UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

Facultad de Ciencias - Departamento de Física

REPORTE DE LABORATORIO
FUNDAMENTOS DE ELECTRICIDAD Y MAGNETISMO - 1000017

PRÁCTICA 5: CARACTERIZACIÓN DE UN DIODO

GRUPO: 4 SECCIÓN: 05 Profesor: Hector Castro

Integrantes: Sebastián Gómez R.,Deiby A. Fiquitiva C.,Jhon E. Romero T.

Marzo 14 de 2016

RESUMEN
Determinación de valores de resistencias eléctricas y su comportamiento en un circuito
sometido a una diferencia de potencial y por tanto al flujo de una corriente, verificando el
comportamiento lineal dictado por la ley de Ohm. Instrucción sobre el correcto uso de
voltímetro y multímetro para realizar las mediciones de resistencia, diferencias de
potencial y corriente.

INTRODUCCIÓN
Existen gran cantidad de elementos que pueden conformar un circuito eléctrico, entre los
cuales se encuentran las resistencias, baterías, condensadores, bobinas, entre muchos
otros. Cada uno de estos se comporta de manera distinta al estar sometidos a un flujo de
corriente y una diferencia de potencial.
En esta práctica se estudia el comportamiento de la resistencia, ésta es un elemento
pasivo que está sometido a la ley de Ohm, indicando que su respuesta es el paso de una
corriente proporcional a la diferencia de potencial aplicada sobre ella, llevando así un
comportamiento lineal.
Para estudiar el comportamiento de la resistencia mencionada anteriormente, es de
importancia para el que ejecute la práctica saber montar de forma adecuada el circuito,
teniendo en cuenta que el voltímetro debe ir en paralelo con la resistencia, y el
amperímetro en serie con la misma.

OBJETIVOS

1. Obtener la curva característica del diodo para una polarización directa e inversa.

I. MARCO TEÓRICO
El diodo es un componente electrónico discreto compuesto por una unión P-N, que permite
la circulación de corriente en un sentido concreto. Este diodo semiconductor también es
llamado rectificador.

El diodo es polarizado en directo cuando el cristal P es conectado a un potencial positivo y el

cristal N es conectado al terminal negativo, para que el diodo entre en conducción, es
necesario que la diferencia de potencial supere un umbral establecido por la naturaleza de
la juntura PN.
Contrariamente un diodo se polariza inversamente cuando se conecta al terminal del cristal
P un potencial negativo y al terminal del terminal N un potencial positivo, en esta
configuración el diodo no conducirá mientras la diferencia de potencial no supere el umbral,
si el voltaje supera el umbral de ruptura, el diodo entra en una zona de avalancha donde se
produce una ruptura en la juntura PN provocando posiblemente el daño del diodo.

Debido a que el diodo que se usará es el diodo rectificador este tiene una curva
caracteristica similar a la siguiente:

Figura 1. Curvas características de diodos de silicio y germanio

La curva destaca varias características del diodo como la tensión de ruptura V ❑z en el cual
se verifica el efecto avalancha, en esta tensión se tiene un rápido incremento de la corriente
que si no se detiene provoca la destrucción del diodo. También se encuentra la tensión de
umbral V ❑ua la cual el diodo comienza a conducir de manera exponencial; para valores más
grandes a este la corriente crece rápidamente.

Cuando la polarización es directa la corriente está dada por la ecuación de Shockley:

 Ecuación 1.Ecuación de Shockley para un diodo

● I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo

● K es la constante de Boltzmann

● V ❑D es la diferencia de tensión entre sus terminales

● IS es la corriente de saturación (aproximadamente )

● n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que

suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).

● T es la temperatura absoluta de la union PN

● Q carga de un electrón.

En la ecuación se observa que la corriente que circula a través de un diodo es función no

solo de la diferencia de potencial en sus terminale si no también de la temperatura.

I. METODOLOGÍA

Calculo de la curva caracteristica de un diodo mediante polarización directa e inversa,

realizando mediciones de corriente que fluye a través de una resistencia y de un diodo
midiendo igualmente diferencias de potencial en sus terminales, al realizar un montaje
adecuado del circuito ya mencionado y descrito.

1. Materiales y equipos

- Una placa con un diodo

- Resistencia de 100 Ω
- Fuente de voltaje
- Voltímetro
-
2. Montaje experimental

Figura 2. Diagrama del circuito para el procedimiento.

3. Procedimiento

Caracterización de una resistencia óhmica, el montaje es el que describe la figura

1. Arme el circuito que se muestra en la Figura 2. Observe que se debe colocar una
 resistencia R de 100 Ω en serie a fin de limitar la corriente que circulara por el diodo.
2. Mida el voltaje en la resistencia y en el diodo tal como muestra el esquema para 10
valores diferentes de voltajes de la fuente de alimentación.
3. Invierta la polarización del diodo y repita el procedimiento anterior.
4. Calcule la corriente que circula por el diodo para cada uno de los valores
anteriormente medidos. Explique lo que sucede.
5. Elabore una tabla con los datos de corriente I en el circuito para cada valor de voltaje
a través del diodo.
6. Elabore el grafico de corriente I vs voltaje V del diodo para la polarización directa e
inversa.
7. Realice la gráfica de Ln (I) vs V para polarización directa. Con ese resultado halle el
valor de V usando la ecuación (). Discuta este resultado. Sugerencia para
eV
polarización directa use la siguiente aproximación: I =I ❑ e ❑ kt .
0
8. Determine la resistencia del diodo para cada valor de voltaje medido.

4. Resultados

Preguntas complementarias

1. La resistencia de un diodo con polarización directa: En cada punto tenemos una

resistencia distinta, esa resistencia es el equivalente del diodo en polarización directa
para esos valores concretos de intensidad y tensión.La resistencia de un diodo con
polarización inversa: Como es un valor muy grande, puede considerarse una
resistencia de valor infinito(idealmente).
2. Cuarta pregunta :En el punto de juntura o unión “p-n” de un semiconductor diodo de
silicio se forma una “barrera de potencial” en la que los huecos de la parte positiva,
por un lado, y los electrones de la parte negativa, por el otro, alcanzan un punto de
equilibrio, creándose alrededor de dicha unión una “zona de deplexión” (conocida
también como “zona de carga espacial”, “zona de agotamiento” o “zona de vaciado”),
que impide que la corriente eléctrica fluya a través del diodo así formado.

5. Conclusiones

REFERENCIAS

[1] Serway., Jewett., Física para Ciencias e Ingeniería, Vol. II, 7 Ed. (2009)