“UNIVERSIDAD CATOLICA

“ DE SANTA MARIA”
FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERIAS FISICAS Y FORMALES
PROGRAMA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECANICA, MECANICA
ELECTRICA Y MECATRONICA

TÍTULO :

𝟏𝒓𝒂 𝑷𝒓𝒂𝒄𝒕𝒊𝒄𝒂 ∶ "𝑪𝒂𝒓𝒂𝒄𝒕𝒆𝒓𝒊𝒔𝒕𝒊𝒄𝒂𝒔 𝒅𝒆𝒍 𝑫𝒊𝒐𝒅𝒐"

INTEGRANTES:

 Cyran Perez Jonathan → G:6

 Rivas Quispe Saulo → G:6
 Leon Chañi Erick→ G:7
 Medina Rodriguez Yobany→ G:7

CURSO:
CIRCUITOS ELECTRONICOS I (Laboratório)

DOCENTE :
Ing. Collado Oporto Cristian

AREQUIPA – PERU

2013
 Laboratorio de Circuitos Electrónicos I UCSM

“CARACTERISTICAS DEL DIODO”

 OBJETIVOS:
 Obtener las características de u diodo de silicio y germanio.
 Analizar las Características técnicas de un diodo.

 MARCO TEORICO:
DIODO IDEAL:
El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que tiene el símbolo y las
características siguientes:

Proporciona una base comparativa respecto de las características de un dispositivo real.

En forma ideal un diodo conducirá corriente en la dirección definida por la flecha en el
símbolo, se comporta como un circuito cerrado para la región de conducción, y actuara
como un circuito abierto al intentar establecer corriente en dirección opuesta. Para el
diodo ideal:

𝑹𝒅𝒊𝒓𝒆𝒄𝒕𝒐 = 𝟎 Ω (𝒄𝒐𝒓𝒕𝒐 𝒄𝒊𝒓𝒄𝒖𝒊𝒕𝒐)

𝑹𝒊𝒏𝒗𝒆𝒓𝒔𝒐 =
∞ Ω (𝒄𝒊𝒓𝒄𝒖𝒊𝒕𝒐 𝒂𝒃𝒊𝒆𝒓𝒕𝒐)

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DIODO SEMICONDUCTOR:
Se forma uniendo material tipo p y material tipo n construidos a partir del mismo
material base Ge o Si.
Los e- y los huecos en la región de conducción se combinaran, dando como resultado
una carencia de portadores en la región cercana a la unión. Esta región de iones
positivos y negativos recibe el nombre de región de agotamiento por ausencia de
portadores en la misma.

La aplicación de un Voltaje implica tres posibilidades:

No hay polarización (Vd = 0V)

Polarización Directa (Vd > 0V)
Polarización Inversa (Vd < 0V)

SIN POLARIZACION:
Los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo n que se encuentra dentro de la
región de agotamiento pasaran directamente al material tipo p. Supondremos que
todos los portadores minoritarios del material tipo n que se encuentran en la región de
agotamiento debido a su movimiento aleatorio pasaran directamente al material tipo p.
Los portadores mayoritarios (electrones) en el material tipo n deben superar las fuerzas
de atracción de la capa de iones positivos en el material tipo n, así como la capa de iones
en el material tipo p , para emigrar hacia el área más allá de la región de agotamiento
del material tipo p. Sin embargo el número de portadores mayoritarios es tan grande en
el material tipo n que invariablemente habrá un pequeño número de portadores
mayoritarios con suficiente energía cinética para pasar a través de la región de
agotamiento y llegar al material tipo p .En ausencia de un voltaje de polarización
aplicado el flujo neto de carga en cualquier dirección para un diodo semiconductor es
cero.

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CONDICION DE POLARIZACION INVERSA:

Al aplicar un potencial externo y con la terminal positiva conectado al material tipo n y
la terminal negativa conectado al material tipo p, el número de iones positivos en la
región de agotamiento del material tipo n, aumentara debido al mayor número de iones
libres arrastrados hacia el potencial positivo. El número de iones negativos se
incrementara en el material tipo p. El efecto es un ensanchamiento de la región de
agotamiento que establece una barrera demasiado grande para que los portadores
mayoritarios puedan superar reduciendo el flujo de los mismos.

CONDICION DE POLARIZACION DIRECTA:

O también llamado condición de encendido se establece aplicando el potencial positivo
al material tipo p y el potencial negativo al material tipo n.El Vd presionara a los
electrones en el material tipo n y alos huecos en el material tipo p para recombinar con
los iones cerca de la frontera y reducir el ancho de la región de agotamiento.El flujo
resultante de portadores minoritarios de los electrones del material tipo p hacia el
material tipo n no cambia de magnitud (el nivel de conducción se controla por el
aumento limitado de impurezas en el material); la reducción en el ancho de la región de
agotamiento resulta en un denso flujo de portadores mayoritarios a través de la unión:
al aumentar el valor de la polarización, la región de agotamiento disminuirá su ancho
hasta producir un desbordamiento de electrones , resultando en un incremento
exponencial en la corriente. El voltaje a través de un diodo polarizado directamente será

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Las características de un Diodo de Germanio o de Silicio tienen la forma general

mostrada en la figura Nro. 1 .Note el cambio en la escala para ambos en la columna
vertical y horizontal. En la región de polarización inversa la corriente de saturación
inversa es justamente constante de 0V al potencial Zener. En la región de polarización
directa la corriente crece realmente rápidamente cuando se incrementa un poco el
voltaje en el diodo. Note que la curva es subiendo casi verticalmente aun voltaje de
polarización directa de menos de 1V.

La corriente del Diodo en polarización directa se limitara solamente por la red en que el
diodo es conectado o la máxima corriente o por el valor de potencia del diodo.

CARACTERISTICAS DE DIODO DE GERMANIO Y SILICIO:

La Resistencia de Corriente Continua o Estática de un diodo en un punto de la curva
característica está determinada por la proporción del voltaje del diodo en ese punto,
dividido por la corriente del diodo. Esta es:
𝑉𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜
𝑅𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜 =
𝐼𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜
La Resistencia de Corriente Alterna o Dinámica aun particular voltaje y corriente del
diodo puede ser determinada usando una línea tangente dibujada como esta en la
figura Nro. 1 .El resultado del voltaje (∆𝑉) y corriente (∆𝐼) de desviación puede ser
determinado siguiendo la ecuación aplicada:
∆𝑉
𝑅𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜 =
∆𝐼

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 EQUIPO Y MATERIALES:
 Fuente: DC, DMM
 Resistores: 4 𝑊: 1𝑘Ω, 1𝑀Ω
1

 Diodos: Silicio 1N002 y 1N4148 , Germanio 1N60

 PROCEDIMIENTO:
PARTE 1: Prueba del Diodo
 Escala de prueba de Diodos del DMM
Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condición de cada
Diodo.

TEST Si: 1N4004 Si: 1N4007 Ge: 1N4748

DIRECTO 642 675 332
INVERSO Fuera de Rango Fuera de Rango Fuera de Rango
Tabla 1
 Escala de Resistencias del DMM
Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condición de cada
Diodo.

TEST Si: 1N4004 Si: 1N4007 Ge: 1N4748

DIRECTO 1848Ω 1469Ω 1428 Ω
INVERSO Fuera de Rango Fuera de Rango Fuera de Rango
Tabla 2

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PARTE 2: Características del Diodo en polarización Directa

 Construya el Circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

SIMULACION EN MULTISIM: (en este caso los diodos están polarización DIRECTA)

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 Incremente el voltaje de la fuente hasta que 𝑽𝑹 = 𝟎. 𝟏 𝑽

Mida el 𝑽𝑫 y calcule 𝑰𝑫 . Anote en la tabla 3,4 y 5 según el tipo de Diodo.
Obtener datos suficientes para dibujar las curvas características del Diodo de Silicio y
Germanio.

DIODO Si:1N4004
𝑽𝑹 (V) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
𝑽𝑫 (V) 0.562 0.661 0.823 0.924 1.044 1.498 1.243 1.359 1.444
⁄
𝑰𝑫 = 𝑽𝑹 𝑹𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐 (mA) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

𝑽𝑹 (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
𝑽𝑫 (V) 0.587 0.621 0.641 0.654 0.665 0.674 0.681 0.688 0.693
𝑰𝑫 = 𝑽𝑹 ⁄𝑹𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐 (mA) 1 2 3 4 5 6 7 8 9

DIODO Si:1N4007
𝑽𝑹 (V) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
𝑽𝑫 (V) 0.490 0.522 0.543 0.555 0.567 0.585 0.592 0.597 0.602
⁄
𝑰𝑫 = 𝑽𝑹 𝑹𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐 (mA) 0.1033 0.2066 0.3099 0.4132 0.5165 0.6195 0.7231 0.8264 0.9298

𝑽𝑹 (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
𝑽𝑫 (V) 0.612 0.619 0.625 0.629 0.633 0.657 0.668 0.689 0.697
𝑰𝑫 = 𝑽𝑹 ⁄𝑹𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐 (mA) 1.0331 2.0661 3.0991 4.1322 5.1652 6.1983 7.2314 8.2644 9.2975

DIODO Ge: 1N4748

𝑽𝑹 (V) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
𝑽𝑫 (V) 0.138 0.165 0.174 0.179 0.183 0.184 0.185 0.187 0.188
𝑰𝑫 = 𝑽𝑹 ⁄𝑹𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐 (mA) 0.1033 0.2066 0.3099 0.4132 0.5165 0.6195 0.7231 0.8264 0.9298

𝑽𝑹 (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
𝑽𝑫 (V) 0.191 0.1993 0.2041 0.2081 0.2121 0.2131 0.2151 0.2171 0.2191
𝑰𝑫 = 𝑽𝑹 ⁄𝑹𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐 (mA) 1.0331 2.0661 3.0991 4.1322 5.1652 6.1983 7.2314 8.2644 9.2975

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PARTE 3: Polarización Inversa

 Construya el Circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

 Mida el Voltaje 𝑽𝑹 calcule la corriente de saturación inversa con la ecuación

𝑹𝒎 : Es la resistencia Interna del DMM (10 MΩ)
𝑹𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐 : Es la Resistencia medida con el multímetro que da
𝟔
𝑹𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐 = 𝟎. 𝟗𝟖𝟔 𝑴Ω = 𝟎. 𝟗𝟖𝟔 ∗ 𝟏𝟎 Ω

FORMULA: NOTA: Para hallar Resistencias en paralelo

Utilizamos:
𝑽𝑹
𝑰𝑫 = −1
𝑹𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐 ||𝑹𝒎 1 1
𝑹𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐 ||𝑹𝒎 = ( + )
𝑹𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐 𝑹𝒎

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1N4002 1N4148 1N60

6 6
𝑹𝒎 10 ∗ 10 Ω 10 ∗ 10 Ω 10 ∗ 106 Ω
𝑽𝑹 2.794 V 1.439 V 3.22 V MEDIDO
𝑰𝑫 3.1131 𝜇𝐴 1.5978 𝜇𝐴 3.5877 𝜇𝐴 CALCULADO

SIMULACION EN MULTISIM: (en este caso los diodos están polarización INVERSA)

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OPERACIONES QUE USAMOS:

PARA EL DIODO 1N4002:

𝑽𝑹
𝑰𝑫 = −1
1 1
(𝑹 𝑹𝒎 )
+
𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐

𝟐. 𝟕𝟗𝟒
𝑰𝑫 = −1
1 1
( 𝟔+ 𝟔)
𝟎. 𝟗𝟖𝟔 ∗ 𝟏𝟎 𝟏𝟎 ∗ 𝟏𝟎

𝑰𝑫 = 𝟑. 𝟏𝟏𝟑𝟏 ∗ 𝟏𝟎−𝟔 𝑨 = 𝟑. 𝟏𝟏𝟑𝟏 𝝁𝑨

PARA EL DIODO 1N4148:

𝑽𝑹
𝑰𝑫 = −1
1 1
(𝑹 𝑹𝒎 )
+
𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐

𝟏. 𝟒𝟑𝟗
𝑰𝑫 = −1
1 1
( + )
𝟎. 𝟗𝟖𝟔 ∗ 𝟏𝟎𝟔 𝟏𝟎 ∗ 𝟏𝟎𝟔

𝑰𝑫 = 𝟏. 𝟓𝟗𝟕𝟖 ∗ 𝟏𝟎−𝟔 𝑨 = 𝟏. 𝟓𝟗𝟕𝟖 𝝁𝑨

PARA EL DIODO 1N60:

𝑽𝑹
𝑰𝑫 = −1
1 1
(𝑹 +
𝑹𝒎 )
𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐

𝟑. 𝟐𝟐
𝑰𝑫 = −1
1 1
( 𝟔+ 𝟔)
𝟎. 𝟗𝟖𝟔 ∗ 𝟏𝟎 𝟏𝟎 ∗ 𝟏𝟎

𝑰𝑫 = 𝟑. 𝟓𝟖𝟕𝟕 ∗ 𝟏𝟎−𝟔 𝑨 = 𝟑. 𝟓𝟖𝟕𝟕 𝝁𝑨

 Determine los niveles de Resistencia DC para los Diodos usados en la Ecuación.

𝑽 − 𝑽𝑹
𝑹𝑫𝑪 =
𝑰𝑫

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𝟐𝟎 − 𝟐. 𝟕𝟗𝟒
𝑹𝑫𝑪 (𝑺𝒊 𝟏𝑵𝟒𝟎𝟎𝟐) = = 𝟓𝟓𝟐𝟔𝟗𝟔𝟔. 𝟔𝟖𝟗 Ω = 𝟓. 𝟓𝟐𝟕 𝑴Ω
𝟑. 𝟏𝟏𝟑𝟏 ∗ 𝟏𝟎−𝟔
𝟐𝟎 − 𝟏. 𝟒𝟑𝟗
𝑹𝑫𝑪 (𝑺𝒊 𝟏𝑵𝟒𝟏𝟒𝟖) = = 𝟏𝟏𝟔𝟏𝟔𝟓𝟗𝟕. 𝟖𝟐 Ω = 𝟏𝟏. 𝟔𝟏𝟔 𝑴Ω
𝟏. 𝟓𝟗𝟕𝟖 ∗ 𝟏𝟎−𝟔
𝟐𝟎 − 𝟑. 𝟐𝟐
𝑹𝑫𝑪 (𝑮𝒆 𝟏𝑵𝟔𝟎) = = 𝟒𝟔𝟕𝟕𝟎𝟗𝟏. 𝟏𝟕𝟑 Ω = 𝟒. 𝟔𝟕𝟕 𝑴Ω
𝟑. 𝟓𝟖𝟕𝟕 ∗ 𝟏𝟎−𝟔

PARTE 4: Resistencia DC
 Usando las curvas características de los Diodos, determine el voltaje de Diodo en los
niveles de Corriente Indicados en la Tabla 6,7 y 8.

DIODO: Si 1N4002
𝑰𝑫 (𝒎𝑨) 𝑽𝑫 𝑹𝑫𝑪
0.2 0.48224 V 799.1 Ω
1 0.50077 V 500.8 Ω
5 0.59344 V 118.688 Ω
10 0.70927 V 70.9275 Ω
Tabla 6

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CALCULOS:

UTILIZAMOS INTERPOLACION LINEAL SIMPLE PARA HALLAR EL 𝑽𝑫 :

𝑰𝑫 − 𝑰𝟏
𝑽𝑫 = ∗ (𝑽𝟐 − 𝑽𝟏 ) + 𝑽𝟏 => 𝐸𝑛 𝑒𝑠𝑡𝑎 𝑒𝑐𝑢𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑠𝑒 𝑟𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑛 𝑙𝑜𝑠 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑠 𝑠𝑔𝑡𝑒𝑠 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑜𝑠 3 𝐶𝑈𝐴𝐷𝑅𝑂𝑆
𝑰𝟐 − 𝑰𝟏

Estos valores agarramos de la TABLA 3 o del gráfico:

PARA 𝑰𝑫 = 𝟎. 𝟐 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟎. 𝟐𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟒𝟖 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟔𝟗𝟑 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟒𝟖𝟐𝟐𝟒 𝑽

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*Para Obtener la Resistencia R:

𝑽
𝑹=
𝑰
𝟎. 𝟏𝟒𝟖𝟐𝟐𝟏𝑽
𝑹=
𝟎. 𝟐𝒎𝑨
𝑹 = 𝟕𝟗𝟗. 𝟏𝟎𝟓 Ω

PARA 𝑰𝑫 = 𝟏 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟏𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟒𝟖 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟔𝟗𝟑 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟓𝟎𝟎𝟖 𝑽

*Para Obtener la Resistencia R:

𝑽
𝑹=
𝑰
𝟎. 𝟓𝟎𝟎𝟖𝑽
𝑹=
𝟏 𝒎𝑨
𝑹 = 𝟓𝟎𝟎. 𝟖 Ω

PARA 𝑰𝑫 = 𝟓 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟓𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟒𝟖 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟔𝟗𝟑 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟓𝟗𝟑𝟒𝟒 𝑽

*Para Obtener la Resistencia R:

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𝑽
𝑹=
𝑰
𝟎. 𝟓𝟗𝟑𝟒𝟒𝑽
𝑹=
𝟓 𝒎𝑨
𝑹 = 𝟏𝟏𝟖. 𝟔𝟖𝟖 Ω

PARA 𝑰𝑫 = 𝟏𝟎 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟏𝟎𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟒𝟖 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟔𝟗𝟑 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟕𝟎𝟗𝟐𝟕 𝑽

*Para Obtener la Resistencia R:

𝑽
𝑹=
𝑰
𝟎. 𝟕𝟎𝟗𝟐𝟕 𝑽
𝑹=
𝟏𝟎 𝒎𝑨
𝑹 = 𝟕𝟎. 𝟗𝟐𝟕𝟓 Ω

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DIODO: Si 1N4148
𝑰𝑫 (𝒎𝑨) 𝑽𝑫 𝑹𝑫𝑪
0.2 0.49216 V 2460 Ω
1 0.50999 V 509.99 Ω
5 0.59918 V 119.836 Ω
10 0.71066 V 71.0663 Ω
Tabla 7

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CALCULOS HECHOS:
PARA 𝑰𝑫 = 𝟎. 𝟐 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟎. 𝟐𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟒𝟗 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟔𝟗𝟓 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟒𝟗𝟐𝟏𝟔 𝑽

*Para Obtener la Resistencia R:

𝑽
𝑹=
𝑰
𝟎. 𝟒𝟗𝟐𝟏𝟔𝑽
𝑹=
𝟎. 𝟐𝒎𝑨
𝑹 = 𝟐𝟒𝟔𝟎 Ω

PARA 𝑰𝑫 = 𝟏 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟏𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟒𝟗 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟔𝟗𝟓 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟓𝟎𝟗𝟗𝟗 𝑽

*Para Obtener la Resistencia R:

𝑽
𝑹=
𝑰
𝟎. 𝟓𝟎𝟗𝟗𝟗𝑽
𝑹=
𝟏 𝒎𝑨
𝑹 = 𝟓𝟎𝟗. 𝟗𝟗 Ω
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PARA 𝑰𝑫 = 𝟓 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟓𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟒𝟗 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟔𝟗𝟓 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟓𝟗𝟗𝟏𝟖 𝑽

*Para Obtener la Resistencia R:

𝑽
𝑹=
𝑰
𝟎. 𝟓𝟗𝟗𝟏𝟖𝑽
𝑹=
𝟓 𝒎𝑨
𝑹 = 𝟏𝟏𝟗. 𝟖𝟑𝟔 Ω

PARA 𝑰𝑫 = 𝟏𝟎 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟏𝟎𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟒𝟗 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟔𝟗𝟓 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟕𝟏𝟎𝟔𝟔 𝑽

*Para Obtener la Resistencia R:

𝑽
𝑹=
𝑰
𝟎. 𝟕𝟏𝟎𝟔𝟔
𝑹=
𝟏𝟎 ∗ 𝟏𝟎−𝟑
𝑹 = 𝟕𝟏. 𝟎𝟔𝟔𝟑 Ω

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DIODO: Ge 1N60
𝑰𝑫 (𝒎𝑨) 𝑽𝑫 𝑹𝑫𝑪
0.2 0.138853 V 694.265 Ω
1 0.14591 V 145.9096 Ω
5 0.181193 V 36.2385 Ω
10 0.225296 V 22.52966 Ω
Tabla 8

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CALCULOS HECHOS:
PARA 𝑰𝑫 = 𝟎. 𝟐 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟎. 𝟐𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟑𝟖 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟐𝟏𝟗𝟏 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟏𝟑𝟖𝟖𝟓𝟑 𝑽

*Para Obtener la Resistencia R:

𝑽
𝑹=
𝑰
𝟎. 𝟏𝟑𝟖𝟖𝟓𝟑𝑽
𝑹=
𝟎. 𝟐𝒎𝑨
𝑹 = 𝟔𝟗𝟒. 𝟐𝟔𝟓 Ω

PARA 𝑰𝑫 = 𝟏 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟏𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟑𝟖 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟐𝟏𝟗𝟏 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟏𝟒𝟓𝟗𝟏 𝑽

*Para Obtener la Resistencia R:

𝑽
𝑹=
𝑰
𝟎. 𝟏𝟒𝟓𝟗𝟏𝑽
𝑹=
𝟏 𝒎𝑨
𝑹 = 𝟏𝟒𝟓. 𝟗𝟎𝟗𝟔 Ω

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PARA 𝑰𝑫 = 𝟓 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟓𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟑𝟖 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟐𝟏𝟗𝟏 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟏𝟖𝟏𝟏𝟗 𝑽

*Para Obtener la Resistencia R:

𝑽
𝑹=
𝑰
𝟎. 𝟏𝟖𝟏𝟏𝟗𝑽
𝑹=
𝟓 𝒎𝑨
𝑹 = 𝟑𝟔. 𝟐𝟑𝟖𝟓 Ω

PARA 𝑰𝑫 = 𝟏𝟎 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟏𝟎𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟑𝟖 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟐𝟏𝟗𝟏 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟐𝟐𝟓𝟐𝟗𝟔 𝑽

*Para Obtener la Resistencia R:

𝑽
𝑹=
𝑰
𝟎. 𝟐𝟐𝟓𝟐𝟗𝟔
𝑹=
𝟏𝟎 ∗ 𝟏𝟎−𝟑
𝑹 = 𝟐𝟐. 𝟓𝟐𝟗𝟔𝟔 Ω

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 CONCLUCIONES:
 Los Diodos se pueden dañar o malograr por ejemplo cuando se coloca en
polarización inversa y se proporciona una gran tensión de voltaje llamada tensión de
RUPTURA que ocasiona que el diodo deje pasar la Corriente como si fuera un simple
cable de conexión, por lo tanto el diodo estaría dañado.
 Los Diodos son buenos rectificadores de corriente, sirven de mucho para que la
corriente tome un solo sentido bien positivo o negativo, dependiendo de la posición
del circuito.
 Los diodos son dispositivos no lineales, estos tienen aplicaciones muy interesantes
sin las cuales no conoceríamos la electrónica moderna.
 Tiene especial importancia en los circuitos de conmutación ya que estos pueden
conducir o no conducir según el voltaje aplicado.
 Los diodos también sirven como circuitos limitadores que son parte fundamental de
osciladores sostenidos, los diodos Zener actúan como reguladores en los circuitos
rectificadores, que a su vez tienen diodos en una configuración llamada puente de
diodos que le saca el valor absoluto a la senal sinusoidal de la linea.

 BIBLIOGRAFIA:
http://es.scribd.com/doc/2514339/FUNCIONES-DE-LOS-DIODOS
http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_6.htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
Schilling Belove: Circuitos Electrónicos, Barcelona 1985, 3ra Edición.
Boylestad Nashelsky: Teoría de Circuitos. México 1995, 5ta. Edición.
Howard H.Gerrish: Circuitos con Transistores y Semiconductores, México
1990, 9na Edición.

Ingeniería Mecánica, Mecánica Eléctrica y Mecatrónica Página 23