los semiconductores: materiales que no son ni conductores ni aislantes.

Los semiconductores
contienen algunos electrones libres, pero lo que les hace especiales es la presencia de huecos.

Conductores. - Un conductor eléctrico es un material que ofrece poca resistencia al movimiento de

la carga eléctrica. Sus átomos se caracterizan por tener pocos electrones en su capa de valencia,
por lo que no se necesita mucha energía para que estos salten de un átomo a otro.

orbitales estables: La razón por la que estos electrones no se caen hacia el núcleo es la fuerza
centrífuga (hacia fuera) creada por su movimiento circular. Esta fuerza centrífuga es exactamente
igual a la atracción ejercida por el núcleo, por lo que el orbital es estable. Cuanto más lejana es la
órbita de un electrón, menor es la atracción del núcleo. En los orbitales más alejados, los
electrones se mueven más lentamente, lo que da lugar a una fuerza centrífuga menor. Los
electrones de las capas más externas se mueven muy lenta y prácticamente no se sienten atraídos
por el núcleo (leyes de Kepler y son estables por el principio de conservación de la energía).

La parte interna: En electrónica, lo único que importa es el orbital exterior, el cual se denomina
orbital de valencia. Este orbital controla las propiedades eléctricas del átomo.

Electrón libre: Dado que la atracción entre la parte interna y el electrón de valencia es muy débil,
una fuerza externa puede fácilmente arrancar este electrón del átomo del cobre. Ésta es la razón
por la que se suele denominar al electrón de valencia electrón libre.

Semiconductores: Los mejores conductores (plata, cobre y oro) tienen un electrón de valencia,
mientras que los mejores aislantes tienen ocho electrones de valencia. Un semiconductor es un
elemento con propiedades eléctricas entre las de un conductor y un aislante. Como es lógico, los
mejores semiconductores tienen cuatro electrones de valencia.

Cristales de silicio: Cuando los átomos de silicio se combinan para formar un sólido, lo hacen según
un patrón ordenado denominado cristal. Cada átomo de silicio comparte sus electrones con cuatro
átomos vecinos, de tal forma que tiene ocho electrones en su orbital de valencia.

Enlaces covalentes: Cada átomo vecino comparte un electrón con el átomo central. De esta forma,
el átomo central tiene 4 electrones adicionales, lo que da como resultado un total de ocho
electrones en el orbital de valencia. Los electrones dejan de pertenecer a un único átomo. Cada
átomo central y sus vecinos comparten los electrones. Esta misma idea también es válida para los
demás átomos de silicio. En otras palabras, cada átomo de un cristal de silicio tiene cuatro vecinos
Enlace covalente: Un enlace covalente se produce en dos átomos no metálicos cuando se unen y
comparten uno o más electrones del último nivel, ejemplo de lanzar dos y uno en el dado el
primer resultado de la secuencia lógico, pero no el todo como un doble de unos para alcanzar así
la regla del octeto

Saturación de valencia: Cuando el orbital de valencia tiene ocho electrones, se satura porque ya no
puede entrar ningún electrón más en dicho orbital. Estableciendo esto como ley, tenemos
Saturación de valencia: n=8 (2.1) Dicho con palabras, el orbital de valencia no puede contener más
de ocho electrones. Además, los ocho electrones de valencia se denominan electrones ligados
porque se mantienen fuertemente unidos por los átomos. A causa de estos electrones ligados, un
cristal de silicio es casi un aislante perfecto a temperatura ambiente, es decir, aproximadamente,
25°C.

El hueco: La temperatura ambiente es la temperatura del aire circundante. Cuando la temperatura

ambiente se encuentra por encima del cero absoluto (-273°C), la energía térmica del aire
circundante hace que los átomos de un cristal de silicio vibren. Cuanto mayor sea la temperatura
ambiente, más fuertes serán las vibraciones mecánicas. En un cristal de silicio, las vibraciones de
los átomos ocasionalmente pueden hacer que se desligue un electrón del orbital de valencia.
Cuando este ocurre, el electrón liberado gana la energía suficiente como para pasar a un orbital de
mayor nivel energético. En dicho orbital, el electrón es un electrón libre. Pero esto no es todo. La
salida del electrón deja un vacío en el orbital de valencia que se denomina hueco. Este hueco se
comporta como una carga positiva porque la pérdida del electrón da lugar a un ión positivo. El
hueco atraerá y capturará cualquier electrón que se encuentre en la vecindad inmediata. Los
huecos permiten a los semiconductores hacer toda clase de cosas que son imposibles en los
conductores. A temperatura ambiente, la energía térmica sólo da lugar a que se creen unos pocos
huecos y electrones libres. Para aumentar el número de huecos y de electrones libres, es
necesario dopar el cristal.

Semiconductores intrínsecos: Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro. Un cristal

de silicio es un semiconductor intrínseco si cada átomo del cristal es un átomo de silicio. A
temperatura ambiente, un cristal de silicio actúa como un aislante porque sólo tiene unos pocos
electrones libres y huecos producidos por el efecto de la energía térmica.

Dos tipos de flujos: Tiene el mismo número de electrones libres que de huecos. Esto se debe a que
la energía térmica crea los electrones libres y los huecos por pares. La tensión aplicada forzará a
los electrones libres a moverse hacia la izquierda y a los huecos hacia la derecha. Los electrones
libres y los huecos se mueven en direcciones opuestas. A partir de ahora, concebiremos la
corriente en un semiconductor como el efecto combinado de los dos tipos de flujos: el flujo de
electrones libres en una dirección y el flujo de huecos en la dirección opuesta. A menudo tanto los
electrones huecos como los huecos se denominan portadores, ya que transportan la carga de un
lugar a otro
Dopaje de un semiconductor: Una forma de incrementar la conductividad de un semiconductor es
mediante el dopaje. El dopaje consiste en añadir átomos de impurezas a un cristal intrínseco con
el fin de alterar su conductividad eléctrica. Un semiconductor dopado se denomina semiconductor
extrínseco

¿Cómo dopan los fabricantes los cristales de silicio? El primer paso consiste en fundir el cristal de
silicio puro. De este modo se rompen los enlaces covalentes y el estado del silicio pasa de sólido a
líquido. Para incrementar el número de electrones libres, se añaden los átomos pentavalentes al
silicio fundido. Los átomos pentavalentes tienen cinco electrones en el orbital de valencia. Algunos
ejemplos de átomos pentavalentes son el arsénico, el antimonio y el fósforo. Puesto que estos
materiales donarán un electrón adicional al cristal de silicio, a menudo se les denomina impurezas
donadoras. Cada átomo pentavalente o átomo donante de un cristal de silicio produce un electrón
libre. De este modo, los fabricantes controlan la conductividad de un semiconductor dopado.
Cuantas más impurezas se añaden, mayor es la conductividad. De este modo, un semiconductor
puede estar fuerte o débilmente dopado. Un semiconductor débilmente dopado presenta una
resistencia alta, mientras que un semiconductor fuertemente dopado presenta una resistencia
baja.

¿Cómo se puede dopar un cristal de silicio puro para obtener un exceso de huecos? Utilizando una
impureza trivalente, es decir, una impureza cuyos átomos tengan sólo tres electrones de valencia.
Algunos ejemplos son el aluminio, el boro y el galio. Esto significa que aparece un hueco en el
orbital de valencia de cada átomo trivalente. Un átomo trivalente se denomina también átomo
aceptor, porque cada uno de los huecos con que contribuye puede aceptar un electrón libre
durante la recombinación.

Dos tipos de semiconductores extrínsecos: Un semiconductor se puede dopar para tener un

exceso de electrones libres o un exceso de huecos; por tanto, existen dos tipos de
semiconductores dopados.

Semiconductor tipo n: El silicio que ha sido dopado con una impureza pentavalente se denomina
semiconductor tipo n, donde n hace referencia a negativo. La Figura 2.9 muestra un
semiconductor tipo n. Dado que la cantidad de electrones libres supera al de huecos en un
semiconductor de tipo n, los electrones libres son los portadores mayoritarios y los huecos son los
portadores minoritarios. A causa de la tensión aplicada, los electrones libres se desplazan hacia la
izquierda y los huecos hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno
de los electrones libres del circuito externo entra en el semiconductor y se recombina con el
hueco. Los electrones libres mostrados en la Figura 2.9 fluyen hacia el extremo izquierdo del
cristal, donde entran por el cable y fluyen hasta el terminal positivo de la batería.
Semiconductor tipo p: El silicio que ha sido dopado con un átomo trivalente se denomina
semiconductor de tipo p, donde p hace referencia a positivo, La Figura 2.10 muestra un
semiconductor de tipo p. Puesto que la cantidad de huecos supera a la de electrones libres, los
huecos serán los portadores mayoritarios y los electrones libres serán, en este caso, los portadores
minoritarios. A causa de la tensión aplicada, los electrones libres se desplazan hacia la izquierda y
los huecos hacia la derecha. En la Figura 2.10, los huecos que llegan al extremo derecho del cristal
se recombinan con los electrones libres procedentes del circuito externo. En la Figura 2.10
también se muestra el flujo de los portadores minoritarios. Los electrones libres que hay dentro
del semiconductor fluyen de derecha a izquierda. Puesto que hay tan pocos portadores
minoritarios, apenas tienen efecto en este circuito.

diodo no polarizado: Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero
si un cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo n y la otra mitad de tipo p, esa  unión p y
n tiene unas propiedades muy útiles y entre otras cosas forman los "Diodos".

La zona de deplexión: Cuando un electrón se difunde a través de la unión crea un par de iones, en
el lado n con carga positiva y en el p con carga negativa. Las parejas de iones positivo y negativo se
llaman dipolos, al aumentar los dipolos la región cerca de la unión se vacía de portadores y se crea
la llamada "Zona de deplexión"

barrera de potencial: La intensidad del campo eléctrico aumenta con cada electrón que cruza
hasta llegar al equilibrio. El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de
potencial llamada "Barrera de Potencial" que a 25 ºC vale: 0.3 V para diodos de Ge
polarización directa: La polarización directa se produce cuando se aplica un voltaje a través de la
célula solar de tal manera que el campo eléctrico formado por la unión PN se reduce. Se facilita la
difusión de portadores a través de la región de agotamiento, y conduce a una mayor corriente de
difusión.El terminal negativo de la fuente se conecta al material de tipo n y el terminal positivo se
conecta al material de tipo p. Esta conexión da lugar a una polarización directa.

polarización inversa: Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en

inversa, el terminal negativo del batería conectado al lado p y el positivo al n, esta conexión se
denomina "Polarización Inversa". En este caso, el terminal negativo de la batería se conecta al lado
p y el terminal positivo de la batería se conecta al lado n. Esta conexión da lugar a una polarización
inversa.