Capítulo N° 3

Amplificadores de señal débil

3.1 Introducción
3.2 Modelo híbrido del transistor bipolar

De acuerdo a la teoría de circuito, todo sistema puede ser representado por un cuadripolo de dos puertos
como el mostrado en la figura n° 3.1.

Figura n° 3.1: Cuadripolo

El estudio de cuadripolos consiste en generalizar a todo circuito como algo desconocido con cuatro
terminales y determinar, conociendo las entradas (v1 ,i1) y las salidas (v2,i2), varios parámetros de utilidad
para describir el funcionamiento delo sistema. El estudio comienza tomando dos variables, a las que
llamaremos independientes, las otras dos restantes se llaman dependientes y dependerán de los diferentes
parámetros que caracterizan al cuadripolo. De esta manera dependiendo de qué valores adoptemos como
independientes se podrán obtener seis parámetros que describen el comportamiento del cuadripolo:

Variables Independientes Variable dependientes Parámetros

i1 , i2 v1 , v 2 Z
v1 , v 2 i1 , i2 Y
i1 , v2 i2 , v1 h
v1 , i 2 i1 , v2 g
v2 , i 2 v1 , i 1 T
-1
v1 , i 1 v2 , i 2 T

Tabla n° 3.1: Parámetros de cuadripolos de dos puertos

De todos los tipos de parámetros para cuadripolos de dos puertos descriptos en la tabla n° 3.1, los
parámetros híbridos h son los que mejor describen el funcionamiento de circuitos con transistores bipolares.

3.2.1 Ecuaciones características

Como se mencionó anteriormente los parámetros híbridos h son los que mejor describen el funcionamiento
para circuitos con transistores bipolares y las ecuaciones características tienen la siguiente forma:

De las ecuaciones características se deduce que:

Representando en forma de circuito las ecuaciones anteriores vemos uno como el siguiente:

Figura n° 3.2: Circuito híbrido h

Dado que pueden establecerse tres configuraciones (emisor común, base común y colector común) se añade
un segundo subíndice a cada parámetro para especificar la configuración. Por ejemplo para especificar la
resistencia de entrada en una configuración en emisor común el parámetro híbrido se escribe , de la
misma forma, si quisiéramos expresar el mismo parámetro para una configuración base común este se
escribiría .

Para llegar al modelo lineal del transistor bipolar supondremos que las variaciones alrededor del punto re
reposo Q son pequeñas de modo que los parámetros del transistor pueden considerarse constantes para
cualquier valor de señal. Supongamos un circuito en configuración emisor común, en donde las variables iB,
iC, vBE y vCE representan los valores instantáneos de corrientes y tensiones. Tomando como variables
independientes a la corriente iB y a la tensión vCE , la corriente iC y la tensión vBE será, entonces funciones de
las variables independientes, esto es:

Desarrollando una serie de Taylor de estas ecuaciones en torno al punto de reposo y despreciando los
términos de orden superior se obtiene:
En donde las derivadas parciales se tomaron considerando constantes la tensión colector emisor y la
corriente de base. Las cantidades , , , representan los valores de la pequeña señal de las
tensiones y corrientes, habitualmente estas cantidades se representan mediante letras en minúsculas, es
decir :

Entonces la ecuación la serie de Taylor puede expresarse como:

En donde:

El hecho de suponer constantes la tensión colector emisor y la corriente de base implica que las variaciones
son nulas, es decir:

De esta forma las ecuaciones obtenidas a partir del desarrollo de Taylor en el punto de reposo son idénticas
a las ecuaciones características de un cuadripolo de parámetros híbridos. A continuación se hará un estudio
detallado de los distintos parámetros híbridos del transistor bipolar.

3.2.2 Parámetro

Tal como se definió anteriormente la resistencia de entrada con salida en corto circuito, o simplemente
impedancia de entrada, está definida como la derivada parcial de la tensión base emisor con respecto a la
corriente de base para una tensión colector emisor igual a cero.
El comportamiento de la unión base emisor es idéntico al de un diodo polarizado en forma directa, por lo
tanto la corriente de base está dada por:

Derivando la esta expresión:

Entonces en el punto de reposo:

Sabiendo que:

Y recordando que :

Como puede observarse la resistencia de entrada es la resistencia dinámica del diodo formado por la
unión base emisor.

Figura n° 3.3: Representación de la resistencia de entrada

3.2.3 Parámetro
Este parámetro es el más importante del transistor a pequeñas señales usualmente se lo conoce como beta
de pequeña señal del transistor. Como se definió anteriormente el valor de hfe está dado por:

Las corriente de colector está dada por la siguiente ecuación:

La corriente de emisor responde a:

Combinando ambas ecuaciones se llega a la siguiente:

Por lo tanto derivando la ecuación anterior con respecto a la corriente de base se obtiene:

Como puede verse hfe es lo que hasta ahora hemos llamado β. Gráficamente podemos determinar el hfe
como lo muestra la figura n° 3.4

Figura n° 3.4: Determinación de hfe a partir de la características de salida

El valor de hfe es función del punto de operación del transistor, en la zona activa del transistor la variación de
hfe es pequeña. A medida que nos aproximamos a la región de saturación hfe decae y a medida que nos
aproximamos a la región de corte, hfe tiende a cero.

3.2.4 Parámetro

De acuerdo a su definición:

El valor de en el punto de reposo está dado por la pendiente de la recta tangente a este punto, esta
pendiente puede ser aproximada haciendo:

En la figura n° 3.5 se puede observar cómo se determina gráficamente el valor de .

Figura n° 3.5: Determinación de hoe

El valor de generalmente es pequeño, es decir que la impedancia de salida del transistor es

5
elevada (del orden 10 Ω). Siendo generalmente este valor muchas veces mayor que la resistencia de la
carga, por lo tanto no se comete error al suponer que la impedancia de salida del transistor es infinita.

3.2.5 Parámetro

Este parámetro no se obtiene tan sencillamente como los anteriores, pero puede demostrarse que su valor
puede ser aproximado por la siguiente ecuación:
La cual está en función de los parámetros híbridos en base común. Es importante destacar que el valor de
-4
es muy pequeño (del orden 10 ) por que puede ser despreciada sin cometer mayor error.

3.3 Capacidades de acoplamiento y desacoplamiento

Antes de abordar el estudio de las diferentes configuraciones es necesario hacer mención a los distintos
capacitores que pueden formar parte de un circuito con transistores. En la figura n° 3.6 puede verse un
amplificador en emisor común con tres capacitores. Estos capacitores serán en un principio considerados
ideales, es decir, presentarán una impedancia infinita para las tensiones continuas y serán un cortocircuito
para cualquier señal que varíe en el tiempo.

Como se observa en la figura n° 3.6 los capacitores C1 y C2 están se serie con la señal, es por ello que son
llamados capacitores de acoplamiento y tiene como finalidad acoplar diferentes etapas y aislarlas de los
niveles de continua. Por ejemplo el capacitor C2 aísla la tensión de continua sobre la carga, por lo tanto
sobre esta solo existirán niveles de alterna.

Figura n° 3.6: Circuito en emisor común con los capacitores de acoplamiento y desacoplamiento.

El capacitor del emisor (CE) es un circuito abierto para la corriente continua por lo tanto no influye en la
polarización del transistor, pero al ser un cortocircuito para las señales, cuando se aplica una señal al
amplificador cortocircuita la resistencia de emisor incrementando así la ganancia del amplificador.
3.4 Rectas de Carga

Ya sea que se realice un análisis o un diseño de un amplificador con transistor bipolar, es de mucha utilidad
apoyarse en el método gráfico para obtener información acerca del amplificador. Con el método gráfico se
puede determinar a simple vista distintos valores que son de utilidad al momento de determinar máxima
excursión y potencias puestas en juego. El método se base en el trazado de rectas de carga para las distintas
situaciones que se presentan en el amplificador.

Para explicar el trazado de las distintas rectas de carga se utilizara como ejemplo el amplificador de la figura
n° 3.6, aunque las conclusiones extraídas son validas para todas las configuraciones.

3.4.1 Recta de carga de continua

La recta de carga de continua hace referencia a la ubicación del punto de reposo dentro de las distintas
zonas del amplificador, para el caso de amplificadores el punto de reposo deberá estar en la zona lineal. En
otras palabras la recta de carga de continua representa una “fotografía” del punto de reposo.

Para deducir la expresión que determina la recta de carga, se parte de las ecuaciones de salida para la
polarización del circuito de la figura n° 3.6:

Representando esta ecuación sobre la grafica de salida (iC vs vCE) se traza la recta de carga de continua, tal
como lo muestra la siguiente figura.

Figura n° 3.7: Recta de carga de corriente continua

Como puede verse el valor máximo de la corriente de colector resulta de valuar la ecuación anterior cuando
la tensión colector emisor es cero. De igual manera si la corriente de colector es nula la tensión colector
emisor tendrá un valor igual al de la fuente de alimentación.
3.4.2 Recta de carga de alterna

Para comenzar el análisis de la recta de carga de alterna debemos recordar que; la fuente de tensión
continua no presenta impedancia para una fuente de alterna y todos los capacitores se comportarán como
cortocircuitos para la señal de alterna. En base a estas consideraciones el circuito equivalente del
amplificador en emisor común como el mostrado en la figura n° 3.6 queda tal como se muestra en la figura
n° 3.8.

Figura n° 3.8: Circuito equivalente para un amplificador en emisor común

Como puede verse en la figura n° 3.8 las resistencias de colector y de carga forman un paralelo, lo mismo
sucede con las resistencias de polarización las cuales forman un paralelo que está representado por la
resistencia RB. Como la topología del circuito ha cambiado, también lo hizo la pendiente de la recta de carga
de alterna, siendo esta pendiente mayor que la de continua tal como se muestra en la figura n°3.9.

Figura n° 3.9: Rectas de carga de cc y ca.

Como puede verse en la figura n° 3.9 las rectas de cargas se interceptan en el punto de reposo, lo cual es
lógico ya que en ausencia de señal de entrada la corriente de colector permanece en el punto de reposo. Si
ahora se inyecta una señal en la entrada del amplificador el punto de trabajo se moverá por la recta de carga
de corriente alterna, teniendo como origen el punto de reposo. En la figura n° 3.10 se aprecia como varía la
corriente de colector y la tensión colector emisor cuando se inyecta una señal.

Figura n° 3.10: Corrientes en un amplificador en emisor común

En la figura n° 3.10 se observa que, cuando se aplica una señal de entrada (ib) la corriente de colector crece
proporcionalmente (hfeib). Ya que el punto de trabajo se moverá en todo momento por la recta de carga de
corriente alterna, al incrementarse la corriente de colector la tensión colector emisor (vce) decrecerá hasta
llegar a si máximo valor negativo cuando la corriente de colector alcance si valor máximo (ica max). Es decir la
corriente de colector en la tensión colector emisor está desfasadas 180°.

La corriente de colector puede ser expresada entonces como:

En donde es la resistencia para la señal de corriente alterna ( según lo indica la figura n° 3.8).

Dado que la corriente de colector y la tensión colector emisor tiene origen en el punto de
reposo (Q) es posible expresar la corriente de colector total y la tensión colector emisor total como:
Despejando y de estas dos ecuaciones para luego sustituirlas en la primera se llega la expresión
de la recta de carga para corriente alterna con ejes en y que son los ejes de las curvas de salida del
transistor:

En base a esta ecuación es posible determinar los extremos de recta de carga de corriente alterna, siendo
estos puntos de gran importancia a la hora de calcular las potencias puestas en juego.

Como puede deducirse de la figura n° 3.9 cuando se alcanza el valor máximo corriente de colector de alterna
(ica max) la tensión colector emisor tiene un valor cero, entonces de acuerdo a la ecuación de la recta de
carga:

Procediendo de similar forma para determinar el punto V´cc se llega a :

3.4.3 Máxima excursión simétrica

El termino máxima excursión simétrica hace referencia al máximo valor que podrá adquirir la componente
de señal de alterna la corriente de colector y de la tensión colector emisor.

La máxima excursión de la corriente resulta de comparar el segmento formado por ICQ e Ica max con el
segmento formado por ICQ con el origen, tal como se muestra en la figura n° 3.11.

Figura n° 3.11: Determinación de la máxima excursión simétrica de corriente

Aquel segmento que resulte menor en la comparación entre estos dos segmentos será el valor máximo que
podrá tener la componente de alterna de la corriente de colector sin distorsión, ya que para valores
mayores la señal no será simétrica resultando en una distorsión. De similar manera se procede cuando se
quiere determinar el valor máximo de la componente de alterna de la tensión colector emisor, en este caso
se hace la comparación entre los segmentos formados por el origen y V CEQ con el segmento formado por la
diferencia entre V´cc y VCEQ.