AUTOTRONICA 2.

TRANSISTOR MOSFET

(transistor de efecto de campo semiconductor de oxido metalico).

Es otra categoria de transistorde efecto de campo. El MOSFET, es diferente al transistor jfet, con la diferencia que no tiene
una estructura de union PN; en cambio, la compuerta del MOSFET esta aislada del canal mediante una capa de bioxido de
silicio (SiO2). Los dos tipos basicos de MOSFET son el de enriquecimiento (E) y el de empobrecimiento (D). De los dos tipos,
el MOSFET de enriquecimiento es el mas utilizado. Devido a que ahora se utiliza silicio policristalinopara el material de
compuerta en lugar de metal, estos dispositovos en ocasiones se conocen como, IGFET (FET de compuerta aislada).

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO (E-MOSFET): El E-MOSFET opera solo en el modo de enriquecimiento y no tiene modo
de emprovecimiento. Difiere en cuanto a construccion del D-MOSFET, el cual se abordara a continuacion, en que no tiene
ningun canal estructural. Como se observara en la figura (a) que el sustrato se extiende por completo hasta la capa de SiO2.
Para un dispositivo de canal N, un voltaje positivo en la compuerta por encima de un valor umbral induce un canal al crear
una delgada capa de cargas negativas en la region del sustrato adyacente en la capa de SiO2, como se muestra enla figura
(b). La conductividad del canal se incrementa al incrementarse el voltaje de compuerta a fuente y, por lo tanto, atrae mas
electrones hacia el area del canal. Con cualquier voltaje en la compuerta por debajo del valor de umbral, no existe ningun
canal.

Representación de la construcción y operación de un E-MOSFET básico (canal N).

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Los símbolos esquemáticos de los transistores MOSFET canal N y canal P se muestran en las siguientes figuras.

Las líneas quebradas simbolizan la ausencia de un canal físico. Una flecha en el sustrato que apunta hacia adentro indica un
canal N y una flecha que apunta hacia afuera indica un canal P.

MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO (D-MOSFET): Otro tipo de MOSFET es el MOSFET de empobrecimiento (D-MOSFET);

como se muestra su estructura básica en la siguiente figura. El drenaje y la fuente se difunden en el material del sustrato y
luego se conectan mediante un canal angosto adyacente a la compuerta aislada. En la figura se muestran tantos dispositivos
de canal N como de canal P. Se utilizara el canal N para describir la operación básica. La operación de canal P es la misma,
excepto por que las polaridades del voltaje se oponen a las del canal N.

El transistor E-MOSFET de empobrecimiento puede ser operado en cualquiera de dos modos: el modo de empobrecimiento
o el de enriquecimiento. Como la compuerta está aislada del canal, se puede aplicar en ella un voltaje negativo o positivo.

MODO DE EMPOBRECIMIENTO: Mientras más grande es el voltaje negativo en la compuerta, más grande es el
empobrecimiento de electrones en el canal N. Con un voltaje de compuerta a fuente suficientemente negativo, Vgs (corte), el
canal se empobrece totalmente y la corriente en el drenaje es cero. El modo de empobrecimiento se ilustra en la siguiente
figura (a).

MODO DE ENRIQUECIMIENTO: Con un voltaje positivo en la compuerta, mas electrones de conducción son atraídos hacia
el canal, por lo que la conductividad de este se enriquece (incrementa) como se observara en la figura (b).
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CARACTERISTICAS DE TRANSFERENCIA DEL TRANSISTOR

MOSFET.
Los transistores MOSFET generalmente solo utilizan el sistema de enriquecimiento del canal. Por lo consiguiente, un
dispositivo de canal N requiere un voltaje positivo de compuerta a fuente y un dispositivo de canal P requiere un voltaje
negativo de compuerta a fuente. En la siguiente figura se muestran las cuervas características de transferencia general para
transistores canal N O canal P. Como podrá observar no hay corriente en el drenaje cuando Vgs=0v. Observe también que
idealmente no hay corriente en el drenaje hasta que Vgs alcanza un cierto valor llamado voltaje de umbral, Vgs (umbral). Lo
anterior se observara en la siguiente figura
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Existe una formula o ecuación para la curva de característica de transferencia del transistor MOSFET la cual se indica a
continuación

La constante K depende del transistor MOSFET que se está utilizando y se determina con la hoja de datos, tomando el valor
especificado de ID, llamado ID (encendido al valor de Vgs).

Por ejemplo la hoja de datos de un transistor MOSFET con matrícula 2N7002 da ID (encendido) = 500 m.A (mínimo) con
Vgs = 10v y Vgs (umbral) = 1v con estos datos tendremos que determinar la corriente en el drenaje con Vgs = 5v.

Solución: Primeramente tendremos que obtener el valor de la constante K para lo cual se puede utilizar la siguiente ecuación.

Polarización de un transistor mosfet.

Debido a que los transistores mosfet deben de tener un Vgs mayor que el voltaje de umbral, Vgs (umbral), no se puede utilizar
la polarización cero. En las siguientes imágenes se muestran dos formas de polarizar un transistor mosfet se utiliza un
dispositivo de canal N para propósitos de ilustración. En la configuración de polarización mediante el divisor del voltaje o
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polarización mediante realimentación del drenaje, el propósito es hacer el voltaje en la compuerta más positivo que el de la
fuente en una cantidad que exceda el Vgs (umbral). Las ecuaciones para el análisis de polarización mediante polarización
de voltaje son las siguientes.

En el circuito de polarización mediante realimentación de drenaje (figura b) hay corriente despreciable en la compuerta y, por
consiguiente, ninguna caída de voltaje a través de Rg. Esto hace Vgs=Vds
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REALIZAR EL SIGUIENTE CIRCUITO EN EL PROTOBOARD PARA

VERIFICAR EL FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR MOSFET
CANAL N
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TRANSISTORES I.G.B.T. (Transistor bipolar de compuerta

aislada).

Tanto los mosfet de potencia como los BJT se pueden emplear en aplicaciones de conmutación de alta potencia. El mosfet
tiene la ventaja de una mayor velocidad de conmutación y el BJT tiene menores perdidas de conducción. Combinando las
bajas perdidas de conducción de un BJT con alta velocidad de conmutación de un mosfet de potencia podríamos conseguir
un conmutador ideal.

Este dispositivo hibrido existe y es el I.G.B.T. (transistor bipolar de compuerta aislada). El I.G.B.T. procede esencialmente de
la tecnología mosfet de potencia. Su estructura y funcionamiento son muy similares a los de mosfet de potencia. En la siguiente
figura se muestra la estructura básica de un I.G.B.T. De canal N. Su estructura es parecida a un mosfet de potencia de canal
N construido sobre un sustrato de tipo P. como puede ver, tiene terminales de PUERTA, EMISOR Y COLECTOR.

Hay disponibles dos versiones de este dispositivo conocido como I.G.B.T. PT (punch-through) e I.G.B.T. NPT
(nonpunchthrough). La figura muestra la estructura de un I.G.B.T. PT, formado por una capa de separación N+ entre las
regiones P+ y N-. El dispositivo NPT no tiene capa de separación N+.

Las versiones NPT tienen valores de conducción Vce (on) mayores que las versiones PT y un coeficiente de temperatura
positivo. Este coeficiente de temperatura positivo hace que el NPT sea adecuado para montaje en paralelo. Las versiones PT,
tienen la capa N+ adicional, presenta la ventaja de velocidades de conmutación más altas y un coeficiente de temperatura
negativo.

CONTROL DEL I.G.B.T.

Las figuras siguientes muestran dos símbolos esquemáticos para el I.G.B.T. de canal N. La figura C también muestra un
circuito equivalente simplificado de este dispositivo. Como puede ver, el I.G.B.T. es principalmente un mosfet de potencia en
el lado de la entrada y un B.J.T. en el lado de la salida. El control de entrada es una tensión entre los terminales de puerta y
de emisor. La salida es una corriente entre las terminales de colector y emisor. El I.G.B.T. es un dispositivo normalmente en
corte y con una alta impedancia de entrada. Cuando el voltaje de entrada, Vge, sea lo suficiente grande comenzara a circular
la corriente de colector. Este valor mínimo de voltaje es el voltaje de umbral de puerta, Vge (umbral). La siguiente figura
muestra la hoja de características de un I.G.B.T. FGL60N100BNTD que emplea tecno0logia NPT-Trench. El voltaje Vge (th)
(th=umbral) típica de este dispositivo se especifica como 5v cuando Ic=60mA. La corriente continua máxima de colector es de
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60ª. Otra característica importante es su voltaje de saturación colector-emisor Vce (sat). El valor típico de Vce (sat)
especificado en la hoja de características es de 1.5v para una corriente de colector de 10 A y de 2.5v para una corriente de
colector de 60 A.

VENTAJAS DE I.G.B.T.
Las pérdidas de conducción de los I.G.B.T. están relacionadas con la caída de voltaje directa del positivo, y las pérdidas de
conducción del mosfet están basadas en sus valores de Rds (on). En aplicaciones de baja tensión, los mosfet de potencia
pueden tener resistencias Rd (on) extremadamente bajas sin embargo, en aplicaciones de alto voltaje, los mosfet tienen
valores Rds(on) mayores, lo que hace que las pérdidas de conducción aumenten el I.G.B.T. no presenta esta característica.
Los I.G.B.T. tienen un voltaje de disrupción colector-emisor mucho más grande comparada con el valor máximo de Vdss en
los mosfet. Como se puede ver en las hojas de características el valor de Vces es de 1000v. Esto es importante en aplicaciones
que utilizan cargas inductivas de alta tensión. Comparados con los B.J,T. los I.G.B.T. presentan una impedancia de entrada
y precisan requisitos de excitación de puerta mucho más simples aunque el IGBT no puede adaptar la velocidad de
conmutación del mosfet se están desarrollando nuevas familias de dispositivos I.G.B.T. para aplicaciones de muy alta
frecuencia. Por tanto, los I.G.B.T.son soluciones efectivas en aplicaciones de alta tensión y corriente a frecuencias moderadas.
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El RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (s.c.r.).

El tiristor esta compuesto por 4 capas alternas de semiconductores N y P, recibiendo el nombre de cátodo y ánodo y las capas
N y P de los extremos, respectivamente, muestran que la zona P interna que también es un electrodo con conexión al exterior,
se llama puerta (gate).

El funcionamiento del tiristor se entiende mejor asimilando su circuito equivalente que es la conexión de dos transistores
acoplados entre si, de forma que el colector de cada uno este unido a la base del otro esto produce una retroalimentación
positiva puesto que la corriente de salida de cada uno es la entrada del otro, y si ambos semiconductores disponen de una
ganancia de corriente superior a la unidad , rápidamente cada transistor llevara al otro a la saturación, produciéndose una
corriente máxima cuyo valor no estará contralada por el tiristor si no por la carga externa a la que alimenta. La saturación de
ambos transistores se consigue cuando se vence la polarización inversa de la unión N-P interna, por lo que es preciso aplicar
un pulso adecuado, en este caso positivo a la zona P.

Cuando el pulso positivo aplicado a la puerta del tiristor satura a los dos transistores que contiene, en ese momento este
semiconductor se comporta prácticamente como un interruptor cerrado, absorbiendo únicamente entre su cátodo y su ánodo
un voltaje que generalmente es de un voltio, el cual mantiene en saturación a los transistores.
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MEDICION DEL VOLTAJE DE CONDUCCION DEL S.C.R

ACTIVACION DEL CSR CON V.C.A.

De los ejemplos siguientes se puede deducir que el tiristor no solo actúa como interruptor, sino que también es capaz de
controlar la potencia que se aplica en la carga, mediante la regulación de los pulsos precisos en la puerta. El corte del tiristor
se produce automáticamente al final del semiciclo, cuando este tiene un voltaje inferior al de mantenimiento o sea,
prácticamente cuando comienza el nuevo semiciclo. El voltaje de disparo o encendido del tiristor se regula con el valor de la
corriente que circula por la puerta
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ENCENDIDO DEL S.C.R

Cuando la corriente en la compuerta, Ig, es cero, como se muestra en la figura A, el dispositivo actúa como un diodo de 4

capas en el estado de apagado. En este estado, la muy alta resistencia entre el ánodo y el cátodo pueden ser simulados de
forma aproximada por un interruptor abierto, como se indica a continuación. Cuando se aplica un pulso (disparo) positivo de
corriente a la compuerta, ambos transistores conducen (el ánodo debe ser más positivo que el cátodo). Esta acción se muestra
en la figura B. Ib2 enciende a Q2 y crea una trayectoria para Ib1 hacia el colector Q2, por lo que Q1 se enciende. La corriente
en el colector de Q1 proporciona una corriente adicional en la base para Q2, de tal forma que Q2 permanece en conducción
una vez que el pulso de disparo se retira de la compuerta. Por esta acción regenerativa, Q2 mantiene la conducción en
saturación de Q1 al proporcionar una trayectoria para Ib1; a su vez, Q1 mantiene la conducción es activado para que
encienda, como se muestra en la figura C. En este estado, la muy baja resistencia entre el ánodo y el cátodo puede ser
simulada de forma aproximada por un interruptor cerrado, como se indica.

Un SCR también puede encenderse sin que se active la compuerta incrementando el voltaje entre el ánodo y el cátodo a un
valor que exceda el voltaje de ruptura en directa Vbr(f), como se muestra en la figura A. El voltaje de ruptura indirecta se
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reduce a medida que Ig se incrementa por encima de 0v, como lo muestra el conjunto de curvas de las siguientes imágenes.
Con el tiempo, Ig alcanza un valor al cual el SCR enciende a un voltaje muy bajo entre el ánodo y el cátodo. Así
que, como se puede ver, la corriente en la compuerta controla el valor del voltaje de ruptura en directa,
Vbr(f),requeridoparaque encienda.

Aun cuando los voltajes entre el ánodo y el cátodo de más de Vbr(f) no dañan el dispositivo si se limita la corriente, esta
situación deberá evitarse porque se pierde el control normal del SCR. Normalmente deberá prenderse sólo con un pulso en
la compuerta.

APAGADO DEL S.C.R

Cuando la compuerta a 0v una vez que cesa el impulso de disparo, el SCR no puede encenderse; permanece en la región de
conducción en directa. La corriente en el ánodo se reduce por debajo del valor de la corriente de retención, Ih, para que prenda
otra vez. En las figuras anteriores se indica la corriente de retención.

Existen dos métodos básicos para encender un SCR: interrupción de la corriente en el ánodo y conmutación forzada la
corriente en el ánodo puede ser interrumpida mediante una configuración de conmutación momentánea en serio o en paralelo,
como se muestra en la figura. El interruptor en serie esta indica en la figura A simplemente reduce a cero la corriente en el
ánodo y apaga el SCR. El interruptor en paralelo (figura B) aleja una parte de la corriente total del SCR, con lo cual la corriente
en el ánodo se reduce a un valor menor que Ih.

El método de conmutación forzada básicamente requiere obligar momentáneamente a la corriente que circula a través del
SCR a que lo haga en la dirección opuesta a la conducción directa, de modo que la corriente neta en directa se reduce por
debajo del valor de retención. El circuito básico, se muestra en las siguientes figuras, consta de un interruptor (normalmente
un interruptor basado en un transistor) y un capacitor. En tanto el SCR está conduciendo, el interruptor está abierto y Cc se
carga al voltaje de alimentación por medio de Rc, como se muestra en la figura. Para apagar el SCR el interruptor se cierra,
lo cual coloca el capacitor a través del CSR y la corriente fluye en la dirección opuesta a la corriente en directa, como se
muestra en la figura. Típicamente, los tiempos de que los SCR permanecen apagados varían desde un cuanto micro segundo
hasta cerca de 30 microsegundos.
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CARACTERÍSTICAS VALORES NOMINALES DE UN S.C.R.

Se utiliza la curva que aparece en figuras anteriores como referencia en los casos en que sea apropiado.

Voltaje de ruptura en directa, Vbr(f). Éste es el voltaje al cual el SCR entra a la región de conducción en directa. El valor de
Vbr(f) es máximo cuando Ig = 0 y se designa Vbr(f). Cuando se incrementa la corriente en la compuerta, Vbr(f) se reduce y
se designa Vbr(f1), Vrb(f2), y así sucesivamente, con incrementos graduados de la corriente en la compuerta (Ig1,Ig2, y así
sucesivamente).

Corriente de retención, Ih. Éste es el valor de la corriente en el ánodo por debajo del cual el SCR cambia de la región de
conducción en directa a la región de bloque en directa. El valor se incrementa con valores decrecientes de Ig y el máximo con
Ig=0.

Corriente de disparo en la compuerta, Igt. Este es el valor de la corriente en la compuerta necesario para cambiar el SCR
de la región de bloqueo en directa a la región de conducción en directa en condiciones específicas.

Corriente en directa promedio, If(prom). Esta es la corriente máxima en forma continua en el ánodo (CD) que el dispositivo
puede soportar en el estado de conducción en condiciones específicas.

Región de conducción en directa. Esta región corresponde a la condición encendido del SCR en la que la corriente fluye
del ánodo al cátodo gracias a la muy baja resistencia (corto aproximado) del SCR.

Regiones de bloque en directa y en inversa. Estas regiones corresponden a la condición apagada del SCR en la que la
corriente que fluye del ánodo al cátodo es bloqueada por el circuito abierto efectivo del SCR.

Voltaje de ruptura en inversa, Vbr(r). Este parámetro especifica el valor del voltaje en inversa del cátodo al ánodo al cual el
dispositivo irrumpe en la región de avalancha y comienza a conducir en exceso (igual que en un diodo de unión pn).
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CIRCUITOS PRACTICOS PARA PROBAR UN S.C.R.

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ARMAR LOS CIRCUITOS ANTERIORES EN EL PROTOBOARD

ANOTAR SUS CORRIENTES Y VOLTAJES EN EL MOMENTO DE CONDUCCION.

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