UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA

PRACTICA 1

TEMA: RECTIFICACIÓN MONOFASICA DE MEDIA ONDA Y RECTIFICACION MONOFASICA DE ONDA

COMPLETA CON PUENTE DE GRAETZ.

OBJETIVOS:
• Rectificar CA monofásica mediante mediante circuitos con diodos en configuración media
onda y onda completa.
• Comprobar la teoría y los cálculos referentes a cada tipo de rectificación.
• Simular los circuitos para verificar aún mejor los resultados en cuanto a la conversión de CA
monofásica en CC pulsante.

MATERIALES:
• Transformador 110/12 VCA. 1A.
• Cable multipar.
• Sonda de interfaz para el osciloscopio.
• Project board.
• 2 Resistencias 1k - 1/2w
• 4 Diodos 1A-100v. O un puente de GRAETZ prefabricado 1A. Multimetro, osciloscopio.

MARCO TEORICO
Un circuito rectificador convierte CA en CC pulsante, que luego puede filtrarse (alisarse) en corriente
continua pura. Para rectificar, el circuito debe pasar corriente con el mínimo de resistencia en dirección
hacia adelante y bloquear su flujo en dirección inversa, el diodo con sus características, es muy
adecuado para lograr lo planteado.

Es más simple y económico generar, transmitir y distribuir corriente alterna en lugar de corriente
continua, por lo que las empresas de energía eléctrica suministran potencia eléctrica en CA. Sin
embargo, muchas aplicaciones de la energía eléctrica, tales como los circuitos electrónicos, los de carga
de baterías, algunos motores eléctricos, soldadura, electro plateado, procesos químicos y otros,
necesitan corriente continua. Por ello es necesario rectificar la energía eléctrica de CA a voltajes de CC.
La rectificación puede ser de media onda u onda completa, la diferencia radica en la forma final de la
onda continua pulsante obtenida por cada tipo de rectificación.

Semiconductores

Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a la de un
conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor más utilizado es el silicio,
que es el elemento más abundante en la naturaleza, después del oxígeno. Otros semiconductores son
el germanio y el selenio. Los átomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con sólo cuatro
electrones, denominados electrones de valencia. Estos átomos forman una red cristalina, en la que
cada átomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro átomos vecinos, formando
enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente
energía calorífica para librarse del enlace covalente y moverse a través de la red cristalina,
convirtiéndose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les
somete al potencial eléctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.[1]

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Semiconductores P y N

En la práctica, para mejorar la conductividad eléctrica de los semiconductores, se utilizan impurezas

añadidas voluntariamente. Esta operación se denomina dopado, utilizándose dos tipos:

• Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos átomos tienen cinco electrones de valencia en su
orbital exterior. Entre ellos se encuentran el fósforo, el antimonio y el arsénico.

• Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos átomos tienen tres electrones de valencia en su orbital
exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio.

Unión PN polarizada en directo

Si se polariza la unión PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila a la región P y el polo
negativo a la región N , la tensión U de la pila contrarresta la «barrera de potencial» creada por la
distribución espacial de cargas en la unión, desbloqueándola, y apareciendo una circulación de
electrones de la región N a la región P y una circulación de huecos en sentido contrario. Tenemos así
una corriente eléctrica de valor elevado, puesto que la unión PN se hace conductora, presentando
una resistencia eléctrica muy pequeña. El flujo de electrones se mantiene gracias a la pila que los
traslada por el circuito exterior circulando con el sentido eléctrico real, que es contrario al
convencional establecido para la corriente eléctrica.

Unión PN polarizada en inverso

Si se polariza la unión PN en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a la región N y el polo
negativo a la región P (figura 6), la tensión U de la pila ensancha la «barrera de potencial» creada por
la distribución espacial de cargas en la unión, produciendo un aumento de iones negativos en la
región P y de iones positivos en la región N, impidiendo la circulación de electrones y huecos a través
de la unión.

La unión PN se comporta de una forma asimétrica respecto de la conducción eléctrica; dependiendo

del sentido de la conexión, se comporta corno un buen conductor (polarizada en directo o como un
aislante (polarizada en inverso). [2]

DIODO
Función
Los diodos son dispositivos semiconductores que permiten hacer fluir la electricidad solo en un
sentido. La flecha del símbolo del diodo muestra la dirección en la cual puede fluir la corriente. Los
diodos son la versión eléctrica de la válvula o tubo de vacío y al principio los diodos fueron llamados
realmente válvulas.
Símbolo:

Figura 1 Símbolo de un diodo

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Caída de tensión en directa. Curva característica
La electricidad utiliza una pequeña energía para poder pasar a través del diodo, de forma similar a
como una persona empuja una puerta venciendo un muelle. Esto significa que hay un pequeño voltaje
a través de un diodo conduciendo, este voltaje es llamado caída de voltaje o tensión en directa y es de
unos 0,7 V para todos los diodos normales fabricados de silicio. La caída de voltaje en directa de un
diodo es casi constante cualquiera que sea la corriente que pase a través de el por lo que tiene una
característica muy pronunciada (grafica corriente-voltaje).

Figura 2 Silicio

Curva característica del diodo

Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ).
La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide en valor con
la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la
barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del
1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de
potencial desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión se producen grandes
variaciones de la intensidad de corriente.
Corriente máxima (Imax ).
Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule.
Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño
del mismo.
Corriente inversa de saturación (Is ).
Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formación de pares
electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º en
la temperatura.
Corriente superficial de fugas.
Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización inversa), esta corriente
es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente
superficial de fugas.
Tensión de ruptura (Vr ).
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.
Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de saturación; en
la realidad, a partir de un determinado valor de la tensión, en el diodo normal o de unión abrupta la
ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que
la ruptura podría deberse a dos efectos:
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generan pares electrón-hueco que
provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión inversa es elevada los electrones se aceleran
incrementando su energía cinética de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar
su salto a la banda de conducción. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la

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tensión, chocando con más electrones de valencia y liberándolos a su vez. El resultado es una
avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenómeno se produce para valores de
la tensión superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material, menor es la anchura de la
zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como cociente de la tensión V entre
la distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por tanto d sea pequeño, el campo eléctrico será
grande, del orden de 3•105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar
electrones de valencia incrementándose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o
menores.[3]

A) MEDIA ONDA
MEDICION VALOR EFICAZ (multímetro)

Vef = 13.6 V

CIRCUITO A REALIZAR

MEDICIONES DE VRC E IRC (MULTIMETRO)

VR1 = 5.96 v
IR1 = 6mA

ANALISIS DE RESULTADOS

Resultados obtenidos en el CALCULO (punto 1A) Resultados obtenidos en el LABORATORIO

(punto 3A, 4A)
Vef = 13.6 v Vef = 13.6 v
Vp = 19.23 v Vp = 18.75 v
Vmax= 18.63 v Vmax= 18.60 v
F = 60Hz T= 16.666 ms (1/60.0505Hz)
T = 16.66 ms (1/60Hz) F = 60.0505 Hz
VR1= 5.84 v VR1= 5.96 v
IR1 = 5.92 mA IR1 = 6 mA
ID = 5.92 mA ID = 6 mA

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B) ONDA COMPLETA
MEDICION VALOR EFICAZ (multímetro)

Vef = 13.6 V

CIRCUITO A REALIZAR

Figura
4: Circuito rectificador de onda completa.

MEDICIONES DE VRC E IRC (MULTIMETRO)

VRC = 11,22 V
IRC = 11,022 mA

ANALISIS DE RESULTADOS

Resultados obtenidos en el CALCULO (punto 1B) Resultados obtenidos en el LABORATORIO (punto

3B,4B)
Vef = 13.6 V Vef = 13.6 V
Vp = 19.23 V Vp = 18,01 V
Vmax= 18,03 V Vmax= 18,01V
F = 120Hz (en la onda RC) T = 8,5 ms
T = 8.33 ms (en la onda RC) F = (1/T) = 117,6Hz
VR1 = 11,47V VR1 = 11,22 V
IR1 = 11,47mA IR1 = 11 mA
ID = 11,47mA ID = IR1/2 = 5,5 mA
*(El periodo T y la frecuencia F, se obtendrán con relación a la onda en RC, mida el T en el gráfico de
RC y calcule F = 1/T).

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1
𝐹=
𝑇
1
𝐹=
8,5𝑚𝑠

𝐹 = 117,6 𝐻𝑧

CONCLUSIONES
Se logró rectificar la onda monofásica tanto para media onda como para onda completa, una de las
primeras dificultades fue la medición de intensidad y de voltaje tanto para el diodo como para la
resistencia, otra dificultad fue que la sonda estaba defectuosa lo cual dificulto la visualización de las
gráficas de la onda de entrada y la onda rectificada, se logró verificar que efectivamente el puente de
Grentz funciona para rectificar la corriente alterna y volverla continua.

BIBLIOGRAFIA Y DIRECCIONES ELECTRONICAS VERIFICABLES [].

[1] Malik, N. R. (1996). Circuitos electrónicos. Análisis, Simulación Y Diseño. Ed.: Prentice Hall.

[2] Millman, J., Halkias, C. C., & Peracaula, J. (1991). Electrónica integrada: circuitos y sistemas
analógicos y digitales. Hispano Europea,.

[3 ]Ankrum, P. D., & Di Marco, A. (1974). Electrónica de los semiconductores (No. 621.382. 1).
Prentice/Hall Internacional,.

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ANEXOS

Rectificación de media ONDA

ONDA DE ENTRADA ONDA DE SALIDA (RECTIFICADA)

SIMULACION MEDIA ONDA

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Rectificación de ONDA completa

ONDA DE ENTRADA ONDA DE SALIDA (RECTIFICADA)

SIMULACION DE ONDA COMPLETA

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