Introducción a los Semiconductores

Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad eléctrica puede considerarse

situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente
Los semiconductores más conocidos son el silicio (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como
veremos más adelante, el comportamiento del silicio es más estable que el germanio frente a
todas las perturbaciones exteriores que pueden variar su respuesta normal, será el primero (Si) el
elemento semiconductor más utilizado en la fabricación de los componentes electrónicos de
estado sólido. A él nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del germanio
es absolutamente similar.
Como todos los demás, el átomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el núcleo, como
electrones en las órbitas que le rodean. (En el caso del silicio este número es de 14). El interés
del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparición de una corriente, es decir,
que haya un movimiento de electrones. Como es de todos conocido, un electrón se siente más
ligado al núcleo cuanto mayor sea su cercanía entre ambos. Por tanto los electrones que tienen
menor fuerza de atracción por parte del núcleo y pueden ser liberados de la misma, son los
electrones que se encuentran en las órbitas exteriores. Estos electrones pueden, según lo dicho
anteriormente, quedar libres al inyectarles una pequeña energía. En estos recaerá nuestra
atención y es así que en vez de utilizar el modelo completo del átomo de silicio (figura 1),
utilizaremos la representación simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro interés.

La zona sombreada de la figura 2 representa de una manera simplificada a la zona sombreada de

la figura 1
Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza de
atracción del núcleo son cuatro.

SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO

Cuando el silicio se encuentra formado por átomos del tipo explicado en el apartado
anterior, se dice que se encuentra en estado puro o más usualmente que es un
semiconductor intrínseco
Una barra de silicio puro está formada por un conjunto de átomos en lazados unos con otros
según una determinada estructura geométrica que se conoce como red cristalina
Si en estas condiciones inyectamos energía desde el exterior, algunos de esos electrones de
los órbitas externas dejarán de estar enlazados y podrán moverse. Lógicamente si un
electrón se desprende del átomo, este ya no está completo, decimos que está cargado
positivamente, pues tiene una carga negativa menos, o que ha aparecido un hueco.
Asociamos entonces el hueco a una carga positiva o al sitio que ocupaba el electrón.
El átomo siempre tendrá la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus cargas,
por lo tanto en nuestro caso, intentará atraer un electrón de otro átomo para rellenar el
hueco que tiene.
Toda inyección de energía exterior produce pues un proceso continuo que podemos
concretar en dos puntos:
• Electrones que se quedan libres y se desplazan de un átomo a otro a lo largo de la
barra del material semiconductor de silicio.
• Aparición y desaparición de huecos en los diversos átomos del semiconductor.
Queda así claro que el único movimiento real existente dentro de un semiconductores el de
electrones. Lo que sucede es que al aparecer y desaparecer huecos, "cargas positivas", en
puntos diferentes del semiconductor, parece que estos se mueven dando lugar a una
corriente de cargas positivas. Este hecho, movimiento de huecos, es absolutamente falso,.
Los huecos no se mueven, sólo parece que lo hacen.
Ahora bien, para facilitar el estudio de los semiconductores hablaremos de corriente de
huecos (cargas positivas), pues nos resulta más cómodo y los resultados obtenidos son los
mismos que los reales.

SEMICONDUCTOR DOPADO

Si aplicamos una tensión al cristal de silicio, el positivo de la pila intentará atraer los
electrones y el negativo los huecos favoreciendo así la aparición de una corriente a través
de una corriente a través del circuito

Sentido del movimiento de un electrón y un hueco en el silicio

Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeño valor, pues son pocos los
electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los átomos de silicio. Para aumentar
el valor de dicha corriente tenemos dos posibilidades:
• Aplicar una tensión de valor superior
• Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior
La primera solución no es factible pues, aún aumentando mucho el valor de la tensión
aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La solución elegida es la
segunda.
En este segundo caso se dice que el semiconductor está "dopado".
El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio por átomos de otros elementos. A
estos últimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza
con el que se dope al semiconductor puro o intrínseco aparecen dos clases de
semiconductores.
• Semiconductor tipo P
• Semiconductor tipo N

SEMICONDUCTOR TIPO N

Si en una red cristalina de silicio (átomos de silicio enlazados entre sí) ....

Enlace covalente de átomos de germanio, obsérvese que cada átomo comparte cada uno de sus electrones con
otros cuatro átomos
.... sustituimos uno de sus átomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa
exterior) por un átomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su capa exterior,
resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los átomos de la
red y el quinto queda libre.

Semiconductor dopado tipo N

A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo N"
En esta situación hay mayor número de electrones que de huecos. Por ello a estos últimos
se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los electrones
Las Impurezas tipo N más utilizadas en el proceso de dopado son el arsénico, el antimonio y
el fósforo
Está claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensión en sus bornes, las
posibilidades de que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del caso de la
aplicación de la misma tensión sobre un semiconductor intrínseco o puro.

SEMICONDUCTOR TIPO P

Si en una red cristalina de silicio (átomos de silicio enlazados entre sí) ....

Enlace covalente de átomos de germanio, obsérvese que cada átomo comparte cada uno de sus electrones con
otros cuatro átomos

.... sustituimos uno de sus átomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa
exterior) por un átomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior,
resulta que estos tres electrones llenarán los huecos que dejaron los electrones del átomo
de silicio, pero como son cuatro, quedará un hueco por ocupar. Osea que ahora la
sustitución de un átomo por otros provoca la aparición de huecos en el cristal de silicio. Por
tanto ahora los "portadores mayoritarios" serán los huecos y los electrones los portadores
minoritarios.
A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio tipo P"

Semiconductor dopado tipo P

OBSERVACIONES
Los semiconductores dopados se representan indicando dentro de los mismos el tipo de
portadores mayoritarios.

Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P

No siempre el índice de dopado de un semiconductor es el mismo, puede ser que este "poco
dopado", "muy dopado", etc.
Es norma utilizar el signo (+) para indicar que un semiconductor está fuertemente dopado.

Semiconductor tipo N fuertemente dopado Semiconductor tipo P fuertemente dopado

Todos los componentes electrónicos en estado sólido que veremos en adelante

(transistores, diodos, Tiristores) no son ni más y menos que un conjunto de
semiconductores de ambos tipos ordenados de diferentes maneras.