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Tecnología Electrónica

2º Grado en Ingeniería en Electrónica y Automática Industrial

Escuela Politécnica Superior

Universidad de Alcalá

Reservados todos los derechos.

No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
 DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA, UAH
Grado en Ingeniería Electrónica y Automática Industrial
600012 – Tecnología Electrónica

No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
Prueba: Prueba de Conjunto (PC) Fecha: 24 mayo 2018

Apellidos: Nombre:

¡Atención!: No se admitirán respuestas no justificadas adecuadamente Número:

Ejercicio 1.-(15 puntos) Un transistor de potencia posee una curva de desvataje como la presentada en la figura
adjunta. Conteste a las siguientes preguntas:
a) A partir de la curva, obtenga la resistencia térmica unión-
cápsula del transistor, en K/W. PD (W)
b) Si se quiere disipar una potencia de 4 W y la temperatura 8
ambiente es de 100ºC, halle la resistencia térmica entre cápsula

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y ambiente del disipador a emplear.
c) Se dispone de un disipador que proporciona una resistencia
térmica cápsula-ambiente de valor 9ºC/W. ¿Hasta qué TC (ºC)
temperatura ambiente se podrán disipar en el transistor 3 W?
80 170

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 TE – PC, mayo 2018, pág.-2

Ejercicio 2.-(15 puntos) En la figura 1 se muestra un montaje de laboratorio con un amplificador diferencial
realimentado, sobre el que se mide la Función de Transferencia vo = f(va) que se observa en el osciloscopio tal y
como se muestra en la figura 2. Considere que en el modo X-Y se ha ajustado el cero al centro de la cuadrícula.

va Diferencial Escalas:
+ vo vL CH1:
Rg Ad
+ vb _ 200mV/div
vg RL
CH2:
1V/div

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Ra Rb

Figura 1 Figura 2
Responda razonadamente a las siguientes cuestiones:
a) ¿Cuáles son los niveles de saturación en la salida del diferencial?
b) Se anula la tensión va y medimos vo con un multímetro en DC. ¿Qué valor de voltaje se espera encontrar?
c) Obténgase la ganancia de tensión GV = (vo/va) del amplificador.
d) En la cuadrícula de osciloscopio que se muestra a continuación, en el canal 1 se muestra la señal va. En el caso
de que el valor absoluto de la ganancia de tensión fuese de 5, dibuje vL sincronizada con va. Indique además la

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frecuencia que tiene la señal de entrada.

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 TE – PC, mayo 2018, pág.-3

Ejercicio 3.-(25 puntos) La salida del amplificador diferencial de

la figura adjunta se toma únicamente en el colector de Q4. Se sabe
VCC
que todos los transistores son iguales.
Otros datos: VBE=0,6V, β=200, VCEsat=0,2V y VCC =12V vs
a) Suponiendo que va=vb=VCC/2, calcule el punto de polarización
de todos los transistores.
va vb
b) Calcular los límites de la tensión en modo común.
c) En modo diferencial, dibuje el circuito equivalente en pequeña

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señal y calcule: Zed , Zs y Gv = vs/(va ˗vb).

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c) En modo diferencial va=-vb=-vd/2, por lo que tendremos una ‘masa virtual’ en los emisores del par diferencial.
En consecuencia, el cto. equivalente queda:

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 TE – PC, mayo 2018, pág.-4

Ejercicio 4.-(25 puntos) En cierta aplicación, se usa un AO de potencia cuya tensión máxima de salida depende
de la alimentación (simétrica) según la relación | vo-max | = (VCC -2) V. Se desea usar este AO para obtener una

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potencia de salida de al menos 20W sobre un altavoz de impedancia RL=8Ω.
a) Diseñe y dibuje el circuito resultante para amplificar la señal de un generador de entrada, vi, con una ganancia
GV = 10 (V/V). Especifique la tensión de alimentación mínima necesaria, según los datos conocidos.
b) Si se alimentase ahora el circuito a VCC = 15V, demuestre la expresión y obtenga el valor de la máxima
potencia disipada en el AO en estas condiciones.

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 TE – PC, mayo 2018, pág.-5

Ejercicio 5.-(20 puntos) En la figura se representa un inversor CMOS del que supondremos que sus transistores
funcionan solo en dos estados: OFF = corte; ON = óhmica, produciéndose el cambio de estado cuando se supere
el umbral correspondiente a cada transistor y que este cambio de estado sucede en un tiempo prácticamente nulo.
La señal de entrada vg(t) es un escalón de 5V de amplitud. Suponga que en t=0 la tensión de entrada, de 0V, lleva
aplicada mucho tiempo, por lo que todas las capacidades alcanzaron su valor final. Se pide:
a) Determine el estado inicial de ambos transistores en t = 0 y el valor correspondiente de la tensión en los nodos
de entrada y salida de la puerta (ve y vs).
b) A partir de t=0, dibuje la forma de onda de entrada en función del tiempo. Determine el tiempo necesario para
que ve alcance su valor final (Nota: criterio valor final  3·τ, correspondiente a un error del 5%, aprox.).

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c) A partir de t=0 ¿en qué instante de tiempo el transistor PMOS deja de conducir? ¿En qué instante de tiempo el
transistor NMOS empieza a conducir?
d) Teniendo en cuenta los resultados del apartado anterior, represente la evolución de la tensión de salida vs(t)
VDD=5V
M2

Rg ve vs
+
vg
CL
M1

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Datos:
Rg = 100Ω; CL = 30pF.
NMOS: VtN =3V; RN-ON = 100Ω; y CGSN = 10pF.
PMOS: VtP =-3V; RP-ON = 100Ω; y CGSP  0.

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TE – PC, mayo 2018, pág.-6

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