"AÑO DE LA UNIVERSALIZACIÓN DE LA SALUD"

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRICA

ASIGNATURA
LABORATORIOS DE ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Y DE POTENCIA
PROFESOR
ING. GARCIA PEREZ MARIO ALBERTO

INTEGRANTES
CARRASCO CHINCHAY NORVIL PAUL
PABLO JUAREZ BRYAN YOEL
SANTOS TAMAY CARLOS ODAR
TALAVERA ZELADA VALERY LILIANA

GH
01T

LIMA-PERU

DICIEMBRE 25, 2020

EXPERIENCIA 1
 Respuesta estática y dinámica del diodo semiconductor de potencia

I) CUESTIONARIO.

1)En varios laboratorios del presente curso deberán aislarse las tierras entre
generadores/fuentes y el osciloscopio. Investigue por qué este aislamiento es
necesario.

EN LA FUENTE

En los aparatos electrónicos que lleven una fuente de

alimentación provista de un transformador (bien sea
un transformador convencional, o el de una fuente de
alimentación conmutada) que establece un
aislamiento galvánico entre primario y secundario, las
tensiones de salida de las mismas, junto con el
cuerpo metálico del aparato se conectan a tierra.

EN EL OSCILOSCOPIO

Los osciloscopios están aislados galvánicamente

de la red, por lo cual el punto cero de las
alimentaciones internas debe conectarse a masa,
y ésta a tierra. Se evita con ello que el
osciloscopio pueda captar tensiones que
interfieran con las que se quiere observar o
medir.

No obstante, si se va a trabajar con dispositivos

no aislados de la red (primario de fuentes
conmutadas, reguladores de fase, o cualquier
aparato sin transformador), la masa del osciloscopio debe dejarse sin conectar a tierra,
es decir flotante. De lo contrario el cuerpo o la entrada de blindaje de la entrada del
osciloscopio puede establecer un contacto a tierra de un polo de la red, que haga
saltar los interruptores diferenciales, y quizar fundir algún fusible interno o peor,
destruir algún semiconductor delicado.

2. Investigue el comportamiento de un diodo ideal y real, el funcionamiento de

un diodo de unión pn, y el origen de las curvas características de cada una de
los últimos ¿Qué significa que un diodo esté polarizado en forma directa o en
inversa?

Las principales diferencias entre el comportamiento real e ideal son:

1. La resistencia del diodo en polarización directa no es nula.

2. La tensión para la que comienza la conducción es VON.
3. En polarización inversa aparece una pequeña corriente.
4. A partir de una tensión en inversa el dispositivo entra en conducción por avalancha.
En la zona N tenemos electrones libres y en la zona P tenemos huecos en espera de
ser rellenados por electrones.

En la región de agotamiento habrá cationes y aniones, es decir un potencial positivo a

un lado y un potencial negativo al otro, por lo que entre N y P habrá una diferencia de
potencial (d.d.p.) o tensión ya que la unión ahora ya no es eléctricamente neutra.

Ahora podemos imaginar el conjunto de la unión PN como una pila de unos 0,3V o
0,6V dependiendo si el semiconductor puro son átomos de germanio o silicio
respectivamente. Esta supuesta "pila" tendrá su carga positiva en la zona N y la carga
negativa en la zona P. A esta unión ya la podemos llamar diodo, que es como se
conoce en electrónica.

Polarización directa de un diodo

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga

espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es
decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de
la batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas condiciones
podemos observar que:

 El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con
lo que estos electrones se dirigen hacia la unión p-n.
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p,
esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
Polarización inversa de un diodo

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a

la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona
hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a
continuación:

 El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los

cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se
desplazan hasta llegar a la batería.

3. Investigue que función matemática describe el comportamiento de un diodo

de unión pn y como es afectado por la temperatura.

4. Investigue qué diferencia hay entre el

comportamiento del diodo de germanio y de
silicio.

Diodos de germanio
Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio. Los
diodos de germanio también utilizan una unión pn y se implantan con las mismas
impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen una
tensión de polarización directa de 0,3 voltios.

El germanio es un material poco común que se encuentra generalmente junto con

depósitos de cobre, de plomo o de plata. Debido a su rareza, el germanio es más caro,
por lo que los diodos de germanio son más difíciles de encontrar (y a veces más
caros) que los diodos de silicio.

Diodos de silicio

La construcción de un diodo de silicio comienza

con silicio purificado. Cada lado del diodo se
implanta con impurezas (boro en el lado del ánodo
y arsénico o fósforo en el lado del cátodo), y la
articulación donde las impurezas se unen se llama
la "unión pn".

Los diodos de silicio tienen un voltaje de

polarización directa de 0,7 voltios. Una vez que el
diferencial de voltaje entre el ánodo y el cátodo
alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezará a
conducir la corriente eléctrica a través de su unión
pn. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos
de 0,7 voltios, la unión pn detendrá la conducción
de la corriente eléctrica, y el diodo dejará de
funcionar como una vía eléctrica. Debido a que el
silicio es relativamente fácil y barato de obtener y
procesar, los diodos de silicio son más frecuentes que los diodos de germanio.

5. Investigue el comportamiento y funcionamiento de los diodos emisores de luz

(LED)

Un diodo (diodo emisor de luz), es un dispositivo fotónico basado en una unión p-n
semiconductora, que emite luz monocromática (es decir, de un solo color) cuando se
polariza en directa y es atravesado por la corriente eléctrica. El color depende del
material semiconductor empleado en la construcción del diodo pudiendo variar desde
el ultravioleta, pasando por el espectro de luz visible, hasta el infrarrojo, recibiendo
éstos últimos la denominación de LED IR (Infra-Red). Muchos dispositivos y equipos
electrónicos disponen de un piloto de color (LED) para avisarnos de cualquier
problema o cambio detectado en el mismo (batería baja, encendido...).
6. Investigue el comportamiento del diodo Zener y el origen de su curva
característica.

El diodo Zener es un tipo especial de diodo, que siempre su utiliza polarizado

inversamente. Recordar que los diodos comunes, como un diodo rectificador (en
donde se aprovechan sus características de polarización directa y polarización
inversa), conducen siempre en el sentido de la flecha.
En este caso, para aprovechar las características del Zener, la corriente debe circular
en contra de la flecha que representa el diodo.

¿Cómo funciona un diodo Zener?

• Si el diodo zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo
común y conduce.
• Si el diodo zener se polarizada inversamente, este no conduce mientras el
voltaje aplicado sea menor al voltaje del zener. Una vez que este voltaje se
haya alcanzado, una corriente fluye de cátodo a ánodo y se mantiene entre sus
terminales un voltaje de Zener
Curva característica del diodo Zener (curva V-I).

Analizando la curva V-I del diodo se ve que conforme se va aumentando

negativamente el voltaje aplicado al diodo, la corriente que pasa por el aumenta muy
poco.
Pero una vez que se llega a un determinado
voltaje, llamada voltaje o tensión de Zener
(Vz), el aumento del voltaje (siempre
negativamente) es muy pequeño, pudiendo
considerarse constante.

Para este voltaje, la corriente que atraviesa el

diodo, puede variar en un gran rango de
valores. A esta región se le llama la zona
operativa y es la característica del diodo zener
que se aprovecha para que funcione como
regulador de voltaje, pues el voltaje se
mantiene prácticamente constante para una
gran variación de corriente. Ver el gráfico
anterior.

7. Busque los datos del fabricante de los diodos empleados en este

experimento.
8. Investigue como funciona un multímetro digital en su escala de medición de
diodos.

Muchos multímetros tienen una función específica para medir diodos. En realidad,
podríamos verificar un diodo midiendo su resistencia. Lo que tiene de particular esta
función es que suele medir la caída de tensión del diodo. Es decir, que al medir un
diodo (se conecta de forma parecida que para medir una resistencia) nos indicará un
valor en voltios. Esta es la caída de tensión del diodo. Esta medición tiene en cuenta la
polaridad.

Así que midiendo el diodo en conexión directa, nos marcará la caída de tensión típica
del semiconductor (por ejemplo, alrededor de 0,6V en diodos de silicio). Pero al
conectar el diodo de forma inversa, no marcará ninguna tensión. Esto significa que el
diodo está correcto, porque conduce en polarización directa con su caída de tensión
típica (con lo que nos aseguramos de que no está en cortocircuito o cortado), y no
conduce en polarización inversa.

II) SIMULACIÓN.

9. Simule utilizando el workbench o multisim en el circuito de la fig.1 DIODO DE

SILICIO 1N4001
DIODO DE GERMANIO 1N4148
DIODO ZENER 1N4372A
DIODO LED ROJO
 III) DATOS EXPERIMENTALES.

DIODO DE SILICIO 1N4001

Efuente VR (V) VD (V) I (mA)

(V)
0 - - -
5 4.29 0. 4.
62 30
9 8.22 0. 8.
52 10
12 11.3 0. 11
66 .2
15 14.2 0. 14
64 .1

DIODO DE GERMANIO 1N4148

Efuente VR (V) VD (V) I (mA)

(V)
0 - - -
5 4.21 0. 4.
68 25
9 8.16 0. 8.
69 22
12 10.8 0. 11
71 .1
15 14.1 0. 10
74 .9

DIODO ZENER 1N4372A

Efuente VR (V) VD (V) I (mA)

(V)
0 - - -
5 4.64 0. 4.
36 64
9 8.60 0. 8.
40 60
12 11.6 0. 11
42 .6
15 14.6 0. 14
44 .6
DIODO LED ROJO
Efuente VR (V) VD (V) I (mA)
(V)
0 - - -
5 2.80 2. 2.
20 80
9 6.78 2. 6.
22 78
12 9.77 2. 9.
23 77
15 12.8 2. 12
24 .8

Simule utilizando el workbench o multisim en el circuito de la

fig.2 y represente los canales del osciloscopio

DIODO DE SILICIO 1N4001

DIODO DE GERMANIO 1N4148

DIODO ZENER 1N4372A

DIODO LED ROJO
 IV) EVALUACION

1. Analice los datos de la Tabla

¿Cómo determina si lo diodos funcionan correctamente?
Para empezar, se coloca el selector para medir resistencias (ohmios / ohms), sin
importar de momento la escala. Se realizan las dos pruebas siguientes:

1) Se coloca el cable de color rojo en el ánodo de diodo (el lado de diodo que no
tiene la franja) y el cable de color negro en el cátodo (este lado tiene la franja).
El propósito es que el multímetro inyecte una corriente continua en el diodo
(este es el proceso que se hace cuando se miden resistores).
• Si la resistencia que se lee es baja indica que el diodo, cuando está polarizado
en directo, funciona bien y circula corriente a través de él (como debe de ser).
• Si esta resistencia es muy alta, puede ser una indicación de que el diodo esté
“abierto” y deba que ser reemplazado.

2) Se coloca el cable de color rojo en el cátodo y el cable negro en el ánodo del

diodo. En este caso como en anterior el propósito es hacer circular corriente a
través del diodo, pero ahora en sentido opuesto a la flecha de éste.
• Si la resistencia leída es muy alta, esto nos indica que el diodo se comporta
como se esperaba, pues un diodo polarizado en inverso casi no conduce
corriente.
• Si esta resistencia es muy baja puede ser una indicación de que el diodo está
en “corto” y deba ser reemplazado.
 2. Construir la gráfica VD vs ID

DIODO DE SILICIO 1N4001

DIODO DE GERMANIO 1N4148

DIODO ZENER 1N4372A

DIODO LED ROJO

5. Investigue que es la Resistencia estática 𝑹𝒆 de un diodo. ¿Cómo se puede

calcular?
 EXPERIENCIA 2:
¨Interpretación de las características fundamentales del diodo de
potencia, uso del data sheet¨

Procedimiento:

4.1Haciendo uso de la hoja de datos del fabricante para el diodo, sustraer los
parámetros, eléctricos, térmicos y mecánicos

Vrrm=400 v
Vrms=280 v
Vdc=400 v
If ( av)=3
Vf =1 v
Caja: JEDEC DO-27, plástico moldeado Terminales: cable axial, soldable por MIL-
STD-202, método 208
Polaridad: la banda de color denota cátodo Peso: 0,041 onzas, 1,15 gramos
Posición de montaje: Cualquiera
Temperatura de operación -55ºC – 150ºC

4.2 Realizar los cálculos operativos del diodo en el circuito esto es corriente
media eficaz y voltaje máximo.

4.3 Con los datos eléctricos esenciales y validados por el circuito de operación
del diodo, obtener la curva característica del diodo.
 EXPERIENCIA 3
¨RECTIFICACION NO CONTROLADA POLIFASICA, MONOFASICA Y
TRIFASICA¨
PROCEDIMIENTO
Rectificación de media onda - monofásico

5.1. Implemente un circuito rectificador de media onda, conformada por Fuente

de alimentación C.A, diodo y resistencia, configurando una FA de CC en la
salida.

Figura 5. Circuito rectificador media onda – monofásico

5.2. Haciendo uso del osciloscopio, obtenga la forma de onda de entrada Vs. La
forma de onda de salida, especificando la tensión en función del tiempo, siendo
el eje Y: tensión y el eje X: tiempo.
 Figura 6. Rectificación de media onda – Osciloscopio de proteus
5.3. Haciendo uso del osciloscopio, y estando en la condición anterior solicite
usted los siguientes parámetros:
• Tensión máxima, en la carga

Figura 7. Tensión pico en la carga

En la figura mostrada la tensión pico para la carga R=1kΩ, es:

V p=30.5V
• Tensión eficaz, en la carga

Figura 8. Tensión eficaz en la carga

En la Figura 8. Se muestra que la tensión eficaz en la carga es:
V rms =14.7 V

• Tensión media, en la carga

De la tabla de la Figura 2. Podemos obtener una fórmula para calcular el voltaje
medio.
2 ×V rms
V m=
π
V m =9.358 V

• Frecuencia en la entrada
 Figura 9. Frecuencia en la entrada

De la Figura 9. Se obtiene el periodo, y luego se calcula la frecuencia en la entrada.

• Frecuencia en la salida

Figura 10. Frecuencia en la Salida

De la Figura 10. Se obtiene el periodo, y luego se calcula la frecuencia

en la salida.

Rectificación de onda completa - monofásico

5.4.Implemente un circuito rectificador de onda completa, conformada por

fuente de alimentación de C.A, 2 diodos (si usa transformador con la derivación
central) o 4 diodos (si usa transformador sin derivación central) y resistencia,
configurando una FA de CC pulsante en la salida.

Figura 11. Circuito de rectificación de onda completa

5.5. Haciendo uso del osciloscopio, obtenga la forma de onda de entrada Vs. La
forma de salida, especificando la tensión en función del tiempo, siendo el eje Y:
tensión y el eje X: tiempo.

Figura 12. Onda rectificada (osciloscopio – proteus)

5.6. Haciendo uso del osciloscopio, y estando en la condición anterior solicite

usted los siguientes parámetros:

• Tensión máxima, en la carga

Figura 13. Tensión pico en la carga

De la Figura 13, se tiene que la tensión pico en la carga es:

• Tensión eficaz, en la carga

Figura 14. Tensión eficaz en la carga

De la Figura 14, se tiene que la tensión eficaz en la carga es:

• Tensión media, en la carga

De la tabla de la Figura 4. Podemos obtener una fórmula para calcular el voltaje

medio.

• Frecuencia en la entrada

Figura 15. Periodo de la señal de entrada

De la Figura 15. Se obtiene el periodo, y luego se calcula la frecuencia en la entrada.

• Frecuencia en la salida

Figura 16. Periodo de la señal de salida

De la Figura 16. Se obtiene el periodo, y luego se calcula la frecuencia en la salida.

Rectificación de media onda – trifásico

5.7. Implemente el circuito rectificador trifásico de media onda.

Figura 17. Rectificador trifásico – media onda

Figura 18. Señal de salida – Osciloscopio

Rectificación de onda completa – trifásico

5.8. Implemente el circuito rectificador trifásico de onda completa.

Figura 19. Rectificador trifásico – tipo puente

 Figura 20.. Señal de salida – Osciloscopio

I. EVALUACIÓN
• Explique usted por qué razón la tensión de salida se sostiene en un valor de
frecuencia f, para media onda y 2f para onda completa.

Esto se debe ya que en una rectificación de onda completa, se duplica la onda, es

decir en el primer semiperiodo de 0 a 𝜋 pasa la onda, en el segundo semiperiodo de 𝜋
a 2𝜋 igualmente, entonces como se duplica la onda, entonces se duplica el periodo y
relativamente la frecuencia.
Mientras que en una rectificación de media onda, solamente pasa la mitad de onda en
el semiperiodo de 0 a 𝜋 y la otra mitad de onda no pasa en el semiperiodo de 𝜋 a 2𝜋,
entonces el periodo no se duplica y por lo tanto la frecuencia es f.
 EXPERIENCIA 4
Conexionado de redes electrónicas fundamentales del diodo como
multiplicador

1. OBJETIVO GENERAL

1.1 Analizar los conexionados de las redes electrónicas fundamentales del

diodo como multiplicador.

2. OBJETIVOS ESPECIFICOS:

2.1. Implementar los conexionados de redes electrónicas fundamentales del

diodo como multiplicador

3. MATERIALES:

1 fuente de alimentación de CA variable

1 multímetro digital o analógico
1 juego de cable telefónico
1 protoboard
1 resistor de 1K ohm – 1/2W
4 capacitores electrolíticos de 10uF/50V a 32uF/50V
4 diodos de uso general tipo 1N4007

4. PROCEDIMIENTO

Procedimos a simular la experiencia , por la cual verificamos que el voltaje

prácticamente se cuadruplica , confirmando la experiencia y comprobando que
si cumple .

5. EVALUACION

5.1. Ya que los capacitores se caracterizan por el almacenamiento de

diferencia de potencial, y el diodo lo dirigen, entonces si colocamos 5 diodos y
5 capacitores, estos se almacenarán consecutivamente haciendo que se
multiplique por la cantidad que se presenten.
5.2. Exacto, se comprueba que la entrada es multiplicada por la cantidad de
diodo-capacitores, teniendo en cuenta que en los diodos existe una pequeña
caída de tensión.

5.3. Por supuesto, en este caso lo estamos manejando con voltajes bajos, pero
a nivel industrial se manejan grandes voltajes y si hacemos esta experiencia y
evidenciamos esta naturaleza, tenemos que tener en consideración el rango
del tester que debemos utilizar.

5.4. Daria lo mismo , en este caso estamos trabajando con electrolíticos que
trabajan con polaridad , que el diodo esta apoyando a eso , si lo cambiamos
por el cerámico seria lo mismo ya que no habría problema con la polaridad.
 EXPERIENCIA 5
CALCULO DE DISIPADORES PARA SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

1. OBJETIVOS

1.1. Analizar el modelamiento térmico en un semiconductor

2. OBJETIVO ESPECIFICO

2.1. Calcular, dimensionar e implementar disipadores de calor tipo aleta

3. MATERIALES

Parámetros y cálculos obtenidos en la experiencia 2

Hoja de datos del componente de estado solido a proteger por disipador tipo
aleta
Tabla de selección de silicona
Tabla de selección de disipadores tipo aleta

4. PROCEDIMIENTO

Aquí podemos observar el valor de Tj

Aquí podemos observar el valor de Rth(t-j) y Rc-s y la potencia total disipada :

Consideraremos la siguiente tabla para la disipador :

Ahora con el modelamiento térmico tenemos :

Tj – TA = PD(W) * R equi
150 – 60 = 10 ( R )
R equi = 9

Considerando contacto directo + silicona :

 Teniendo el Requi , podemos obtener Rsa , ya que Requi = Rcs + Rjc + Rsa

9 = 3.5 + 0.12 + Rsa

Rsa = 5.38 C/W

Ahora del siguiente cuadro podremos tener nuestro disipador

Este seria nuestro disipador : 1.75” x 0.7 “ x 0.37 “

5. EVALUACION

5.1 Explique usted por que razón los disipadores tipo aleta se consideran
no forzados
Porque es propio del calentamiento del dispositivo, además tiene que ver
con la constante de temperatura (K), es decir que siempre debes estar allí,
para cualquier sobrecalentamiento.

5.2 La función de transferencia de calor del dispositivo hacia el aire, se

consigue con la mejor silicona, diga usted cual seria la mejor
 La principal característica de la pasta térmica es ofrecer una alta
conductividad térmica, razón para su uso: se aplica entre la superficie
superior del procesador y la superficie de contacto del disipador. Su
finalidad es la de “mover” el calor del primer componente al segundo,
aunque además, dado que solemos hablar de superficies metálicas, existen
irregularidades que son tapadas por la pasta para lograr un mejor contacto
entre ambas partes.

La pasta mas adecuada seria las Pastas Termicas por ejemplo NT-H1 y la
Artic Cooling MX-4.

5.3 El parámetro que nos permite seleccionar al disipador tipo aleta, que
característica debe tener para no sobredimensionar y elevar costos en
la operación.
El parámetro es la constante de temperatura K , tendría que ser una de 0.7
para no tener un gran costo y sobredimensionar el disipador

5.4 En la actualidad existen disipadores electrónicos basados en el

principio de PELTIER, explique sus bondades
Sus principales virtudes son las siguientes:

 Gran rendimiento térmico.

 Aumenta el rendimiento del sistema a refrigerar.
 Su reducido tamaño en relación a su enorme rendimiento térmico.
 Refrigeran de forma inmediata una vez reciben corriente.

EXPERIENCIA 6
CARACTERISTICAS ESTATICAS Y DINAMICAS DEL TRANSISTOR
DARLINGTON.
1. OBJETIVO GENERAL

1.1. Analizar las características estáticas y dinámicas de un transistor en

configuración Darlington.

2. OBJETIVO ESPECIFICO

2.1. Implementar la configuración en cascada de al menos dos transistores y

verificar el efecto multiplicador en la ganancia de corriente al manejar una
carga.

3. MATERIALES
1 fuente de alimentación de CC variable
1 multímetro digital o analógico
1 juego de cable telefónico
1 protoboard
1 resistor de 10k ohm -1/2 W
1 transistor BC547
1transistor BC337
1 diodo tipo 1N4148
1 relé con bobina de 12V

4. PROCEDIMIENTO

Aquí vemos la ganancia del transistor BC547

Aquí vemos la ganancia del transistor BC337

AHORA LO SIMULAREMOS EN PROTEUS:

Podemos verificar que la ganancia es según lo previsto , pero considerando que hay
parte de la corriente que pasa por las cargas , en este caso las resistencia de 10K

5. EVALUACION

5.1 Es amplificada ya que el transistor se encuentra en serie, es decir la corriente que

ingresa al principio la base, es amplificada y esa corriente ingresa a la base del
siguiente transistor y este lo vuelve a amplificar, obteniendo una amplificación doble.

5.2 En el mercado ya lo tienen incluidos, ya que cumplen una función muy importante,
la resistencia de protección, ya que los transistores, se puede decir que entre la
base y el emisor existe un diodo y la resistencia lo protege, por otro lado, tenemos
al diodo, este es para el retorno de descarga si es el caso que exista una bobina,
ya que comúnmente usan esos transistores para motores.
5.3 Si se colocan n transistores, considerando el mismo transistor, sería la ganancia
elevada al numero de transistores colocados en cascada, en este caso seria, la
ganancia elevado a la n.

5.4 Si se colocan en paralelo no habría amplificación ya que la corriente de ganancia

del primer transistor iría en colector y por allí estaría pasando la corriente
nuevamente amplificada, y entonces seria la misma amplificada al principio,
entonces colocar 1 o más transistores no habría ganancia, solo la del inicio.

Experiencia 7
“Osciladores con P-MOSFET de potencia y manejo del DATA SHEET”
Procedimiento:

1.-Implemente un circuito oscilador estable (ASTABLE), conformada por un timer

555, y sus elementos accesorios alimentada por una fuente de alimentación C.C

Simulación de un circuito oscilador estable:

Medición del osciloscopio:

2.-Implemente un circuito oscilador monoestable (ONE SHOT), conformada por

un timer 555, y sus elementos accesorios alimentada por una fuente de
alimentación C.C
Simulación de un circuito monoestable:

En este caso puse los datos de las resistencias y del capacitor para que dentro
de 10 segundos después de presionar el botón la gráfica del osciloscopio baje.

Medición del osciloscopio:

a) Al presionar el botón:

b) Después de los 10 segundos:

3.-Si las salidas de los osciladores la llevamos a activar una carga a través del P-
MOSFET. Cuál sería el efecto

Simulación:

Medición del osciloscopio:

Acercando un poco:

Evaluación:
1.Explique usted porque razón la constante de temporización de un oscilador
astable es distinta a la de un monoestable:

En el oscilador la constante de temporización va determinada por medio del botón,

desde que lo presionas emite una onda, pero en la oscilación estable no necesitas de
un botón para eso, estará oscilando de manera continua hasta que se apague el
circuito

2.-Calcular la frecuencia y periodo de cada uno de los elementos que conforman

el oscilador estable y/o monoestable del implementado, y contrastarlo con los
datos obtenidos experimentalmente

Estable:
Datos obtenidos mediante cálculos:
F=0.98Hz
T=1.02sec
Datos obtenidos mediante el osciloscopio:
F=1Hz
T=1sec
Hay un error del 2% Monoestable:
Datos obtenidos mediante calculo:
F=0.083Hz T=12Sec
Datos obtenidos mediante el osciloscopio:
F=1.09Hz T=10Sec

3.-Que efecto de configuración se producirá si colocamos dos osciladores en

cascada (un astable activando a un monoestable)

se produce un destello secuencial en donde la duración se puede ajustar

individualmente. El tiempo se puede variar por medio de los condensadores C1, C3 y
C5; también, se puede sustituir R1, R3 y R5 por potenciómetros esto en el caso de
que se utilicen condensadores con el mismo valor para los temporizadores
temporizadores.

4.- Con respecto al terminal 4 del circuito monoestable lo normal es que dicho
terminal reset vaya conectado a la fuente ósea con un terminal 8, el hecho que
se haya ubicado en otro terminal (en el 2), que efecto inesperado se espera?

El hecho de que se conecte en el terminal 2 hace que el botón al ser activado da paso
a la resistencia, y así crear la onda.
 EXPERIENCIA 8
“CARACTERISTICAS Y ESTATICAS DEL TRANSISTOR IGBT”

MARCO TEORICO

MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) es un transistor utilizado para
amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la
industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el
transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la
totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores
MOSFET.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source),

drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato
generalmente está conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo se
pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.

El término 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el aluminio

que fue el material de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido por el silicio
policristalino debido a su capacidad de formar puertas auto- alineadas. Las puertas
metálicas están volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad de incrementar la
velocidad de operación de los transistores sin utilizar componentes metálicos en la
puerta. De manera similar, el 'óxido' utilizado como aislante en la puerta también se ha
reemplazado por otros materiales con el propósito de obtener canales fuertes con la
aplicación de tensiones más pequeñas.

BJT
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas bjt) es
un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones pn muy
cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de
controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. la denominación de bipolar
se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su
impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente
en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica
digital, como la tecnología ttl o bicmos.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

• Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
• Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
• Colector, de extensión mucho mayor.

La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento

normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector
en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque
es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector.
El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y
estado de actividad.

IGBT

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés insulated
gate bipolar transistor) es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor
controlado en circuitos de electrónica de potencia. este dispositivo posee las
características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la
capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar,
combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar
como interruptor en un solo dispositivo. el circuito de excitación del IGBT es como el
del mosfet, mientras que las características de conducción son como las del BJT.

Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta
entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones
en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y sistemas de
alimentación ininterrumpida, entre otras aplicaciones.
PROCEDIMIENTO

Implemente el circuito equivalente por elementos discretos (FET + BJT) para

configurar un transistor IGBT.

Implemente un PWM para hacer operar al IGBT como interface de potencia para
controlar la potencia de una carga (un motor DC o UNA LAMPARA)

Implemente un conmutador tipo puente, integrado por cuatro IGBT, alimentado con
CC, útil para invertir polaridades en la CARGA (si usa un motor como carga, al activar
las llaves (IGBT) por una señal lógica en la puerta del IGBT, el motor podrá invertir su
giro)
EVALUACION

1.-Explique usted por qué razón se asocian un transistor MOSFET con un BJT,
para conformar un IGBT

La principal razón de la unión de un MOSFET con un BJT es la de obtener un hibrido

con aislamiento en la entrada, al que se le denomina transistor de puerta aislada.
Esto quiere decir, que aislamos el efecto de la carga en el lado de control, eliminando
todo tipo de peligro de energización en la etapa de control.
2.-Calcular las frecuencias y periodos con cada uno de los elementos que
conforman el oscilador estable y/o monoestable del PWM, implementado, y
contrastarlo con los datos obtenidos experimentalmente haciendo uso del
osciloscopio.

Adjuntamos el grafico corriente vs frecuencia sacado del datasheet de modelo

FGA25N120AN

3.- ¿Que efecto de configuración se produciría si colocamos un MOSFET de

canal P y un transistor NPN, para conformar discretamente un IGBT?

Un IGBT está formado por un FET que manipula tensión en la entrada (G) y un BJT
que manipula corriente en la salida (CoE), si colocamos un MOSFET de canal P y un
transistor NPN, para conformar discretamente un IGBT.

El MOSFET manipula corriente en la salida (Co E), el transistor bipolar NPN

manipulara tensión en la entrada (G).

4.-En el Mercado Electrónico, existen IGBT (Transistor de puerta aislada) ya

integrados, útil para la implementación de interfaces de potencia, si opta por
usarlo referencie en base a su DATA SHEET
 EXPERIENCIA 9:
“Comportamiento estático y dinámico del SCR: rectificación controlada
polifásica y control de potencia”

Carga en estática

Carga en dinámica
Carga en dinámica
DATASHEET 1N1595
EVALUACIÓN
 1. Explique usted, porque el SCR, dispara con valores positivos de tensión y
corriente.

La operación del SCR ocurre en el primer cuadrante, ya que en el tercero tenemos la

polarización inversa. El SCR se parece a un diodo: sólo conduce la corriente en un
sentido.

A partir de una tensión de 0 volt, con la compuerta convenientemente polarizada, la

tensión entre el ánodo y el cátodo puede subir hasta el punto VOB, cuando ocurrirá el
disparo. La tensión entre el ánodo y el cátodo cae a un valor mínimo, típicamente
2,0V, y la corriente se vuelve intensa.

La menor corriente en que el SCR todavía se mantiene conectado se denomina lo

corriente de mantenimiento. Si la corriente principal cae por debajo de este valor, el
SCR desconecta.

2. Una condición para que se produzca el enganche de un SCR, es que las

condiciones de disparo sean las adecuadas, diga usted cual sería la
segunda condición.

En la otra forma de activar o encender un tiristor SCR no es necesario que la tensión

entre el ánodo y el cátodo llegue a la tensión de ruptura, por lo que si la tensión entre
el ánodo y el cátodo es menor a la tensión de ruptura, el tiristor SCR se puede activar
o encender enviando una señal a la compuerta, con la condición de que esta señal sea
capaz entregar a la compuerta una corriente mínima, a la que se conoce como
corriente de activación o corriente de disparo y simbolizada como IGT, esta corriente
tiene que ser capaz de hacer que entre la compuerta y el cátodo caiga una tensión que
se conoce como la tensión de disparo del tiristor SCR la cual se simboliza mediante
VGT.

3. Estando enganchado el SCR (la carga activada) y con el Switch abierto

(IGT=0 y VGT=0), una forma desengancharla es haciendo que la IGT <0
(inyectar una corriente negativa en la puerta), y existe otra forma de
hacerlo, diga usted como lo haría.

Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente aplicado a la compuerta. Esta

corriente de compuerta (IG) fluye por la unión entre la compuerta y el cátodo, y sale
del SCR por la terminal del cátodo. La cantidad de corriente de compuerta necesaria
para disparar un SCR en particular se simboliza por IGT. Para dispararse, la mayoría
de los SCR requieren una corriente de compuerta entre 0.1 y 50 mA (IGT = 0.1 - 50
mA). Dado que hay una unión pn estándar entre la compuerta y el cátodo, el voltaje
entre estas terminales (VGK) debe ser ligeramente mayor a 0.6 V.

4. Discretamente usando dos transistores BJT, complementarios, se puede

implementar o fabricar un SCR, podrían hacer un diseño que dispare al
SCR, con pulsos negativos?

Una vez que un SCR ha sido disparado, no es necesario continuar el flujo de corriente
de compuerta. Mientras la corriente continué fluyendo a través de las terminales
principales, de ánodo a cátodo, el SCR perrnanecerá en ON.

Cuando la corriente de ánodo a cátodo (IAK) caiga por debajo de un valor mínimo,
llamado corriente de mantenimieno, simbolizada IH el SCR se apagara. Para la
mayoría de los SCR de tamaño mediano, la corriente de mantenimiento IH es
alrededor de 10 mA.
 EXPERIENCIA 10: COMPORTAMIENTO ESTÁTICO Y DINÁMICO DEL TRIAC:
RECTIFICACIÓN CONTROLADA POLIFÁSICA Y CONTROL DE POTENCIA.

I. OBJETIVO GENERAL.
Analizar las aplicaciones fundamentales del TRIAC, desde el punto de vista estático y
dinámico
II. OBJETIVO ESPECÍFICO.
Implementar un sistema de control de potencia, mediante rectificación controlada en
base al TRIAC.
III. MATERIALES.
 1 Fuente de alimentación de CC (variable de 0 a 17v)
 1 Fuente de alimentación de CA (variable de 0 a 220v)
 1 Multitester digital o analógico
 1 osciloscopio de dos canales
 Juego de cable telefónico y conectores
 TRIACS varios (de uso general: BT 151, AC97AB. BT131)
 DIAC (Diodo bidireccional)
 Resistores varios
 Capacitores varios
 Carga: predominantemente inductiva (Motor AC)

IV. PROCEDIMIENTO.
1. Implemente el circuito de control para una carga que opera con DC, disparo en
continua.
2. Previamente dimensionar cada uno de los elementos del circuito y la
especificación del TRIAC, que permitan controlar la carga (VG: un motor AC, una
lámpara).
Sugerencia:
a) Con los datos de la carga (motor): P, V, I, seleccione un TRIAC.
b) Con el TRIAC seleccionado, de la HOJA DE DATOS obtener sus
especificaciones de disparo: IGT, VGT, y especificaciones de carga: VAK,
IAK, IL, IH.
c) Con las especificaciones de disparo, dimensione el valor de R, que permita
el disparo del TRIAC, Y la configuración de operación en el cuadrante
adecuado.
d) Con las especificaciones de carga, verifique que la carga va a ser
controlada.
3. Conecte los instrumentos respectivos en los terminales del TRIAC, para medir los
parámetros de disparo mediante un amperímetro (IGT), un voltímetro (VGT).
4. Conecte los instrumentos respectivos en los terminales del TRIAC y la carga,
para medir los parámetros de carga mediante un amperímetro (IMT1-MT2), un
voltímetro entre los terminales de la carga (VL).
5. Con el switch abierto medir los parámetros de disparo y carga
6. Con el switch cerrado medir los parámetros de disparo y carga
7. Estando el switch cerrado, volverlo a abrir (verificar que el TRIAC, quedó
enganchado.
8. Implemente el circuito de control para una carga que opera AC, disparo en AC.
 9. Previamente verificar que las dimensiones de cada uno de los elementos del
circuito, correspondan a la especificación del TRIAC, y que permitan controlar la
carga (VG: un motor AC).

Sugerencia:
a) Con los datos de la carga (motor): P, V, I, se selecciona el TRIAC
b) Con el TRIAC, seleccionado, de la HOJA DE DATOS obtener sus
especificaciones de disparo: IGT, VGT, y especificaciones de carga: VMTI-
MT2, IMT1-MT2, IL, IH.
c) Con las especificaciones de disparo, se dimensiona el valor de R, que
permita el disparo del TRIAC.
d) Con las especificaciones de carga, verifica que la carga va a ser controlada.

10. Conecte los instrumentos respectivos en los terminales del TRIAC, para medir los
parámetros de disparo mediante un amperímetro (IGT), un voltímetro (VGT).
11. Conecte los instrumentos respectivos en los terminales del TRIAC y la carga,
para medir los parámetros de carga mediante un amperímetro (IMT1-MT2), un
voltímetro entre los terminales de la carga (VL).
12. Con el switch abierto medir los parámetros de disparo y carga
13. Con el switch cerrado medir los parámetros de disparo y carga
14. Estando el switch cerrado, volverlo a abrir (verificar que el TRIAC, quedó
enganchado.

Podrá hacer uso de osciloscopio para obtener la onda de disparo y la onda en la

carga, ya sea en tensión o corriente.
15. Implemente el circuito correspondiente al Control de una carga
predominantemente inductiva (Motor AC)
a) Obtener la curva característica tensión-corriente en el disparo (tomar lectura de
tensión corriente, variando el potenciómetro entre su valor mínimo y máximo).
b) Obtener la curva característica tensión-corriente en la carga para cada valor del
disparo (tomar lectura de tensión corriente, variando el potenciómetro entre su
valor mínimo y máximo).
c) Graficar la curva característica V-I tabulando los valores medidos
d) Comparar con la gráfica tabulada vs la gráfica arrojada por el osciloscopio.

Características del Triac

  PARAMETROS DEL TRIAC
VALORES MAXIMOS (2N6071A, B – MOTOROLA)

CARACTERISTICAS ELECTRICAS (2N6071A, B – MOTOROLA)

V. EVALUACIÓN.
1. Explique usted, porque el TRIAC, dispara con valores positivos y/o negativos
de tensión y corriente.
El estado I (+), seguido de III (-) es aquel en que la corriente de compuerta
necesaria para el disparo es mínima. En el resto de los estados es necesaria
una corriente de disparo mayor. El modo III (+) es el de disparo más difícil y
debe evitarse su empleo en lo posible.
2. Una condición para que se produzca el enganche de un TRIAC, es que las
condiciones de disparo sean las adecuadas, diga usted cual sería la
configuración más eficiente (de las cuatro posibilidades, hay dos donde opera
el TRIAC, de las dos hay una, que es la más eficiente); ¿Cuál es el cuadrante
de operación más eficiente del TRIAC?
 El cuadrante de operación más eficiente del TRIA es el primer cuadrante
designado por I (+), es aquel en que la tensión del ánodo MT2 y la tensión de la
compuerta son positivas con respecto al ánodo MT1 y este es el modo más
común (Intensidad de compuerta entrante).

3. ¿Qué papel cumple un SNUBBER, y con qué parámetro del TRIAC, se diseña?
Las redes snubbers se utilizan para suprimir transitorios indeseables y eliminar
problemas en los circuitos de conmutación con elementos inductivos y
capacitivos. La conmutación en estos circuitos puede producir EMI
(interferencias electromagnéticas) que afecten a otros equipos y si no se
suprimen las sobretensiones transitorias se pueden exceder los límites de los
dispositivos y producir su degradación o destrucción

Redes Snubbers.

4. ¿para qué tipo de carga se requiere usar SNUBBER?

Se requiere para cargas resistivas como también para cargas inductivas.

VI. ESQUEMAS.
Carga disparada en estática

VII. OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES

 Como se pudo notar el Triac es un SCR bidirreccional.
 La corriente y la tensión de encendido disminuyen con el aumento de
temperatura y con el aumento de la tensión de bloqueo.
 Las corrientes de pérdida del Triac son pequeñas, del orden de 0,1 m A a la
temperatura ambiente.
 El Triac conmuta del modo de corte al modo de conducción cuando se inyecta
corriente a la compuerta. Después del disparo la compuerta no posee control sobre
el estado del Triac. Para apagar el Triac la corriente anódica debe reducirse por
debajo del valor de la corriente de retención IH.
 EXPERIENCIA N°11
PRACTICA INDUSTRIAL IGBT VS IGCT. CONEXION DELTA-ESTRELLA DE
CARGAS TRIFASICA CON SSR

I. OBJETIVO GENERAL

 Analizar las aplicaciones fundamentales del IGCT-SSR, desde el punto de vista

estático y dinámico.

II. OBJETIVO ESPECÍFICO

 Implementar un sistema de control de potencia, en base al IGCT y SSR.

III. MARCO TEÓRICO

Tiristor IGCT

Dispositivo semiconductor empleado en electrónica de potencia para

conmutar corriente eléctrica en equipos industriales. Es la evolución del Tiristor
GTO (del inglés Gate Turn-Off). Al igual que el GTO, el IGCT es un interruptor
controlable, permitiendo además de activarlo, también desactivarlo desde el
terminal de control Puerta o G (del inglés Gate). La electrónica de control de la
puerta está integrada en el propio tiristor.

IV. MATERIALES

 1 Fuente de alimentación de CC (variable de 0 a 17v).

 1 Fuente de alimentación de CA (variable de 0 a 220v).
 1 Multitester digital o analógico.
 1 Osciloscopio de dos canales.
 Juego de cable telefónico y conectores.
 IGCT varios (de uso general).
 SSR (Carga CC y/o CA).
 Resistores varios.
 Capacitores varios.
 Carga: predominantemente inductiva (Motor AC) o resistiva (lampara
incandescente).
V. PROCEDIMIENTO

1. Implemente el circuito de control para una carga AC, disparo DC, usando
IGCT:
 Al no haber un tiristor IGCT en el banco de componentes de Proteus para
simularlo, se realizará de manera gráfica:

FIGURA62. CIRCUITO DE CONTROL AC CON IGCT

 Implemente el circuito de control para una carga que opera en AC, disparo
en DC, usando SSR:

FIGURA63. CIRCUITO DE CONTROL USANDO SSR PARA UNA CARGA EN AC

DISPARANDO EN DC
  Cuando el Switch este encendido dispara corriente DC:

FIGURA64. CIRCUITO DE CONTROL USANDO SSR PARA UNA CARGA EN AC

DISPARANDO EN DC CON EL SWITCH ENCENDIDO

 Cuando el Switch está apagado dispara corriente AC:

VI. EVALUACION

FIGURA65. CIRCUITO DE CONTROL USANDO SSR PARA UNA CARGA EN AC

DISPARANDO
1. Explique usted, porque elENIGCT,
DC CON
noELrequiere
SWITCH APAGADO
SNUBBER, cuando maneja
cargas predominantemente inductivas.

Porque una de las características del IGCT en nivel de aparatos, es que hacen
posible el funcionamiento sin circuitos de protección contra las sobretensiones
(SNUBBER).
 2. Una condición para que se produzca el enganche de un IGCT, es que las
condiciones de disparo sean las adecuadas, diga usted cual sería la
configuración:
 Vd=4000
 Rs=0.35Ω
 Li=4uH
 Lcl=0.3H
 Vdm<Vdrm
3. ¿Discretamente usando dos tiristores SCR, TRIACS, Y
OPTOACOPLADORES, se puede implementar un SSR, ¿podrían hacer
diseño discretamente y probarlo al SSR?

Si se puede implementar un SSR, el diseño se hizo para hacer la simulación de

un SSR con Triac, usando un opto acoplador, en el punto 2 del procedimiento.

4. ¿Qué papel cumple un SNUBBER, y con qué parámetro del IGCT, se

diseña?

Es un circuito de protección para las sobretensiones.

 Vces=600V
 Ic=27A
 Rl=56.6Ω
 L=10mH
 Vs=172Vdc
 Il=2.85A

VII. CONCLUSIONES

 IGBT tiene una alta frecuencia de conmutación en comparación con IGCT.

 La vida útil de IGBT es diez veces mayor que la de IGCT.
 IGCT tiene baja caída de voltaje en estado ON.