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El sistema es alimentado con una fuente de electricidad (AC o DC), usualmente trifásica, la cual
alimentara el circuito controlador, que es un subsistema relacionado al sistema de potencia, la
cual, su función es la de controlar los dispositivos de accionamiento y será también controlado
por las protecciones en caso que se presenten fallos o una emergencia o bien por decisión del
personal operario.
Cuando el sistema de control procede a ordenar el accionamiento se alimenta el motor
(actuador) con la electricidad y este realizara su función, el cual por medio de elementos
mecánicos acoplados y con la capacidad que tiene el motor para hacer trabajar la cara
impuesta y así cumplir con su respectiva funcionalidad dentro del proceso para la cual fue
diseñado.
Este sistema retroalimenta el proceso con la electricidad, los controles, los acoples y la carga,
obteniendo datos mediante sensores, que serán llevados a cada una de estas partes las cuales
ayudarán a optimizar, mejorar y proteger todo el sistema.
TRANSISTOR BIPOLAR
El transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor) es el más común de los transistores, y
como los diodos, puede ser de germanio o silicio. En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas
y son: el emisor, la base y el colector.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada
caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor. El transistor es un
dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E),
coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de transistor
donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturación suelen tener valores
determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente).
SIMBOLO Y REGIONES DE CURVA CARACTERISTICA
Este factor de amplificación se llama ß (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces:
Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a ß (factor de amplificación) por Ib
(corriente que pasa por la patilla base).
Ic = ß x Ib
Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (ß+1) x Ib, pero se redondea al mismo
valor que Ic, sólo que la corriente en un caso entra al transistor (PNP) y en el otro caso de
sale él (NPN), o viceversa.
Ventajas
Ofrecen una buena ganancia de amplificación
Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT
Los BJT son resistentitas a la energía estática Los FET se pueden dañar debido a esto.
Los BJT presentan una respuesta en frecuencia alta debido a la baja capacidad de entrada.
Respecto a los FET.
Características voltampericas
SIMBOLO CORTE ACTIVA SATURACION
I B=I C =I E=0 I C =β I B V BE =0.7
V CE =0.2
V BE < 0.7 o V BC ≤ 0 I E =I B + I C V BC =0.7
V BE =0.7 I C< β I B
V CE ←0.3 o V BC >−0.7
Rangos máximos
Voltaje colector-emisor V CE =¿+ 40V
Voltaje colector-base V CB =¿+ 60V
Voltaje emisor-base V EC =¿+5 V
Corriente de colector I C =¿ +0.8 A
TRANSISTOR MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET es un transistor
utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.
El transistor MOSFET, como veremos, está basado en la estructura MOS. En los MOSFET de
enriquecimiento, una diferencia de tensión entre el electrodo de la Puerta y el substrato induce
un canal conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor, gracias al efecto de campo. El
término enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad eléctrica debido a
un aumento de la cantidad de portadores de carga en la región correspondiente al canal, que
también es conocida como la zona de inversión.
CARACTERISTICAS
Máxima tensión drenador-fuente
Máxima corriente de drenador
Resistencia en conducción
Tensiones umbral y máximas de puerta
Velocidad de conmutación
REGIONES DE OPERACIÓN
SIMBOLO
D = (Drain) drenador
S = (Source) Fuente
G = (Gate) compuerta
CARACTERÍSTICAS VOLTAMPERICAS
Máxima tensión drenador-fuente
Corresponde a la tensión de ruptura de la unión que forman el substrato (unido a la fuente) y el
drenador. Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se específica a qué pequeña
circulación de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA). Ayuda a clasificar los MOSFETS
en:
Baja tensión: 15 V, 30 V, 45 V, 55 V, 60 V, 80 V
Media tensión: 100 V, 150 V, 200 V, 400 V
Alta tensión: 500 V, 600 V, 800 V, 1000 V
La máxima tensión drenador-fuente de representa como VDSS o como V(BR)DSS
SIMBOLO
G = (GATE) compuerta
C = (COLLECTOR) colector
E = (EMISOR) emisor
FUNCIONAMIENTO
Al igual que un MOSFET el IGBT se controla con tensión. Para el encendido se da una tensión
positiva en puerta respecto al emisor, los portadores n son atraídos a la región p de la puerta;
así se polariza en directa la base del transistor NPN permitiendo la circulación de corriente
colector-emisor. Para el apagado basta con quitar la tensión de la puerta. Esto require de un
circuito de control simple para el transistor IGBT.
Desventajas
Costo
Problema de cierre
Alto tiempo de apagado comparado con PMOSFET
CARACTERISTICAS VOLTAMPERICAS
Parámetros máximos
TIRISTOR SCR
El SCR es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la
disposición pnpn. La conducción entra ánodo y cátodo está controlada por el terminal de
puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, amplificador y rectificador a la
vez.
Característica de control
Es su activación con una señal de pulso apagado con conmutación natural.
Especificaciones especiales
El SCR necesita una corriente mínima de mantenimiento (IH) para que se mantenga en
conducción y una corriente de enclavamiento (IL) para que el dispositivo pueda
permanecer en conducción cuando se eliminan los pulsos de la puerta.
VGT e IGT, que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor.
Frecuencia: Baja de 60 Hz
Voltaje: 1500 V, 0.1 MVA
Corriente: 1000 A, 0.1 MVA
SIMBOLO
Ventajas y desventajas del SCR
Ventajas
Activación sencilla, el dispositivo de la ganancia de activación es muy alta.
Bajo costo, alto voltaje, alta corriente.
Requiere poca corriente de gate para disparar una gran corriente directa
Puede bloquear ambas polaridades de una señal de A.C.
Bloquea altas tensiones y tiene caídas en directa pequeñas
Desventajas
Baja velocidad de conmutación
No se puede apagar control de compuerta.
El dispositivo no se apaga con Ig=0
No pueden operar a altas frecuencias
Pueden dispararse por ruidos de tensión
Tienen un rango limitado de operación con respecto a la temperatura
Características principales
CARACTERISTICAS VOLTAMPERICAS
TIRISTOR GTO
Un tiristor GTO (GATE TURN-OFF THYRISTOR) tiene la estructura muy similar a un tiristor SRC
convencional, como se muestra en la figura I. con sus 4 capas de silicio (PNPN) y tres terminales:
ánodo (A), cátodo (K) y puerta (G).
Son semiconductores discretos que actúan como interruptores completamente controlables, los
cuales pueden ser encendidos y apagados en cualquier momento con una señal de compuerta
positiva o negativa respectivamente. Estos componentes están optimizados para tener muy bajas
pérdidas de conducción y diseñados para trabajar en las más demandantes aplicaciones
industriales. Estos componentes son altamente utilizados en Convertidores de Alto Voltaje y Alta
Potencia para aplicaciones de baja y media frecuencia.
SIMBOLO
A = ANODO
C = CATODO
G = COMPUERTA
Desventajas
La ganancia en apagado es baja, requiere una gran corriente de compuerta en estado de
encendido.
Más alta capacidad de voltaje de bloqueo.
Alta relación de corriente de pico controlable a corriente promedio.
Alta relación de corriente de pulsación pico a corriente promedio, típicamente de 10:1.
Alta ganancia en estado activo típicamente de 600 Señal de compuerta pulsada de corta
duración. Bajo condiciones de pulsación de carga, un GTO pasa a una saturación más profunda
debido a la acción regenerativa. Por otra parte, un transistor bipolar tiende a salirse de
saturación.
CARACTERISTICAS VOLTAMPERICAS
TIRISTOR TRIAC
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia de los
tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que éste es unidireccional y el TRIAC es
bidireccional. De forma coloquial podría decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar
la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían dos SCR en
direcciones opuestas. Posee tres electrodos: MT1, MT2 (en este caso pierden la denominación de
ánodo y cátodo) y puerta (G). El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo
de puerta.
SIMBOLO
A1, A2 = ELECTRODOS
G = COMPUERTA
CARACTERISTICAS VOLTAMPERICAS
4. QUE ENTIENDE USTED POR FUENTE DE MANDO DE CONTROL POR FASE. EXPLIQUE EL
PRINCIPIO DE TRABAJO DE ESTA FUENTE DE MANDO.
Una fuente de mando, es un conjunto de elementos electrónicos que están conectados entre
sí, proporciona el control por fase de diferentes cargas que están relacionadas en conjunto y
controlan algunos elementos presentes en el sistema de potencia, además que, permite aislar
el circuito de control del circuito de potencia.
1 KW = 1000W
1 HP = 747W = 0.746KW
1kW = 1.34HP
x
w
M C =M O + ( M C nom−M O ) ( )
wnom
Las características mecánicas de los motores eléctricos se pueden dividir en tres categorías
principales:
Los motores tienen una característica mecánica rígida. Como los de corriente continua,
excitación independiente, así como motores de inducción dentro de la parte de trabajo de la
característica mecánica.
Entre los valores más grandes (críticos) de los momentos en los modos motor y generador, la
característica de un motor de inducción es relativamente rígida.
Motor de inducción
La característica mecánica suave se
caracteriza por un cambio significativo
en la velocidad con un cambio en el par.
Motor de CD en serie
V T =E A + I A ( R A + RS )