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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

TRANSISTORES (Panormica)

BIPOLARES

NPN PNP CANAL N (JFET-N) CANAL P (JFET-P)

TRANSISTORES

UNIN EFECTO DE CAMPO

METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N)

CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO

Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor) Base (B) Colector (C)
En principio un transistor bipolar est formado por dos uniones PN.

N P N
C E

Emisor (E)

Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones. 1.- La zona de Base debe ser muy estrecha (Fundamental para que sea transistor). 2.- El emisor debe de estar muy dopado.

SMBOLO

B
C NP B N+ E

Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.

IMPORTANTE !!! No es un dispositivo simtrico

ASPECTO MAS REAL DE UN TRANSISTOR BIPOLAR

Descubiertos por Shockley, Brattain y Barden en 1947 (Laboratorios Bell)

LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO

Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada +


En principio necesitamos conocer 3 tensiones y 3 corrientes:
IC, IB, IE VCE, VBE, VCB

IC

VCB + VBE

+
VCE

IB

En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y dos tensiones. Normalmente se trabaja con IC, IB, VCE y VBE. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fcilmente:

IE

IC = f(VCE, IB) Caracterstica de salida

IE = IC + IB

VCB = VCE - VBE

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Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOMENTO DE REFLEXIN: Como esperamos de sean las caractersticas de un transistor?


C B E
En principio podemos pensar en un equivalente con 2 diodos

C B E

IB

Entre C y E tenemos dos diodos. La conduccin entre C y E no debera ser posible

IC

VBE Caracterstica de entrada (Diodo)

VCE Caracterstica de salida (Abierto)

CORRECTO
UNIVERSIDAD DE OVIEDO LEONARDO CATALN V.

FALSO

Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN: Efecto Transistor

C
C B E B E

Efecto transistor. Conduccin de la unin C-B. La capacidad de conducir corriente es proporcional a la corriente de base. El factor de proporcionalidad se llama Ganancia del Transistor ()

IC

IB = 20 10

El efecto transistor se produce nicamente con zonas de base muy estrechas

VCE
BASE

COMENTARIO: Un smil podra ser un grifo de agua. La corriente de base hace el papel del mando de grifo (aumentar la mxima capacidad de agua - corriente- del grifo).

UNIVERSIDAD DE OVIEDO LEONARDO CATALN V.

Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN C B E ZONA DE SATURACIN: Comportamiento como interruptor cerrado. 3000 IC [mA] IB [mA] = 30 ZONA ACTIVA: Comportamiento como Fuente de Corriente.

= 100
2000 1000

20 10 0 VCE

ZONA DE TRANSISTOR INVERSO: Emisor y colector intercambias papeles. Podemos tener una INVERSA, que en el dispositivo ideal consideraremos cero

ZONA DE CORTE: Comportamiento como interruptor abierto.

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor

12 V

3A

12 V 36 W
12 V

3A = 100

12 V 36 W

I
40 mA

Sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin. Ventajas: No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lgico. Electrnica de Potencia y Electrnica digital

IC
4A PF (ON) 3 A ON

IB = 40 mA OFF
VCE 12 V PF (OFF)
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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como fuente de corriente (amplificador) RB 12 V UE IB UC 12 UBIAS UC + RC IC = 100 PF ELECTRNICA ANALGICA

UE

UBIAS
En RC (p.e. altavoz) obtenemos una copia de UE (p.e. msica). El punto de funcionamiento cambia "al ritmo de la msica".

Podremos aplicar el principio de superposicin y linealizar el transistor entorno a su punto de funcionamiento. Hablaremos de circuito de continua (polarizacin) y de circuito de alterna.

Notar la presencia de un indeseable nivel de continua. Necesitamos polarizar el transistor para que siempre se comporte como una fuente de corriente dependiente: IC = f(IB)

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

USOS DEL TRANSISTOR NPN: Saturacin como amplificador

RB

12 V
UE

UC -

+ RC PF

IC IB
UC 12 UBIAS

= 100
UBIAS
El transistor se sale de la zona de fuente de corriente. Las tensiones del circuito no pueden sobrepasar las de alimentacin. Decimos que el amplificador se satura (y distorsiona).

UE

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

TRANSISTOR BIPOLAR PNP (PNP bipolar transistor) Base (B) Colector (C)

P N P
C E

Emisor (E)

Est formado como antes por dos uniones PN. Ahora dos regiones P y una N.

SMBOLO

Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones.
1.- La zona de Base debe ser muy estrecha (Fundamental para que sea transistor). 2.- El emisor debe de estar muy dopado. Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.

B
C PN B P+ E

ASPECTO MAS REAL DE UN TRANSISTOR BIPOLAR

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR PNP IB = f(VEB, VEC) Caracterstica de entrada +


En principio necesitamos conocer 3 tensiones y 3 corrientes:
IC, IB, IE VEC, VEB, VBC

IE

VEB + VBC

+
VEC

IB

En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y dos tensiones. Normalmente se trabaja con IC, IB, VEC y VEB. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fcilmente:

IC

IC = f(VEC, IB) Caracterstica de salida NOTAR QUE TODO EST AL REVS QUE ANTES LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO

IE = IC + IB

VBC = VEC - VEB

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOMENTO DE REFLEXIN: Como esperamos de sean las caractersticas del transistor PNP?
E B C
En principio podemos pensar en un equivalente con 2 diodos

E B C

IB

Entre C y E tenemos dos diodos. La conduccin entre C y E no debera ser posible

IC

VEB Caracterstica de entrada (Diodo)

VEC Caracterstica de salida (Abierto)

CORRECTO
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FALSO

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR PNP: Otra vez el Efecto Transistor E B C B C IC IB = 20 10 El efecto transistor se produce nicamente con zonas de base muy estrechas E
Efecto transistor para este caso. Conduccin de la unin B-C. La capacidad de conducir corriente es proporcional a la corriente de base. El factor de proporcionalidad se llama Ganancia del Transistor ()

VEC
BASE

COMENTARIO (SIMILAR AL ANTERIOR): Un smil podra ser un grifo de agua. La corriente de base hace el papel del mando de grifo (aumentar la mxima capacidad de agua - corriente- del grifo).

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR PNP E B C ZONA DE SATURACIN: Comportamiento como interruptor cerrado. 3000 IC [mA]

IB [mA] = 30 ZONA ACTIVA: Comportamiento como Fuente de Corriente.

= 100
2000 1000

20 10 0 VEC

ZONA DE TRANSISTOR INVERSO: Emisor y colector intercambias papeles. Podemos tener una INVERSA, que en el dispositivo ideal consideraremos cero

ZONA DE CORTE: Comportamiento como interruptor abierto.

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

USOS DEL TRANSISTOR PNP: Como interruptor

12 V

3A

12 V 36 W
12 V

40 mA I

= 100 3A 12 V 36 W

IC
Al igual que antes, sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base (ahora circula al reves) debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin.

4A PF (ON) 3 A ON

IB = 40 mA OFF
VEC 12 V PF (OFF)

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

USOS DEL TRANSISTOR PNP: Como fuente de corriente (amplificador) = 100 12 V RB UE UC 12 UBIAS IB UC IC PF RC ELECTRNICA ANALGICA

+
-

UE

UBIAS

VEC

AHORA LA SEAL SALE DESFASADA 180

Como antes, en RC (p.e. altavoz) obtenemos una copia de UE (p.e. msica), ahora desfasada 180. Es decir, cuando UE aumenta, IB disminuye y viceversa.

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

USOS DEL TRANSISTOR: Comentarios Sobre el uso del transistor como interruptor se profundiza en Electrnica de Potencia y en Electrnica Digital. Sobre el uso del transistor como amplificador se profundiza en Electrnica Analgica. Como se ha visto ambos transistores bipolares son bastante intercambiables y constructivamente similares. Solamente se diferencian en la rapidez: El transistor NPN funciona bsicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos (Mayoritarios del emisor en cada caso). Reacurdese que la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos, es decir, el transistor NPN es mas rpido que le PNP en igualdad de condiciones.

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

CARACTERSTICAS REALES DE LOS TRANSISTOR NPN y PNP

Activa

IB
VCE = 0 VCE1 VCE2

IC I
IB6 IB5
CMax

Avalancha Secundaria

Saturacin
IB3 IB2 IB1

IB4

PMax = VCEIC Avalancha Primaria

VBE

IB= 0

Caracterstica de Entrada

1V Corte

VCEMax

VCE

Caracterstica de Salida

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

TRANSISTOR BIPOLAR: PARMETROS SUMINISTRADOS POR LOS FABRICANTES

IC
IC-MAX VCE-MAX PMAX VCE-SAT Corriente mxima de colector Tensin mxima CE Potencia mxima Tensin C.E. de saturacin ICMAX B

E
PMAX

SOAR

HFE

Ganancia

VCE-MAX
VCE

rea de operacin segura (Safety Operation Area)

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

TRANSISTOR BIPOLARES

VCE = 1500 IC = 8 HFE = 20

TOSHIBA
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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

FOTOTRANSISTOR (Phototransistor)

La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base desempean el papel de corriente de base
C El terminal de Base, puede estar presente o no. No confundir con un fotodiodo. E

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

FOTOTRANSISTORES (Phototransistor)

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

FOTOTRANSISTORES (Phototransistor)

DISTINTOS ENCAPSULADOS

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

ASOCIACIN DE TRANSISTORES OPTOACOPLADOR

Conjunto fotodiodo + fototransistor


OBJETIVO:

Proporcionar aislamiento galvnico y proteccin elctrica.


Deteccin de obstculos.

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

APLICACIN TPICA DE LOS OPTOACOPLADORES: "Encoder" ptico para medida de velocidad y posicionado

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

TRANSISTOR MULTIEMISOR (Multi-emitter transistor)

C
B E2 E3

Transistor muy importante en Electrnica Digital. Base de la Tecnologa Digital TTL Transistor pensado para ser integrado de una forma compacta, bsico para la implementacin de puertas lgicas de varias entradas.

E1

C NP B N+ E1 N+ E2 N+ E3

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

ASOCIACIN DE TRANSISTORES TRANSISTOR o MONTAJE DARLINGTON 1 .2 C E 2 C E TRANSISTOR SCHOTTKY

1
B
OBJETIVO: Aumentar la del transistor.

OBJETIVO:

Manejar corrientes grandes con corrientes de base pequeas.


Uso en fuentes de alimentacin.

Aumentar la rapidez del transistor, impidiendo la saturacin completa del mismo.


Uso en Electrnica Digital

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET - Field Effect Transistor)

UNIN

CANAL N (JFET-N)

CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P)

Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patent el concepto de "Field Effect Transistor". 20 aos antes que en los laboratorio Bell fabricaran el primer transistor bipolar.

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

JFET de canal N (JFET - Junction Field Effect Transistor) Notar que es un dispositivo simtrico (D y S son intercambiables) D

CANAL

Drenador D (Drain) N D

Puerta (Gate) G

G
S SMBOLO

Fuente (Source)

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

CARACTERSTICAS DE UN JFET DE CANAL N IG = f(VGS, VDS) Caracterstica de entrada +


En principio necesitamos conocer 3 tensiones y 3 corrientes:
ID, IS, IG VDS, VDG, VGS

ID

VDG + VGS

+
VDS

IG

En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y dos tensiones. Normalmente se trabaja con ID, IG, VDS y VGS. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fcilmente:

IS

ID = f(VDS, VGS) Caracterstica de salida

IS = ID + IG

VDG = VDS - VGS

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOMENTO DE REFLEXIN: Como esperamos de sean las caractersticas de un JFET de canal N?

D
G S IG

Aproximacin intuitiva

G
S

Resistencia del canal


ID

Entre G y S tenemos un diodo. La conduccin entre D y S, podemos suponerla en principio resistiva.

VGS Caracterstica de entrada (Diodo)

VDS

CORRECTO
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Caracterstica de salida (Resistencia)

FALSO

Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

JFET DE CANAL N (SATURACIN DEL CANAL)


Un primer efecto que nos separa del comportamiento ideal es la saturacin del canal. Al ser la seccin del canal muy pequea (micras), el comportamiento resistivo se mantiene hasta determinados lmites de corriente. A partir de un cierto valor, el canal se satura y por mucho que aumentemos la tensin, la corriente no aumenta apreciablemente.

D N G P P SATURACIN

ID

VDS
S

LA CURVA AS OBTENIDA SE PARECE A LA DEL TRANSISTOR BIPOLAR, CON LOS MISMOS USOS Y APLICACIONES
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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

JFET DE CANAL N (papel de la zona de transicin) D N G P P G P D N P G P D

N
P

S
PN CON POLARIZACIN DIRECTA

S
PN CON POLARIZACIN INVERSA

S
PN CON POLARIZACIN INVERSA INTENSA

EL CANAL SE VA ESTRANGULANDO (DISMINUYENDO SECCIN) HASTA DESAPARECER


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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

JFET DE CANAL N (Caracterstica real de salida) D G S ID


ZONA COMPORTAMIENTO FUENTE DE CORRIENTE

UGS[V]
0 -10 -20 -30

VDS

ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIN DE PUERTA (UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE. PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

JFET de canal P (JFET - Junction Field Effect Transistor) Notar que es un dispositivo simtrico (D y S son intercambiables) S

CANAL

Fuente (Source) S P S

Puerta (Gate) G

G
D SMBOLO

D Drenador (Drain)

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

CARACTERSTICAS DE UN JFET DE CANAL P IG = f(VSG, VSD) Caracterstica de entrada +


En principio necesitamos conocer 3 tensiones y 3 corrientes:
ID, IS, IG VSD, VGD, VSG

IS

VSG + VGD

+
VSD

IG

En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y dos tensiones. Normalmente se trabaja con ID, IG, VSD y VSG. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fcilmente:

ID

ID = f(VSD, VSG) Caracterstica de salida

IS = ID + IG

VGD = VSD - VSG

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Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOMENTO DE REFLEXIN: Como esperamos de sean las caractersticas de un JFET de canal P?

S
G D IG

G
D

Aproximacin intuitiva

Resistencia del canal


ID
Entre G y S tenemos un diodo. La conduccin entre D y S, podemos suponerla en principio resistiva.

VSG Caracterstica de entrada (Diodo)

VSD

CORRECTO
LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO

Caracterstica de salida (Resistencia)

FALSO

Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

JFET DE CANAL N (SATURACIN DEL CANAL)


Un primer efecto que nos separa del comportamiento ideal es la saturacin del canal. Al ser la seccin del canal muy pequea (micras), el comportamiento resistivo se mantiene hasta determinados lmites de corriente. A partir de un cierto valor, el canal se satura y por mucho que aumentemos la tensin, la corriente no aumenta apreciablemente.

S P G N N SATURACIN

ID

VSD
D

LA CURVA AS OBTENIDA SE PARECE A LA DEL TRANSISTOR BIPOLAR, CON LOS MISMOS USOS Y APLICACIONES
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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

JFET DE CANAL P (papel de la zona de transicin) S P G N N G N S P N S P

D
PN CON POLARIZACIN DIRECTA

D
PN CON POLARIZACIN INVERSA

D
PN CON POLARIZACIN INVERSA INTENSA

EL CANAL SE VA ESTRANGULANDO (DISMINUYENDO SECCIN) HASTA DESAPARECER


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Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

JFET DE CANAL P (Caracterstica real de salida) S G D ID


ZONA COMPORTAMIENTO FUENTE DE CORRIENTE

USG[V]
0 -10 -20 -30

VSD

ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIN DE PUERTA (USG) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE. PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

COMENTARIOS SOBRE LOS JFET


LOS JFET TANTO DE CANAL N COMO DE CANAL P SON ACTUALMENTE POCO UTILIZADOS. EN UN COMPORTAMIENTO IDEAL SE PODRA CONSIDERAR CERO LA RESISTENCIA DEL CANAL.

CUIDADO CON EL TERMINO SATURACIN DEL CANAL, NO CONFUNDIR CON REGIN DE SATURACIN EN EL TRANSISTOR BIPOLAR!!!
PUEDE RESULTAR UN POCO CONFUSA LA NOMENCLATURA. AL IGUAL QUE PASA CON LOS TRANSISTORES BIPOLARES, EN IGUALDAD DE CONDICIONES, EL JFET DE CANAL N ES MAS RPIDO QUE EL DE CANAL P. (RAZN: MOVILIDAD DE ELECTRONES MAYOR QUE LA DE HUECOS) LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO
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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

TRANSISTORES MOSFET (MOS - Metal Oxide Semiconductor + FET - Field Effect Transistor ) CANAL N (JFET-N) UNIN CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P)

Dr Martn Atalla y Dr Dawon Kahng desarrollaron en primer MOSFET en los laboratorios Bell en 1960

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

TRANSISTOR MOSFET - canal N Drenador (Drain) Puerta (Gate)

Aislante (Si O2)


Fuente (Source)

Substrato (Substrate)

N P Canal (Channel)

SECCIN

VISTA SUPERIOR

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

TRANSISTOR MOSFET - canal N G S

Substrato

N P NOTAR:

NOTAR QUE EN PRINCIPIO ES UN DISPOSITIVO SIMTRICO

METAL OXIDO SEMICONDUCTOR


G SMBOLO LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO S

De momento, vamos a olvidarnos del substrato.


Posteriormente veremos que hacer con este terminal "inevitable" para que no afecte a la operacin del dispositivo. Que no moleste!!

Substrato

Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

CARACTERSTICAS DE UN MOSFET DE CANAL N IG = f(VGS, VDS) Caracterstica de entrada +


En principio necesitamos conocer 3 tensiones y 3 corrientes:
ID, IS, IG VDS, VDG, VGS

ID

VDG IG -

+
VDS

VGS

En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y dos tensiones. Normalmente se trabaja con ID, IG, VDS y VGS. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fcilmente:

IS

ID = f(VDS, VGS) Caracterstica de salida

IS = ID + IG

VDG = VDS - VGS

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOMENTO DE REFLEXIN:

Como esperamos de sean las caractersticas de un MOSFET de canal N?


D

En principio podemos pensar en un equivalente con 2 diodos

D G S ID Substrato

Substrato G S

Entre D y S tenemos dos diodos.

ID

La conduccin entre D y S no debera ser posible

VGS Caracterstica de entrada (Abierto) VDS Caracterstica de salida (Abierto)

CORRECTO
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Cierto si no actuamos sobre la puerta (G)

Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL N UGS = 0 D

Substrato

N
P

Situacin de partida. No es posible la conduccin en ningn sentido

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL N UGS = 5

G +++++ +++++ ----------N

Substrato

Por atraccin electrosttica la zona bajo la puerta (CANAL) se enriquece de cargas negativas (minoritarios de la zona P). El CANAL, as enriquecido, se comporta como una zona N (CANAL N)

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL N UGS = 20

G +++++ +++++
--------------------P N

Substrato

Al aumentar la tensin de puerta (VGS), aumenta el canal. La situacin es parecida al JFET, solo que ahora vamos aumentando el canal a medida que polarizamos positivamente la puerta (G) LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOSFET DE CANAL N (Caracterstica real de salida)


D

ZONA COMPORTAMIENTO FUENTE DE CORRIENTE

Substrato G S

ID

UGS[V]
+15 +10 +5 0

VDS

ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO COMO ANTES, LA TENSIN DE PUERTA (UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE. PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOSFET DE CANAL N ( Que pasa con el substrato?) D G


canal

S N

Substrato

P D
Canal. Aparece entre D y S en paralelo a los diodos iniciales

Se observa que los diodos juegan un papel secundario en la operacin del dispositivo.

Substrato S

Debemos asegurar que nunca entren en operacin.

EL SUBSTRATO se conecta al punto mas negativo del circuito.


Para un solo transistor, se conecta a la FUENTE (S). En los circuitos integrados se conectar el SUBSTRATO a la alimentacin negativa

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOSFET DE CANAL N ( Que pasa con el substrato?) D G


canal

Se une con S Substrato

P D D D

G S

AHORA YA NO ES UN DISPOSITIVO SIMTRICO !!! LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO


Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOSFET DE CANAL N ( Que pasa con el substrato?) D D


COMENTARIO: Aunque a veces se dibuje el smbolo con un diodo, tener en cuenta que NO ES UN COMPONENTE APARTE.

G S

G S Diodo parsito (Substrato - Drenador)

ID

UGS[V]
=+15 V =+10 V =+5 V =0V

VDS

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOSFET DE CANAL N (precauciones con la puerta)


La puerta (G) es muy sensible. Puede perforarse con tensiones bastante pequeas (valores tpicos de 30 V). No debe dejarse nunca al aire y debe protegerse adecuadamente.

D ID

- 30 V

+ 30 V

VGS

G S

CAUTION, ELECTROSTATIC SENSITIVE !!!

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

USOS DEL MOSFET - Canal N: Como interruptor

12 V

3A

12 V 36 W
12 V

3A

12 V 36 W

I
La puerta no puede quedar al aire (debe protegerse)

ID
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. LA CORRIENTE DE PUERTA ES NULA (MUY PEQUEA) !!!

4A PF (ON) 3 A ON

UGS= 12 V OFF
VDS 12 V PF (OFF)

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOSFET - N con canal inicial: Cargas Activas D G S N P D ID

CANAL INICIAL

UGS[V]
=+5 V =0V

Acumulacin Deplexin

G
S

=-5 V = -10 V

VDS

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOSFET - N con canal inicial: Cargas Activas


Las cargas activas se emplean para sustituir a resistencias en circuitos integrados (polarizacin de amplificadores, etc)

ID UGS[V]
=0V

VDS D D

CARGA ACTIVA
S LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

CURVA DE SALIDA TPICA DE UN MOSFET DE CANAL N DE POCA CORRIENTE

Comportamiento resistivo

Fuente de corriente (aumenta significativamente con la tensin VDS)

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

TRANSISTOR MOSFET - canal P Drenador (Drain) Puerta (Gate)

Aislante (Si O2)


Fuente (Source)

Substrato (Substrate)

P N Canal (Channel)

SECCIN

VISTA SUPERIOR

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

TRANSISTOR MOSFET - canal P G S

Substrato

P N NOTAR:

NOTAR QUE EN PRINCIPIO ES UN DISPOSITIVO SIMTRICO

METAL OXIDO SEMICONDUCTOR


G SMBOLO LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO D

De momento, vamos a olvidarnos del substrato.


Posteriormente veremos que hacer con este terminal "inevitable" para que no afecte a la operacin del dispositivo. Que no moleste!!

Substrato

Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

CARACTERSTICAS DE UN MOSFET DE CANAL P IG = f(VSG, VSD) Caracterstica de entrada +


En principio necesitamos conocer 3 tensiones y 3 corrientes:
ID, IS, IG VSD, VGD, VSG

IS

VSG IG -

+
VSD

VGD

En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y dos tensiones. Normalmente se trabaja con ID, IG, VSD y VSG. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fcilmente:

ID

ID = f(VSD, VSG) Caracterstica de salida

IS = ID + IG

VGD = VSD - VSG

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Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOMENTO DE REFLEXIN: Como esperamos de sean las caractersticas de un MOSFET de canal P?


S

En principio podemos pensar en un equivalente con 2 diodos

S G D Substrato

Substrato G D

Entre D y S tenemos dos diodos.

ID

ID

La conduccin entre D y S no debera ser posible

VSG Caracterstica de entrada (Abierto) VSD Caracterstica de salida (Abierto)

CORRECTO
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Cierto si no actuamos sobre la puerta (G)

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL P USG = 0 D

Substrato

P
N

Situacin de partida. No es posible la conduccin en ningn sentido

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL P USG = 5

G ---------- --------+++++++++++

S P

Substrato

Por atraccin electrosttica la zona bajo la puerta (CANAL) se enriquece de cargas positivas (minoritarios de la zona N). El CANAL, as enriquecido, se comporta como una zona P (CANAL P)

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL P USG = 20

G ---------- --------++++++++++++ ++++++++++++

S P

Substrato

Al aumentar la tensin de puerta (VSG), aumenta el canal. La situacin es parecida al JFET, solo que ahora vamos aumentando el canal a medida que polarizamos negativamente la puerta (G) LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOSFET DE CANAL P (Caracterstica real de salida)


S

ZONA COMPORTAMIENTO FUENTE DE CORRIENTE

Substrato G D

ID

USG[V]
+15 +10 +5 0

VSD

ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO COMO ANTES, LA TENSIN DE PUERTA (USG) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE. PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOSFET DE CANAL P ( Que pasa con el substrato?) D G


canal

S P

Substrato

N S
Canal. Aparece entre D y S en paralelo a los diodos iniciales Se observa que los diodos juegan un papel secundario en la operacin del dispositivo.

Substrato S

Debemos asegurar que nunca entren en operacin. EL SUBSTRATO se conecta al punto mas positivo del circuito. Para un solo transistor, se conecta a la FUENTE (S). En los circuitos integrados se conectar el SUBSTRATO a la alimentacin positiva. Notar que esta es una diferencia importante con el MOSFET de canal N

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOSFET DE CANAL P ( Que pasa con el substrato?) D G


canal

Se une con S Substrato

P S S S

G D

AHORA YA NO ES UN DISPOSITIVO SIMTRICO !!! LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO


Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOSFET DE CANAL P ( Que pasa con el substrato?) S S


COMENTARIO: Aunque a veces se dibuje el smbolo con un diodo, tener en cuenta que NO ES UN COMPONENTE APARTE.

G D

G D Diodo parsito (Substrato - Drenador)

ID

USG[V]
=+15 V =+10 V =+5 V =0V

VSD

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOSFET DE CANAL P (precauciones con la puerta)


La puerta (G) es muy sensible. Puede perforarse con tensiones bastante pequeas (valores tpicos de 30 V). No debe dejarse nunca al aire y debe protegerse adecuadamente.

S ID

- 30 V

+ 30 V

VSG

G D

CAUTION, ELECTROSTATIC SENSITIVE !!!

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

USOS DEL MOSFET - Canal P: Como interruptor

La puerta no puede quedar al aire (debe protegerse)

12 V

I 3A

12 V I 12 V 36 W 3A 12 V 36 W

ID
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. LA CORRIENTE DE PUERTA ES NULA (MUY PEQUEA) !!!

4A PF (ON) 3 A ON

USG= 12 V OFF
VSD 12 V PF (OFF)

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOSFET - P con canal inicial: Cargas Activas D G S P N S ID

CANAL INICIAL

USG[V]
=+5 V =0V

Acumulacin Deplexin

G
D

=-5 V = -10 V

VSD

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MOSFET - P con canal inicial: Cargas Activas


Las cargas activas se emplean para sustituir a resistencias en circuitos integrados (polarizacin de amplificadores, etc)

ID USG[V]
=0V

VSD S S

CARGA ACTIVA
D LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

CURVA DE SALIDA TPICA DE UN MOSFET DE CANAL P

Comportamiento resistivo

Fuente de corriente (aumenta significativamente con la tensin VSD)

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

C G
E
Combinacin de MOSFET y transistor Bipolar que ana las ventajas de los dos: La facilidad de gobierno del MOSFET El buen comportamiento como interruptor de BIPOLAR Dispositivo reciente muy importante en Electrnica de Potencia

Inventado por H.W. Becke y C.F. Wheatley en 1982

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Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

COMENTARIO: Con los MOSFET e IGBT para manejar corrientes elevadas se produce un cambio de tendencia importante.
Un Transistor Bipolar de potencia es un solo dispositivo de dimensiones (Seccin) suficiente para manejar la corriente elevada.

Un Transistor MOSFET o un IGBT de potencia, pensado para manejar corrientes elevadas, est formado por muchos transistores integrados colocados en paralelo

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Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

C NP N+
Cada punto representa un MOSFET

MOSFET DE POTENCIA
(Muchos pequeos MOSFET en paralelo, realmente es un "Circuito Integrado")

B E BIPOLAR DE POTENCIA LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS: PEQUEOS Y GRANDES SEGN LA APLICACIN

EL MAS PEQUEO

UNO GRANDE
Unos de los 12 SCR para un pequeo rectificador trifsico de 500 MW y 500 KV (Inga-Shaba, ZAIRE)

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