DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

Para controlar la potencia, se requiere controlar el voltaje VL y/o la corriente IL en la carga. Para
ello, se puede conectar un dispositivo regulador que trabaje en la zona activa como se muestra en
la figura 2.1a que permite controlar la amplitud, sin embargo, el regulador disipara una potencia
muy alta produciendo una alta temperatura en el dispositivo. En la figura 2.1b en cambio, el
sistema trabaja como interruptor, cuando este se encuentra cerrado (equivalente a estar en
conduccin o estado ON), circula corriente a travs de el, siendo su voltaje prcticamente cero y
cuando est abierto (tambin llamado en bloqueo o estado OFF) su corriente es cero. Todo lo
anterior permite disipar poca potencia y un menor calentamiento del dispositivo con respecto a lo
expresado para la figura 2.1a.

Figura #2.1: Dispositivo de control de potencia

Existen muchos dispositivos semiconductores que pueden trabajar en estado de corte y
conduccin. Su apariencia externa depende de la potencia a disipar. Los encapsulados para
altas potencias que se utilizan en su fabricacin es diverso, como se muestran en las siguientes
figuras.

T0 200AB

TO 200AC

d2pak

TO 209AE (TO 118)

TO 208AD (TO 83)

TO 247AC

TO 220AB

TO 208AC (TO 65)

TO 209 AB (TO 93)

Figura #2.2: Encapsulados de control de potencia

El circuito de control de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:

Docente: Miguel Musalem M,

a) Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja
impedancia (conduccin).
b) Poder controlar con pequea potencia el paso de un estado a otro con facilidad.
c) Ser capaces de soportar altas tensiones cuando estn en estado de bloqueo.
d) En estado de conduccin tienen grandes intensidades con pequeas cadas de tensin entre
sus terminales.
Algunos de estos dispositivos son:
1.- Diodo de Potencia: Permite el paso de la corriente en un solo sentido.

600 V/6000 A

200 V /60 A
Figura 2.3: Diodo de Potencia

Caractersticas estticas:
a) Parmetros en bloqueo.
b) Parmetros en conduccin.
c) Modelos estticos de diodo.
Caractersticas dinmicas:
a) Tiempo de retardo: (Delay Time, td):
Es el tiempo que transcurre desde el
instante en que se aplica la seal de
entrada en el dispositivo conmutador,
hasta que la seal de salida alcanza
el 10% de su valor final
b) Tiempo de subida (Rise time, tr):
Tiempo que emplea la seal de salida
en evolucionar entre el 10% y el 90%
de su valor final
c) Tiempo de almacenamiento (Storage
time, ts): Tiempo que transcurre
desde que se quita la excitacin de
entrada y el instante en que la seal
de salida baja al 90% de su valor final
d) Tiempo de cada (Fall time, tf):
Tiempo que emplea la seal de salida
en evolucionar entre el 90% y el 10%
de su valor final
Potencias:
a) Potencia mxima disipable.
Docente: Miguel Musalem M,

1000 V /1 A

b) Potencia media disipada.

c) Potencia inversa de pico repetitivo.
d) Potencia inversa de pico no repetitivo.
Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan en la figura
2.5.

Figura 2.5: Curvas caractersticas del diodo de potencia

Dentro de las diferentes variedades de diodos de potencia que se pueden encontrar en el mercado
y segn el material semiconductor utilizado para su fabricacin, se tienen los siguientes tipos
(figura 2.6)

Figura 2.6.- Caractersticas y material semiconductor utilizado en diodos de Potencia

Docente: Miguel Musalem M,

2.- El transistor de potencia:

El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores
normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e intensidades que tienen
que soportar y por tanto, las altas potencias a disipar. La figura 2.7 muestra algunos tipos de estos
encapsulados.

Figura 2.7

Existen tres tipos de transistores de potencia:

2.1.- Transistor bipolar de juntura (BJT).
Se puede definir como la unin de tres obleas de Silicio o Germanio dopadas alternativamente con
material tipo PNP o NPN como se muestra en la figura 2.7 para un material tipo NPN.

Figura #2.7: Material Tipo NPN.

Polarizacin del transistor
Se requerir que la juntura Base-Emisor (Jbe) est polarizada en forma directa, mientras que la
juntura Base-Colector (Jbc) ) est polarizada en forma inversa. Como se muestra en la figura
#4.8 para un transistor PNP
Las ecuaciones de corriente son:
a) IE = IC + IB
b) IC IB
c) IE = (+1)*IB
Figura #2.8: Polarizacin del Transistor

Docente: Miguel Musalem M,

2.2.- Transistor de Efecto de Campo FET (Transistor de Efecto de Campo).

Estos transistores se clasifican como:
2.2.1 Transistores de Efecto de Campo de Juntura (JFET) es un dispositivo de tres terminales,
siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos terminales.
El drenaje (D) y la fuente (S) se conectan en esencia a los extremos del canal tipo n y la
compuerta, a las dos capas del material tipo p. El JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin
polarizacin.

Figura #2.9: Transistor de unin de efecto de campo (JFET) canal N.

La analoga hidrulica de la figura 2.10 proporciona un sentido al control del JFET. La fuente de la
presin del agua puede asemejarse al voltaje aplicado entre el drenaje y la fuente, el cual
establecer un flujo de agua (equivalente al flujo de electrones). La "compuerta", por medio de una
seal aplicada (potencial), controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje".

Figura #2.10: Analoga hidrulica para el mecanismo de

control del JFET. (VGS = 0 V, Vds cualquier valor
positivo)

Cuando se aplica un voltaje positivo VDS y el gate polarizado en inversa con respecto al Drenaje
el resultado es el ensanchamiento de la regin de agotamiento y reduccin de la corriente IDS o
(ID). Luego, al variar el voltaje de Gate, se vara IDS producto de la capa de agotamiento.

Figura #2.11: JFET en la regin

VGS 0 V

Docente: Miguel Musalem M,

Si se incrementa el voltaje inverso producido entre Drenaje y Gate las dos regiones de agotamiento
se "tocaran", producindose un estrechamiento (pinch-off) en el canal de conduccin de IDS. Al
voltaje VDS que produce el estrechamiento con el Gate conectado a 0V, se denota Vp, o voltaje
de pinch-off , el trmino "estrechamiento" sugiere que la corriente ID se mantendr constante an
cuando vare VDD. La figura 2.12, muestra esta situacin junto a su curva caracterstica

Figura #2.12: Estrechamiento del canal y curva caracterstica

La relacin entre ID y VGS se define por la ecuacin de Shockley:
Ecc. (1)

En la figura 2.13 se suministran dos grficas para diferentes voltajes entre Gate y Source.

Figura #2.13: Curva de transferencia.

Docente: Miguel Musalem M,

2.2.1 Metal Oxido Semiconductor MOSFET

Se denominan as por que el Terminal gate est asilado elctricamente del cuerpo mediante Oxido
de Silicio. En general hay dos tipos MOSFET los de tipo decremental o empobrecimiento y tipo
incremental o enrriquecimiento.
Un MOSFET de tipo decremental de canal n se esquematiza en la figura 2.14. Un material tipo p
que se denomina sustrato donde el canal ser de tipo N. La compuerta

Figura #2.14: MOSFET de empobrecimiento

S el voltaje compuerta-fuente se fija a cero voltios y se aplica un voltaje VDS a travs de las
terminales drenaje-fuente. El resultado es una corriente similar a la establecida a travs del canal
del JFET. Al variar VGS variar el ancho del canal por donde circula la corriente IDS, variando con
ello su intensidad.
La figura #2.15 muestra la curva del MOSFET de enriquecimiento para VGS positivo y negativo.

Figura #2.15: Curva caracterstica de un MOSFET de empobrecimiento

El MOSFET de tipo incremental o de enriquecimiento como que muestra la figura #2.16 no posee
canal por tanto, la polarizacin del gate debe crearlo, para ello, se tiene que polarizar el Gate
positivo, de manera de atraer los electrones libres del sustrato P creando as un canal N artificial,
los manuales entregan el voltaje mnimo requerido para la construccin del canal N y se denomina
Voltaje de umbral VGSth (Threshold Voltage).
Docente: Miguel Musalem M,

Figura #2.16: Mosfet de enriquecimiento canal N

La ecuacin que representa a la curva de transconductancia es:
2
D
GS
GSth
Ecc. 3

I = K [V

Donde K es una constante que depende de cada MOSFET.

Los MOSFET configurados en simetra complementaria (Canal N y Canal P) se denominan CMOS
2.3.- Transistor Bipolar con Gate aislado IGBT.
El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del BJT y
del MOSFET. Posee una compuerta (Gate) como los MOSFET y por consiguiente tiene una alta
impedancia de entrada. Su simbologa se muestra en la figura 2.17.
La tensin de control de puerta es de unos 15V y al estar aislada, ofrece la ventaja que esta seal
sea de baja potencia.
Las caractersticas de conduccin son como las del BJT y su uso es adecuado para velocidades de
conmutacin hasta 20 KHz sustituyendo al BJT en muchas aplicaciones

Figura #2.17: IGBT

Funcionamiento: Considere la figura 2.18

Figura #2.18: Estructura interna del IGBT

Docente: Miguel Musalem M,

El IGBT se encuentra bloqueado inicialmente. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT se

enciende inmediatamente circulando una corriente ID y el voltaje VDS baja desde el valor de
bloqueo hasta cero volt, haciendo conducir al transistor PNP inicialmente y luego al transistor NPN.
Entonces la corriente ID persiste para todo el tiempo tON en el que la seal en el gate es aplicada.
Para encender el IGBT, el terminal drain D debe ser polarizado positivamente con respecto al
terminal S. La seal de encendido es un voltaje positivo VGS que es aplicado al gate (G), si su
valor es de magnitud aproximada a 15V, permite que el tiempo de encendido sea menor a 1s.
Una vez encendido, el dispositivo se mantiene en la misma condicin mientras se tenga el voltaje
en el gate.
EL IGBT se apaga simplemente cortando la seal de voltaje VG en el terminal gate. La transicin
del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar un tiempo aproximado de 2 micro
segundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz.
En general, el IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el cambio de estado de apagado a
encendido y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor, el IGBT puede entrar en
conduccin.
CARACTERISTICAS A TENER EN CUENTA EN UN IGBT
IDmax Limitada por efecto Latch-up
VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio. Se disea para que cuando VGS = VGSmax
la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y
pueda soportarla durante unos 5 a 10s. y pueda actuar una proteccin electrnica.
VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy baja, ser VDSmax=BVCB0
Existen en el mercado IGBTs con valores de 600 a 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV)
La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan valores mayores)
Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.
En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un par de MW,
trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.
RESUMEN
La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor de efecto de campo FET es el modo de
actuacin sobre el Terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de
base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la
aplicacin de una tensin entre el Terminal de puerta (Gate) y el Terminal fuente (Source).
Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que son
substancialmente distintas.
Con respecto al IGBT, este toma las ventajas de cada dispositivo sealado anteriormente (BJT y
FET) que son:
a) Control de potencia por voltaje a travs de compuerta (Gate).
b) Alta Impedancia de entrada entre el terminal Compuerta y el Terminal Fuente (Source)
c) Menor disipacin de potencia en conduccin (Similar al de un transistor BJT)

Docente: Miguel Musalem M,