con JFet.: Los parmetros necesarios para el clculo est definidos para obtener
una corriente Id = 8.95 mA, con una fuente de de 12 V en
corriente continua. El modelo con los parmetros establecidos
se encuentra en la figura 10.

Si se realiza un anlisis de la resistencia versus la corriente

se obtiene la siguiente grfica de operacin. Ver grfica 12:

Figura 12. Simulacin Resistencia vs Corriente JFet.

Figura 10. Diseo de fuente con JFet.

Teniendo en cuenta que para esta polarizacin la corriente

obedece a la ecuacin 8.

III-A4. Generador de seal Diente de Sierra.: De igual

forma, los parmetros conocidos como Vcc =10V, Ic = 4 mA,
= 208, se espera entregar una seal cuadrada de 5 Vp, con
una frecuencia de 1KHz y garanta de corriente de saturacin
de 10 permiten obtener el esquema inicial de la fuente como
se muestra en la figura .

El valor de la resistencia est determinado por la aplicacin

de la ecuacin 9.

RLmax =

VDD
IDSS

RLmax =

12
8,95

Figura 13. Diseo generador.

RLmax = 1,34 K

Con los datos calculados, se obtiene la siguiente simulacin

(ver figura 11) :

Para obtener el valor de la Resistencia de Colector, basta

con reemplazar los parmetros adecuados en la ecuacin 10.
RCmax =

VCC
IC

RCmax =

10
4mA

La vista al osciloscopio se puede observar en la figura .

RCmax = 2,5 K
La corriente de base se obtiene aplicando la ecuacin 3.
IC = IB
IB =

4
208

IB = 0,01923 mA
Con este dato y aplicando la ecuacin 11.

Figura 15. Vista de la seal en Osciloscopio.

IBsat = IB G
III-B.
IBsat = 0,01923 10
IBsat = 0,1923 mA
Reemplazando en la ecuacin 13, se obtiene el valor de la
resistencia se base.
RB =

VS VBE
IBsat

RB =

5 0,7
0,1923

RB = 22,36 K
Estableciendo que 2 Perodos son una constante de tiempo.
Si se reemplaza en la ecuacin 12.
2T =
C=
C=

Mediciones

Los resultados de las mediciones se presentan a continuacin.

III-B1. Fuente de corriente constante con BJT.: Se han
tomado 6 valores de prueba desde 0 hasta 1.2 kilohmios, se
presenten en la tabla IV:
Cuadro IV
VALORES DE C ORRIENTE MEDIDOS BJT.
Resistencia RL ()
0
250
500
680
1.108
1466

Corriente IRL (mA)

11.15
10.85
10.73
10.7
10.3
10.1

Ahora se procede a interpolar estos valores obteniendo la

siguiente grfica de resistencia vs corriente (figura 16).

2T
R

2 (1/1000)
2,5 103

C = 800 nF
Si se simulan estos valores obtenidos, los resultados se
muestran en la figura 14.

Figura 16. Resistencia vs Corriente BJT.

Figura 14. Simulacin del Generador de seal.

III-B2. Fuente de corriente constante con JFet.: Se han

tomando 10 valores de prueba desde 38 ohmios hasta 1kilo
ohmios, se presentan en la tabla V.

Cuadro V
VALORES DE C ORRIENTE MEDIDOS JF ET.
Resistencia RL ()
38
315
476
619
673
711
782
855
894
931
994
1077

Corriente IRL (mA)

8.27
8.25
8.24
8.22
8.20
8.20
8.18
8.14
8.12
8.10
8.02
7.89

Ahora se procede a interpolar estos valores obteniendo la

siguiente grfica de resistencia vs corriente (figura 17).

Los valores calculados y medidos para el caso de la

fuente de corriente constante con JFet son bastante aproximados, por lo que se ve que el transistor JFet tiene un
mejor desempeo en el manejo de bajas corrientes.
Los valores calculados y medidos con la fuente de
corriente constante con BJT guardan ciertas variaciones
en comparacin el JFet, pero a pesar de ellas se sigue
manteniendo una corriente bastante aceptable para la cual
se dise el circuito.
En el caso del circuito generador de seal diente de sierra,
los valores medidos y calculados resultan casi exactos,
esto se debe al poco error debido al existir dos estados
en el transistor, como son corte y saturacin; y en base a
ellos se puede fcilmente cargar y descargar el capacitor.
C ONCLUSIONS
Transistors have a lot of applications in electronics, but each
one depends of polarization kind and other components that
work together with transistor. The BJT are more robust than
JFet when they work with high currents but JFet are more
accurate than BJT when they operate in circuits with low
currents; this is a reason because Microprocessors are built
by Fet transistors.
When transistors are configured like an interrupter we must
ensure that base current is enough big in order to polarize
the device in saturation. This consideration is rather important
because when I was doing the practice the capacitor didnt
discharge fast enough in order to have a well defined sawtooth
signal. In the other hand, we must ensure that transistor is
working in cut off region, in this case, base current must be
zero or near of zero.
R EFERENCIAS

Figura 17. Resistencia vs Corriente JFet.

III-B3. Generador de seal diente de sierra.: En el laboratorio se obtuvo la siguiente grfica de osciloscopio. Ver
figura 18.

Figura 18. Vista de Osciloscopio en Laboratorio.

IV.

A NLISIS

Una vez obtenidos los distintos parmetros por medio de

clculo y experimentacin se establece que:

[1] Boylestad R., Nashelsky L. Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos

electrnicos. Prentice Hall. Dcima Edicin. 2009.