LABORATORIO 7

Mejía Kevin, Oleas Daniel, Santander Celeste, Taco Paul, Tibán Ian
Universidad De Las Fuerzas Armadas “ESPE”
Departamento de Eléctrica, Electrónica y Telecomunicaciones

I. TEMA DE LA PRÁCTICA: AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIÓN JFET EN

AUTOPOLARIZACIÓN, COMPUERTA COMÚN Y DIVISOR DE VOLTAJE.

II. INTRODUCCIÓN
● Identifique los terminales del transistor JFET.
● Calcular el punto de operación del transistor.
● Aplicar una fuente de voltaje correspondiente.
● Realizar un cuadro con los resultados obtenidos que permita comparar los datos calculados vs
los datos simulados.

III. OBJETIVOS
● General: Diseñar y analizar el funcionamiento
● Específicos
○ Analizar el comportamiento de un circuito amplificador en configuración base común
○ Analizar el comportamiento de un circuito amplificador en polarización DC
○ Analizar el comportamiento de un circuito amplificador en AC
○ Verificar la salida de acorde al diseño

IV. INSTRUCCIONES
● Identifique los terminales del transistor JFET.
● Calcular el punto de operación del transistor
● Aplicar una fuente de voltaje correspondiente.
● Realizar un cuadro con los resultados obtenidos que permita comparar los datos calculados vs
los datos simulados.

V. ACTIVIDADES A DESARROLLAR
CONSULTA
● Procedimiento para identificar los terminales de un transistor JFET.

Para identificar los terminales de un JFET el procedimiento a seguir es muy simple. Lo que se debe
hacer es encontrar el datasheet del dispositivo que estemos utilizando, en el datasheet hay una imagen
que nos especificará con una foto del dispositivo cual es cada uno de los terminales.
 Fig 1. Sección de datasheet donde especifica terminales
.
La imagen que debemos buscar es como la siguiente, como vemos ahí se encuentran especificados los
terminales con una foto del dispositivo para que podamos identificarlos nosotros también.

● Ecuación de la corriente de drenaje y características de las regiones de operación de un

JFET.

Ecuación de Corriente de Drenaje

La ecuación de la corriente de drenaje vendría a ser la ecuación de Shockley, que es la que relaciona la
corriente de drenaje con el voltaje entre compuerta y fuente el cual es la variable de control para una
red que incluya un FET.

Fig 2. Ecuación de Shockley

Como vemos esta ecuación no es lineal ya que posee un termino elevado al cuadrado, esta ecuación
nos sirve para encontrar la curva de transferencia del FET.

Características de las regiones de operación.

 Fig 3. Características de un canal n. Con regiones de operación especificadas.

Lo que separa ambas regiones es el voltaje de estrangulamiento cuando el voltaje entre compuerta y
fuente es cero.

- Región Óhmica

Se ubica a la izquierda del lugar geométrico de los valores de estrangulamiento. En la región óhmica
el voltaje entre compuerta y fuente es menor a cero y va a ir decreciendo junto con la corriente de
drenaje, hasta que el voltaje entre compuerta y fuente sea igual al voltaje de estrangulamiento y la
corriente de drenaje sea 0. Tomando así el voltaje de estrangulamiento un valor negativo en el caso de
una canal n y positivo en el caso de un canal p.

Cuando un JFET trabaja en la región óhmica es equivalente a una resistencia cuyo valor es
aproximadamente:

Fig 4. Ecuación de la resistencia óhmica.

Donde RDS es la resistencia óhmica del JFET. Si el JFET está operando en cualquier punto de la región
óhmica la resistencia óhmica será RDS.

- Región de Saturación

Se ubica a la derecha del lugar geométrico de los valores de estrangulamiento. Aquí el voltaje entre
compuerta y fuente toma un valor de cero, mientras que la corriente de drenaje es prácticamente
constante y toma su valor máximo. Esto nos dice que la compuerta y la fuente se encuentran
cortocircuitadas y, por tanto, solo se depende del voltaje entre drenaje. En esta región el JFET actúa
como una fuente de corriente continua.

● Característica de Drenaje y Característica de transferencia de un JFET canal P.

Su construcción es igual a la de un canal n, solo que se invierten los materiales. Las direcciones de las
corrientes también cambian haciendo que ahora el voltaje entre compuerta y fuente sea positivo en la
región óhmica, en cambio el voltaje entre drenaje y fuente ahora es negativo.

Fig 5. Esquema de un JFET de canal p.

Las direcciones de las corrientes quedarían como se en la figura y la polarización de las fuentes
también, como vemos están invertidas con respecto a una JFET de canal n.

Fig 6. Características de un JFET de canal p.

Como podemos ver ahora en los valores máximos del voltaje entre drenaje y fuente existe una región
de ruptura. Esta región de ruptura ocurre cuando sobrepasamos el voltaje máximo entre drenaje y
fuente, lo que indica que ahora la corriente de drenaje solo depende del circuito externo.

Características de transferencia

La corriente de drenaje se la puede obtener por la ecuación Shockley así como la curva de
transferencia. Pero como vimos que las corrientes cambian su dirección y los voltajes cambian su
signo. Ahora la curva se ve como en el ejemplo siguiente.

Fig 7. Ejemplo de circuito utilizando un JFET de canal p. Curva de Transferencia de JFET de canal p.

Como se puede observar ahora el voltaje de drenaje en continua ahora es negativo, esto es lo que hace
que ahora la corriente cambie la dirección.

1) Para un amplificador en la configuración Divisor de Voltaje, realizar las siguientes

actividades:
1.1. Diseñar con los siguientes datos: VDD=20 V, R1=910kΩ, R2=110kΩ, RD= 2.2kΩ,
S=1.1kΩ , IDSS=10mA y Vp=-3.5V con un Vi=20mV.

Figura 1.1: Configuración divisor de voltaje.

1.2. Obtener los valores faltantes en la red

Condiciones:

Análisis DC:
Encontramos VG

Malla G-S

1.3. Encontrar el punto de operación de manera matemática y gráfica

Realizamos la gráfica para encontrar el punto Q

Figura 1.2: Determinación del punto Q.

Gráficamente encontramos que el punto Q es:

 Encontramos el resto de parámetros de la red

1.4. Realizar un cuadro comparativo con los valores calculados y los valores simulados
Simulación:

Figura 1.3: Valores de voltaje y corriente de la configuración..

Figura 1.4: Voltaje GS.

Valores teóricos Valores simulados Error porcentual

Id [mA] 3,5 3,26 6,8571
VGS [ V ] -1,3 -1,4 7,6923
VD [ V ] 12,3 12,8 4,0650
VS [ V ] 3,85 3,58 7,0130
Tabla 1.1: .

Análisis: Los errores que se presentan en la simulación se deben principalmente a que el JFET no
tiene las características de IDSS y VP exactas como lo pide en el problema.
2) Para un amplificador en la JFET en autopolarización, realizar las siguientes
actividades:
1.1. Diseñar con los siguientes datos: VDD=20 V, RD= 2.2kΩ, RS=0,68kΩ ,
IDSS=4.5mA, y Vp=-5V con un Vi=0.1mV.

Figura 2.1: Circuito de autopolarización .

1.2. Obtener los valores faltantes en la red
1.3. Encontrar el punto de operación de manera matemática y gráfica
Manera matemática

Manera gráfica

Figura 2.2: Determinación del punto Q.

1.4. Realizar un cuadro comparativo con los valores calculados y los valores simulados

Resultados:
VGS:

Figura 2.3: Valor VGS.

 Figura 2.4: Valores de voltaje y corriente de la configuración..

Tabla de Comparación

Tabla de Errores

Valor Calculado Valor Simulado Error Porcentual

ID 2.02mA 2.4mA 18%

VD 15.55 V 15.139 V 2.64%

VS 1.4 V 1.6 V 14.2%

VG 0V 0V 0%

VGS -1.496 V -1.652 9.44%

Tabla 2.1: Tabla de Comparación valores simulados vs calculados .

Análisis: Comparando los valores realizados mediante el método matemático, y realizados a través de
la simulación se observó que los valores de error son relativamente bajos, comprobando de esta
manera que en ambos casos se realizó una correcta resolución.
3) Para un amplificador en la JFET en configuración compuerta común, realizar las
siguientes actividades:
4.1 Diseñar con los siguientes datos: VDD=12 V, RD= 3kΩ, RS=2kΩ ,Vss=-3V VDS= 4V
con un Vi=0.1mV.

4.2 Obtener los valores faltantes en la red

4.3 Encontrar el punto de operación de manera matemática y gráfica
Punto de trabajo.

CALCULADO
IDQ [ mA ] 2.2
VGSQ [ V ] -1,4

4.4 Realizar un cuadro comparativo con los valores calculados y los valores simulados
 Valores teóricos Valores simulados Error porcentual
Id [mA] 2,2 2,10 4,5000
VGS [ V ] -1,4 -1,22 12,9286
VD [ V ] 5,4 5,67 5,0000
VS [ V ] 1,4 1,21 13,5714

a)Voltaje gate-source b) Datos simulados

Fig 1 Datos simulados

Con la tabla de errores se observa que los datos simulados y los calculados poseen una
buena aproximación considerando que para la simulación se utilizó un JFET que se
aproxime a los requerimientos del problema.
VI. CONCLUSIONES
● Tras el estudio de los JFET se concluye que estos son aptos para aplicaciones que requieran
una alta impedancia de entrada, a la vez que consideramos que solo manejan bajas potencias.
● Al final el diseño e implementarlo a través de un simulador, podemos concluir que tomando
de manera adecuada los parámetros dados por el fabricante, permiten aproximar la teoría a la
práctica manteniendo así el comportamiento del circuito.
VII. RECOMENDACIONES
● Al realizar la simulación, revisar detalladamente los parámetros que tiene el modelo que se va
a usar, de ser necesario modificar los parámetros con los comandos respectivos en LTSpice.
● Revisar los parámetros adecuados para cada tipo de configuración del FET, debido a que en
cada tipo de configuracion existen metodos de resolucion adecuados para cada uno, luego de
obtener los datos se compara con los datos de la simulación para observar el error aproximado
y comprobar si se resolvió de manera adecuada el método matemático.

VIII. BIBLIOGRAFÍA

● Boylestad, R., Nashelsky, L. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos

Electrónicos. México: Pearson Education.
● Albert Malvino, David J. Bates. (2007). Principios de Electrónica. Madrid: The McGraw-Hill
Companies.