LABORATORIO DE FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALÓGICOS

PRÁCTICA 3. CARACTERIZACIÓN DEL E-MOSFET (Curvas Características) OBJETIVOS

• Comprender el funcionamiento de un transistor MOSFET.

• Observar las curvas características de un MOSFET.
• Comprender el control de corriente realizado mediante un transistor E-MOSFET.

EQUIPOS Y MATERIALES

• Fuente DC.
• 2 transistores MOSFET 2N7000.
• Resistencias de 4.7KΩ y 100Ω.
• Un potenciómetro de 50KΩ.
• Un diodo led.
• Protoboard, pinzas y cables.
• Cautín.

PREINFORME

Realice las siguientes actividades para entregar al inicio de clase.

1. Consulte en el datasheet los valores de VGS(Th), VGS(on) e ID(on) del MOSFET 2N7000.
2. Consulte las curvas características del MOSFET 2N7000.
3. Consulte y explique 3 aplicaciones de los MOSFET.

ACTIVIDADES DE LABORATORIO

1. Realice un barrido de voltajes VGS modificando el valor del potenciómetro de la Figura 1, con el fin de
tabular los valores de ID y VGS.

Figura 1. Circuito para medir valores del E-MOSFET.

 LABORATORIO DE FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALÓGICOS

VGS 0,
(V) 5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5
0.3 0.96 12.5 12.9 12.9 14.3 13.6 13, 12,8
ID (A) 0 u m m m m m m 8m m
ID(te 0.1 14.3 14.8
mp) 0 3 12.2 14,3 14.8 15 16.2 15m m m
VGS 0 1 1.42 1.95 2.5 3.1 3.5 3.8 4.3 4.7
Tabla 1. Voltajes y Corrientes del E-MOSFET.

2. Construya la gráfica en Excel de la curva característica ID Vs VGS usando los valores medidos en la tabla
1.
3. Aumente la temperatura del transistor acercándole un cautín y verifique si este afecta los valores escritos
en la tabla 1.
4. Intercambie con otro transistor de la misma referencia y verifique si los resultados siguen siendo los
mismos.
5. Usando el montaje de la Figura 2, mantenga un valor de VGS fijo en 3V y realice un barrido de voltajes
VDS modificando el valor directamente desde la fuente. Repita el procedimiento ajustando el VGS a un
valor de 4V y por último a un valor de 5V. Coloque los resultados en la tabla 2.

Figura 2. Circuito para medir valores del E-MOSFET.

VD 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 5,5 6 6,5 7

S
(V)
=
VGS ID 0.13 0.18 0.23 0.2 0.2 0.3 0.3 0.4 0.4 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
= 3V (A) 2 1 8 6 9 2 6 5 3 5 5 5
=
 VGS ID 0.12 0.22 0.28 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3
= 4V (A) 2 2 7 8 7 8 6 5 4 8 4
=
VGS ID 0.12 0.25 0.33 0.3 0.3 0.3 0.3 0.4 0.5 0.4 0.4 0.4 0.3 0.3
= 5V (A) 7 3 6 9 2 1 8 7
=
Tabla 2. Resultados obtenidos en la práctica.

6. Construya la gráfica en Excel de la curva característica ID Vs VDS usando los valores medidos en la tabla
2.
7. Intercambie con otro transistor de la misma referencia y verifique si los resultados siguen siendo los
mismos.

CONCLUSIONES

Redacte mínimo 5 conclusiones sobre las actividades realizadas en el laboratorio.