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“ DE SANTA MARIA”
FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERIAS FISICAS Y FORMALES
PROGRAMA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECANICA, MECANICA
ELECTRICA Y MECATRONICA
TÍTULO :
INTEGRANTES:
CURSO:
CIRCUITOS ELECTRONICOS I (Laboratório)
DOCENTE :
Ing. Collado Oporto Cristian
AREQUIPA – PERU
2013
Laboratorio de Circuitos Electrónicos I UCSM
OBJETIVOS:
Obtener las características de u diodo de silicio y germanio.
Analizar las Características técnicas de un diodo.
MARCO TEORICO:
DIODO IDEAL:
El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que tiene el símbolo y las
características siguientes:
𝑹𝒊𝒏𝒗𝒆𝒓𝒔𝒐 =
∞ Ω (𝒄𝒊𝒓𝒄𝒖𝒊𝒕𝒐 𝒂𝒃𝒊𝒆𝒓𝒕𝒐)
DIODO SEMICONDUCTOR:
Se forma uniendo material tipo p y material tipo n construidos a partir del mismo
material base Ge o Si.
Los e- y los huecos en la región de conducción se combinaran, dando como resultado
una carencia de portadores en la región cercana a la unión. Esta región de iones
positivos y negativos recibe el nombre de región de agotamiento por ausencia de
portadores en la misma.
SIN POLARIZACION:
Los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo n que se encuentra dentro de la
región de agotamiento pasaran directamente al material tipo p. Supondremos que
todos los portadores minoritarios del material tipo n que se encuentran en la región de
agotamiento debido a su movimiento aleatorio pasaran directamente al material tipo p.
Los portadores mayoritarios (electrones) en el material tipo n deben superar las fuerzas
de atracción de la capa de iones positivos en el material tipo n, así como la capa de iones
en el material tipo p , para emigrar hacia el área más allá de la región de agotamiento
del material tipo p. Sin embargo el número de portadores mayoritarios es tan grande en
el material tipo n que invariablemente habrá un pequeño número de portadores
mayoritarios con suficiente energía cinética para pasar a través de la región de
agotamiento y llegar al material tipo p .En ausencia de un voltaje de polarización
aplicado el flujo neto de carga en cualquier dirección para un diodo semiconductor es
cero.
La corriente del Diodo en polarización directa se limitara solamente por la red en que el
diodo es conectado o la máxima corriente o por el valor de potencia del diodo.
EQUIPO Y MATERIALES:
Fuente: DC, DMM
Resistores: 4 𝑊: 1𝑘Ω, 1𝑀Ω
1
PROCEDIMIENTO:
PARTE 1: Prueba del Diodo
Escala de prueba de Diodos del DMM
Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condición de cada
Diodo.
SIMULACION EN MULTISIM: (en este caso los diodos están polarización DIRECTA)
DIODO Si:1N4004
𝑽𝑹 (V) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
𝑽𝑫 (V) 0.562 0.661 0.823 0.924 1.044 1.498 1.243 1.359 1.444
⁄
𝑰𝑫 = 𝑽𝑹 𝑹𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐 (mA) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
𝑽𝑹 (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
𝑽𝑫 (V) 0.587 0.621 0.641 0.654 0.665 0.674 0.681 0.688 0.693
𝑰𝑫 = 𝑽𝑹 ⁄𝑹𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐 (mA) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
DIODO Si:1N4007
𝑽𝑹 (V) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
𝑽𝑫 (V) 0.490 0.522 0.543 0.555 0.567 0.585 0.592 0.597 0.602
⁄
𝑰𝑫 = 𝑽𝑹 𝑹𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐 (mA) 0.1033 0.2066 0.3099 0.4132 0.5165 0.6195 0.7231 0.8264 0.9298
𝑽𝑹 (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
𝑽𝑫 (V) 0.612 0.619 0.625 0.629 0.633 0.657 0.668 0.689 0.697
𝑰𝑫 = 𝑽𝑹 ⁄𝑹𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐 (mA) 1.0331 2.0661 3.0991 4.1322 5.1652 6.1983 7.2314 8.2644 9.2975
𝑽𝑹 (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
𝑽𝑫 (V) 0.191 0.1993 0.2041 0.2081 0.2121 0.2131 0.2151 0.2171 0.2191
𝑰𝑫 = 𝑽𝑹 ⁄𝑹𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐 (mA) 1.0331 2.0661 3.0991 4.1322 5.1652 6.1983 7.2314 8.2644 9.2975
SIMULACION EN MULTISIM: (en este caso los diodos están polarización INVERSA)
𝑽𝑹
𝑰𝑫 = −1
1 1
(𝑹 𝑹𝒎 )
+
𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐
𝟐. 𝟕𝟗𝟒
𝑰𝑫 = −1
1 1
( 𝟔+ 𝟔)
𝟎. 𝟗𝟖𝟔 ∗ 𝟏𝟎 𝟏𝟎 ∗ 𝟏𝟎
𝑽𝑹
𝑰𝑫 = −1
1 1
(𝑹 𝑹𝒎 )
+
𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐
𝟏. 𝟒𝟑𝟗
𝑰𝑫 = −1
1 1
( + )
𝟎. 𝟗𝟖𝟔 ∗ 𝟏𝟎𝟔 𝟏𝟎 ∗ 𝟏𝟎𝟔
𝑽𝑹
𝑰𝑫 = −1
1 1
(𝑹 +
𝑹𝒎 )
𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐
𝟑. 𝟐𝟐
𝑰𝑫 = −1
1 1
( 𝟔+ 𝟔)
𝟎. 𝟗𝟖𝟔 ∗ 𝟏𝟎 𝟏𝟎 ∗ 𝟏𝟎
𝟐𝟎 − 𝟐. 𝟕𝟗𝟒
𝑹𝑫𝑪 (𝑺𝒊 𝟏𝑵𝟒𝟎𝟎𝟐) = = 𝟓𝟓𝟐𝟔𝟗𝟔𝟔. 𝟔𝟖𝟗 Ω = 𝟓. 𝟓𝟐𝟕 𝑴Ω
𝟑. 𝟏𝟏𝟑𝟏 ∗ 𝟏𝟎−𝟔
𝟐𝟎 − 𝟏. 𝟒𝟑𝟗
𝑹𝑫𝑪 (𝑺𝒊 𝟏𝑵𝟒𝟏𝟒𝟖) = = 𝟏𝟏𝟔𝟏𝟔𝟓𝟗𝟕. 𝟖𝟐 Ω = 𝟏𝟏. 𝟔𝟏𝟔 𝑴Ω
𝟏. 𝟓𝟗𝟕𝟖 ∗ 𝟏𝟎−𝟔
𝟐𝟎 − 𝟑. 𝟐𝟐
𝑹𝑫𝑪 (𝑮𝒆 𝟏𝑵𝟔𝟎) = = 𝟒𝟔𝟕𝟕𝟎𝟗𝟏. 𝟏𝟕𝟑 Ω = 𝟒. 𝟔𝟕𝟕 𝑴Ω
𝟑. 𝟓𝟖𝟕𝟕 ∗ 𝟏𝟎−𝟔
PARTE 4: Resistencia DC
Usando las curvas características de los Diodos, determine el voltaje de Diodo en los
niveles de Corriente Indicados en la Tabla 6,7 y 8.
DIODO: Si 1N4002
𝑰𝑫 (𝒎𝑨) 𝑽𝑫 𝑹𝑫𝑪
0.2 0.48224 V 799.1 Ω
1 0.50077 V 500.8 Ω
5 0.59344 V 118.688 Ω
10 0.70927 V 70.9275 Ω
Tabla 6
CALCULOS:
PARA 𝑰𝑫 = 𝟎. 𝟐 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟎. 𝟐𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟒𝟖 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟔𝟗𝟑 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟒𝟖𝟐𝟐𝟒 𝑽
PARA 𝑰𝑫 = 𝟏 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟏𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟒𝟖 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟔𝟗𝟑 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟓𝟎𝟎𝟖 𝑽
PARA 𝑰𝑫 = 𝟓 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟓𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟒𝟖 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟔𝟗𝟑 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟓𝟗𝟑𝟒𝟒 𝑽
𝑽
𝑹=
𝑰
𝟎. 𝟓𝟗𝟑𝟒𝟒𝑽
𝑹=
𝟓 𝒎𝑨
𝑹 = 𝟏𝟏𝟖. 𝟔𝟖𝟖 Ω
PARA 𝑰𝑫 = 𝟏𝟎 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟏𝟎𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟒𝟖 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟔𝟗𝟑 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟕𝟎𝟗𝟐𝟕 𝑽
DIODO: Si 1N4148
𝑰𝑫 (𝒎𝑨) 𝑽𝑫 𝑹𝑫𝑪
0.2 0.49216 V 2460 Ω
1 0.50999 V 509.99 Ω
5 0.59918 V 119.836 Ω
10 0.71066 V 71.0663 Ω
Tabla 7
CALCULOS HECHOS:
PARA 𝑰𝑫 = 𝟎. 𝟐 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟎. 𝟐𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟒𝟗 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟔𝟗𝟓 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟒𝟗𝟐𝟏𝟔 𝑽
PARA 𝑰𝑫 = 𝟏 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟏𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟒𝟗 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟔𝟗𝟓 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟓𝟎𝟗𝟗𝟗 𝑽
PARA 𝑰𝑫 = 𝟓 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟓𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟒𝟗 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟔𝟗𝟓 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟓𝟗𝟗𝟏𝟖 𝑽
PARA 𝑰𝑫 = 𝟏𝟎 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟏𝟎𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟒𝟗 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟔𝟗𝟓 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟕𝟏𝟎𝟔𝟔 𝑽
DIODO: Ge 1N60
𝑰𝑫 (𝒎𝑨) 𝑽𝑫 𝑹𝑫𝑪
0.2 0.138853 V 694.265 Ω
1 0.14591 V 145.9096 Ω
5 0.181193 V 36.2385 Ω
10 0.225296 V 22.52966 Ω
Tabla 8
CALCULOS HECHOS:
PARA 𝑰𝑫 = 𝟎. 𝟐 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟎. 𝟐𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟑𝟖 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟐𝟏𝟗𝟏 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟏𝟑𝟖𝟖𝟓𝟑 𝑽
PARA 𝑰𝑫 = 𝟏 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟏𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟑𝟖 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟐𝟏𝟗𝟏 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟏𝟒𝟓𝟗𝟏 𝑽
PARA 𝑰𝑫 = 𝟓 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟓𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟑𝟖 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟐𝟏𝟗𝟏 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟏𝟖𝟏𝟏𝟗 𝑽
PARA 𝑰𝑫 = 𝟏𝟎 𝒎𝑨
𝑽𝑫 =?
𝑰𝑫 = 𝟏𝟎𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟑𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟐 = 𝟗. 𝟐𝟗𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑽𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟑𝟖 𝑽
𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟐𝟏𝟗𝟏 𝑽
=> 𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑦 𝑛𝑜𝑠 𝑑𝑎: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟐𝟐𝟓𝟐𝟗𝟔 𝑽
CONCLUCIONES:
Los Diodos se pueden dañar o malograr por ejemplo cuando se coloca en
polarización inversa y se proporciona una gran tensión de voltaje llamada tensión de
RUPTURA que ocasiona que el diodo deje pasar la Corriente como si fuera un simple
cable de conexión, por lo tanto el diodo estaría dañado.
Los Diodos son buenos rectificadores de corriente, sirven de mucho para que la
corriente tome un solo sentido bien positivo o negativo, dependiendo de la posición
del circuito.
Los diodos son dispositivos no lineales, estos tienen aplicaciones muy interesantes
sin las cuales no conoceríamos la electrónica moderna.
Tiene especial importancia en los circuitos de conmutación ya que estos pueden
conducir o no conducir según el voltaje aplicado.
Los diodos también sirven como circuitos limitadores que son parte fundamental de
osciladores sostenidos, los diodos Zener actúan como reguladores en los circuitos
rectificadores, que a su vez tienen diodos en una configuración llamada puente de
diodos que le saca el valor absoluto a la senal sinusoidal de la linea.
BIBLIOGRAFIA:
http://es.scribd.com/doc/2514339/FUNCIONES-DE-LOS-DIODOS
http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_6.htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
Schilling Belove: Circuitos Electrónicos, Barcelona 1985, 3ra Edición.
Boylestad Nashelsky: Teoría de Circuitos. México 1995, 5ta. Edición.
Howard H.Gerrish: Circuitos con Transistores y Semiconductores, México
1990, 9na Edición.