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ELECTRONICA ANALOGICA

TRANSISTOR BJT
TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR
- Denominado BJT (Bipolar Junction Transistor)
- De acuerdo con la unión de sus componentes se clasifican en:
FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR BJT npn

- El funcionamiento de un transistor BJT


puede ser explicado como el de dos diodos
pn pegados uno a otro.

- En este diagrama con polarización directa


entre la unión Base – Emisor (BE) actúa
como un diodo normal.

- Note en la gráfica el flujo de electrones y


huecos, siendo la corriente de huecos menor.

- A partir de este momento, mediante el


mismo mecanismo en que trabaja el diodo,
se produce una corriente de base a emisor.
- Conectemos ahora en forma inversa la
conexión Base – Colector (BC).
- Los electrones emitidos por el emisor se
dividen en dos: unos que se dirigen hacia la
base, recombinándose con los huecos, y otros
que pasan esta zona y se dirigen al colector.
- La zona de la base se construye muy
angosta, De ese modo la probabilidad de paso
es mayor.
- Aparece un flujo neto de corriente
(convencional) de colector al emisor.
- La corriente que fluye al colector es mayor
que la que fluye a la base del circuito exterior.
- De acuerdo con la I Ley de Kirchhoff:

y además:

donde  es el factor de amplificación (20 – 200)


Para analizar las características de
corriente y voltaje de un transistor se
debe tomar los siguientes pares:

iB  vBE
iC  vCE

Estas 2 características originan las


curvas de operación o de trabajo de los
transistores
En este caso, el comportamiento es similar al de un diodo. La fuente ideal IBB
inyecta una corriente en la base, en polarización directa. Variando IBB y
midiendo la variación vBE se obtiene la gráfica mostrada.
Conectamos
ahora una
fuente de
voltaje variable
al colector.

De este modo, variando vCC, variamos el voltaje vCE y por consiguiente la corriente
en el colector. Esto adicionalmente a la variación de iB. Se genera toda una familia
de curvas, una para cada valor de iB.
Puede distinguirse cuatro zonas en la gráfica:
REGION DE CORTE: Donde ambas uniones están polarizadas
en inversa(B-E y C-B). La corriente de base es muy pequeña, y
no fluye corriente, para que cause los efectos a la corriente al
emisor.
REGION LINEAL ACTIVA: El transistor actúa como un
amplificador lineal. La unión B-E está polarizada en directa y la
unión C-B está en inversa.
REGION DE
SATURACION:
Ambas uniones B-E
y C-B están
conectadas en
directo.
REGION DE
RUPTURA: Que
determina el límite
físico de operación del
transistor.
DETERMINACION DE LA REGION DE OPERACIÓN DE UN
TRANSISTOR BJT

Asumamos que los voltímetros dan las


siguientes lecturas:

Podemos, en primer lugar determinar


que
lo que quiere decir que la conexión
BE está conectada en directo.
La corriente en la base será:

Al mismo tiempo, la corriente en el


colector será:

Y la correspondiente ganancia:
El transistor está en la región lineal activa, ya que hay ganancia.
Finalmente, el voltaje entre colector y emisor:

De modo que podemos hallar el régimen de trabajo en las gráficas.


Para responder a esta pregunta
deberemos determinar si las uniones B-E y
B-C se encuentran en conexión directa o
inversa.
En la región de saturación ambas
conexiones están en directa. En la región
activa, B-E está en directo y B-C en
reversa.
De los datos anteriores:
Ejemplo: Hallar el régimen
de trabajo del transistor en
el circuito mostrado si:

Ambos están en directo.

El último valor nos indica que estamos en la


región de saturación.
ELECCION DE UN PUNTO DE
OPERACIÓN DE UN
TRANSISTOR BJT

Usemos el circuito mostrado para calcular


el punto de operación, también
denominado punto Q.
Las correspondientes Ecuaciones de
Kirchoff:

De la última ecuación obtenemos una recta cuyos interceptos y pendiente


son:

Trazando esta recta, se encuentra el referido punto Q en el cruce de este


recta con la curva de la familia correspondiente a la corriente de base.
En este punto, el BJT puede usarse como
amplificador lineal

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