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Universidad de Guadalajara
División de Ingenierías e Innovación Tecnológica
Curso de Electrónica Básica
02 / 04 /2020
TRANSISTOR BJT TRANSISTOR JFET
(Bipolar Junction Transistor) (Junction Field Effect Transistor)
Es un dispositivo semiconductor que tiene dos Es un dispositivo mediante el cual se puede
principales características, la primera es que se controlar el paso de una cierta cantidad de
activa por corriente, la segunda es que tiene un corriente haciendo variar una tensión.
factor de amplificación, denominado
normalmente como beta, esto lo que quiere decir Prácticamente no requieren de corriente de
es que de acuerdo a la corriente de entrada, se entrada en su terminal de control. Permite el
presentara una amplificación en la corriente de paso, o no, de corriente entre sus terminales
salida. Source (Fuente) y Drain (Drenador) mediante la
Función. aplicación de voltaje en su terminal Gate
● Amplificar señales en corriente y/o (Puerta)
voltaje.
● Interruptor. Físico.
Un FET típico está formado por una barrita de
Físico. material p ó n, llamada canal, rodeada en parte
Tiene tres pines, la base, el emisor y el colector. de su longitud por un collar del otro tipo de
En la referencia que viene marcada en el material que forma con el canal una unión p-n.
transistor no se indica cual es cada pin, y En los extremos del canal se hacen sendas
tampoco se indica si son npn o pnp, por lo cual conexiones óhmicas llamadas respectivamente
lo más recomendable es revisar el manual sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una
(datasheet) del transistor que se va a usar. conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.
Encapsulamiento.
Simbología.
Simbología.
Presenta dos símbolos, de acuerdo a la dirección
de la corriente de emisor, es decir si la corriente
de emisor sale del transistor, o si por el contrario
ingresa al transistor, si la corriente del emisor
sale del transistor se denomina NPN, por el Zonas de funcionamiento.
contrario si la corriente de emisor ingresa al
transistor se denomina PNP. ● ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta
zona el transistor se comporta como una
● resistencia variable dependiente del
valor de VGS. Un parámetro que aporta
el fabricante es la resistencia que
presenta el dispositivo para VDS=0 (rds
on), y distintos valores de VGS.
Potencia.
Los amplificadores de potencia, manejan
corrientes y voltajes altos, presenta naturalmente
un encapsulado más grande, tiene una ganancia Siempre nos va a interesar estar en la región de
(beta) menor, y manejan un rango de frecuencias saturación, para que la única variable que me
menores, que los que maneja un amplificador de controle la cantidad de corriente que pase por el
pequeña señal. drenador sea la tensión de puerta.
Usos. Aplicaciones.
Los amplificadores de pequeña señal BJT, ● Aislador o separador (buffer)
normalmente se usan para conmutación debido a ● Amplificador de RF
alto rango de frecuencias que puede manejar, y ● Mezclador
no para amplificar señales, ya que para ● Amplificador con CAG
amplificar se usan los amplificadores ● Amplificador cascodo
operacionales, que son sencillos de usar, y las ● Troceador
ecuaciones no son tan engorrosas. Los ● Resistor variable por voltaje
amplificadores de potencia BJT, se usan para
amplificar señales, normalmente de audio, y no
para conmutación, para conmutar a alta potencia
se usan MOSFETs e IGBTs.
FUENTES.
https://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.html
https://wilaebaelectronica.blogspot.com/2017/01/transistor-bjt.html
http://mrelbernitutoriales.com/transistor-jfet/conociendo-el-jfet/
https://tallerelectronica.com/transistor-jfet/
https://wilaebaelectronica.blogspot.com/2020/01/autopolarizacion-jeft.html