El Transistor BJT Como Amplificador

Jonathan Bone, Johnny León V

Universidad Nacional de Chimborazo
Facultada de Ingeniería en Electrónica y Telecomunicaciones.
Riobamba

jonathan2blej@hotmail.com ,
Johny_leon_888@hotmail.com

Abstract— As we already know that, in order to
operate as an amplifier, the BJT must be
polarized in the active region. Likewise, we must
remember to establish a polarization that allows
to have a current of emitter (in collector) in DC
that is constant, not forgetting that this current is
predictable and insensible to changes in the
temperatura Y β. The operation is heavily
influenced by the value of the bias current. To
realize this practice we must take into account the
concepts analyzed in classes and impartes by the
teacher.
Palabras Clave. - BJT, rectificadores, activa
este punto de operación permitirá que la señal
amplificada no sea distorsionada.
Una pequeña variación de intensidad en la
base, creara una gran variación de corriente en
el colector. La resistencia del colector (Rc)
hace que exista tención continua en la misma
resistencia. El condensador de salida (Csalida)
es permitir el libre paso de la señal alterna e
impedir el paso de la corriente continua.

II. MARCO TEÓRICO

I. INTRODUCCIÓN
Tipos de configuración a un transistor se le puede
utilizar en 3 tipos de configuración Emisor común
Emisor común Diagrama El diagrama muestra que
la base de nuestro transistor está conectado a dos
resistencias. Las resistencias crean un divisor de
voltaje para que en la base del transistor exista un
voltaje necesario para establecer la corriente de
polarización de la base. El capacitor (C1) se utiliza
para bloquear el paso de corriente continua que
pudiera venir desde nuestra fuente generadora de
señal, el capacitor actúa como circuito abierto para
corriente continua y como corto circuito para
corriente alterna. En el emisor tenemos una
resistencia (Re), esta resistencia aumenta la
estabilidad del amplificador, pero esto crea un
inconveniente, es sensible a las variaciones de
temperatura, causando una disminución en la
ganancia de corriente alterna. El capacitor (Ce)
funcionara como corto circuito para CA y un
circuito abierto para CC.
Para que una señal sea amplificada, tiene que ser
una señal de corriente alterna. En un amplificador
de transistores están involucrados los dos tipos de
corrientes, corriente continua (CC) y corriente
alterna (CA). La corriente alterna es la señal a
amplificar y la corriente continua sirve para
establecer el punto de operación del amplificador,
BJT: Transistor bipolar de unión. Es aquel
dispositivo electrónico que está constituido por
tres materiales semiconductores extrínseco, de
forma PNP o NPN, es decir, porción de material
N, seguido de material P, luego otra porción de
material N, en el tipo NPN, y de forma análoga
en el PNP, pero con los materiales
semiconductores inversos. El transistor BJT se
conoce también como transistor bipolar, porque
la conducción es a través de huecos y electrones.
La zona central se denomina base, las otras dos
se denominan colector y emisor. El emisor se
construye estrecho y muy dopado, la base es
estrecha y menos dopada y el colector es la zona
más ancha. Para proteger el material
semiconductor, se emplean el encapsulado, que
puede ser plástico, de baquelita o metálico. A
pesar de la poca disipación de energía que tienen
los transistores en determinadas ocasiones es
necesario el empleo de disipadores de calor para
favorecer la ventilación del transistor.
 mediante una serie de parámetros relativamente
simples que nos proporcionan información sobre su
comportamiento.

Fig.1 NPN

Fig.3 Circuito Conceptual

Las ecuaciones que a continuación están propuestas son

Fig.2 PNP
Polarización del transistor
El transistor sin polarizar se puede considerarse como
dos diodos contrapuestos, con una barrera de
potencial de 0,7 V para cada diodo. Si se polariza
ambos diodos directa o inversamente, se
comportarán permitiendo o no el paso de la corriente
como se sabe. El efecto de amplificación en el
transistor se crea al polarizar directamente la unión
base-emisor e inversamente la unión colector-base.
Al estar la unión de emisor polarizada directamente,
permite el paso de huecos (Ipe) del emisor a la base,
así como de electrones (Ine) que pasan de la base al
emisor. La relación entre la corriente de huecos y la
corriente de electrones es proporcional a las
conductividades de los materiales P y N; en los
transistores comerciales el dopado del emisor es
mucho mayor, por lo que la corriente en un transistor
p-n-p está prácticamente constituida por huecos.
La polarización de la unión de colector hace que los
huecos que atraviesan la unión de emisor se vean
atraídos por el potencial negativo del colector y a la
vez repelidos por el potencial positivo de la base, no
todos los huecos que cruzan la unión de emisor llegan
a la de colector, ya que se produce la recombinación
de algunos de ellos en la zona de la base.
obtenidas de la Fig.3
𝐼𝐶 = 𝐼𝑆𝑒
𝑉𝐵𝐸/𝑉𝑇
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶/𝛼
𝐼𝐵 = 𝐼𝐶/𝛽
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑅𝐶
Condiciones de CC
En la zona de corte el transistor no deja pasar
corriente ni a la entrada ni a la salida. En
saturación, con pequeñas variaciones de tensión
se producen grandes variaciones de corriente,
mientras que en activa la corriente de colector
de mantiene proporcional a la corriente de base.
Podemos pensar que en activa la corriente de
colector se mantiene proporcional a la corriente
de base. Podemos pensar que, en la zona activa,
si la corriente de base sufre pequeñas
variaciones, éstas serán transmitidas a las
corrientes de colector. Esas variaciones en la
corriente de colector producirán a su vez
variaciones en la tensión colector-emisor.

El transistor como amplificador

La necesidad de amplificar las señales es casi una

necesidad constante en la mayoría de los sistemas
electrónicos. En este proceso, los transistores
desarrollan un papel fundamental, pues bajo ciertas
condiciones, pueden entregar a una determinada
carga una potencia de señal mayor de la que
absorben. El análisis de un amplificador mediante su
asimilación a un cuadrípolo (red de dos puertas),
resulta interesante ya que permite caracterizarlo
Fig.4 Análisis en CC
Corriente de colector y transconductancia Tabla de Materiales 1
Ítem Cant. Materiales Descripción
Tensión 𝑣𝐵𝐸 total instantanea:
1 1 Fuente de poder
𝑣𝐵𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑣𝑏𝑒

La corriente de colector se convierte en: 2 1 Protoboard

3 1
𝑖𝐶 = 𝐼𝑆𝑒 Multímetro
Analógico
𝑣𝐵𝐸/𝑉𝑇 = 𝐼𝑆𝑒 Multímetro
4
(𝑉𝐵𝐸 + 𝑣𝑏𝑒)/𝑉𝑇 Analógico

= 𝐼𝑆𝑒 Osciloscopio

𝑉𝐵𝐸/𝑉𝑇 𝑒 5
Transistor NPN 2N2222A
𝑣𝑏𝑒/𝑉𝑇
6
𝑖𝐶 = 𝐼𝐶𝑒
10uF,1uf,27uF
𝑣𝑏𝑒/𝑉𝑇 7 Capacitor
Resistor
8 2.2KΩ a ½ W
Resistor
9 12KΩ a ½ W
Resistor 220Ω a ½ W
10

IV. PROCEDIMIENTO
• Implementamos la configuración del
transistor BJT
• Realizamos el análisis en AC y DC después
Fig.5 Operación lineal del transistor bajo procedemos a tomar nota de los resultados
condiciones a pequeña señal • Calculamos todos los valores y realizamos
una tabla de los mismos
La aproximación implica conservar la amplitud
• Después comprobamos el resultado
de la señal suficientemente pequeña para que la
calculado matemáticamente con el digital
operación del amplificador se restrinja a un
segmento casi lineal de la curva exponencial
V. DESARROLLO
𝑖𝐶 − 𝑣𝐵𝐸
CALCULOS EN DC
𝑣𝑏𝑒 𝑉𝑇
𝟐, 𝟐𝒌
Entrada: tensión entre base y emisor. Salida: 𝑽𝑩 = = 𝟏𝒗
Corriente de colector. Hasta este punto se (𝟐, 𝟐𝒌
considera una resistencia de salida infinita.
𝟐, 𝟐𝒌 𝟐𝟎𝒌
𝑹𝒕𝒉 = = 𝟏𝟏. 𝟏𝟖𝒌Ω
(𝟐, 𝟐𝒌
III. MATERIALES Y
EQUIPOS
 𝟐
𝑯𝑰𝑭 = = 𝟏𝟒𝟕𝟏Ω
𝑰𝑩
𝑯𝑬𝑭 = 𝜷𝑰𝑩 = 𝟎, 𝟎𝟐𝟎𝟒𝑨

𝑽𝒐 = 𝟏𝟎𝒗

𝑽𝟎 𝟏𝟎
𝑨𝒗 = = = 𝟏. 𝟒𝟑𝑽
𝑽𝑷 𝟕

Voltaje De Entra Pico A Pico

Fig.6 Analisis en DC VI=50mVpp
𝜷 = 𝟏𝟓 Voltaje De Salida Pico A Pico

Vo=2Vpp
𝑽𝑻𝑯 − 𝟎, 𝟕
𝑰𝑩 = = 𝟏,𝟑𝟔𝒎𝑨
𝟏, 𝟗𝟖𝑲Ω + 𝟐𝟐𝟎
RECTAS DE CARGA
𝑰𝑪 = 𝜷𝑰𝑩 = 𝟎. 𝟎𝟐𝑨

𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 + 𝑰𝑩 = 𝟎. 𝟎𝟐𝟏𝑨

𝑽𝑩𝑬 = 𝟎. 𝟕𝑽

MALLA 1

−𝟓 + 𝟏𝑲𝑰𝑪 + 𝑽𝑪𝑬 = 𝟎

𝑽𝑪𝑬 = 𝟓 − 𝟏(𝟎. 𝟎𝟐𝑨)

Fig.8 Rectas de carga
𝑽𝑪𝑬 = 𝟒. 𝟗𝟖𝑽
Tabla de valores
𝑽𝑩𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 − 𝑽𝑩𝑬 = 𝟒. 𝟐𝟖𝑽 AC DC
𝑯𝑰𝑭 = 𝟏𝟒𝟕𝟏Ω 𝑰𝒃 = 𝟏. 𝟑𝟔𝒎 𝑨
𝑽𝑬 𝟏𝟎
𝑯𝑬𝑭 = 𝟎. 𝟎𝟐𝟎𝟒 𝑨 𝑰𝒄 = 𝟎, 𝟎𝟐 𝑨
𝑨𝒗 = = = 𝟐. 𝟑𝟒𝑽
𝑽𝑺 𝟒. 𝟐𝟖 𝑯𝑰𝑭 = 𝟏𝟒𝟕𝟏Ω 𝑰𝒆 = 𝟎, 𝟎𝟐𝟏 𝑨
𝑨𝒗 = 𝟏. 𝟒𝟑𝑽 𝑽𝒃𝒄 = 𝟒. 𝟐𝟖 𝑽
𝑽𝒐 = 𝟏𝟎𝑽 𝑽𝒃𝒆 = 𝟎, 𝟕 𝑽
𝑽𝒄𝒆 = 𝟒. 𝟗𝟖 𝑽
𝑽𝒃 = 𝟎, 𝟗𝟑𝟓 𝑽
𝑽𝒆 = 𝟏𝟏𝟖𝟓 𝑽
𝑨𝒗 = 𝟐. 𝟑𝟒
Tabla 2

VI. CONCLUSIONES

• Se puede concluir que el amplificador BJT

Fig.7 Circuito para la malla 1 2N2222A posee un buen rendimiento tanto
en bajas frecuencias, como en altas
 frecuencias, haciendo que este sea lo
suficientemente comercial
• Concluyo que el amplificador diseñado, se
posee una impedancia de salida muy alta,
VI. BIOGRAFÍA
con una corriente de base pequeña, lo que
hace que las ganancias de voltaje que se Jonathan Eduardo Bone Pata nació en
Esmeraldas Ecuador el 20 de mayo de
pueden obtener con el amplificador sin que
1994. Realizo sus estudios secundarios
se sature el transistor son muy altas en el colegio Técnico Fiscomisional
• Podemos concluir que un transistor NPN “Luis prado Viteri” de la cuidad de
amplificador permitirá que una señal de AC Esmeraldas donde obtuvo el título
se amplifique. La cantidad de amplificación bachiller en Tecnico Electrónica.
puede variar depende de los valores de Actualmente
resistencias. Estudia en la Universidad Nacional de Chimborazo en la carrera
de Ingeniería Electrónica Y Telecomunicaciones. 4er Semestre.
VII. AGRADECIMIENTOS
Nuestro equipo de trabajo agradece al buen
desempeño, del tutor que nos imparte esta materia de
Electrónica I, lo cual con su método de enseñanza
adquirimos los conocimientos necesarios para
ampliar nuestros conocimientos y así tener un buen
desempeño en las diferentes prácticas.
Soy Patricio León V. estudie en el instituto superior
VIII. REFERENCIAS tecnológico “Carlos Cisneros” tengo 23 años curso el
[1]http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_ cuarto semestre de ingeniería electrónica soy técnico
General/comprobaciontransistores.html electromecánico.

[2] Floyd, PRINCIPIOS DE CIRCUITOS X. ANEXOS

ELECTRICOS, MEXICO: PEARSON
EDUCATION, 2007.

[3] Ing. León, Y. A. (Agosto de 2004).

sistemamid.
Obtenido de
http://sistemamid.com/panel/uploads/biblioteca/20
14 -08-06_11-35-19108388.pdf

[4] K., C., & Sadiku, O. (2004). Fundamentos

deCircuitos Electricos. Mexico.

[5] L., R. (2004). Introduccion al analisis de

circuitos. (P. P. Edicion, Ed.) Recuperado el 30
de Abril de 2016

[6] Leiva, L. F. (1994).

Instalaciones
Residenciales. (I. S. Apostol, Ed.)

[7] Lizarraga, F. (5 de Marzo de 2014). Practica de

Electronica. Obtenido de
https://lizarragablog.wordpress.com/2014/03/26/p
rac tica-2-diodos-caracteristicas-y-
funcionamiento/ XI. PREREQUISITOS

[8] Ph.D Salazar, A. J. (2008). Fundamentos de

Circuitos. Subregion Andina.

[9] Robbins, A. (2008). Analisis de Circuitos

Electricos.