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DATOS GENERALES:
ASIGNATURA: ELECTRÓNICA II
No. de práctica
TÍTULO DE LA PRÁCTICA: Polarización fija JFET (Fuente común) - Canal N.
B. FUNDAMENTO TEÓRICO
No existe una relación lineal entre las cantidades de salida y de entrada de un JFET. La relación entre la
entrada y salida se encuentra definida por la ecuación de Shockley:
El término cuadrático de la ecuación dará por resultado una relación no lineal entre ID y VGS, con lo que se
genera una curva que crece exponencialmente con magnitudes decrecientes de VGS. Para el análisis en DC
que se desarrollará, un método gráfico más que matemático será en general, más directo y fácil de aplicar.
Sin embargo, el método gráfico requerirá de una gráfica de la ecuación 7.3 que represente al dispositivo, y de
una gráfica de la ecuación de red (malla de entrada) que relacione a las mismas variables. La solución estará
definida por el punto de intersección de las dos curvas. Es importante considerar al aplicar el enfoque gráfico
que las características del dispositivo no serán afectadas por la red en la cual se utilice el dispositivo. La
ecuación de la red puede cambiar junto con la intersección de las dos curvas, pero la curva de transferencia
definida por la ecuación 5.3 permanece sin afectarse. En general, por tanto:
Las características de transferencia definidas por la ecuación de Shockley no resultan afectadas por
la red en la cual se emplea el dispositivo.
La curva de transferencia se puede obtener utilizando la ecuación de Shockley o a partir de las características
de salida de la figura 6.11.
En la figura 6.17 se proporcionan dos gráficas con su escala vertical en mA para cada una. Una de ellas es
una gráfica de ID en función de VDS, mientras que la otra es de ID en función de VGS. Al utilizar las
características de drenaje a la derecha del eje “y” es posible dibujar una línea horizontal desde la región de
saturación de la curva denotada VGS = 0V hacia el eje ID. El nivel resultante de corriente para ambas
gráficas es IDSS. El punto de intersección sobre la curva de ID en función de VGS será el que se mostró
antes, ya que el eje vertical está definido como VGS = 0V.
En resumen:
Aunque el contenido general de las hojas de especificaciones puede variar desde el mínimo necesario hasta
una presentación amplia de gráficas y tablas, existen unos cuantos parámetros fundamentales que se
proporcionan por todos los fabricantes.1
1
Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. R.L Boylestad, L. Nashelsky. 10 Edición. Capítulo 6.
Configuración de Polarización Fija.
En la figura 7.1 se muestra el arreglo de polarización más simple para el JFET de canal-n. Conocida como la
configuración de polarización fija, es una de las pocas configuraciones de FET que pueden resolverse de forma
directa tanto con un método matemático como con uno gráfico. 2
La caída de cero voltios a través de RG permite reemplazar RG por un “corto circuito” equivalente, como aparece
en la red de la figura 6.2 específicamente vuelto a dibujar para el análisis en DC.
El hecho de que la terminal negativa de la batería está conectada en forma directa al potencial positivo definido
como VGS , refleja claramente que la polarización de VGS es directamente opuesta a la de VGG. Al aplicar la ley
de voltaje de Kirchoff en dirección de las manecillas del reloj en la malla indicada en la figura 7.2 se tiene:
2
Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. R.L Boylestad, L. Nashelsky. 10 Edición. Capítulo 7.
Debido a que VGG es una fuente fija de DC, el voltaje VGS será una magnitud fija, lo que provoca la notación
“configuración de polarización fija”.
Ya que VGS es una cantidad fija para esta configuración, es posible sustituir su magnitud y signo en la ecuación
de Shockley, además de calcular el nivel resultante de ID. Este es uno de los pocos casos en que una solución
matemática para una configuración a FET es muy directa. Un análisis gráfico requerirá una graficación de la
ecuación de Shockley como la mostrada en la figura 6.3. Es importante recordar que la elección de VGS = Vp/2
dará por resultado una corriente de drenaje de IDSS/4 cuando se grafique la ecuación. Para el análisis de este
capítulo serán suficientes los tres puntos definidos por IDSS, Vp y por la intersección recién descrita, con objeto
de graficar la curva.
En la figura 7.4 se ha sobrepuesto el nivel fijo de VGS como una línea vertical en VGS = -VGG. En cualquier
punto de la línea vertical el nivel de VGS es de = -VGG; el nivel de ID simplemente deberá estar determinado
sobre esta línea vertical. El punto donde se intersecan ambas curvas es la solución común para la configuración,
y se conoce generalmente como punto de operación o estabilidad.
Recuerde que los voltajes con subíndice sencillo se refieren al voltaje en un punto con respecto a tierra. Para la
configuración de la figura 6.2,
Transistor JFET 2N5951 Canal N. (O el que hayan adquirido para la práctica anterior).
Resistencias (2kΩ, 1MΩ).
Dos fuentes regulables DC.
Protoboard.
Multímetro.
Cables 24 AWG.
Papel milimétrico, 2 hojas.
Datasheet del JFET 2N5951 impreso. (O el que hayan adquirido para la práctica anterior).
D. INSTRUCCIONES PARA REALIZAR LA SIMULACIONES (PREPARATORIO)
2. Con el instrumento de medida adecuado mida los voltajes en V GS, VDS, VG, VS.
3. Mida con el instrumento de medida adecuado la corriente I D.
4. Llene la Tabla 1 con los datos simulados y medidos en los pasos 2 y 3.
5. Grafique la curva de Shockley con los valores simulados, obtenidos tanto en la presente práctica
como los encontrados en la práctica 1, utilizando el papel milimétrico.
E. INSTRUCCIONES PARA REALIZAR LA PRÁCTICA
6. Mediante las ecuaciones 1 y 2 respectivamente. Llene la Tabla 4 con los porcentajes de error de valores
medidos y simulados.
G. RESULTADOS OBTENIDOS
Parámetros
VGS (V) -1 V
VDS (V) 0.596 V
VG (V) -1 V
VS (V) 0V
ID (mA) 0.0077 V
Tabla 1: Tabla correspondiente a los valores SIMULADOS de la Figura 1.
Parámetros
VGS (V) 1.2 V
VDS (V) 12.8 V
VG (V) 0V
VS (V) 14.01 V
ID (mA) 1.2 Ma
Tabla 2: Tabla correspondiente a los valores TEÓRICOS de la Figura 1.
Parámetros
VGS (V)
VDS (V)
VG (V)
VS (V)
ID (mA)
ECUACIONES PARÁMETROS
ec. 1 (%) VGS (V) VDS (V) VG (V) VS (V) ID (mA)
7.08% 13% 0% 9.34% 10.41%
H. SIMULACIONES, CALCULOS.
Adjuntar los gráficos de las simulaciones correspondientes a la Figura 1 que se detallan en el informe.
Realizar los cálculos respectivos solicitados en los puntos anteriores, pero diferenciándolos de cuáles son de
la simulación, cuadro teórico y cuáles son de la práctica.
Usted puede agregar una o varias hojas cuadriculadas A4 para realizar TODAS las operaciones necesarias
para la práctica a mano, sean estas de los puntos del procedimiento de la simulación, cálculos teóricos,
práctica en el laboratorio o de las preguntas del anexo.
I. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
1. Exponga sus conclusiones respecto a la presente práctica.
Para la obtención de una buena práctica lo primero que se debe hacer es encontrar la corriente de
saturación máxima y el voltaje de estrangulamiento del transistor JFET utilizado en la elaboración de esta
práctica. Los valores de voltajes que se impusieron en esta práctica fueron de acuerdo a la corriente que
circulaba por drain y source ya que eran semejantes, esto para obtener unas resistencias comerciales. En
cuanto a la simulación de los circuitos no es muy exacta debido a que el transistor con el que se trabajó
no hay en el simulador por lo cual fue necesario cambiar algunos parámetros en el transistor virtual
debido a que estos dependen de la corriente de colector y el voltaje de estrangulamiento.
Se debe traer todos los cálculos de voltajes y corrientes, lo único que se va hacer en el laboratorio es
comparar con los valores medidos.
Cada circuito debe estar simulado anteriormente, para estar seguros del diseñado de nuestro circuito a la
hora de armar en el Protoboard y estos deben venir ya armados.
J. BIBLIOGRAFÍA
1. Halle IDQ mediante el método gráfico de la curva de Shockley. Utilice el papel milimétrico. ¿Los resultados son
aceptables?