Laboratorio de (Electrónica I) – Instructor: 1

Informe de Laboratorio
Laboratorio #6:
Características del Transistor Bipolar
 III. MARCO TEÓRICO
Resumen—Se realizará una serie de pruebas para determinar
ciertos aspectos que determinaran el tipo de transistor a trabajar,
como se comporta la curva característica en un par de terminales Características del Transistor Bipolar
que en este caso es la de entrada, su ganancia de corriente, como
se puede relacionar como una fuente de corriente y como serán sus El transistor de unión bipolar (también conocido por sus siglas
características de salida. BJT) se trata de un dispositivo electrónico sólido, formado por
2 uniones PN próximas entre ellas que permite controlar el paso
Palabras Clave— Transistor, BJT, base (B), colector (C), emisor de la corriente a través de sus terminales. Se le llama bipolar
(E), NPN, PNP, bipolar, polarización, semiconductor, corte, porque la conducción es debida al desplazamiento de
saturación, activa, región activa, región inversa, región de corte, portadores de 2 polaridades (huecos: positivos; electrones:
región de saturación, ganancia, eficiencia, amplificar, señal.
negativos). Este tipo de dispositivo es utilizado para un gran
número de aplicaciones, principalmente en electrónica
I. INTRODUCIÓN analógica y digital con tecnología TTL o BICMOS, a pesar de
tener una gran limitación debido a su impedancia de entrada

En la avanzada electrónica que tenemos actualmente es de muy baja.

uso común un dispositivo capas de amplificar señales, que sirva

Su composición está basada en 2 uniones PN en un cristal
como conmutador, pueda efectuar la rectificación de señales y
semiconductor, separados por una fina franja, delimitando
también emplearlo como un oscilador. Este dispositivo es
dentro del mismo 3 regiones:
llamado transistor, dispositivo semiconductor de tres terminales
y considerado como un dispositivo activo, siendo así uno de los
nuevos componentes utilizados en las practicas electrónicas  Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar
como en las que se mencionaron anteriormente obteniendo esas fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su
múltiples aplicaciones en la electrónica analógica y digital. nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor
Entonces, ¿cómo será que está compuesto para obtener esas de portadores de carga. Tipo P.
indispensables funciones?, ¿hay diferentes tipos?, debido a que  Base: la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del
rectifican señales como se ha visto en prácticas anteriores, colector. Tipo N.
¿tienen curvas características? Y en cuanto a la amplificación  Colector: de extensión mucho mayor. Tipo P
se sabe qué se obtendrá una ganancia con respecto a las
funciones de entrada y salida. Representación gráfica transistor BJT P-N-P,N-P-N
Ahora sin mucho preámbulo esto es un poco de los aspectos que
se observarán y estudiarán en esta práctica debido a que juega
un gran rol en la electrónica como tal.

II. OBJETIVOS
1. Identificar qué tipo de transistor es observando si hay
continuidad o no en sus terminales.
2. En base al circuito construido con su transistor y las
mediciones tomadas graficar la corriente de base en
función de la función de base.
3. Calcular la corriente de colector y la ganancia beta en
base a las mediciones obtenidas. Figura a
4. Identificar las tres zonas de trabajo, activa, saturada, y
corte en el grafico que se le pide, usando los datos Tipos de transistores según polarización
previamente medidos.

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NPN: es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los

cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga
mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La
mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son
NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la
movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operación. Los transistores
NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado
P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una
pequeña corriente ingresando a la base en configuración
emisor-común es amplificada en la salida del colector. La
flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del
emisor y apunta en la dirección en la que la corriente
convencional circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo. Un transistor NPN puede ser
considerado como dos diodos con la región del ánodo Figura c
compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está
polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada Funcionamiento
en inversa.
En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está
polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa.
Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la
base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de
portadores, y la mayoría pasa al colector.
Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente
controladas por tensión, pero son caracterizados más
simplemente como fuentes de corriente controladas por
corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja
impedancia de la base.
Estado de Funcionamiento: Se diferencian tres estados de
funcionamiento, que dependen de las características dinámicas
del circuito en el que va conectado. Estas características son:
Figura b
1. Saturación: El transistor permite el paso de corriente
PNP: El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con desde el colector al emisor. De todas formas, esta
las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro corriente no puede ser demasiado elevada, ya que la
de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores propia corriente calienta al transistor por efecto Joule
usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho y si se calienta excesivamente, puede estropearse de
mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias. Los forma permanente. Para un transistor de silicio que se
transistores PNP consisten en una capa de material encuentra en saturación la tensión entre la base y el
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. emisor es de 0,7 V y entre la base y el colector de unos
Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector 0,5 V, de donde se deduce que la tensión entre el
a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente colector y el emisor será de unos 0,2 V.
de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una 2. Corte: En este estado el transistor no permite el paso
pequeña corriente circulando desde la base permite que una de corriente entre el colector y el emisor, se comporta
corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el como si fuera un interruptor abierto. Para un transistor
colector. La flecha en el transistor PNP está en el terminal del de silicio que se encuentra en corte las corrientes de
emisor y apunta en la dirección en la que la corriente emisor y de colector son nulas y las tensiones entre la
convencional circula cuando el dispositivo está en base y el emisor y entre la base y el colector son ambas
funcionamiento activo. menores de 0,7 V.
3. Activa: Cuando un transistor se encuentra en este
estado de funcionamiento, permite amplificar la
potencia de una señal.

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Figura d
Regiones Operativas Del Transistor
Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones
operativas, definidas principalmente por la forma en que son
polarizados:
1. Región activa en cuanto a la polaridad: Cuando un
transistor no está ni en su región de saturación ni en la
región de corte entonces está en una región
intermedia, la región activa. En esta región la
corriente de colector (Ic) depende principalmente de
la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente),
y de las resistencias que se encuentren conectadas en
el colector y emisor. Esta región es la más importante
si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador de señal.
2. Región inversa: Al invertir las condiciones de
polaridad del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento en modo
inverso. En este modo, las regiones del colector y
emisor intercambian roles.
3. Región de corte: Un transistor está en corte cuando la
corriente del colector=corriente del emisor=0. En este
caso el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentación del circuito. De
forma simplificada, se puede decir que es la unión CE
se comporta como un circuito abierto, ya que la
corriente que lo atraviesa es cero.
4. Región de saturación: Un transistor está saturado
cuando: corriente del colector ≈ corriente de emisor =
corriente máxima, (Ic ≈ Ie = Imáx). En este caso la
magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentación del circuito y de las resistencias
conectadas en el colector o el emisor o en ambos.
Cuando el transistor esta en saturación, la relación
lineal de amplificación Ic=β·Ib no se cumple. De
forma simplificada, se puede decir que la unión CE se
comporta como un cortocircuito, ya que la diferencia
de potencial entre C y E es muy próxima a cero.
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3
Eficiencia Transistor
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la
proporción de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el
colector. El alto dopaje de la región del emisor y el bajo dopaje
de la región de la base pueden causar que muchos más
electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que
huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente
emisor común está representada por o por hfe. Esto es
aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la
corriente continua de la base en la región activa directa y es
típicamente mayor a 100. Otro parámetro importante es la
ganancia de corriente base común. La ganancia de corriente
base común es aproximadamente la ganancia de corriente desde
emisor a colector en la región activa directa. Esta tasa
usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre
0.98 y 0. 998. El Alfa y Beta están más precisamente
determinados por las siguientes relaciones (para un transistor
NPN):
Figura e
IV. MATERIALES Y EQUIPO
1. Base NI ELVIS
2. Computadora
3. 1 Transistor
4. 2 Resistencias
5. Potenciómetro
6. Cables puentes
V. PROCEDIMIENTO
A) Identificación del BJT y sus terminales
1. Conectar adecuadamente un transistor BJT en la
protoboard.
2. Mediante el uso del multímetro hacer mediciones de
continuidad entre dos patas del transistor BJT. Para
identificar la base se debe colocar la terminal negativa
del multímetro en la pata central del transistor,
mientras se mide continuidad en las otras dos patas. Si
en ambas mediciones hay continuidad, la pata con la
terminal negativa es la base y el transistor es PNP. Si
en ambas mediciones no hay continuidad, la pata con
la terminal negativa es la base y el transistor es NPN.
En caso contrario coloque la terminal negativa del
multímetro en otra pata y, de no cumplirse las
condiciones anteriores, el transistor está dañado. ¿Qué
tipo de transistor es, NPN o PNP?
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R// El transistor es NPN con Base en el centro

3. Para identificador las terminales del colector y emisor

se debe medir la resistencia que hay entre las dos
uniones (base-emisor y base-colector). La resistencia
mayor indica el emisor y la resistencia menor el
colector. Anote el valor de dichas resistencias.

R// Obs. El valor de las resistencias daba igual

R≈18.6 kΩ

B) Curva característica de entrada del BJT

Gráfico 1.
1. Construya el circuito de la figura 2, en el cual Rv1 es
un potenciómetro.
C) Ganancia de corriente

1. Construya el circuito de la Figura 3. Donde V2 es una

fuente variable.

Fig. 1. Curva característica de entrada

2. Coloque el multímetro para medir corriente y ponga Fig. 2. Ganancia de corriente

en serie con la base del transistor.
2. Ajuste la tensión de V2 a 10V y varié la corriente de
3. Ajuste a Rv1 para obtener los valores de corriente de base con el potenciómetro Rv1 como se indica en la
base que aparecen en la Tabla I. Tabla II.

TABLA I. Característica de la Juntura Base - Emisor TABLA II. Ganancia de corriente

IB (µA) VCE (V) IC (mA) β
IB (µA) 120 -
- 5 -10 16 - 25 30 - 50 200 10 6.49 7.468 746.8
Nominal
IB (µA) 20 6.45 7.553 377.65
9.3 21 40 160
-Real 253.9
30 6.42 7.617
VBE (V) 0.56 0.58 0.60 0.65
40 6.38 7.702 192.55

4. Anote el valor real de la corriente de base dentro del 50 6.35 7.766 155.32
rango deseado y mida el voltaje base – emisor
utilizando el multímetro y colóquelo en la tabla. 60 6.31 7.851 130.85

70 6.27 7.936 113.37

5. Dibuje el grafico de la corriente de base en función de
la tensión de base a emisor. 100
80 6.24 8

90 6.21 8.064 89.6

100 6.17 8.149 81.49

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3. Mida el voltaje de colector a emisor y anótelos en la 𝐼𝐶 7.553 𝑚𝐴

Tabla II. 𝛽= = = 377.65
𝐼𝐵 20 µ𝐴
4. Calcule la corriente de colector y la ganancia de
corriente β: 𝐼𝐶 7.617 𝑚𝐴
𝛽= = = 253.9
𝐼𝐵 30 µ𝐴
𝑉2 − 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶
𝐼𝐶 = 𝛽=
𝑅2 𝐼𝐵 𝐼𝐶 7.702 𝑚𝐴
𝛽= = = 192.55
𝐼𝐵 40 µ𝐴
Calculando IC
𝐼𝐶 7.766 𝑚𝐴
𝑉2 − 𝑉𝐶𝐸 10 − 6.49 𝛽= = = 155.32
𝐼𝐶 = = = 7.468 𝑚𝐴 𝐼𝐵 50 µ𝐴
𝑅2 470

𝐼𝐶 7.851 𝑚𝐴
𝑉2 − 𝑉𝐶𝐸 10 − 6.45 𝛽= = = 130.85
𝐼𝐶 = = = 7.553 𝑚𝐴 𝐼𝐵 60 µ𝐴
𝑅2 470

𝑉2 − 𝑉𝐶𝐸 10 − 6.42 𝐼𝐶 7.936𝑚𝐴

𝐼𝐶 = = = 7.617 𝑚𝐴 𝛽= = = 113.37
𝑅2 470 𝐼𝐵 70 µ𝐴

𝑉2 − 𝑉𝐶𝐸 10 − 6.38 𝐼𝐶 8 𝑚𝐴
𝐼𝐶 = = = 7.702 𝑚𝐴 𝛽= = = 192.55
𝑅2 470 𝐼𝐵 80 µ𝐴

𝑉2 − 𝑉𝐶𝐸 10 − 6.35 𝐼𝐶 8.064 𝑚𝐴

𝐼𝐶 = = = 7.766 𝑚𝐴 𝛽= = = 89.6
𝑅2 470 𝐼𝐵 90 µ𝐴

𝑉2 − 𝑉𝐶𝐸 10 − 6.31 𝐼𝐶 8.149 𝑚𝐴

𝐼𝐶 = = = 7.851 𝑚𝐴 𝛽= = = 81.49
𝑅2 470 𝐼𝐵 100 µ𝐴

𝑉2 − 𝑉𝐶𝐸 10 − 6.27 D) El transistor como fuente de corriente

𝐼𝐶 = = = 7.936 𝑚𝐴
𝑅2 470
1. Usando el circuito de la figura 3, ajuste el voltaje de
𝑉2 − 𝑉𝐶𝐸 10 − 6.24 V2 a una tensión de 2V.
𝐼𝐶 = = = 8 𝑚𝐴
𝑅2 470
2. Ajuste Rv1 para obtener una corriente de colector de
2mA.
𝑉2 − 𝑉𝐶𝐸 10 − 6.21
𝐼𝐶 = = = 8.064 𝑚𝐴
𝑅2 470 3. Ponga la fuente variable V2 a los valores de la Tabla
III y anote las corrientes de colector.

𝑉2 − 𝑉𝐶𝐸 10 − 6.17
𝐼𝐶 = = = 8.149 𝑚𝐴
𝑅2 470

Calculando β

𝐼𝐶 7.468 𝑚𝐴
𝛽= = = 746.8
𝐼𝐵 10 µ𝐴

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TABLA III. Fuente de corriente TABLA IV. La corriente del colector de VCE e IB

V2 (V) IC (mA)

1 1.9

2 2.01

3 2.11

4 2.24

5 2.52

6 3.10

7 4.27

5.79 4. Varié a V2 a todos los valores de VCE de la tabla 4.

8 Para cada tensión anote el valor de la corriente de
7.74 colector. Nunca altere Rv1.
9

10 9.84 5. Repita los pasos del 2 al 4 para corrientes de base de

20, 40, 80 y 100 uA.

6. Grafique la familia de curvas de VCE en función de

E) Característica de salida IB como parámetro. Grafique una curva para cada
valor de la corriente de base indicada.
1. Arme el circuito de la Figura 4.

Gráfico 2.
Fig. 3. Característica de salida
7. Identifique las tres zonas de trabajo activa, saturación
2. Ajuste a Rv1 para obtener una corriente de base de y corte en el gráfico.
10uA.
Para la región de corte
3. Ajuste la fuente V2 a 0.5V conecte el amperímetro en
serie con V2 y anote la corriente de colector en la IC=0 A
Tabla IV. VCE=0

Para la región de saturación

0 ≤ 𝑉𝐶𝐸 ≤ 0.5

Para la región de activa

0.5 ≤ 𝑉𝐶𝐸 ≤ 10

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8. De las curvas, halle la ganancia de corriente de la zona y se puede observar en la Tabla III que, a mayor voltaje mayor
lineal. corriente. Esta característica puede usarse para obtener una
corriente fija deseada.
Nota: Se ha tomado VCE= 4 V, para garantizar la región En la Tabla IV se muestran los datos obtenidos con el circuito
activa. de la Fig. 4, dónde se dejó fija IB y se varió VCE. En el Gráfico
2 se puede observar que el VCE influye en la magnitud de IC,
Curva negra además se pueden observar claramente las regiones: activa,
saturación y corte.
𝐼𝐶 1.33 𝑚𝐴
𝛽= = = 133
𝐼𝐵 10 µ𝐴
VII. CONCLUSIONES

 Sabiendo que existen dos transistores BJT uno NPN y

Curva roja PNP, debido a su configuración nuestro transistor
resulto ser NPN con base en el centro esto resulto ser
𝐼𝐶 2.794 𝑚𝐴
𝛽= = = 139.7 así por su manera ya dada de identificarlo y es gracias
𝐼𝐵 20 µ𝐴 a la medición que se les hace con el multímetro, si se
pone la terminal negativa en la pata central del
Curva morada transistor y la positiva en los extremos, si estás dan
continuidad el transistor es PNP, si ningún extremo da
𝐼𝐶 5.672 𝑚𝐴 continuidad con el centro el transistor es NPN tal como
𝛽= = = 141.8 fue nuestro caso.
𝐼𝐵 40 µ𝐴
 La corriente de entrada de un circuito puede ser
amplificada haciendo uso de un transistor en
Curva amarilla configuración emisor común, donde la corriente de
salida es beta veces la corriente de entrada. Las tres
𝐼𝐶 11.316 𝑚𝐴 regiones: activa, saturación y corte nos indican cómo
𝛽= = = 141.45
𝐼𝐵 80 µ𝐴 será el comportamiento de la señal de salida, por lo
que, la amplificación será sin distorsión si el modo de
operación del transistor es en región activa.
Curva azul
 Para identificar la configuración de un transistor BJT,
𝐼𝐶 14.084 𝑚𝐴 simplemente se mide continuidad con un multímetro,
𝛽= = = 140.84 poniendo la terminal negativa en la pata central del
𝐼𝐵 100 µ𝐴
transistor y la positiva en los extremos, si estas dan
continuidad, la pata central es la base y el transistor es
PNP, si ningún extremo da continuidad con el centro,
VI. ANÁLISIS DE RESULTADOS la pata central sigue siendo la base y el transistor es
NPN; de una manera similar medimos la resistencia
Se identificó en el la práctica que el transistor a utilizar era entre la base y cada extremo, la que da mayor
NPN, ya que es esencial para obtener los datos correctos en el resistencia es el emisor y la de menor resistencia el
desarrollo de la misma. El circuito de la Fig. 2 se utilizó para colector. La zona de trabajo del transistor (activa,
conocer las características de entrada del transistor, que saturación o corte) dependerá de los parámetros de
corresponden a la corriente IB y el voltaje VBE. Se puede entrada como ser la resistencia vista por el colector y
observar el comportamiento en el Gráfico 1 que, a mayor el voltaje de entrada al colector para una configuración
corriente mayor voltaje de entrada. Estos datos también se Base-Común.
pueden apreciar en la Tabla I.  Se identificó que, al conectar la terminal negativa del
Para conocer la ganancia de corriente del circuito de la Fig. 3
transistor a la pata central del mismo, probando así con
(configuración emisor común) se hace mediante el factor beta,
la terminal positiva con las otras dos patas que este se
el cuál relaciona la corriente de salida IC con la corriente de
entrada IB. Se puede observar en la Tabla II que IB es del orden encuentra en conducción, será un transistor de tipo
de los µA, mientras que IC del orden de los mA, es decir, hubo PNP, de lo contrario será un NPN que es el que se
una amplificación de corriente. Además, se cumple que beta es halló. Ahora bien, se determinó que, en las resistencias
inversamente proporcional a IB. Es preciso hacer notar que el del centro a las otras patas, la mayor será donde este la
voltaje de salida VCE disminuye a corrientes menores de IB. terminal del emisor mientras que la otra el del colector.
También se puede utilizar el transistor como fuente de Por otro lado, estos dispositivos presentan una curva
corriente, lo cual podemos verificar haciendo uso del circuito característica como lo hemos visto en prácticas
de la Fig. 3. Se varió la fuente DC para obtener una corriente IC anteriores con los diodos lo cual en este caso

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dependerá de los parámetros que tendrá el circuito

como ser: La resistencia vista de cualquiera de las
terminales del resistor, ya sea BE o CB o EC.

REFERENCIAS
1. Schilling, D., y Belove, C. (1993). Circuitos
electrónicos; Discretos e integrados. Madrid, España:
Editorial McGraw-Hill Companies.

2. https://es.wikibooks.org/wiki/Electrónica_de_Potenci
a/Transistor_Bipolar_de_Potencia/Estructura_y_prin
cipio_de_funcionamiento

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