DIRECCIÓN DE INGENIERIA ELECTRONICA

LABORATORIO DE FISICA DE LOS SEMICONDUCTORES Código : FS-05

PRACTICA Nº 05 Fecha :
Transistor de Efecto de Campo de Unión - FET Página : 1 de 11

Nombre y Apellido: Lucas Gabriel Garcia Baez , Jonathan Irala

Cedula de Identidad: 6220943, 5174120
Fecha:

ÍNDICE

PUNTOS NOMBRE DEL CAPITULO PAGINA REVISIÓN FECHA

ÍNDICE 1
1. OBJETIVOS 2
2. MARCO TEORICO 2
3. MATERIALES UTILIZADOS 9
4. DESARROLLO 9
6. CONCLUSIÓN 12
 Transistor de Efecto de Campo de Unión - FET
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Objetivos:
⮚ Demostrar experimentalmente la forma de la curva característica del transistor
FET, mostrando sus parámetros principales.
⮚ Interpretar las características básicas de un Transistor de efecto de campo.
⮚ Comprender el efecto amplificador del transistor FET. · Identificar los modos
de operación de un FET. ·
⮚ Calcular el punto Q (punto de trabajo) para un circuito con polarización fija de
un FET.

2. Marco Teórico:

El JFET es un dispositivo controlado por tensión porque una tensión de entrada

controla una corriente de salida. El JFET (transistor de efecto de campo de unión) es
un tipo de FET que opera con una unión pn polarizada en inversa para controlar
corriente en un canal. Según su estructura, los JFET caen dentro de cualquiera de
dos categorías, de canal n o de canal p.
La Figura 1(a) muestra la estructura básica de un JFET de canal n (transistor de efecto
de campo de unión). Cada extremo del canal n tiene una terminal; el drenaje se
encuentra en el extremo superior y la fuente en el inferior. Se difunden dos regiones
tipo p en el material tipo n para formar un canal y ambos tipos de regiones p se
conectan a la terminal de la compuerta. Por simplicidad, la terminal de la compuerta
se muestra conectada sólo a una de las regiones p. En la Figura 1(b) se muestra un
JFET de canal p.

Figura 1: Estructura básica de los dos tipos de JFET. (a) , (b)

Fuente: Dispositivos Electrónicos – Floyd.

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Operación básica
Para ilustrar la operación de un JFET, la Figura 2 muestra los voltajes de polarización
de cd aplicados a un dispositivo de canal n. VDD genera un voltaje entre el drenaje y
la fuente y suministra corriente del drenaje a la fuente. VGG establece el voltaje de
polarización en inversa entre la compuerta y la fuente, como se muestra.
El JFET siempre opera con la unión pn de compuerta-fuente polarizada en inversa. La
polarización en inversa de la unión de compuerta-fuente con voltaje negativo en la
compuerta produce una región de empobrecimiento a lo largo de la unión pn, la cual
se extiende hacia el canal n, y, por lo tanto, incrementa su resistencia al restringir el
ancho del canal.
El ancho del canal y, consecuentemente, su resistencia puede controlarse variando el
voltaje en la compuerta, controlando de esa manera la cantidad de corriente en el
drenaje, ID.

Figura 2- (a) Colector abierto, (b) Emisor abierto.

Con VGG pequeño el canal se ensancha (entre las áreas blancas) lo cual reduce la
resistencia del canal e incrementa la ID.

Símbolos eléctricos del JFET.

Los símbolos eléctricos usados para
representar los dos tipos de JFET se
muestran en la Figura 3.

Figura 3: Símbolos eléctricos

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CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA
La relación del voltaje VGS con ID no es lineal, y está regida por la ecuación de
Shockley, mostrada a continuación:

Las características de transferencia definidas por la ecuación de Shockley no resultan

afectadas por a la red en la cual se empleará el dispositivo. A continuación, se
muestran las características de transferencia del dispositivo y las regiones en las
cuales puede operar.
ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una
resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el
fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS = 0, y distintos valores
de VGS.
ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta
como una fuente de corriente gobernada por VGS
ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID= 0)

La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL

N, lo que significa que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.

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Curva característica de drenaje de un JFET.

La Figura 4 muestra el esquema para la obtención de la curva característica de
drenaje de un JFET. Con VGS = 0, lo cual se logra cortocircuitando la compuerta con
la fuente y conectándolas a tierra, a medida que VDD (y por lo tanto VDS) se
incrementa a partir de 0 volts, ID lo hará proporcionalmente, como se muestra en la
Figura 4(b) entre los puntos A y B. En el punto B la curva se nivela y entra en la región
activa donde ID se vuelve prácticamente constante.

FET con VGS=0V y VDD variable Curva característica de drenaje

Figura 4: Curva Característica del FET

El voltaje al cual la corriente se vuelve prácticamente constante se conoce como

Voltaje de Estrangulamiento y se denomina como Vp. El valor al cual se estabiliza la
corriente de drenaje (ID) se conoce como Corriente de Drenaje a Fuente con
Compuerta Cortocircuitada (IDSS, por sus siglas en inglés).

Voltaje de corte (VGS (corte))

Si se continúa incrementando VGG (y por lo tanto VGS), la corriente en el drenaje
continuará también disminuyendo. El valor de voltaje entre compuerta y fuente (VGS)
al cual la corriente en el drenaje se vuelve prácticamente cero, se conoce como voltaje
de corte del JFET, VGS (corte).

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Característica de transferencia universal del JFET.

Como se ha mencionado, un intervalo de valores de VGS desde cero hasta VGS
(corte) controla la cantidad de corriente en el drenaje. La curva de transferencia
universal de un JFET se muestra en la Figura 5, donde se observa que relaciona el
voltaje de compuerta a fuente, VGS, con la corriente en el drenaje, ID.

Figura 5: Curva de Transferencia

Universal del FET.

La curva de transferencia universal se relaciona con la curva característica de drenaje

de la forma mostrada en la Figura 6.

Figura 6: Relación entre la curva característica de drenaje y la curva de transferencia

universal
6 de un JFET.
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Polarización del FET

Autopolarización.
La autopolarización es el tipo de polarización más común en los JFET. Recordando
que un JFET debe ser operado de tal forma que la unión compuerta-fuente siempre
esté polarizada en inversa. Esta condición requiere un 𝑉𝐺𝑆 negativo para un JFET de
canal N y un 𝑉𝐺𝑆 positivo para un JFET de canal P. Esto se puede lograr con la
configuración de autopolarización mostrada en la Figura 7.

Considerando un JFET de canal N, 𝐼𝑆 produce una caída de voltaje a través de 𝑅𝑆 que

hace a la fuente positiva con respecto a tierra. Puesto que 𝐼𝑆 = 𝐼𝐷 , y 𝑉𝐺 = 0, entonces
𝑉𝑆 = 𝐼𝐷 ⋅ 𝑅𝑆 . El voltaje de compuerta a fuente es:
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 = 0 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆
Por lo tanto:
𝑉𝐺𝑆 = − 𝐼𝐷 𝑅𝑆
El voltaje de dreno a fuente 𝑉𝐷𝑆 , se obtiene a partir de la ley de tensiones de Kirchhoff
donde: 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑅𝑆 − 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝑅𝐷 = 0
Como 𝑉𝑅𝑆 = 𝐼𝐷 𝑅𝑆 , el voltaje entre drenaje y fuente es:
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )

Establecimiento del punto Q de un JFET autopolarizado.

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El método básico para establecer el punto de polarización de un JFET es determinar

𝐼𝐷 para un valor deseado de 𝑉𝐺𝑆 o viceversa; luego se calcula el valor requerido de
𝑅𝑆 con la siguiente relación:
𝑉𝐺𝑆
𝑅𝑆 | |
𝐼𝐷

Para un valor deseado de 𝑉𝐺𝑆 , se determina 𝐼𝐷 de una de dos maneras:

1. Con la curva de transferencia para el JFET particular.
2. Con la ecuación siguiente:
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)
Donde 𝐼𝐷𝑆𝑆 y 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) se obtienen mediante una prueba física o en su defecto de la
hoja de datos del JFET.

Polarización en el punto medio.

Normalmente es deseable polarizar un JFET cerca del punto medio de su curva de
𝐼𝐷𝑆𝑆
transferencia, donde 𝐼𝐷 = . En condiciones de señal, la polarización en el punto
2

medio permite que la cantidad máxima de corriente en el drenaje oscile entre 𝐼𝐷𝑆𝑆 y
cero. Experimentalmente se sabe que 𝐼𝐷 es aproximadamente la mitad de 𝐼𝐷𝑆𝑆 cuando
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)
𝑉𝐺𝑆𝑄 = ; donde 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = 𝑉𝑃
3.4

2 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) 2
𝑉𝐺𝑆 3.4 ) = 0.5 𝐼
𝐼𝐷𝑄 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − 𝐷𝑆𝑆
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)

𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)
Así que, seleccionando 𝑉𝐺𝑆𝑄 = , se deberá conseguir una polarización de
3.4

punto medio en función de 𝐼𝐷 .

𝑉𝐷𝐷
Para situar el voltaje de drenaje en el punto medio (𝑉𝐷 = ), seleccione un valor de
2

𝑅𝐷 para producir la caída de voltaje deseada. La resistencia en el dreno se puede

obtener a partir de la ley de tensiones de Kirchhoff:
𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑅𝑆 − 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝑅𝐷 = 0 , 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 → 𝑉𝐷𝑆 = ; 𝑉𝑅𝑆 = 𝑉𝐺𝑆𝑄 𝑦 𝑉𝑅𝐷 = 𝑅𝐷 ⋅ 𝐼𝐷𝑄
2

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𝑉
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑅𝑆 − 𝐷𝐷
𝑅𝐷 = 2
𝐼𝐷𝑄
Seleccione un 𝑅𝐺 arbitrariamente grande para evitar que se cargue la etapa de mando
en una configuración de amplificadores en cascada.

3. Materiales utilizados:
⮚ Software Multisim
⮚ Multímetro.
⮚ Fuente de alimentación DC.
⮚ Componentes electrónicos.
● 1 transistor JFET 2SK30ATM
● Resistencias
Equipo Símbolo Descripción
Multímetro Medicion de Tension (V), Corriente (A),
Resitencia (Ω). Continua y Alterna.

Fuente de alimentación DC. Feunte de Alimentacion cuyo valor se

puede ajustar con sus propiedades

Osciloscopio G: Tierra (GND), P(No conectar), 1

(Canal 1 ), 2 (Canal 2), 3 (Canal 3), 4
(Canal 4). T(No conectar).

Resistores Resistencia cuyo valor se puede ajustar

con sus propiedades
Transistor JFET Transistor FET.

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4. Desarrollo de la Práctica:
1- CURVA CARACTERÍSTICA.
⮚ Polarice el circuito de la figura en el Multisim.

⮚ Modifique la fuente V1 que alimenta a la compuerta (G) con los valores de

voltaje que indica la tabla 1.
⮚ Llene y reporte la tabla 1
⮚ Grafique los datos de la tabla 1.
⮚ Con esta tabla se puede obtener la
curva de transferencia del FET, por
lo tanto, podemos tener los valores
de IDSS y VP. Así mismo podemos
comparar nuestros resultados con
la hoja de datos técnicos
publicados en el classroom para el
FET estudiado.
En el grafico del circuito V1 está en
negativo, pero los valores negativos de la
tabla son considerando que la fuente V1
están en positivo

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Tabla 1.

V1(𝑽𝑮𝑺 ) ID (mA)
-4.5 12.79 nA
4 (suponiendo V1=-4) 12.79 nA
-3.5 12.967 nA
-3 13.145 nA
-2.5 12.967 nA
-2 12.79 nA
-1.8 12.967 nA
-1.7 377.298 nA
-1.6 14.301 uA
-1.5 48.401uA
-1.4 102.664 uA
-1.2 271.595 uA
-1.0 520.853 uA
-0.8 850.087 uA
-0.6 1.259 mA
-0.4 1.747 mA
-0.2 2.312 mA
0.0 2.956 mA
Tabla 1. Valores del circuito del JFET de canal N para obtener la curva I D contra VGS.

Grafica

3.5000E+03

3.0000E+03

2.5000E+03

2.0000E+03

1.5000E+03

1.0000E+03

5.0000E+02

0.0000E+00
0 1 2 3 4 5
-5.0000E+02

Considerando a partir de ID>=0.1uA como activa a partir de VGS = -1.6, cosa que no se puede apreciar en el
grafico pero teniendo esta consideración VGSCORTE= - 1.6

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2- POLARIZACIÓN DEL FET

⮚ Circuito de Autopolarizacion.

1. Para un transistor JFET 2SK30ATM,

determinar los valores de 𝑰𝑫𝑺𝑺 y
𝑽𝑮𝑺(𝒄𝒐𝒓𝒕𝒆) . Puede obtener esto a partir de
la tabla elaborada en la primera parte o
de la hoja de datos del FET. Se espera
que la curva obtenida en la primera
parte sea equivalente a la de la hoja de
datos del fabricante.

Considerando cuando
VGS=0 → ID=IDSS=2.956 mA
Según la tabla anterior y
verificado por el grafico

Sacando del grafico el VGS CORTE= -1.6

𝐼𝐷𝑆𝑆 [𝑚𝐴] 2.956 mA

𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) [𝑉] -1.6v

2. Determine el punto Q de operación con la recta de carga sobre la curva de

transferencia determinado en la primera parte de la experiencia. Anote los
valores calculados de 𝑽𝑮𝑺 e 𝑰𝑫 en el punto Q. Puede verificar gráficamente si
lo desea.
Valor calculado
𝑉𝐺𝑆 [𝑉] 𝐼𝐷 [𝑚𝐴]
VGSQ =VGSCORTE*(1/3.4) IDQ=0.5*IDSS=1.478mA
VGSQ=-0.4706

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3. Calcule los valores de 𝑹𝑺 y 𝑹𝑫 necesarios para obtener un punto de operación

Q centrado en la curva de transferencia.

Valor calculado
𝑅𝑆 𝑅𝐷
318.4 2726.255

4. Determine prácticamente el punto Q de operación midiendo 𝑽𝑮𝑺 e 𝑰𝑫 .

Valor medido
𝑉𝐺𝑆 [𝑉] VDS [𝑉] 𝐼𝐷 [𝑚𝐴]
-475.353m 4.433 1.5

5. Compare los resultados de los ítems 2 y 4 e indique sus conclusiones al

respecto.
Los valores calculados y los valores medidos tienen un error despreciable para
el uso de los circuitos.

3- AMPLIFICACION DEL FET POLARIZADO

Se procederá a verificar la amplificación del circuito diseñado en el paso
anterior, para ello se realiza los siguientes pasos:
1 Conecte el circuito de la figura más abajo con los valores determinados en el
paso anterior.
2 Conecte los capacitores de acoplamiento C1 y C2 al circuito autopolarizado.
Observación: recuerde que estos valores de capacitancia deben ser determinados de
acuerdo a la frecuencia con la que se va trabajar en el amplificador, pero este
análisis escapa del contenido de la asignatura, por tanto, se sugiere los valores
indicados en la figura. Este concepto se desarrollará en asignaturas posteriores.
3 Conecte el osciloscopio a la entrada y salida utilizando el canal 1 y 2
respectivamente; observe y mida la señal de entrada y la señal de salida anotando
sus valores pico a pico en la tabla.

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4 Compruebe si se obtuvo una correcta amplificación.

Como en Multisim la fuente alterna tiene Vrms y no Vpk se aplica la formula

Vrms=Vpk*(1/√2)=0.07071v

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Valor medido
𝑉𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 [𝑉𝑝𝑝 ] 𝑉𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎 [𝑉𝑝𝑝 ]
199m 732m

4. Conclusión de la Práctica
En esta experiencia se pudo observar el funcionamiento de un transistor FET
dentro de distintos circuitos; el primero se trato de un circuito donde el valor de
tensión de la compuerta variaba polarizando de distintas maneras al transistor
pasando de región de corte a región activa donde se pudo apreciar su valor de
VGSCORTE y su valor de IDSS los cuales luego convertimos en una grafica y los
verificamos con los valores del datasheet.
Luego aplicamos el transistor a un circuito de autopolarizacion donde tuvimos que
hallar los valores de las resistencias para que el transistor se encuentre en reigion
activa y luego comparamos esos valores con los valores medidos.
Finalmente aplicamos el transistor a un circuito de amplificación con el FET
polarizado donde también se aplicaron capacitores y una fuente AC y se midieron las
señales de entrada de salida con un osiloscopio, con esta herramienta se pudo
apreciar la aplificacion de la señal entre la entrada y salida.

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