UNIDAD 4

MATERIALES SEMICONDUCTORES Y SUS DERIVADOS

4.1 Estructura electromagnética
Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad eléctrica puede considerarse
situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente

Los semiconductores más conocidos son el silíceo (Si) y el germanio (Ge). Debido a que,
como veremos más adelante, el comportamiento del silíceo es más estable que el germanio
frente a todas las perturbaciones exteriores que pueden variar su respuesta normal, será el
primero (Si) el elemento semiconductor más utilizado en la fabricación de los componentes
electrónicos de estado sólido. A él nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el
proceso del germanio es absolutamente similar.

Como todos los demás, el átomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el núcleo, como
electrones en las órbitas que le rodean. (En el caso del silicio este número es de 14). El interés
del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparición de una corriente, es
decir, que haya un movimiento de electrones. Como es de todos conocido, un electrón se
siente más ligado al núcleo cuanto mayor sea su cercanía entre ambos. Por tanto, los
electrones que tienen menor fuerza de atracción por parte del núcleo y pueden ser liberados
de la misma, son los electrones que se encuentran en las órbitas exteriores. Estos electrones
pueden, según lo dicho anteriormente, quedar libres al inyectarles una pequeña energía. En
estos recaerá nuestra atención y es así que en vez de utilizar el modelo completo del átomo
de silicio (figura 1), utilizaremos la representación simplificada (figura 2) donde se resalta la
zona de nuestro interés.

Como sabemos existen materiales capaces de conducir la corriente eléctrica mejor que otros.
Generalizando, se dice que los materiales que presentan poca resistencia al paso de la
corriente eléctrica son conductores. Analógicamente, los que ofrecen mucha resistencia al
paso de esta, son llamados aislantes. No existe el aislante perfecto y prácticamente tampoco
el conductor perfecto.

Existe un tercer grupo de materiales denominados semiconductores que, como su nombre lo

indica, conducen la corriente bajo ciertas condiciones.
Lo que diferencia a cada grupo es su estructura atómica. Los conductores son, generalmente,
metales esto se debe a que dichos poseen pocos átomos en sus últimas órbitas y, por lo tanto,
tienen tendencia a perderlos con facilidad. De esta forma, cuando varios átomos de un metal,
se acercan los electrones de su última órbita se desprenden y circulan desordenadamente
entre una verdadera red de átomos. Este hecho (libertad de los electrones) favorece en gran
medida el paso de la corriente eléctrica.

Los aislantes, en cambio, están formados por átomos con muchos electrones en sus últimas
órbitas (cinco a ocho), por lo que, no tienen tendencia a perderlos fácilmente y a no establecer
una corriente de electrones. De ahí su alta resistencia.

También existe otro tercer tipo de materiales, que cambia en mayor o menor medida la
característica de los anteriores, los semiconductores. Su característica principal es la de
conducir la corriente sólo bajo determinadas circunstancias, y evitar el paso de ella en otras.

Es, precisamente, en este tipo de materiales en los que la electrónica de estado sólida está
basada. La estructura atómica de dichos materiales presenta una característica común: está
formada por átomos tetravalentes (es decir, con cuatro electrones en su última órbita), por lo
que les es fácil ganar cuatro o perder cuatro.

Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero

tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas
negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el
movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son
aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Periódica (Silicio, Germanio, etc.

Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos, denominados impurezas,

de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos,
dependiendo de la impureza introducida. Otra característica que los diferencia se refiere a su
resistividad, estando ésta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes.

Disposición esquemática de los átomos de un semiconductor de silicio puro, No existen

electrones ni huecos libres

La disposición esquemática de los átomos para un semiconductor de silicio podemos

observarla en la figura de arriba, Las regiones sombreadas representan la carga positiva neta
de los núcleos y los puntos negros son los electrones, menos unidos a los mismos. La fuerza
que mantiene unidos a los átomos entre sí es el resultado del hecho de que los electrones de
conducción de cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro átomos vecinos.

A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura de arriba en la cual

no se observa ningún electrón ni hueco libre y por tanto el semiconductor se comporta como
un aislante.

Estos cuatro electrones se encuentran formando uniones covalentes con otros átomos vecinos
para así formal un cristal, que es la forma que se los encuentra en la naturaleza. Si esta
estructura se encuentra a una temperatura muy baja o en el cero absoluto, el cristal tendrá tan
poca energía que no hará posible la conducción eléctrica. Al aumentar la temperatura (a
temperatura ambiente por ejemplo) ciertos electrones adquieren suficiente energía para
romper el enlace del que forman parte y "saltar" al siguiente orbital. Esto provoca la formación
de un espacio vacío, que, por carencia de electrones, posee carga positiva, a este espacio se
lo denomina hueco.

El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre átomos liberándose un cierto número
de electrones. En cambio, a la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes
uniones entre los átomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como
consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente se
representa esta situación. La ausencia del electrón que pertenecía a la unión de dos átomos
de silicio se representa por un círculo. La forma en que los huecos contribuyen a la corriente,
se detalla seguidamente Cuando un electrón puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al
núcleo y por tanto abandona su posición, aparece un hueco, y le resulta relativamente fácil al
electrón del átomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco.

Este electrón que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su posición
inicial, De esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el electrón, con una
trayectoria de sentido opuesto a la de éste.

Niveles de Energía
Un cristal está formado por un conjunto de átomos muy próximos entre sí dispuestos
espacialmente de forma ordenada de acuerdo con un determinado patrón geométrico. La gran
proximidad entre los átomos del cristal hace que los electrones de su última capa sufran
la interacción de los átomos vecinos.
El nivel energético de cada uno de estos electrones puede estar situado en la "banda de
valencia" o en la "banda de conducción" del cristal. Un electrón que ocupe un nivel dentro de
la banda de valencia está ligado a un átomo del cristal y no puede moverse libremente por él
mientras que, si el nivel ocupado pertenece a la banda de conducción, el electrón puede
moverse libremente por todo el cristal, pudiendo

Formar parte de una corriente eléctrica.

Entre la banda de valencia y la de conducción existe una banda prohibida, cuyos niveles no
pueden ser ocupados por ningún electrón del cristal. Según la magnitud de esta banda, los
cristales pueden clasificarse en aislantes, conductores y semiconductores.

4.2 Características y propiedades

Una propiedad importante en los semiconductores es que posibilita el poder modificar su
resistividad de manera controlada entre márgenes muy amplios. La razón primera de este
comportamiento diferente reside en su estructura atómica, básicamente en la distancia
interatómica de sus átomos en la red, así como el tipo de enlace entre ellos.

Así el enlace atómico depende del número de electrones de valencia de los átomos formantes
del enlace y de la electronegatividad de los mismos. Los electrones de la capa externa o
electrones de valencia son los que determinan y forman los enlaces y los que en su momento
pueden determinar el carácter conductivo o no de él. En un semiconductor formado por dos
elementos químicos diferentes (Arseniuro de Galio) la asimetría conlleva en general una cierta
pérdida de carácter covalente puro, en el sentido de desplazar el centro de gravedad de la
carga hacia uno u otro átomo. El parámetro que determina este desplazamiento es la
electronegatividad de los átomos constituyentes. Cuanto más diferente sea, mayor será el
desplazamiento y el enlace será más iónico que covalente.

La estructura cristalina de los semiconductores es en general compleja, aunque puede

visualizarse mediante superposición de estructuras más sencillas. La estructura más común
es la del diamante, común a los semiconductores Si y Ge, y la del Zinc-Blenda que es la del
Arseniuro de Galio. En estas redes cristalinas cada átomo se encuentra unido a otros cuatro
mediante enlaces covalentes con simetría tetraédrica. Se requiere que posean unas
estructuras cristalinas únicas, es decir, que sea mono cristal. Dependiendo de cómo se
obtengan éste puede presentarse en forma de mono cristal, poli cristal y amorfo. El
comportamiento eléctrico de los materiales semiconductores (resistividad y movilidad) así
como su funcionamiento depende de la estructura cristalina del material de base, siendo
imprescindible la forma mono cristalina cuando se requiere la fabricación de circuitos
integrados y dispositivos electroópticos (láser, leds).

En lo referente al transporte de carga en semiconductores el fenómeno de las colisiones de

los portadores con otros portadores, núcleos, iones y vibraciones de la red, disminuye la
movilidad. Ello guarda relación con el parámetro de la resistividad (o conductividad) definido
como la facilidad para la conducción eléctrica, depende intrínsecamente del material en
cuestión y no de su geometría. Así pues, en los fenómenos de transporte en semiconductores
y a diferencia de los metales, la conducción se debe a dos tipos de portadores, huecos y
electrones.

4.3 Principales productos

Componente Función más común

Amplificador operacional Amplificación, regulación, conversión de señal,

conmutación.

Biestable Control de sistemas secuenciales.

PLD Control de sistemas digitales.

Diac Control de potencia.

Diodo Rectificación de señales, regulación,
multiplicador de tensión.

Diodo Zener Regulación de tensiones.

FPGA Control de sistemas digitales.

Memoria Almacenamiento digital de datos.

Microprocesador Control de sistemas digitales.

Micro controlador Control de sistemas digitales.

 Pila Generación de energía eléctrica.

Tiristor Control de potencia.

Puerta lógica Control de sistemas combinacionales.

Transistor Amplificación, conmutación.

Triac Control de potencia.

Componentes Pasivos Lineales:

Componente Función más común

Condensador Almacenamiento de energía, filtrado, adaptación impedancia.

Inductor o Bobina Almacenar o atenuar el cambio de energía debido a su poder de

autoinducción.

Resistor o Resistencia División de intensidad o tensión, limitación de intensidad.

4.4 Proceso de fabricación

La descripción del procesamiento de dispositivos semiconductores de silicio, ya sean
dispositivos discretos (un semiconductor que contiene un solo dispositivo activo, como por
ejemplo un transistor) o CI (conjuntos interconectados de elementos activos y pasivos en un
sustrato semiconductor único, capaz de realizar una función de circuito electrónico como
mínimo), implica mencionar numerosas operaciones muy técnicas y específicas, y tiene por
objeto dar a conocer un marco y una explicación básicos de los pasos principales seguidos en
la fabricación de un dispositivo semiconductor de silicio y los problemas de salud y seguridad
medioambiental (SSM) asociados.

La fabricación de un CI consta de una secuencia de procesos que pueden repetirse muchas

veces antes de terminar un circuito. Los CI más sencillos utilizan 6 máscaras o más para
completar procesos de modelado, pero lo corriente es que se empleen de 10 a 24 máscaras.
La fabricación de un microcircuito comienza con una oblea de silicio ultra puro de 10 a 30
centímetros de diámetro. El silicio absolutamente puro es casi un aislante, pero determinadas
impurezas, llamadas impurificadores, añadidas en cantidades de 10 a 100 partes por millón,
convierten al silicio en conductor de electricidad. Un circuito integrado puede constar de
millones de transistores (también diodos, resistencias y condensadores) hechos de silicio con
impurezas, todos ellos conectados mediante el patrón de conductores adecuado para crear
lógica del ordenador, su memoria u otro tipo de circuito. Sobre una oblea pueden hacerse
centenares de microcircuitos.

Hay seis pasos principales del proceso de fabricación que se aplican de manera universal a
todos los dispositivos semiconductores de silicio: oxidación, litografía, grabado, impurificación,
deposición química de vapor y metalización. Estos pasos van seguidos de las operaciones de
montaje, prueba, marcado, embalado y expedición.

4.5 Aplicación en Ingeniería Eléctrica

Aplicaciones para diodos de unión p-n (I)

Diodos rectificadores
Diagrama tensión-corriente que ilustra la acción rectificadora de un diodo de unión p-n al
convertir corriente alterna en corriente continua. La corriente de salida no es completamente
corriente continua, pero en su mayor parte es positiva. La señal de corriente continua puede
ser modulada utilizando otros dispositivos electrónicos.

Diodos de unión p n p-n (II)

Curva característica de un diodo de avalancha. Se produce una gran corriente inversa en la
región de ruptura (Tensión disruptiva).

Transistor de unión bipolar (I)

Representación esquemática de un transistor de unión n-p-n. La región de la izquierda es el
emisor, la región central estrecha pes la base y la región de la derecha es el colector. Para una
operación normal, la unión emisor-base está directamente polarizada y la unión colector-base
está inversamente polarizada.

Transistor de unión bipolar (II)

Movimiento del portador de carga durante la operación normal de un tránsito n-p-n. La mayor
parte de la corriente está formada por electrones procedentes del emisor que va a la derecha
a través de la base hasta el colector. Algunos de los electrones se recombinan con huecos de
la corriente de flujo de la base. También están presentes pequeñas corrientes inversas debidas
a portadores generados térmicamente.

4.6 Ejemplos
 Termistores
 Foto resistores
 Varistores
 Diodo Rectificador
 Puente Rectificador
 Diodo de Señal
 Diodo PIN
 Diodo Zener
 Diodo Varactor
 Fotodiodo
 Transistores
 Diodo LED

EJEMPLOS DE DIODOS

EJEMPLOS DE TRANSISTORES