TEPEI1Curso20192020.

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Tecnología Electrónica

2º Grado en Ingeniería en Electrónica y Automática Industrial

Escuela Politécnica Superior

Universidad de Alcalá

Reservados todos los derechos.

No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
 DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA, UAH
Grado en Ingeniería Electrónica y Automática Industrial
600012 – Tecnología Electrónica

No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
Prueba: P. de Evaluación Intermedia (PEI) Fecha: 12‐marzo‐2020

Apellidos: Nombre:

¡Atención!: No se admitirán respuestas no justificadas adecuadamente Número:

Cuestión 1. En los circuitos que siguen (1.a y 1.b), se desea que ambos transistores se mantengan en su zona
“activa”. Determine los valores de RC y RA que garantizan dicha condición.
  +Vp=10V
  +Vp +Vp=10V
RC 

Reservados todos los derechos.

|Vt|=2V
|k|=1mA/V2

RE=2KΩ  RA
‐Vn=10V

Circuito 1.a Circuito 1.b

Cuestión 2. Determine el margen de valores de la tensión en +Vp=10V

modo común, VCM, que permite que el amplificador diferencial
de la figura funcione correctamente. Dato adicional: se sabe que
la tensión mínima para que la fuente pueda funcionar es RD=4KΩ 
VIomin=1,5V.

VA VB
|Vt|=1V
|k|=2mA/V2

Io=2mA

‐Vn=10V

Cuestión 3. En la figura se representa la estructura equivalente +

de un amplificador solo para señal variable. Del análisis DC se
sabe que ambos transistores están polarizados con una corriente
vo
de 2mA. Otros datos conocidos son: k=2mA/V2 (para el +
MOSFET); |VA|=100V y β=200 (para el BJT). vi
Obtenga la Ze, Zs y Gv del amplificador mostrado. ‐ ‐

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