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BJT Y JFET
P. A. Bonilla, D.A.Mora, S.S. Torres
paola.bonilla@uao.edu.co, deybar.mora@uao.edu.co, sara.torres@uao.edu.co,
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Ingeniería Electrónica y Telecomunicaciones, Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de Occidente, Ala Norte segundo piso, Cali
Colombia
Resumen- Por medio de este informe se expondrá la Además, se logró la invención de los FET, dispositivos
importancia de la amplificación por medio de cuatro circuitos unipolares que, a diferencia de los BJT que utilizan tanto
diferentes. Para iniciar se suministrará una señal de voltaje en AC corriente de electrones como corriente de huecos, funcionan
positiva de 44 mV para amplificar, con la cual se alimentará dos sólo con un tipo de portador de carga. Un FET es un
dispositivo controlado por voltaje, donde el voltaje entre dos
configuraciones de amplificadores operacionales, uno inversor y
de las terminales (compuerta y fuente) controla la corriente
otro no inversor. A la salida del amplificador inversor se
que circula a través del dispositivo. Una ventaja importante
conectará una etapa de amplificación con BJT. Por otra parte al de los FET es su muy alta resistencia de entrada. Debido a
amplificador operacional no inversor se conectará un sus características no lineales, en general no se utilizan
amplificador con JFET. Como resultado se espera que la señal de mucho en amplificadores como los BJT excepto donde se
salida del BJT este en fase con la entrada y que por su parte la requieren impedancias de entrada muy altas. A
salida de JFET presente un desfase de 180 ° con respecto a la continuación, se describirá el funcionamiento básico de
misma entrada, confirmando que la configuración de divisor de estos transistores y se mostrara la aplicación que tienen
tensión distorsiona la fase de la señal a amplificar como amplificadores de señal.
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Fig. 1 Representación y símbolo esquemático de los transistores NPN y PNP.
Días M Jorge. Transistor BJT [imagen] Disponible: video en [línea] ● Saturación: como circuito cerrado entre colector y emisor
https://www.youtube.com/watch?v=l_EG544soD
y con un aumento grande de corriente.
● Activa: En un determinado rango de corrientes de base, la
Para polarizar un transistor, se requiere de la siguiente
configuración: amplificación, el aumento de corriente, que se aprecia
entre colector y emisor se puede regular.
∆ IC
β=
∆ IB
Esta ganancia de corriente varía notablemente con la
corriente de colector. Además, la temperatura ambiente influye
en el aumento de dicha corriente puesto que al aumentar la
Fig. 2 Representación y símbolo esquemático de los transistores NPN. Días M temperatura de la unión del diodo colector, aumenta el número
Jorge. Transistor BJT [imagen] Disponible: video en [línea] de portadores minoritarios y por tanto se produce este aumento
https://www.youtube.com/watch?v=l_EG544soD en la corriente.
Por su parte los transistores JFET a diferencia de los BJT
Como se puede observar en la imagen anterior el diodo base tienen portadores mayoritarios pero no minoritarios. El JFET se
emisor se encuentra polarizado en directa, mientras que el adapta mejor a un tipo específico de circuitos puesto que
diodo base colector se encuentra polarizado en inversa. Cuando presenta una alta impedancia de entrada debido a sus
la fuente de tensión V BB supera la barrera de potencial los características no lineales. Por otra parte, es muy utilizado en
electrones del emisor comenzaran a recombinarse con la base, conmutación, ya que pueden cortarse más rápidamente como
lo que generará una pequeña corriente debido al débil dopaje de consecuencia de tener un solo tipo de portadores haciendo que
esta región. Cuando todos los electrones del emisor se no haya carga almacenada que tenga que ser eliminada del área
recombinen con los huecos de la base, habrá un exceso de de la unión.
electrones en la base por lo que serán repelidos y expulsados
A diferencia del BJT que es un dispositivo controlado por
por el colector al verse atraídos por la fuente V CC produciendo corriente, el JFET es controlado por tensión donde el voltaje
un flujo de corriente como el ilustrado. entre las dos terminales (compuerta y fuente) controla la
Por la ley de corrientes de Kirchhoff se puede ver que: corriente que circula por el dispositivo.
Para JFET de canal n, cada extremo tiene un terminal; el
I E =I C + I B drenaje en el extremo superior y la fuente en el inferior. En los
Debido al dopaje de las diferentes regiones, se puede considerar costados del material tipo n se extienden dos regiones tipo p
que la corriente de base es despreciable con respecto a la para formar un canal y ambas regiones se unen formando la
corriente de colector y emisor, infiriendo entonces que la termina de compuerta. Como se observa en la imagen a
corriente de emisor es aproximadamente igual a la de colector: continuación:
I E =I C
Dependiendo de la corriente que circula por el circuito al
que está conectado el transistor se comportará de la siguiente
forma:
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R1=2 K Ω y empleando la ecuación para determinar la
resistencia R f , se obtiene que:
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Como la corriente a través de la base del transistor es muy del elemento. Para determinar el valor del capacitor
pequeña, se tiene que la corriente que pasa por R1 es correspondiente a los acoples y el desacople se hara uso de la
siguiente ecuación:
aproximadamente la misma que por R2, por lo que:
1 [15]
V cc ∗R2 [12] C=
V b =V R 2= =1 ,75 V W c Xc
R 1+ R 2
Por lo que:
C 2=2,078 mF
Calculo de C 3:
Rth3=R C + RL [18]
Rth3=51 , 7 KΩ
Fig. 7 modelo TT del transistor, esquema en AC [fuente propia]
Si la resistencia de carga termina siendo muy pequeña en
Se procede a analizar el circuito en el modelo Π del transistor,
comparación a la RC la impedancia tendera a esta. La carga del
en el que el símbolo esquemático del dispositivo es
reemplazado por su circuito equivalente en la tercera circuito puede ser una resistencia o la impedancia de entrada
aproximación donde se representa la alta impedancia interna del otro circuito.
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Existe otro parámetro que es importante calcular para saber
la ganancia que se obtuvo con el circuito, esta es la impedancia
de salida Z out que en este caso es la misma Rth3 , la ganancia
es:
V out Z out [19]
A v= = Rth1
V ¿ ( ré + R E 1 )
A v =8 , 6
Fig.9 Amplificación con AOP no inversor
V out R f
A v= = +1
V ¿ R1
Suponiendo una ganancia de 5 y una resistencia
R1=2 K Ω Fig. 10 Etapa 1 amplificador de pequeña señal con transistor FET
R f =R1 ( A v −1 )=8 K Ω Este circuito fue propuesto por el docente el cual se pedía
calcular la ganancia del mismo y verificar que el circuito
Para la entrada de 41 , 5 mV la ganancia total obtenida de estuviera trabajando como amplificador de pequeña señal del
voltaje fue de unos 207 , 9 mV . De acuerdo a los datos cual se concluyó que la configuración de resistencias RD y RS
obtenidos experimentalmente se obtuvo lo siguiente: no eran la adecuadas para llevar el circuito a comportase como
amplificador en pequeña señal. Por lo que se propuso recalcular
las resistencias RD y RS para resolver el circuito como
amplificador.
Para resolver el problema anterior se empieza por hacer un
análisis en DC del circuito, para ello se tiene en cuenta que los
capacitores de acople y desacoplo (C1, C2, C3) se consideran
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como circuitos abiertos en análisis en DC. De modo que el
circuito queda simplificado como se muestra a continuación.
La Ecu.3 se llama recta de entrada puesto que esta ecuación
describe un comportamiento lineal. De la ecuación anterior se
desconoce ID, RS y VGS, para resolver esta ecuación
procederemos a usar una relación que se cumple en los
transistores FET que relaciona la recta de entrada y la curva de
la tras conductancia del transistor.
VGS=VG−ID∗RS [3]
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VGS=0 , 5∗VGS ( corte )=0 , 5∗(−3 V ) [6]
VGS=−1 , 5 V
30 V −12
RD= −2100=1500Ω
5 mA
Fig.13. Curva de entrada transistor FET. [imagen]. Adaptado de Dispositivos electrónicos, (p.376) por T. Floyd and R. Navarro Salas, 8th ed. Mexico: Pearson Educació
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Fig.15. Modelo AC del transistor FET
Empezando por el primer capacitor C1 se cortocircuita los Como la señal de entrada para el JFET es de
demás capacitores C2, C3, además cortocircuitamos la fuente aproximadamente 207 , 69 mV se espera tener una señal de
AC y la fuente de corriente se abre entonces con lo salida de por lo menos 1 , 04 V con el desfase anteriormente
anteriormente mencionado analizamos cual es la resistencia que mencionado:
ve C1.
Rth1 = Rg||(RG1||RG2)
C1 = 21,2 uF
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Para las etapas de amplificador con operacionales se
utilizó la configuración por entrada inversora y entrada
no inversora, en la práctica se vio que en la
configuración con entrada inversora se tenía una señal
en la salida desfasada por 180° grados mientras que si
se trabajaba un operacional con entrada no inversora la
señal que se veía en la salida era la misma en fase con
respecto a la señal de entrada.
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