SEGUNDA UNIDAD: Transistor de unión bipolar (BJT)

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Guía de Prácticas

Diseño con Transistores Bipolar (BJT)

Grupo: ___________ Nota:

Alumno(s):

___________________________________________________

___________________________________________________

I. Objetivos
• Determinar el punto de operación y la región de trabajo de un transistor.
• Comprobar el funcionamiento de algunos circuitos de aplicación del transistor de unión
bipolar de acuerdo a sus regiones de trabajo: activa, corte y saturación
II. Contenido teórico
• Transistor de unión bipolar (BJT)
III. Equipos y materiales
Laboratorio: Electrónica Básica
Equipos y dispositivos:
• Osciloscopio
• Generador de señales
• Fuente de Poder (DC)
Software:
• Simulador Multisim - Proteus
Materiales y fungibles (deben ser adquiridos por los alumnos):
• Comprar 04 fungibles de cada uno de los siguientes materiales:
o R1 2.2kΩ a ½ vatio y R2 10kΩ a ½ vatio
o R3 10kΩ a ½ vatio, R4 10kΩ a ½ vatio y R5 330Ω a ½ vatio
o R6 82kΩ a ½ vatio, R7 820Ω a ½ vatio, R8 220Ω a ½ vatio y R9 22kΩ a ½ vatio
o R10 1.0kΩ a ½ vatio, R11 1.0kΩ a ½ vatio y R12 330Ω a ½ vatio
o R16 22kΩ a ½ vatio, R17 330Ω a ½ vatio y R18 1kΩ a ½ vatio
o R19 8.2kΩ a ½ vatio y R22 470Ω a ½ vatio
o 02 Capacitores de 10 uF (C1 y C2)
o 01 Transistor de unión bipolar npn BC548B o equivalente
o 01 Transistor de union bipolar 2N2222A o equivalente

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 o 01 Diodo emisor de luz (LED)
• Protoboard
• Multímetro
• Cable telefónico sólido (2 metros) varios colores
• Alicates para cortar y pelar alambre
• Lentes de protección y Mandil

IV. Cuestionario Previo

A continuación, el alumno deberá investigar los conceptos que se necesitaran saber para el
buen desarrollo del desarrollo de esta práctica:
• ¿Que es polarización del transistor?
• ¿Qué aplicaciones se puede utilizar con un transistor que funciona en corte y saturación?
• ¿Qué propiedades la topología de emisor común por divisor de tensión?
• ¿Qué aplicaciones se puede utilizar con un transistor en modo amplificador?

V. Procedimiento

Parte 1. Diseño de Circuito en Corte y Saturación.

Sabiendo que para alcanzar el nivel de saturación debemos garantizar que:

𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝐼𝐵 >
𝛽𝑐𝑑

𝑉𝑐𝑐
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝑐

𝑉𝑖 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
Por lo general es suficiente
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝐼𝐵 >
20
Figura 1

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 1. En el circuito de la Fig. 2 donde VBB= VCC=10 v se quiere mantener al transistor en
saturación fuerte con una intensidad de saturación en colector de 30 mA (Icsat=30 mA)y
que pueda encender el led azul. ¿qué valores deberían tomar RB y RC para ello? El transistor
utilizado es el BC548B (se adjuntan sus especificaciones técnicas en el Apéndice).
10V − 0.7V
Rb = 30 ma = 6.2kΩ
20
10v − 1.9v
Rc = = 27Ω
30mA
10V − 0.7V
Ib = = 1.5 mA
6.2k
Ie = (20 + 1)1.5 ma
𝑉𝑐𝑒=10𝑉−30𝑚𝐴∗27Ω

2. En base a los resultados teóricos obtenidos en la sección 1, y seleccione unos valores

determinados para RB y RC y a continuación implemente el circuito de la Fig. 2. Compare
los resultados obtenidos experimentalmente con los teóricos y complete la tabla 1.

Figura 2

Parámetros Valores Valores

Teóricos Simulados
VBB=VCC 10 V 10 V
Vled azul 1.9 1.9
RB 6.2k 62
RC 27 26
Ib 1.5 ma 1.4

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 Ic 28.9mA 30 mA
Ie 31.5 32
VCE 1.9 1.8
βdc sat 20 20
Tabla 1

3. Utilizando el mismo circuito implementado en la sección 1, coloque al transistor en corte

(VBB=0 v). Compare los resultados obtenidos simulados con los teóricos y complete la
tabla 2.

Parámetros Valores Valores

Teóricos Simulados
VCC 10 V 10 V
VBB 0V 0V
Vled azul 1.9 1.8
Ib 0 0
Ic 0 0
Ie 0 0
VCE 9.99 10
Tabla 2

Parte 2. Polarización de Emisor (por División de Tensión)

Ecuaciones de Diseño:

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

𝑉𝐶𝐶 𝑅2
𝑉𝐵 = = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸
𝑅1 + 𝑅2
= 𝑅𝐸 𝐼𝐸 + 0.7

Bajo la condición de:

𝛽𝑅𝐸 ≥ 10𝑅2

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 1. En el circuito de la Fig. 3 VCC=12 V se quiere situar al transistor en su zona activa en el
punto medio de su recta de carga (6V) con (Ic=20 mA), Encuentre el valor de β, calcule y
seleccione unos valores para R1, R2, RC y RE. El transistor utilizado es el BC548 (se
adjuntan sus especificaciones técnicas en el Apéndice). Se recomienda usar Re=120Ω y
R2=1kΩ.

Figura 3

2. En base a los resultados teóricos obtenidos en el apartado 1, implemente el circuito de la

Fig. 2. Compare los resultados obtenidos experimentalmente con los teóricos y complete
la tabla 3.

Parámetros Valores Teóricos Valores Simulados

VCC 10 V 10 V
R1 2.8 kΩ 2.87kΩ

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 R2 1kΩ 1kΩ
RC 180Ω 180Ω
RE 120Ω 120Ω
Ib 64.7 uA 54.9 uA
Ic 19.7 mA 19.9 mA
Ie 19.8 mA 19.9 mA
Vb 3.11 V 3.1 V
Vc 3.55 V 3.57 V
Ve 2.38 V 2.4 V
VCE 6.06 V 5.9 V
Tabla 3

3. Cambie el transistor BC548B por el 2N2222A, implemente el circuito de la Fig. 2.

Compare los resultados obtenidos y complete la tabla 4.

Parámetros Valores % de Variación con

2N2222A referencia al BC548
Ib 92.5 uA 42.96 %
Ic 19.8 mA 0.50%
Ie 19.8 mA 0.50%
Vb 3.09 V 0.64%
Vc 3.56 V 0.28%
Ve 2.38 V 0%
VCE 6.06 V 0%
Tabla 4

VI. Informe Final

1. Adjunte todos los cálculos teóricos utilizados para la realización de esta práctica.

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 2. Explique el funcionamiento de los circuitos de la parte 1.
El funcionamiento del circuito es de corte y saturación, es decir que cuando está en corte la
corriente de la base debe ser 0, por lo que la corriente del colector y emisor es igual a cero
y el voltaje del transistor es igual al Vcc; por otro lado cuando este está en saturación, la
corriente de base es muy alta; enviando y permitiendo que exista circulación de corriente
entre el colector y emisor; siendo el comportamiento del transistor como un interruptor
cerrado.

3. Explique el funcionamiento de los circuitos de la parte 2.

El funcionamiento de este circuito en primer lugar se da cuando la corriente de la
base es menor a la del divisor de tensión; cuando esto se da el divisor de tensión hace
que la tensión de base actué en constante e igual tensión sin carga obtenida del
divisor de tensión. Donde el punto de carga fija cree que se dé una resistencia
thevenin del divisor de tensión.
El divisor de tensión es prácticamente constante, por ello que requiere resistencias pequeñas
en las resistencias R1 y R2, ya que si no lo son pueden llegar a generar variaciones.

4. Comparar y evaluar los resultados de la práctica.

• Conclusiones
Tener en cuenta en el diseño del circuito, en la elección de las resistencias o en el calculo
de estas, los parámetros y niveles que se necesitan para cuando el transistor este en
funcionamiento.
El circuito por divisor de voltaje es un diseño estable en cuanto a el punto Q, pero la
desventaja que llega a tener este circuito es que la ganancia de voltaje en la salida es
menor, por lo mismo de que aunque se le varié el voltaje de entrada este punto Q será
estable.
Con respecto al circuito de corte y saturación pudimos comprobar el trabajo del
transistor como switch, ya que cuando este entraba en corte, no había paso de corriente
en ninguna parte del circuito, mientras que cuando estaba en saturación este dejaba
pasar pequeñas cantidades de corriente activando el circuito
• Recomendaciones

La primera recomendación que se da es que se tiene que tener en cuenta los parámetros
del datasheet del transistor, ya que mediante estas podemos ver como configurar este y
que valores debe tener para su funcionamiento.

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 Además de que si este se quiere llevar a la práctica tener en cuenta que se deben buscar
los valores más aproximados, ya que así el voltaje de salida requerido será más exacto,
junto a esto verificar el rango nominal de los elementos a usar.
Comprobar siempre en el diseño de polarización por divisor de tensión que se cumpla que el β*Re
siempre sea mayor o igual a 10*R2, además de que este circuito no sea dependiente del beta del
transistor, ya que así cuando la corriente de voltaje cambie el punto Q no lo hara.

TABLA DE AVANCE Y CONTROL

FECHA PREGUNTA FIRMA

Circuito 1:

Circuito 2:

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