LABORATORIO DE AMPLIFICADORES

POLARIZACIONES DEL FET

PRESENTADO POR:
DIANA MARCELA ROZO
KEVIN REQUENA BARRERA
NICOLAS MUÑOZ GUZMAN

PRESENTADO A:
HORACIO BERNAL

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE COLOMBIA

BOGOTA DC
I SEMESTRE-2014
 LABORATORIO DE AMPLIFICADORES
UNIVERSIDAD AUTONOMA DE COLOMBIA
POLARIZACION DEL JFET

POLARIZACIONES DEL JFET

 RESUMEN

En el siguiente laboratorio, observaremos el comportamiento de un transistor (JFET); En los transistores

bipolares, una pequeña corriente de entrada (corriente de base) controla la corriente de salida (corriente de
colector); en los casos de los JFET, es un pequeño voltaje de entrada que controla la corriente de salida. Para
ello analizaremos el circuito en DC, hallando el punto Q y así comprobar lo dicho anteriormente. También
Analizaremos el comportamiento del JFET; en sus tres polarizaciones (fija, universal y auto-polarización).
Realizar tablas comparativas entre la teoría y práctica.

 ABSTRACT

In the following lab, observe the behavior of a transistor (JFET) In bipolar transistors, a small input current
(base current) controls the output current (collector current), in the cases of the JFET, it is a small input
voltage controls the output current. We will analyze the circuit in DC, finding the point Q and so check the
above. We also analyze the behavior of the JFET, in three polarizations (fixed, universal and self-
polarization). Perform comparative tables between theory and practice.

 OBJETIVOS
o Verificar el funcionamiento de un JFET.

o Experimentar circuitos de polarización del JFET.

 MATERIALES

o Resistencias de (100Ω, 2KΩ, 3KΩ, 470KΩ, 560KΩ, 1.2MΩ)

o Transistor JFET k161.
o Protoboard.
o Multímetro.
o Osciloscopio
o Caimanes y sondas.
o Apuntes para el desarrollo practico.

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MARCO TEORICO

 PRACTICA

o Medir IDSS y VGS(c).

o Hacer los cálculos teóricos para cada polarización del JFET.
o Hallar el punto Q.
o Hacer las mediciones correspondientes.
o Realizar tablas y graficas comparativas.
o Conclusiones.

JFET k161
Configuración de Pines

Antes de iniciar con la práctica, debemos hallar los puntos de operación del JFET k161. La hoja de
datos nos proporcionan los valores Min y Max del componente; pero este no es el valor preciso de
nuestro JFET, para ello medimos el IDSS y VGS(c) en nuestro elemento de la siguiente manera:

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MEDICION DE IDSS MEDICION DE IDSS

IDSS: 1.77mA VGS= -1.2V

VGS:-1.2V

Para medir IDSS, conectamos Gate a tierra
junto con Source y conectamos una carga en
serie con un amperímetro a Drain. La fuente
se conecta a la carga (el voltaje es
despreciable en la fuente, pero para este
caso usaremos 9V). La corriente medida en el
Amperímetro es nuestra corriente de IDSS.
Para medir el VGS(c), conectamos una fuene
en Drain en serie junto con una carga y un
amperímetro. Source va a tierra y en Gate
conectamos una fuente negativa. Variamos
la fuente en Gate hasta que nuestra
corriente de Drain sea cero. El voltaje que
obtenemos en Gate, es nuestro voltaje de
VGS(c).

PRACTICA 1.

 POLARIZACION FIJA
MARCO TEORICO

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METODO GRAFICO

MARCO PRÁCTICO

 AUTOPOLARIZACION
MARCO TEORICO

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METODO GRAFICO

MARCO PRÁCTICO

 POLARIZACION UNIVERSAL
MARCO TEORICO

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DIVISOR DE VOLTAJE:

METODO GRAFICO

MARCO PRÁCTICO

CONCLUSIONES

 Los transistores JFET realizan la función de control de la corriente, común a todos los transistores
por ser característica básica, mediante una tensión aplicada en uno de sus terminales.
 Los transistores de efecto de campo tienen una muy elevada impedancia de entrada, es decir una
gran resistencia en la entrada. Puesto que la puerta de los JFET se polariza inversamente.
 La impedancia de entrada de este tipo de transistores es alta, lo que permite conectarles como
carga a cualquier circuito sin afectar su funcionamiento, dada la baja corriente que consumen.
 La corriente tanto en los dispositivos JFET se controla por medio de un campo eléctrico
perpendicular a la región del canal.
 Es posible obtener experimentalmente los parámetros de un FET utilizando circuitos que permitan
obtener las relaciones entre corrientes y voltajes. 
BIBLIOGRAFIA
 ELECTRONICA PRACTICA Mc GRAW HILL.
 ENCICLOPEDIA DE LA ELECTRONICA INGENIERIA Y TECNICA C. BELOVE.
 ELECTRONICA TEORIA DE CIRCUITOS- BOYLESTAD Y NASHELSKY
 SIMULACION PROTEUS ISIS PROFESSIONAL

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