Machine Translated by Google

Ciencia e ingeniería de materiales 294–296 (2000) 4–9

Nuevas perspectivas a partir de posibles aplicaciones de materiales cuasicristalinos.

Jean­Marie Dubois
Laboratorio de Ciencia e Ingeniería de Materiales Metálicos, UMR 7584 CNRS­INPL, Centro de Ingeniería de Materiales y RDA CINQ,
Escuela de Minas de Nancy, Parc de Saurupt, F­54042 Nancy, Francia

Recibido el 23 de agosto de 1999; aceptado el 2 de noviembre de 1999

Abstracto

Desde 1984, se seleccionaron varios materiales cuasicristalinos para posibles aplicaciones tecnológicas como recubrimientos y compuestos. Actualmente se
encuentran en el mercado algunos ejemplos de productos derivados de dichos materiales. El objetivo de esta revisión se centra en varios puntos clave planteados por
las perspectivas tecnológicas de los cuasicristales, a saber, la adaptación de la composición y el procesamiento industrial de recubrimientos gruesos, la preparación y
propiedades de la superficie, y nuevas aplicaciones potenciales. © 2000 Elsevier Science BV Todos los derechos reservados.

Palabras clave: Cuasicristales; Aplicaciones; Superficie; Tribología; Mojada; Procesando

1. Introducción
Hoy en día, se han comercializado un pequeño número de las
aplicaciones potenciales con las que se soñó en los años que siguieron
al descubrimiento de Shechtman [1].
Por lo tanto, los materiales cuasicristalinos ofrecen un nuevo desafío
para los científicos de materiales y los ingenieros de producción [2].
Procesar estos materiales como películas delgadas, recubrimientos
gruesos, sinterizados, rellenos para composites, etc. con características
reproducibles, vida útil confiable y bajo costo se ha convertido en un
tema de interés para varias empresas privadas. Por lo tanto, la corriente
del artículo se centrará en algunas preguntas que surgen ahora de las
premisas del uso tecnológico de los cuasicristales, tanto desde el
punto de vista de los fundamentos en física y química como con vistas
a mejorar su rendimiento en dispositivos, o de manera equivalente,
reducir la dispersión. de sus características.
En este sentido, el control del proceso de fabricación de materiales
cuasicristalinos en cantidades muy grandes debería convertirse pronto
en una nueva frontera en las ciencias cuasicristalinas.
2. Adaptación de composiciones
Los cuasicristales son bastante fáciles de obtener en el laboratorio
[3]. La mayoría de estas aleaciones forman cuasicristales metaestables
que se convierten irreversiblemente en cristales regulares al calentarse.
Sin embargo, algunos son estables: pertenecen a un equilibrio.
Tel.: +33­3­83­584198; Fax: +33­3­83­576300.
Dirección de correo electrónico: dubois@mines.u­nancy.fr (J.­M. Dubois).
diagrama de fases y puede crecer fuera del líquido mediante técnicas
de fundición lenta. Son de especial interés ya que el equilibrio
termodinámico y la reversibilidad de las condiciones de formación
también implican que pueden prepararse mediante técnicas
metalúrgicas convencionales, por lo tanto, de menor costo. En algunos
sistemas, la adición o sustitución parcial de nuevas especies químicas
permite mejorar alguna propiedad del cuasicristal o una mejor
adaptación de su desempeño con el medio ambiente.
Este es el caso, por ejemplo, cuando un pequeño porcentaje atómico
de boro (menos del 7%) se sustituye por átomos de Al en i­Al­Cu­Fe.
El límite elástico de Al59B3Cu25.5Fe12.5, un compuesto icosaédrico
puro, es hasta tres veces mayor que el de i­Al62Cu25.5Fe12.5, sin
sustitución de boro por los átomos de Al [4]. La dureza Hv también
aumenta ligeramente de 700 a 800 (unidades Vickers). Mientras tanto,
el coeficiente de fricción con respecto al diamante se mantiene idéntico,
pero lo más importante es que la carga normal que la superficie del
material puede soportar es proporcional al límite elástico.
Por lo tanto, el Al­B­Cu­Fe cuaternario es una mejor opción para
aplicaciones tribológicas que el Al­Cu­Fe más clásico [5]. El sistema
Al­Co­Fe­Cr se consideró con el mismo espíritu a la hora de diseñar
revestimientos de barrera térmica [6].
Nuevamente, se forma una aproximación del isotípico de fase
decagonal con Al5Co2 hexagonal en la región Al71Co13Fe8Cr8 .
Resulta que muestra una conductividad térmica apreciablemente
baja, buena resistencia a la corrosión por azufre, baja tasa de oxidación
y un coeficiente de expansión térmica comparable al de los sustratos
metálicos. Además, la fusión es casi congruente cerca de 1170 ◦ C ,
por lo que puede usarse en varias aplicaciones de motores de
combustión y generadores de energía.

0921­5093/00/$ – ver portada © 2000 Elsevier Science BV Todos los derechos reservados.
Identificación: S0921­5093(00)01305­8
Machine Translated by Google
J.­M. Dubois / Ciencia e ingeniería de materiales 294–296 (2000) 4–9
En términos de competencia con el circonio dopado, esta aleación
claramente sufre de fusión a una temperatura demasiado baja, pero
gana por el lado de la plasticidad y la expansión térmica.
Está claro que un diseño preciso de cuasicristalinos
composiciones materiales se convertirán en una tarea clave de cara a
aplicaciones. Hasta ahora, esto se centró principalmente en Al
aleaciones, incluida la definición adecuada de precursores para
Objetivos de abrasión por PVD o láser, pero también se hicieron intentos.
para adaptar cuasicristales que almacenan hidrógeno [7,8]. yo clasificaría
en esta categoría la formación de precipitados cuasicristalinos en sustratos
de Ga implantados con Mn [9] y, por supuesto, la
aceros martensíticos endurecidos por precipitación [10] y a base de Al
aleaciones [11].
La ruta más común para preparar muestras en el laboratorio es fundir
lingotes después de fundir los constituyentes puros.
al vacío o en atmósfera inerte. Para la mayoría de las composiciones,
Los cuasicristales se forman por solidificación peritéctica de fases cristalinas
a alta temperatura que reaccionan con el líquido residual. Este
El proceso es necesariamente lento y, en la mayoría de los casos, algo cristalino.
El constituyente se mantiene fuera de equilibrio a temperatura ambiente
junto con el cuasicristal. Dado que los cristales y cuasicristales exhiben una
composición y un volumen atómico significativos
diferencias, en esta etapa generalmente se forman poros con tamaños
distribuidos en el rango de hasta micrómetros. Explotación de la
Propiedades físicas de tales muestras, especialmente mecánicas.
propiedades, está entonces bastante desesperado. Se pueden usar diferentes trucos
seguir para reducir la porosidad al mínimo mientras
Se obtiene cuasicristal puro, por ejemplo, el método de extracción de Czochralski.
técnica o crecimiento de flujo [12]. La sinterización también puede resultar
útil para la preparación de productos a granel monofásicos y multigrano.
especímenes [13]. Pronto se convertirá en un medio industrial.
para producir piezas preformadas. Considerando que el modo de aplicación
de presión no es muy importante a la hora de preparar
muestras cuasicristalinas puras, el perfil de temperatura­tiempo
es critico. De esta manera se puede preparar i­Al59B3Cu25.5Fe12.5
icosaédrico puro sin prácticamente ninguna cepa de fase.
3. La ruta industrial
Hasta ahora, ésta es esencialmente la forma seguida para producir
Recubrimientos gruesos y sinterizados. La ruta del recubrimiento grueso
transcurre básicamente en un proceso de tres pasos [14]: (i) atomización con gas del
aleación líquida, (ii) pulverización por plasma de este polvo para obtener una
recubrimiento grueso sobre un sustrato y (iii) pulido mecánico para
deshacerse de la rugosidad sustancial del recubrimiento depositado. Los
dos primeros pasos son bien conocidos en la pulvimetalurgia.
En el tercer paso, la rugosidad del recubrimiento pulverizado.
debe reducirse hasta una superficie muy lisa obligatoria
para la mayoría de aplicaciones (fricción, baja adherencia). Debido a la
la fragilidad del cuasicristal, esto no siempre es una tarea sencilla y requiere
bastante conocimiento. de especifico
importancia es la posible aparición de una condición frágil a dúctil.
transición al pulir la superficie, ver más abajo.
En conjunto, un recubrimiento pulverizado por plasma es sustancialmente una
material compuesto, que comprende no sólo el material depositado
5
pero también poros, grietas, óxidos, etc. Técnicas más adecuadas
dependen de la deposición física de vapor y ahora son rutinariamente
utilizado para la producción de una gran variedad de películas delgadas. Una vez
la variación de las tasas de evaporación con el elemento químico es
determinado, es fácil preparar cuasicristales justo en el
composición adecuada. Esto se puede realizar a partir de objetivos
constituidos a partir de constituyentes separados [15]
o de sinterizados o incluso de objetivos rociados con plasma. Generalmente,
las películas depositadas sobre sustratos a temperatura ambiente son
amorfos pero el recocido posterior los transforma
en cuasicristal puro. Hasta donde yo sé,
Parece que nunca se prepararon películas delgadas cuasicristalinas.
de electrolitos, aunque este método reduciría considerablemente
ampliar la gama de formas y sustratos de comerciales
interés.
Otra ruta para utilizar cuasicristales a nivel industrial.
escala es la fabricación de composites. Aquí, el término
El compuesto se usa de manera muy amplia para incluir fases múltiples.
Materiales producidos por mezcla artificial o por precipitación natural. En
ambas formas, la fragilidad que caracteriza
el material a granel se mitiga. Entre los compuestos, un
Actualmente se comercializa acero reforzado con precipitación [10]
por Sandvik Steel en Suecia. Otro tipo de compuesto a granel [11] es una
aleación a base de Al que puede formarse mediante
Rápida solidificación y procesamiento de polvo. Los cuasicristales se forman
por precipitación, produciendo partículas a nanoescala rodeadas por una
matriz de Al. Ciertas composiciones pueden exhibir
especialmente alta resistencia y alta ductilidad.
Un tipo de composite prometedor, pero aún no
comercializado, involucra polímeros con cargas cuasicristalinas
[dieciséis]. Pruebas con determinados termoplásticos de altas prestaciones
resinas han demostrado que las partículas cuasicristalinas de AlCuFe
mejorar significativamente la resistencia al desgaste de los polímeros.
Este efecto no se comprende, pero puede estar relacionado con una
combinación de dureza, baja fricción y baja temperatura.
conductividad intrínseca al cuasicristal. Al mismo tiempo,
características termoquímicas clave del polímero: su
transiciones de vidrio y fusión: no se alteran, lo que indica que el cuasicristal
no cataliza la reticulación o
otra química desventajosa en la resina. Después de Tsai
et al. [17], los compuestos de matriz metálica pueden diseñarse incorporando
polvos cuasicristalinos en una base de aluminio.
aleación, por ejemplo. Esto puede procesarse mediante aleación mecánica
de los diferentes componentes de la fase y sinterización.
o mezclando en estado líquido seguido de una sinterización
paso. Se observa un aumento sustancial de la dureza, por lo tanto de la
resistencia al desgaste, y una reducción de la fricción [18], lo que
se compara muy favorablemente con el estado de la técnica de las cargas
de SiC. Estos dos últimos métodos de preparación:
matrices de polímeros y metales tienen la ventaja de utilizar
partículas finas, es decir, el rango de granulometría que no es
Útil para pulverización de plasma. Por lo tanto, además del rendimiento que
ofrecen por sí solas, estas técnicas
ayudar a la industria a resolver el problema medioambiental causado por
almacenar (o desperdiciar) los lotes de partículas finas producidas por el gas
atomización.
Machine Translated by Google
6 J.­M. Dubois / Ciencia e ingeniería de materiales 294–296 (2000) 4–9
4. Superficie: preparación y propiedades
Con la excepción de las barreras térmicas, las posibles aplicaciones de los
recubrimientos cuasicristalinos aprovechan las propiedades de la superficie.
tales como baja fricción, energía superficial aparente reducida, resistencia a
la corrosión y oxidación y dureza. la corrosión
El comportamiento de los cuasicristales aún no ha atraído una atención considerable.
interés [19], tal vez porque se demostró que estaba dominado
por efectos composicionales más que por la estructura atómica. Sin embargo,
es esencial que el proceso de recubrimiento en sí, luego
Los pasos finales del pulido de la superficie preservan las atractivas
propiedades del cuasicristal (uso de técnicas PVD).
En principio no requiere pulido ya que la rugosidad final de la película
depositada reproduce la rugosidad inicial.
del sustrato). Básicamente, el pulido mecánico se produce mediante un
cizallamiento localizado rápido, repetido y severo dentro del
una capa superficial muy fina del material bajo el efecto
de los granos abrasivos. Esto recuerda mucho a la acción de múltiples
pasadas de rayado que se pueden aplicar usando
un dispositivo de prueba de tribología. Resulta que repetir un rasguño
La prueba dentro de la misma pista con un piloto de WC­Co produce
una fricción bastante alta, por lo tanto una importante cizalladura localizada
Deformación, e induce una ductilidad significativa dentro del material.
volumen debajo del rayón (ver Fig. 5 en [20]). El fondo
de una pista scratch se compone de varias micropistas
de ancho típicamente por debajo de 1 m, donde el esfuerzo cortante tiene
concentrado muy por encima del límite elástico del material. Hemos estudiado
la microestructura y la estructura atómica en la región ubicada debajo de
dichas micropistas [21]. En
la región debajo del rastro del rasguño donde el contacto de Hertz
La presión alcanza su máximo, la microscopía electrónica de transmisión nos
permitió identificar nuevas partículas de tamaño nanométrico.
tamaño. Se empleó microdifracción para determinar la estructura de esas
pequeñas partículas. Coexistiendo con la difracción.
manchas que se originan en la matriz icosaédrica, periódicamente
Los puntos espaciados demostraron que una nueva fase BCC con un
parámetro de red a = 0,29 nm se había formado coherentemente dentro
la matriz icosaédrica, lo que implica que esas partículas
No se pudo volver a depositar el material. Hay que recalcar que
las manchas de superestructura características del tipo Cs­Cl, B2
fase cúbica de equilibrio en el sistema Al­Cu­Fe no fueron
observado aquí. Por lo tanto, esta cúbica bcc fuera de equilibrio
La fase se debió principalmente a la alta tensión de corte lograda en
la región de contacto con el penetrador mientras la temperatura era
lo más probable es que sea bastante alto debido a la mala conductividad
térmica tanto del penetrador WC­Co como del i­Al­Cu­Fe. A
La modulación de la estructura cuasicristalina también se encontró en
las proximidades del rasguño.
Por lo tanto, la mejora de la ductilidad que va junto con
El deslizamiento repetido del penetrador puede deberse a una tensión inducida.
transición de fase y aparición de un cuasicristal defectuoso
fase. Debido al fuerte acoplamiento entre la localización electrónica, por un
lado, y la influencia de defectos o fases de impurezas con carácter metálico,
por otro lado, la
El presente resultado tiene relevancia directa para el control de superficies
cuasicristalinas sujetas a pulido o esmerilado mecánico en
vista de determinadas aplicaciones tecnológicas. Estudios similares de
la transformación de superficies de cuasicristales tecnológicos
debería recibir más atención en el futuro.
5. Fricción y desgaste
El informe inicial [22] de que las muestras cuasicristalinas exhiben baja
fricción y desgaste se basó en una comparación
con aleaciones de aluminio. Aunque tal valoración es justa
En cuanto a la composición, las durezas muy diferentes de
estos materiales hace que su relevancia sea bastante infundada. Por lo tanto,
hemos reconsiderado los coeficientes de fricción µ de un
variedad de muestras a base de aluminio con dureza H en
una amplia gama (entre 25 y 2000 unidades Vickers), así como
como el de un acero duro que contiene Cr de dureza bastante similar a la del
material icosaédrico Al59B3Cu25.5Fe12.5 . A
Para ello utilizamos un penetrador de diamante (indeformable), aunque esto
tiene poca relevancia tecnológica. los especímenes
que hemos estudiado incluyen no sólo muestras de sistemas cuasicristalinos
que forman Al(B)–Cu–Fe y Al–Pd–Mn, sino también
Materiales de referencia como alúmina sinterizada y comunes.
materiales también examinados en la siguiente sección (cobre puro,
aluminio y vidrio para ventanas). Cuenta completa de estos resultados.
se da en otra parte de esta conferencia [13]. Los datos de fricción
se muestran en la Fig. 1 (penetrador: esfera de diamante de 1,6 mm de
diámetro, carga 5 N). Precisión de estas mediciones.
se estima en ±0,008. Los cuasicristales puros, ya sean monocristalinos o
sinterizados y el ortorrómbico (O1)
Los aproximados de la fase decagonal exhiben coeficientes de fricción
equivalentes a los de los materiales más duros, la alúmina.
como se muestra en la figura o diamante deslizándose sobre sí mismo. El otro
los materiales se juntan cerca de la gráfica de µ ≈ H
−norte
+ constante
Fig. 1. Coeficiente de fricción µ medido en una raya deslizante alterna
prueba con un penetrador de diamante (ver texto) para un número de muestras con
dureza variable. Los símbolos son los siguientes: () cuasicristal icosaédrico
maclado i­Al70.5Pd21Mn8.5; () Al70Pd20Mn10 sinterizado ; ( ) tetragonal
­Al70Cu20Fe10, ortorrómbica O1­Al71.2Cu9.8Fe8.5Cr11 y monoclínica
­Al73.5Cu3Fe23.5 (tipo Al13Fe4); ( ) AlCuFe ­tipo CsCl cúbico (≤5%
en volumen); ( ) AlCuFe sinterizado icosaédrico + β­cúbico; () sinterizado
monofásico i­Al59B3Cu25.5Fe12.5; (×) fcc­Al; () alúmina cúbica sinterizada; ( )
acero al cromo duro; ( ) fcc­cobre; () vidrio de ventana.
Machine Translated by Google

J.­M. Dubois / Ciencia e ingeniería de materiales 294–296 (2000) 4–9 7

con n ≈ 0,4, una especie de ley potencial universal que se espera si el arado
domina el comportamiento de fricción. Suponiendo que el penetrador de
diamante no esté deformado
bajo la carga aplicada, y en ausencia de un tercer cuerpo,
La fricción surge de la deformación del material rayado.
delante del penetrador, debido a la rugosidad del contacto
superficies (esto se vuelve insignificante después de un pequeño número de
pasa excepto por efectos de desajuste de red) y de interacciones electrónicas.
Para un cuasicristal típico con Young
módulo E = 100 GPa, una estimación aproximada del arado
la deformación corresponde a µ = 0,03, por lo tanto a µ = 0,02
para rugosidad de la red e interacciones electrónicas. Los sólidos examinados
aquí como el acero duro con dureza comparable pero
el doble del módulo de Young, por lo que supuestamente es más pequeño
contribución de la deformación elástica, muestran una contribución más
significativa de los efectos de adherencia, más plausiblemente debido
a interacciones electrónicas mejoradas. En resumen, Fig. 1
demuestra claramente que la baja fricción de los cuasicristales
de excelente calidad de red y microestructura (sin grietas,
sin poros, sin impurezas cristalinas) no está únicamente relacionado con Fig. 2. Energía de adhesión reversible del agua a temperatura ambiente versus Al
concentración en varios intermetálicos a base de Al y muestras de referencia.
su alta dureza y módulo de Young, pero principalmente a
Los símbolos tienen el mismo significado que en la Fig. 1 más: ( ) amorfo
interacciones electrónicas reducidas. Sin embargo, la fragilidad es
Al62Cu25.5Fe12.5 preparado por PVD; acero inoxidable ( ) y teflón ().
sigue siendo una limitación importante para el uso de cuasicristales en
tribología. A este respecto, la pureza de la fase es importante, como se evalúa en
Fig. 1, así como interacciones químicas con la contraparte.
Una vez más, este dominio de las propiedades mecánicas de los sólo para medir el ángulo de contacto de una diminuta gota de agua
cuasicristales todavía adolece de un conocimiento insuficiente. (volumen entre 1 × 10−9 y 3 × 10−9 m3) a temperatura ambiente. No se
asume ningún formalismo específico para interpretar la
datos pero sólo un ángulo de contacto bien definido, por lo tanto una presión
6. Energía superficial aparente y humectación. de película insignificante. Como vemos a continuación, esta condición la
cumplen nuestras muestras ya que su energía superficial, a excepción de
Evidencia indirecta de que la energía superficial de los cuasicristales alúmina y vidrio de ventana, es más pequeño que el del agua
es en realidad pequeña puede deducirse de una comparación de γH2O = 72 mJ/m2. Se debe tener especial cuidado para identificar
Ángulos de contacto medidos depositando pequeñas gotas de líquido. correctamente el ángulo frontal de avance como se describe en [25].
en la superficie de una muestra cuasicristalina así como en Resulta que los mejores cuasicristales exhiben datos de WH2O
muestras de referencia como teflón, metales u óxido a granel, bastante comparable al teflón (Fig. 2). De hecho son sólo
es decir, alúmina. Los avances a lo largo de una ecuación ya 25­30% por encima del valor WH2O para este sólido y en ningún caso
introducido hace dos siglos por Young nos llevan a una situación bastante Significa comparable al valor WH2O típico del aluminio puro, o más
expresión simple [23] de la energía de adhesión reversible de específicamente al del óxido Al2O3 .
un líquido dado sobre la superficie: WL = γL(1 + cos θ ), donde Por encima de los cuasicristales y aproximantes del WH2O más bajo,
γ L representa la energía superficial del líquido. Esto supone es decir, i­Al59B3Cu25.5Fe12.5 y ­Al73.5Cu3Fe23.5, encontramos el
que el ángulo de contacto θ está bien definido, lo cual sólo es cierto si otras muestras más cercanas al acero inoxidable. Cuanto más metálico
la energía de la superficie sólida es comparable o menor que γ L. son, menos diferencia vemos en comparación con esto
Esto no es válido también para metales, aleaciones u óxidos. En acero. Esta diferencia puede estar relacionada con diferentes factores.
Otros sólidos, y especialmente el teflón, el agua no moja: el estudiado por primera vez por Rivier [26]. Específicamente, Rivier [26]
El ángulo de contacto es claramente mayor que 90◦. Sucede que finamente consideró una superposición directa de funciones de onda en el nivel sólido­líquido.
Las superficies de cuasicristal pulidas no se mojan tan bien [24]. Su interfaz, pero debido a la capa de óxido siempre presente en la
Energía de adhesión reversible con agua en sólo un 25% más. En la superficie de nuestras muestras, tal interacción resulta más plausible
que el del teflón (es decir, 55 y 44 mJ/m2, respectivamente), de electrones que atraviesan la barrera de óxido o, preferiblemente, de
mientras que son 1 del del cristal de la ventana. Alúmina, que es la fuerzas de imagen electrostáticas generadas.
3
óxido siempre se encuentra en la superficie del metal de aluminio y por los momentos dipolares de las moléculas. Para Al­Cu­Fe
de sus aleaciones, es comparable en este aspecto al vidrio de ventana. intermetálicos, el espesor de la capa de óxido disminuye
Hemos vuelto a medir la energía de adhesión reversible de suavemente al aumentar el contenido de aluminio del sustrato
agua ultrapura WH2O para las muestras utilizadas para las mediciones de [27] dentro de un rango de 0,4 a 0,8 nm cuando la oxidación se realiza en el
fricción, acero inoxidable y teflón. El término WH2O es directa y fácilmente aire ambiente. Nuestros datos, también presentados en otra parte en
accesible para experimentar ya que requiere esta conferencia [25], confirman un informe anterior [24] en el que
Machine Translated by Google
8 J.­M. Dubois / Ciencia e ingeniería de materiales 294–296 (2000) 4–9
Mostramos que WH2O se correlaciona con los parámetros de la densidad
parcial de estados de Al 3p [28], es decir, la densidad de los estados
menos localizados encontrados en la energía de Fermi. Los cuasicristales
se encuentran en todos los aspectos entre el acero inoxidable y el teflón,
pero se acercan más al teflón en cuanto la calidad de la red, la pureza
de las fases y la preparación de la superficie son adecuadas. Queda por
lograr una comprensión completa de este fenómeno, tanto para superficies
cuasicristalinas de interés tecnológico como para materiales metálicos en
general.
7. Nuevas aplicaciones potenciales
También se señaló la posible aplicación de materiales cuasicristalinos
en diversos ámbitos del ahorro de energía, a saber, el aislamiento térmico
(que ya he mencionado anteriormente), la absorción de luz, la generación
de energía y el almacenamiento de hidrógeno.
Los demostradores de barrera térmica [29] podrían evaluarse en
condiciones reales durante una prueba en tierra de un motor de avión. En
cuanto a las demás cuestiones, el desarrollo de dispositivos no está tan
maduro, pero, sin embargo, una serie de características técnicas destacan
cómo los materiales cuasicristalinos pueden resultar útiles. Estos
resultados se desarrollarán brevemente a continuación.
El diseño de absorbentes de luz cuasicristalinos selectivos [30­32]
aprovecha las propiedades ópticas específicas de los cuasicristales [33].
Además, la emisividad de las películas delgadas se puede reducir a
menos del 3% mediante el uso de sándwiches de triple capa que tengan
una película cuasicristalina como i­Al­Cu­Fe de unos pocos nanómetros
de espesor depositada entre dos películas dieléctricas, como se sugirió
por primera vez. por Eisenhammer y Lazarov [30]. Este dispositivo muestra
rendimientos equivalentes a los de materiales más convencionales como
las películas de Ti­N­O que ya están en el mercado, pero resiste
temperaturas más altas del orden de 300­350◦C. Su resistencia a la
corrosión al aire húmedo se puede mejorar significativamente utilizando
en su lugar materiales aproximados de Al­Cu­Fe­Cr [34]. Otras
aplicaciones potenciales de las propiedades ópticas de los cuasicristales
comprenden la detección de infrarrojos (bolómetros) y la medición de
temperatura.
sensores.
Que yo sepa, Cyrot­Lackmann [31] fue la primera en señalar con sus
colegas en Grenoble que ciertos cuasicristales pueden resultar útiles
para la generación termoeléctrica.
De hecho, algunos cuasicristales muestran una potencia termoeléctrica
apreciable del orden de S = 70­80 V/K en las proximidades de la
temperatura ambiente. Dado que también presentan una conductividad
eléctrica y térmica débil, el valor correspondiente ya se acerca a 0,1­0,2.
Sin embargo, los materiales termoeléctricos modernos, como los
semiconductores de banda prohibida estrecha, presentan cifras de mérito
mayores en un orden de magnitud. La composición y la perfección
estructural del cuasicristal influyen drásticamente en la potencia
termoeléctrica [35], que puede cambiar de grande y positiva a débilmente
negativa dentro de unos pocos porcentajes de cambio de concentración.
Las esperanzas de aplicar cuasicristales a generadores termoeléctricos
competitivos dependen de una mayor estabilidad a altas temperaturas y
un mayor aumento de la termoenergía por encima de su temperatura
ambiente actual.
valor mientras que, mientras tanto, la conductividad térmica de la red no
debería aumentar demasiado. Los números objetivo para lograr una cifra
de mérito respetable de aproximadamente 1 obviamente requerirán la
adaptación de composiciones específicas. En este sentido, el proceso de
Umklapp agregará una contribución positiva (y favorable) a S en
cuasicristales (supuestamente perfectos) en fuerte contraste con el caso
de cristales regulares, ya que permite transferir un impulso arbitrariamente
pequeño de fonones a la cuasired [35]. Con la presión combinada por
materiales ambientalmente ecológicos para aplicaciones civiles y
generadores de energía silenciosos para aplicaciones militares, es fácil
predecir que la termoelectricidad de los cuasicristales pronto se convertirá
en un foco de interés para los programas (y la financiación) de investigación
y desarrollo.
Los cuasicristales icosaédricos a base de titanio pueden clasificarse
como pertenecientes a la familia Bergman según el tipo de grupo elemental
que forma su esqueleto atómico (ver [36] para obtener más información
sobre los tipos de grupos). Por tanto, un gran número de sitios intersticiales
tetraédricos pueden estar ocupados por protones. Se demostró que una
composición, Ti45Zr38Ni17, proporciona una fase icosaédrica estable a
baja temperatura [7]. Resulta que esta composición, así como su
aproximación de 1/1 cúbico, almacena grandes cantidades de protones,
acercándose a la proporción de aproximadamente el doble de átomos de
H que los metales constitutivos. En porcentaje en peso, esto lleva a un
2,5% de hidrógeno en Ti45Ni17Zr38, lo que se compara muy
favorablemente con los hidruros metálicos utilizados actualmente en
dispositivos de interés tecnológico, por ejemplo, baterías recargables.
Sin embargo, la reversibilidad limitada durante los ciclos de almacenamiento­
desorción puede obstaculizar gravemente este tipo de aplicación de
cuasicristales. Está claro que los compuestos de Ti­Ni­Zr se han operado
con éxito durante un pequeño número de ciclos en diferentes medios de
almacenamiento de hidrógeno, como la fase gaseosa, incluso a
temperatura ambiente, o celdas electrolíticas, pero no se ha demostrado
su viabilidad en miles de ciclos. todavía se ha demostrado plenamente.
8. Conclusión
Con aplicaciones tecnológicas, potenciales o demostradas, la ciencia
de los cuasicristales ha entrado en una nueva era.
Muchas patentes relativas a los cuasicristales ya tienen cerca de 10 años
y, por último (y tarde), pero no menos importante, las empresas privadas
ahora muestran interés en los cuasicristales. Especialmente en EE.UU. y
Japón, la financiación pública está asociada a programas de investigación
centrados en aplicaciones de cuasicristales, por ejemplo, tribología o
generación termoeléctrica. Sin embargo, muchas cuestiones fundamentales
aún están lejos de tener una solución y requieren una mejor comprensión
si nuestra comunidad busca una colaboración eficiente con los científicos
de la industria. Aquí enumeraré sólo algunas de esas preguntas. En primer
lugar, la adaptación de la composición requiere saber dónde están todos
los átomos en el cuasicristal, una cuestión aún abierta, aunque se han
realizado grandes avances en esta línea en los últimos años [36]. Exige
un conocimiento completo de al menos diagramas de fases ternarios no
sólo en sistemas metálicos sino también en sistemas basados en
metaloides. Con seguridad,
Machine Translated by Google
J.­M. Dubois / Ciencia e ingeniería de materiales 294–296 (2000) 4–9
La reciente demostración de que Si y Ge poseen una fase con
estrecha relación con los cuasicristales (re)abrirá la búsqueda de un
compuesto aperiódico verdaderamente semiconductor [37].
Las propiedades mecánicas, especialmente en la fase frágil por
debajo de 450 ◦C, ofrecen un verdadero desafío porque están
íntimamente relacionadas con todo tipo de aplicaciones. De especial
interés es el acoplamiento entre ductilidad y propiedades de transporte,
ya que la primera es obligatoria para la conformación y la durabilidad,
mientras que las segundas están involucradas en sensores, baja
humectabilidad, aislamiento térmico, etc. Por lo tanto, el procesamiento
es fundamental para el uso real de nuestros materiales. , pero hasta
el momento sólo lo han considerado unos pocos grupos en el mundo.
Muchas otras preguntas de este tipo, relevantes para las relaciones
entre microestructura, propiedades y procesamiento, esperan
respuesta. En conjunto, no podemos dudar de que la ciencia aplicada
de los cuasicristales implicará una renovación considerable de nuestra disciplina.
Agradecimientos
Estoy en deuda con Esther Belin­Ferré y Pierre Brunet, con quienes
he presentado para su publicación una descripción mucho más
detallada del presente trabajo [38].
Referencias
[1] D. Shechtman, I. Blech, D. Gratias, JW Cahn, Phys. Rev. Lett. 53
(1984) 1951.
[2] JM Dubois, en: S. Takeuchi, T. Fujiwara (Eds.), Actas de la Sexta Conferencia
Internacional sobre Cuasicristales, World Scientific, Singapur, 1997, pág.
785.
[3] AP Tsai, señora Bull. 22 (11) (1997) 43, y referencias en el mismo.
[4] SS Kang, JM Dubois, Phil. revista A 66 (1) (1992) 151.
[5] JM Dubois, P. Archambault, L. Bresson, P. Cathonnet, Patente francesa
N° 9 602 224 (1996).
[6] P. Archambault, P. Plaindoux, E. Belin­Ferré, JM Dubois, en: JM
Dubois, PA Thiel, AP Tsai, K. Urban (Eds.), Quasicrystals, Actas del
simposio MRS, vol. 553, señora, Warrendale, PA, 1999, pág. 409.
[7] KF Kelton, AM Viano, RM Stroud, EH Majzoub, PC Gibbons, ST Misture, AI
Goldman, MJ Kramer, en: AI Goldman, DJ Sordelet, PA Thiel, JM Dubois
(Eds.), New Horizons in Quasicrystals: Investigación y aplicaciones, World
Scientific, Singapur, 1997, pág. 272.
[8] U. Köster, D. Zander, J. Meinhardt, N. Eliaz, D. Eliezer, en: S.
Takeuchi, T. Fujiwara (Eds.), Actas de la Sexta Conferencia Internacional
sobre Cuasicristales, World Scientific, Singapur, 1997, p. 313.
[9] K. Sun, S. Zhu, JS Wu, KH Kuo, JP Zhang, en: S. Takeuchi, T.
Fujiwara (Eds.), Actas de la Sexta Conferencia Internacional sobre
Cuasicristales, World Scientific, Singapur, 1997, p. 333.
[10] Nilsson JO, Liu P, Dzugutov M, en: Dubois JM, Thiel PA, AP
Tsai, K. Urban (Eds.), Quasicrystals, Actas del simposio MRS, vol. 553,
señora, Warrendale, PA, 1999, pág. 513.
[11] A. Inoue, HM Kimura, en: JM Dubois, PA Thiel, AP Tsai, K. Urban (Eds.),
Quasicrystals, MRS Symposium Proceedings, vol.
553, señora, Warrendale, PA, 1999, pág. 495.
[12] Fisher IR, Islam Z, Panchula AF, Cheon KO, Kramer MJ, PC
Canfield, AI Goldman, Phil. revista B 77 (1998) 1601.
9
[13] P. Brunet, L. Zhang, DJ Sordelet, MF Besser, JM Dubois, este
conferencia.
[14] JM Dubois, A. Proner, B. Bucaille, P. Cathonnet, C. Dong, V.
Richard, A. Pianelli, Y. Massiani, S. Ait­Yaazza, E. Belin­Ferré, Ann.
Chim. 19 (1994) 3.
[15] JM Soro, C. Comte, T. Huu Loi, A. Billard, J. von Stebut, ICMCTF (1999), en
prensa.
[16] V. Sheares, Divulgación y registro de propiedad intelectual, ISURF No
02555, 1999.
[17] AP Tsai, K. Aoki, A. Inoue, T. Masumoto, J. Mater. Res. 8 (1)
(1993) 5.
[18] L. Zhang, C. Dong, Informe no publicado, Universidad Tecnológica de
Dalian, China, 1998.
[19] JM Dubois, SS Kang, Y. Massiani, J. Non­Cryst. Sol. 153/154
(1993) 443.
[20] J. von Stebut, C. Strobel, JM Dubois, en: C. Janot, R. Mosseri (Eds.), Actas
de la Quinta Conferencia Internacional sobre Cuasicristales, World Scientific,
Singapur, 1996, pág. 704.
[21] JS Wu, V. Brien, P. Brunet, C. Dong, JM Dubois, esta conferencia.
[22] JM Dubois, SS Kang, J. von Stebut, J. Mater. Ciencia. Iluminado. 10 (1991)
537.
[23] A. Dupré, Teoría mecánica del calor, Gauthier­Villars, París,
1869.
[24] JM Dubois, P. Plaindoux, E. Belin­Ferré, N. Tamura, DJ
Sordelet, en: S. Takeuchi, T. Fujiwara (Eds.), Actas de la Sexta Conferencia
Internacional sobre Cuasicristales, World Scientific, Singapur, 1997, pág.
733.
[25] E. Belin­Ferré, P. Brunet, JM Dubois, DJ Sordelet, L. Zhang, este
conferencia.
[26] N. Rivier, en: AI Goldman, DJ Sordelet, PA Thiel, JM Dubois (Eds.), New
Horizons in Quasicrystals, Research and Applications, World Scientific,
Singapur, 1997, p. 188.
[27] PJ Pinhero, DJ Sordelet, JW Anderreg, P. Brunet, JM Dubois, PA Thiel, en:
JM Dubois, PA Thiel, AP Tsai, K. Urban (Eds.), Quasicrystals, MRS
Symposium Proceedings, vol. 553, señora, Warrendale, PA, 1999, pág. 263.
[28] E. Belin­Ferré, en: JM Dubois, PA Thiel, AP Tsai, K. Urban (Eds.),
Quasicrystals, MRS Symposium Proceedings, vol. 553, señora, Warrendale,
PA, 1999, pág. 347.
[29] A. Sanchez­Pascual, F.J. Garcia de Blas, J.M. Algaba, J. Alvarez, P. Vallés,
M.C. Garcia­Poggio, A. Agüero, in: J.M. Dubois, P.A.
Thiel, AP Tsai, K. Urban (Eds.), Quasicrystals, Actas del simposio MRS,
vol. 553, señora, Warrendale, PA, 1999, pág. 447.
[30] T. Eisenhammer, M. Lazarov, Patente alemana núm. Rev. 4.425.140 (1994).
[31] F. Cyrot­Lackmann, T. Grenet, C. Berger, G. Fourcaudot, C. Gignoux,
Patente francesa nº 9 503 938 (1995).
[32] F. Machizaud, JM Dubois, patente francesa nº 9 503 939 (1995).
[33] DN Basov, T. Timusk, F. Pierce, P. Volkov, Q. Guo, SJ Poon, GA Thomas,
D. Rapkine, AR Kortan, F. Barakat, J. Greedan, B. Grushko, en: C Janot,
R. Mosseri (Eds.), Actas de la Quinta Conferencia Internacional sobre
Cuasicristales, World Scientific, Singapur, 1996, p. 564.
[34] T. Eisenhammer, H. Nolte, W. Assmann, JM Dubois, en: JM
Dubois, PA Thiel, AP Tsai, K. Urban (Eds.), Quasicrystals, Actas del
simposio MRS, vol. 553, señora, Warrendale, PA, 1999, pág. 435.
[35] F. Cyrot­Lackmann, en: AI Goldman, DJ Sordelet, PA Thiel, JM Dubois
(Eds.), New Horizons in Quasicrystals, Research and Applications, World
Scientific, Singapur, 1997, p. 216.
[36] D. Gratias, en: E. Belin­Ferré, C. Berger, M. Quiquandon, A. Sadoc (Eds.),
Current Topics in Quasicrystals, World Scientific, Singapur, 2000, en prensa.
[37] VE Dmitrienko, M. Kléman, Phil. revista Letón. 79 (6) (1999) 359.
[38] JM Dubois, P. Brunet, E. Belin­Ferré, en: E. Belin­Ferré, C. Berger, M.
Quiquandon, A. Sadoc (Eds.), Current Topics in Quasicrystals, World
Scientific, Singapur, 2000, en prensa.