DIODOS SEMICONDUCTORES

Ing. Fanny Flores E.

2018A
 Materiales Semiconductores N y P
Tipo N

Siendo un material N (que en estado de reposo favorece a la conducción), al ser polarizado,

presenta resistencia alta al flujo de electrones, convirtiéndose en un aislante perfecto.
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 Materiales Semiconductores N y P
Tipo P

Siendo un material P (que en estado de reposo presenta en su mayoría huecos), al ser

polarizado, presenta resistencia baja al flujo de electrones, convirtiéndose en un conductor
perfecto. 3
Materiales Semiconductores N y P

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Materiales Semiconductores N y P

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 Diodo Semiconductor o de Juntura
 Es un dispositivo sencillo y básico formado por la unión de dos semiconductores extrínsecos.
 Un lado con material Tipo N (impurezas con átomos donadores)
 El otro con material Tipo P (impurezas con átomos aceptores)
 Físicamente tienen dos terminales (metales) denominadas:
Ánodo (conectado a la región P) y Cátodo (conectado a la región N)

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 Potencial de Barrera o Barrera de Potencial
 Es un efecto de la recombinación y corresponde al valor mínimo de V para que 1 e- salte la
barrera.
 El valor depende principalmente del material:
 Silicio(VD = 0,7eV), Germanio (VD = 0,3eV)
 Para que 1 electrón salte la barrera, se debe aplicar mínimo 0.7V o 0.3V, respectivamente.

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 Diodo Semiconductor
 Generalmente el cátodo se conecta a tierra, y se aplica al ánodo una tensión V.

 Si la tensión aplicada entre terminales 𝑉 = 0𝑉, la unión está en Equilibrio.

 Si la tensión aplicada entre terminales 𝑉 ≠ 0𝑉, el Diodo se polariza
 Polarización Directa V>0
 Polarización Inversa V<0

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 Equilibrio del Diodo (V=0)
 En el semiconductor tipo P existen muchos huecos y pocos electrones, y en el semiconductor
tipo N hay muchos electrones y muy pocos huecos.

 Los e- de la zona N pasan a la zona P.

 La difusión crea un exceso de carga negativa en el lado P y
exceso de carga positiva en el lado N.
 Debido a estos excesos de carga, se crea un campo eléctrico
que produce corrientes de desplazamiento, que compensan
a las de difusión. Dando lugar a corriente total nula.
 En equilibrio: I = In + Ip = 0

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 Polarización del Diodo (V≠0)
POLARIZACION DIRECTA V>0
 La juntura está polarizada directamente cuando

la corriente circula de ánodo a cátodo.

 El potencial aplicado externo se opone al campo
eléctrico que limita la difusión. Disminuye el
efecto del arrastre y aumenta la difusión de
portadores.
 De electrones del lado N(cátodo) al P(ánodo)
 De huecos del lado P(ánodo) al N(cátodo)
 El resultado es una corriente neta elevada de
portadores mayoritarios hacia donde son minoritarios.
 El comportamiento del diodo polarizado
directamente es equivalente a interruptor cerrado
(idealmente) 10
 Polarización del Diodo (V≠0)
POLARIZACION INVERSA V<0
 La juntura está polarizada inversamente la corriente es

muy pequeña prácticamente cero, y se debe

exclusivamente a los portadores minoritarios .
 La barrera de potencial se hace más grande.

 El potencial externo refuerza el campo eléctrico de

arrastre.
 Las componentes de difusión son nulas.
 Aumentan las componentes de arrastre (trasladan los
minoritarios): son corrientes muy pequeñas que puede
considerarse despreciables.
 El comportamiento del diodo polarizado inversamente es
equivalente a un interruptor abierto (idealmente)

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Curva característica del diodo

Polarización
Directa

Polarización
Inversa

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 Ecuación de Shockley
 Las características generales de un diodo semiconductor pueden definirse por la ecuación de Shockley, tanto
para la región de polarización directa como para la inversa.

𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑛𝑉𝑇 −1

Donde: 𝐼𝐷 = Corriente del diodo (A)

𝐼𝑆 = Corriente de saturación inversa o de fuga, constante que depende de las características físicas del diodo y varía
XXXXXX entre 10-6 y 10-15 (A)
𝑉𝐷 = Voltaje sobre el diodo (V)
𝑛 = Coeficiente de emisión. Constante que depende del material. Ge: n=1, Si: n=1.1-1.8
𝑉𝑇 = Voltaje térmico
𝑅𝐵 . 𝑇 𝐾 = 𝐶 + 273
𝑉𝑇 =
𝑞 9
𝐹 = 𝐶 + 32
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Donde: 𝑅𝐵 = Constante de Boltzmann (1,38x10-23 J/K)
𝑞 = Carga del electrón (1,6x10-19 C) 13
 Ejercicios de repaso
1. En el siguiente circuito determine la corriente, VR1, Vx, Vy.

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 Ejercicios de repaso
2. En el siguiente circuito determine Vx. 3. En el siguiente circuito determine
Vx.

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 Ejercicios de repaso
4. En el siguiente circuito determine Vx.

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