Resumen clase anterior

Los semiconductores son elementos cuya conductividad está

entre la de un buen conductor y la de un aislante.

Los tres semiconductores más utilizados en la construcción de

dispositivos electrónicos son Ge, Si y GaAs.
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 Diodo semiconductor

Fuente: Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. Robert

Boylestad, Louis Nashelsky
 Diodo Semiconductor
Con los materiales n y p se construye el primer dispositivo
electrónico de estado sólido: El diodo semiconductor.

Es la unión de un material con un portador mayoritario de

electrones a uno con un portador mayoritario de huecos.
La unión es la región de “agotamiento”, por la disminución de
portadores libres en la región.

Al conectar cables conductores a los extremos de cada material, se

tiene un dispositivo de dos terminales con tres opciones: sin
polarización, polarización directa y polarización inversa

Polarización es aplicar un voltaje externo a través de los dos

terminales del dispositivo para obtener una respuesta.
 Sin polarización aplicada (V = 0 V)
Los electrones y huecos en la unión se combinan y provocan una
carencia de portadores libres, en esta región los iones positivos y
negativos quedan una vez que los portadores libres han sido
absorbidos
Estas polaridades son las definidas del diodo semiconductor.

A la inversa, el voltaje es negativo.

Sin ninguna polarización aplicada a través de un diodo

semiconductor, el flujo neto de carga en una dirección
es cero.
 Condición de polarización inversa (VD < 0 V)

Mayor apertura de la región de agotamiento, el flujo

de portadores mayoritarios se reduce a cero.

En polarización inversa La corriente se llama de

saturación inversa y está representada por Is.
Condición de polarización directa (VD > 0 V)
Las características generales de un diodo semiconductor se pueden
definir con la ecuación de Shockley, para las regiones de
polarización directa e inversa:

[A]

Is es la corriente de saturación inversa

VD es el voltaje de polarización directa aplicado al diodo

VD = 0,7V (Si) VD = 0,3V (Ge) VD = 1,2V y 1,5V (GaAs)

n es un factor de idealidad, depende de las condiciones de

operación y construcción física; varía entre 1 y 2 según una
amplia diversidad de factores.
VT es el voltaje térmico y está dado por:

[V]
EJEMPLO A 27°C, determine el voltaje térmico VT.

T = 273 + °C = 273 + 27 = 300 °K

 Región Zener
En la región negativa, hay un punto en que se producirá un cambio
abrupto de las características.
El máximo potencial de
polarización inversa se
llama voltaje inverso pico
(PIV).
 Comparación entre Ge, Si y GaAs
El análisis hasta ahora ha sido con Si.

Ahora es importante compararlo con: GaAs y Ge.

El punto de disparo es diferente para cada material, aunque la

forma general de cada una es muy semejante.
Efectos de la temperatura
LO IDEAL VS. LO PRÁCTICO
La unión p-n permite un flujo abundante de carga en polarización
directa y un nivel muy pequeño de corriente si la polarización es
inversa.

El diodo semiconductor se comporta como un cortocircuito en

polarización directa y como un circuito abierto en polarización
inversa.
Por ejemplo, si la corriente en el diodo es 5 mA y el voltaje es 0 V.
Sustituyendo en la ley de Ohm se obtiene

Para la sección horizontal, la corriente en el diodo es 0 mA y el

voltaje por ejemplo es 20 V. Sustituyendo en la ley de Ohm se
obtiene