RDS220 ANÁLISIS DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

Unidad 1. Sesión 1.

El diodo semiconductor
Introducción. La verdadera revolución tecnológica de la Electrónica surge con la
invención de los dispositivos basados en semiconductores, y más en concreto, con la
invención del transistor. Los primeros trabajos sobre semiconductores fueron
comenzados por Hall en 1879 sobre el efecto que lleva su nombre. Los primeros
rectificadores de unión metal-semiconductor se estudian entre 1920 y 1930, y es en
1938 cuando Shottky y Mott realizan separadamente un estudio sistemático sobre las
propiedades de estos dispositivos, proponiendo la primera teoría del espacio de carga.
En esta época, se realizan muchos estudios sobre semiconductores y se perfeccionan
las técnicas de crecimiento de cristales. En 1943, se obtiene la primera unión P-N
sobre cristal único de silicio. En 1947, se presionaron dos sondas de hilo de oro
próximas entre sí sobre una superficie de un cristal de germanio. Brattain y Bardeen
se dieron cuenta que era un dispositivo amplificador naciendo así el primer
amplificador de estado sólido (en forma de transistor de contacto). Sin embargo, era
un transistor deficiente, de poca amplitud de banda y mucho ruido, donde además los
parámetros diferían ampliamente de uno a otro dispositivo. Shockley propuso el
transistor de unión para mejorar las características del transistor de punta de contacto,
y completó su teoría de funcionamiento. El nuevo dispositivo tenía portadores de
ambas polaridades operando simultáneamente: eran dispositivos bipolares. En 1956,
Bardeen, Brattain y Shockley recibieron el premio Nobel de física por sus
investigaciones.

En este curso estudiaremos algunos de los dispositivos electrónicos de estado sólido,

tales como el diodo, el transistor y otros, además de los circuitos elementales de la
llamada electrónica analógica. Para el análisis de estos circuitos, conviene modelarlos
empleando elementos lineales para representar su comportamiento,

El diodo. Se denomina diodo a un dispositivo electrónico de estado sólido de dos

terminales, a las que se conoce como ánodo (A) y cátodo (K), cuya apariencia y
símbolo aparecen en la figura

En el diodo la relación voltaje-intensidad no es lineal, por lo que, a fin de modelar

su comportamiento se puede idealizar esta (sin alejarse mucho del comportamiento
real), para lo cual diremos que:
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 Si el voltaje entre ánodo y cátodo es positivo (VA-K > 0), el diodo conduce,
vale decir que circula corriente en el sentido ánodo-cátodo, con una intensidad
apreciable y dependiente básicamente del circuito externo.
 Si el voltaje entre ánodo y cátodo es negativo (V A-K < 0), el diodo no conduce,
vale decir que la corriente es prácticamente nula independiente del circuito
externo.

0 , 𝑠𝑖 𝑉 _ < 0
𝐼 =
> 0 , 𝑠𝑖 𝑉 >0

A la condición VA-K < 0, se la conoce como polarización inversa y se caracteriza por el estado
de no conducción (aunque en la realidad hay una muy pequeña cantidad de corriente que
fluye del cátodo hacia el ánodo), en tanto que a la condición VA-K > 0 se la denomina
polarización directa, en la cual el diodo conduce (circula corriente apreciable y dependiente
del circuito externo)

Característica i-v.
Una forma de describir el comportamiento de un dispositivo es representar gráficamente la
relación entre corriente y voltaje, a esta se denomina característica i-v.

Por ejemplo, la característica i-v de una resistencia R es una recta que pasa por el origen con
pendiente positiva de valor 1/R; lo que se deduce fácilmente de la ley de Ohm.

De la ley de Ohm

𝑣 = 𝑅𝑖
luego
1
𝑖= 𝑣
𝑅

Ahora en el diodo, considerando el comportamiento ideal; conduce en polarización directa y

no conduce en polarización inversa, tenemos
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0 , 𝑠𝑖 𝑉 _ < 0
𝐼 =
> 0 , 𝑠𝑖 𝑉 >0

Nota: El comportamiento del diodo semiconductor, en la realidad se explica a partir de la

estructura atómica constructiva del dispositivo y no se tocará en este curso, sin embargo el
que desee obtener una explicación animada de este fenómeno, puede ver este video de la
Universidad de Granada, España: https://www.youtube.com/watch?v=hsJGw_c-Nn4

Un modelo matemático muy próximo a esta realidad, de la relación corriente – voltaje, es la

ecuación de Shockley:

𝑖 =𝐼 𝑒 −1

Donde:
iD y vD son la corriente y voltaje en el diodo,
ISO es la corriente de saturación inversa, alcanza valores muy pequeños (≈10 -12A o
menos)
n se denomina factor de idealidad, es un número comprendido entre 1 y 2
VT es conocido como voltaje térmico, depende directamente de la temperatura
absoluta de la unión de esta manera:

𝑘𝑇
𝑉 =
𝑞

Donde:
k es la constante de Boltzmann (1.38x10-23 J/°K)
T la temperatura absoluta (T=273+°C)
q es la carga del electrón (1.6x10-19C)

a la temperatura ambiente (entre 25 y 35°C), V T es aproximadamente 26mV.

Con estos valores, la relación i-v del diodo real se ve como en la figura, en la que se ha
añadido una característica que se presenta en polarización inversa, al incrementa el voltaje,
alrededor de los -150V (puede ser menos en algunos diodos) se percibe un rápido incremento
en la corriente inversa debido a la alta temperatura en la unión se hace incontrolable y lleva
a la destrucción del componente. A este voltaje inverso extremo se lo conoce como voltaje
de ruptura.
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Nótese que los ejes no tienen las mismas escalas; el semieje positivo de corriente está
graduado en mA (10-3A), en tanto que el negativo está en µA (10-6A), en cuanto al de voltajes,
el semieje positivo va de 0 a 2V, mientras el negativo de 0 a 150V. Si uniformamos las
escalas, obtendríamos la misma curva representada para el modelo ideal del diodo

Se pueden usar elementos lineales básicos para modelar el comportamiento del componente
real; por ejemplo,
Modelo de voltaje directo constante. Considerando la ecuación de Shockley, se
puede verificar que, en polarización directa, la corriente se hace apreciable recién
entre los 0.5 y 0.7V, lo que se representa como en la figura
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0 , 𝑠𝑖 𝑣 < 0.7𝑉
𝑖 =
> 0 , 𝑠𝑖 𝑣 > 0.7𝑉

Modelo lineal por tramos. Centrando el interés en la proximidad del inicio de la

conducción en polarización directa, se puede añadir un elemento más al modelo,
tomando la tangente en Vc (voltaje de inicio de la conducción, aproximadamente
0.5V, según el tipo de diodo)

1 𝑑𝑖
= 𝑣 =𝑉
𝑟 𝑑𝑣

rD es denominada resistencia dinámica, su inclusión en el modelo se observa en la

siguiente figura