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ELECTRÓNICA I
MOLINA KEVIN
ESPINOZA ISMAEL
NRC: 2517
2. Introducción
3. Objetivos
Obtener un circuito amplificador en configuración fuente común, el mismo que
nos permita aplicar os conocimientos adquiridos sobre la construcción, polarización
y funcionamiento de un JFET.
Calcular el punto de operación del transistor y realizar la simulación en multisim,
para obtener una idea previa de los valores a obtener en la práctica de laboratorio
Analizar el funcionamiento del transistor si se intercambia los terminales fuente-
drenaje.
Armar el circuito para verificar el funcionamiento del amplificador.
4. Materiales
Resistencias
Transistores JFET
Cables
Protoboard
Osciloscopio
Multímetro
Fuente de corriente contínua
Generador de señales.
5. Procedimiento
5.1. Identificar los terminales del JFET.
5.2. Arme el circuito amplificador en la configuración Fuente Común.
5.3. Verifique el punto de operación del transistor.
5.4. Verifique los parámetros de corriente alterna del amplificador.
5.5. Realice el cuadro con los resultados obtenidos y compare con los calculados y
simulados.
6. Preguntas
6.1. ¿Qué ocurre con el funcionamiento del amplificador si se invierte la polaridad de
la fuente VDD?
Al invertir la fuente VDD la cual será la que polarizará a nuestro transistor JET cambiara
nuestro punto de operación, ya que el Voltaje Thevenin ya no será el mismo.
1
𝑋𝐶 =
2𝜋. 𝑓. 𝐶𝐺
Como el capacitor debe ser al menos 10 veces menor a la resistencia 𝑅𝐸2 se tendrá:
𝑋𝐶 ≪ 𝑍𝑖𝑛
Como 𝑋𝐶 es despreciable todo el voltaje ira por 𝑍𝑖𝑛 . También se sabe que:
1
≪ 𝑅𝐺1 ||𝑅𝐺2
2𝜋. 𝑓. 𝐶𝐺
1
𝐶𝐺 ≥
2𝜋. 𝑓𝑚𝑖𝑛 . (𝑅𝐺1 ||𝑅𝐺2 )
6.3. ¿Si intercambio los terminales de Fuente y Drenaje que pasa con el valor de la
impedancia de entrada?
7. Bibliografía
Boylestad, R., & Nashelsky, L. (2007). Electrónica, Teoría de Circuitos. Mc. Graw Hill.
Malvino, P. (2007). Principios de Electrónica. Mc. Graw Hill.
Ruiz, T., & Arbelatz, O. (2004). Análisis Básico de Circuitos Eléctricos y Electrónicos.
Prentice Hall.
Sedra, A., & Smith, K. (2006). Circuitos Microelectrónicos. Análisis y Diseño. Mc.
Graw Hill.
TRABAJO PREPARATORIO
Para poder realizar la identificación de los terminales del transistor antes que nada se debe
de conocer si este es un transistor JFET canal N o canal P como se indica en la siguiente
ilustración:
Opción 1:
Para el caso de que tengamos un transistor JFET tendremos que usar nuestro multímetro
colocando nuestro multímetro en la opción de hfe usando esto usaremos la punta positiva
y colocaremos dicha punta en cualquier terminal del transistor (Esta será
nuestra REFERENCIA).
Colocamos la otra punta en cualquier terminal si tenemos una respuesta del valor umbral
usamos esta misma punta y cambiamos al siguiente terminal si tenemos igual una respuesta
de valor umbral.
Entonces tendremos que la referencia tomada será el GATE.
Opción 2:
Primero colocamos el multímetro en la opción de diodos.
Luego colocamos la punta positiva del multímetro en un terminal aleatorio del transistor,
por preferencia el del centro para usarlo como referencia.
Colocamos la punta negativa del multímetro en otra patita del transistor, si en la medición
se obtiene el voltaje umbral, procedemos a medir en la patita restante, si en esta también
obtenemos el valor del voltaje umbral quiere decir que el terminal que usamos como
referencia es La compuerta (G)
Para determinar cuál patita es S y cual es D es necesario el uso del datasheet, puesto que el
multímetro no me permite realizar esta identificación.
http://elab.mty.itesm.mx/docs/PF2_Modos_de_Operacion_FETs.pdf
http://www.kitelectronica.com/2016/01/prueba-del-transistor-fet-mosfet.html
1.1. La forma en la que un campo eléctrico controla el ancho del camino de
conducción del circuito de salida, sin que exista un contacto directo
entre la magnitud controlada y la magnitud controladora.
Influencia de Vds:
Esto tiene una relación directa con nuestro voltaje Vgs. ya que este voltaje es aquel
que influye directamente en el actuar que se presenta en la siguiente ilustración.
De esta forma podemos observar cómo influye este voltaje en la acción de cerrar el
canal existente entre los dos materiales tipo p dentro de nuestro transistor de canal
N lo que producirá que la zona de empobrecimiento sea mayor en la parte superior
de nuestro transistor delimitando de esta forma la cantidad de corriente que pueda
circular a través del canal N donde si se cumple que Vgs=0 tendremos que Id=Is.
Influencia de Vgs:
Si tomamos que Vds =0 tendremos una polarización inversa para las uniones p-n
esto incrementara el ancho de la zona desértica o de pobre enriquecimiento
disminuyendo el tamaño del canal n debido a esto a la resistencia de este canal
aumentara mientras se encuentre en la región óhmica es decir cuando tenga voltajes
Vds menores al pinch como se indica en al anterior grafica debido a esto la
pendiente será tanto menor cuanto más negativa sea nuestro voltaje VGS.
http://delegacion.etsiae.upm.es/index.php/segundo/eau-electronica-y-automatica/152-
eau-apu-apuntes-transistores/file
Teoría de Circuitos y Dispositivos Eléctricos Boylestad 12 Edi. Página 372
1.2. Característica de Drenaje y Característica de Transferencia de un JFET
canal P.
Característica de Drenaje.
La característica de Drenaje de un transistor JFET viene dada por una gráfica la cual
relaciona la corriente ID con el voltaje VDS como podemos observar en la siguiente gráfica:
Donde podemos observar que se encuentran presente dos regiones importantes siendo una
la región Óhmica (1) y la región de Saturación (2) donde la segunda región iniciara luego de
que nuestro voltaje VDS supere el Vpinch del transistor dentro de esta región el transistor
trabajara como un amplificador además de esto mientras VGS aumenta el Valor de ID
disminuye.
También se observará el VDS será menor al VGS siendo el VGS de valor positivo y el Vpinch
de valor negativo.
Característica de Transferencia.
𝑉𝑔𝑠 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑔𝑠𝑜𝑓𝑓
Donde VGS viene siendo nuestro parámetro el valor para VGSOFF será nuestro voltaje Pinch
e ID será la función esta ecuación genera una relación Exponencial entre ID y VGS esta
grafica se muestra a continuación.
Las características y las respectivas zonas de operación que posee un transistor JFET se
puede observar de forma gráfica y sencilla en el siguiente diagrama.
Región Óhmica. - En esta región el transistor se comporta como una resistencia variable
el cual depende del valor Vgs y en el momento en que el Vgs = Vpinch esta región
terminara
Región de Corriente Constante Saturación: Esta es nuestra región de trabajo en esta
región el transistor se comporta como un amplificador y está definida por los límites:
(Vp<Vds<Vdsmax)
Región de Corte: La intensidad o corriente de drenaje es cero es decir el canal se cerró Id
= 0 mA
Región de Ruptura: Esto origina un canal Abierto no existe zonas desérticas, El
transistor se quema.
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.php
Para poder realizar esto se podrá utilizar los siguientes circuitos propuestos con el fin de
medir dichos valores:
Para poder medir esto se necesitará de dos fuentes de voltaje una variable y una fija y un
multímetro para poder medir el voltaje en Vgs y la corriente que circule por Id.
Donde se ira variando el valor de la fuente entre Drenaje y Fuente hasta que el valor del
voltaje medido por el voltímetro entre la compuerta y la fuente sea estaba y no varié en este
momento ese valor será el voltaje Pinch o VGSOFF mientras que el valor de lo corriente
mostrada en ese mismo instante será nuestro IDSS.
http://mate.uprh.edu/~iramos/teel2042/lab3.pdf
http://elab.mty.itesm.mx/docs/PF2_Modos_de_Operacion_FETs.pdf
2. Para un amplificador en la configuración Fuente Común realizar las
siguientes actividades.
Mediante la ayuda del datasheet para un transistor JFET 2SK30ATM se tendrá los siguientes datos
los cuales se deberá interponer:
𝐼𝐷𝑆𝑆 = 2.9 [𝑚𝐴]
𝑉𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹 = −1.8 [𝑉]
𝑌𝐷𝑆 = 0
Datos:
𝐼𝐺 = 0 [𝑚𝐴]
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆
Para calcular 𝑉𝐺 realizamos un divisor de tensión en las resistencias 𝑅𝐵1 y 𝑅𝐵2
𝑅𝐵2
𝑉𝐺 = (𝑉 )
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 𝐷𝐷
100𝑘
𝑉𝐺 = (18)
100𝑘 + 1𝑀
𝑉𝐺 = 1.64 [𝑉]
Recta de Carga
Gráfica:
𝑉𝑆 = 𝐼𝑆 × 𝑅𝑆
𝑉𝑆 = 1,96[𝑚𝐴] ∗ 1[𝑘Ω] = 1.96 [𝑉]
𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑆
𝑉𝐺 = −0.31 + 1.96 = 1.65 [𝑉]
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷 − 𝑉𝑆
𝐼𝐺 = 0
𝐼𝐷 = 1.96 [𝑚𝐴]
𝐼𝑆 = 1.96 [𝑚𝐴]
Q 𝑉𝐺 = 1.64 [𝑉]
𝑉𝑆 = 1.96 [𝑉]
𝑉𝐷 = 7.81 [𝑉]
𝑉𝐷𝑆 = 5.85 [𝑉]
Modelo Hibrido
𝜕𝐼𝐷
𝑔𝑚 =
𝜕𝑉𝐺𝑆
Se sabe mediante la ecuación de Shockley:
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹
Derivando parcialmente 𝐼𝐷 se obtendrá:
𝜕 𝑉𝐺𝑆 2
𝑔𝑚 = [𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) ]
𝜕𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹
2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = (1 − )
|𝑉 𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹 | 𝑉 𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹
2𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑔𝑚𝑜 =
|𝑉 𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹 |
𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 (1 − )
𝑉 𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹
Reemplazando datos se obtendrá:
2(2,9[𝑚𝐴]) −0,32[𝑉]
𝑔𝑚 = (1 − )
1,8[𝑉] −1,8[𝑉]
[𝑚𝐴]
𝑔𝑚 = 2,65
[𝑉]
𝑔𝑚 = 2,65 [𝑚𝑆]
Como 𝑌𝐷𝑆 (Admitancia de salida) es:
1
𝑟𝑑 =
𝑌𝐷𝑆
𝑌𝐷𝑆 = 0
1
𝑟𝑑 = =∞
0
Calculo de ganancia de voltaje
𝑖𝑑 = 𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆 (4)
Regresando a la definición de la ganancia de voltaje se remplazará 𝑣0 y 𝑣𝑖𝑛
−𝑖𝑑 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 = (5)
𝑉𝐺𝑆 + 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠
Reemplazando (4) en (5)
−𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 =
𝑉𝐺𝑆 + 𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆 . 𝑅𝑠
𝐴𝑣 = −2,63
𝑣0 . 𝑍𝑖𝑛
𝐴𝐼 =
𝑣𝑖𝑛 . 𝑅𝐿
𝑣
Sabiendo que 𝐴𝑣 = 𝑣 0 se obtendrá:
𝑖𝑛
𝑍𝑖𝑛
𝐴𝐼 = 𝐴𝑣
𝑅𝐿
Reemplazando los datos se obtendrá:
91[𝑘Ω]
𝐴𝐼 = 2,63 ( ) = 19,94
12[𝑘Ω]
𝑍𝑜 = 𝑅𝐷 ||𝑍0 ′
𝑣𝑜
𝑍𝑜 = |
𝑖𝑜 𝑣
𝑖𝑛 =0
𝑣𝑜
𝑍0′ =
𝑖𝑑
Corriente de Compuerta
Simulada 𝑰𝑮 = 𝟎 [𝑨]
Medida 𝑰𝑮 = 𝟎 [𝑨]
𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = 0 %
Corriente de Fuente
Corriente de Drenaje
Calculo de Errores Corriente de Drenaje:
Voltaje de Compuerta
Voltaje de Fuente
Voltaje de Drenaje
Ganancia de Voltaje
𝑣𝑜
𝐴𝑣 =
𝑣𝑖𝑛
−1.314
𝐴𝑣 = = −2,644
0.4969
Medición de 𝑣𝑜 Medición de 𝑣𝑖𝑛
𝑣𝑜
𝐴𝑣 =
𝑣𝑖𝑛
−1.28
𝐴𝑣 = = −2,56
0.5
Calculo de Errores Ganancia de Voltajes:
2,644 − 2,56
𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100 = 3,177 %
2,644
Ganancia de Corriente
𝑖𝑜
𝐴𝑖 =
𝑖𝑖𝑛
77.426 [𝑢𝐴]
𝐴𝐼 = = 19.909
3.889 [𝑢𝐴]
Medición de 𝑖𝑜 Medición de 𝑖𝑖𝑛
𝑖𝑜
𝐴𝑖 =
𝑖𝑖𝑛
71,9 [𝑢𝐴]
𝐴𝐼 = = 19.432
3,7 [𝑢𝐴]
Impedancia de Entrada
Para comprobar la impedancia de entrada debemos colocar una resistencia del valor de
impedancia calculado en serie a la fuente, de esta manera se producirá un divisor de tensión
y en la salida se tendrá la mitad del voltaje de salida previamente calculado desconectando
la carga (RL).
Sin 𝑍𝑖𝑛
Calculo de Error:
Simulada 𝒗𝒐𝒑 = 𝟏, 𝟑𝟏𝟕 [𝑽]
Medida 𝒗𝒐𝒑 = 𝟏, 𝟐𝟖 [𝑽]
Calculo de Error:
Comprobación de Simulación
𝑣𝑜1 1,317
= = 2.00
𝑣𝑜2 0,655
Comprobación de Medición
𝑣𝑜1 1,28
= = 2.00
𝑣𝑜2 0,64
Impedancia de Salida
Para comprobar se deberá desconectar la carga 𝑅𝐿 dándonos el máximo valor de voltaje de
salida y colocar el 𝑍𝑂 en serie, para que el voltaje de salida disminuya a la mitad, es decir:
𝑉𝑜
𝑉𝑜1 =
2
Sin impedancia de salida, sin carga, máximo voltaje
Comprobación de Simulación
𝑣𝑜1 1,883
= = 2.00
𝑣𝑜2 0,946
Comprobación de Medición
𝑣𝑜1 1,8
= = 2.00
𝑣𝑜2 0,9
Calculada 𝒁𝒐 = 𝟓, 𝟐 [𝒌𝜴]
Medida 𝒁𝒐 = 𝟓, 𝟏𝟏 [𝒌𝜴]
Amplificador
Cálculo Simulado Medido Error %
Corriente de Puerta [A] 0 0 0 0
Circuito en Polarización
𝑣𝑜
𝐴𝑣 =
𝑣𝑖𝑛
−1.293
𝐴𝑣 = = −2,602
0.4969
Medido:
𝑣𝑜
𝐴𝑣 =
𝑣𝑖𝑛
−1.28
𝐴𝑣 = = −2,56
0.5
Calculo de Error:
3. Preguntas:
3.1. ¿Se pueden intercambiar los terminales de Drenaje y Fuente?
Obtenido de: MALVINO, Albert. Principios de electrónica 7ª edición. Capítulo 13, pag 430.
𝑣𝑜 −𝑔𝑚(𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 = =
𝑣𝑖𝑛 1 + 𝑔𝑚(𝑅𝑆1 + 𝑅𝑆2 )
1
𝑋𝐶 =
2𝜋. 𝑓. 𝐶
Como el capacitor debe ser al menos 10 veces menor a la resistencia 𝑅𝐸2 se tendrá:
𝑋𝐶 ≪ 𝑅𝐸2
Como 𝑋𝐶 es despreciable todo el voltaje ira por 𝑅𝐸2 actuando el capacitor como un corto
circuito en las componentes de alterna, este comportamiento hará que la corriente pase por
el camino más fácil, teniendo como ganancia de voltaje la siguiente ecuación:
𝑣𝑜 −𝑔𝑚(𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 = =
𝑣𝑖𝑛 1 + 𝑔𝑚(𝑅𝑆1 )
𝑣𝑜 −𝑔𝑚(𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 = =
𝑣𝑖𝑛 1 + 𝑔𝑚. 𝑅𝑠
Sin carga:
𝑣𝑜 −𝑔𝑚. 𝑅𝐷
𝐴𝑣 = =
𝑣𝑖𝑛 1 + 𝑔𝑚. 𝑅𝑠
Como se observará aumentará la ganancia de voltaje de tal manera que nos dará el máximo
valor de voltaje de salida, ya que la corriente será la máxima al no tener carga que impide el
paso de corriente.
4. Conclusiones
Las funciones de los terminales del JFET pueden ser intercambiadas al ser
uniformemente dopados, la desventaja de esta característica es que para identificar sus
terminales debemos usar el datasheet puesto que por el simple uso de un multímetro
en la opción de diodos no es suficiente.
Pudimos comprobar que la corriente de compuerta siempre es cero por lo que las dos
corrientes restantes de fuente y drenaje son iguales.
Para calcular el punto de operación de un JFET tenemos dos opciones, la primera es
resolviendo una ecuación cuadrática lo que nos dará dos valores de ID y la segunda es
por el método gráfico en donde tenemos que dar valores a la Recta de carga y a la
Ecuación de SHOTCKEY, el punto donde estas cortan es el Punto Q que debemos
usar.
5. Recomendaciones
La principal recomendación para circuitos que trabajen con resistencias muy altas es
medir bien cada resistencia que generalmente no marcan el valor que deberían y como
estamos trabajando con resistencias de una tolerancia bastante alta, tanto la ganancia
como los demás parámetros del amplificador no serán los correctos. Otra opción es
buscar un circuito que trabaje con resistencias de kΩ.
Debemos medir bien las entradas al amplificador que como vemos en la imagen:
6. Bibliografía
Boylestad, R., & Nashelsky, L. (2007). Electrónica, Teoría de Circuitos. Mc. Graw Hill.
Malvino, P. (2007). Principios de Electrónica. Mc. Graw Hill.
Ruiz, T., & Arbelatz, O. (2004). Análisis Básico de Circuitos Eléctricos y Electrónicos.
Prentice Hall.
Sedra, A., & Smith, K. (2006). Circuitos Microelectrónicos. Análisis y Diseño. Mc.
Graw Hill.